JPS607049A - 電位測定装置 - Google Patents
電位測定装置Info
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- JPS607049A JPS607049A JP58112719A JP11271983A JPS607049A JP S607049 A JPS607049 A JP S607049A JP 58112719 A JP58112719 A JP 58112719A JP 11271983 A JP11271983 A JP 11271983A JP S607049 A JPS607049 A JP S607049A
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- Japan
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- potential
- control electrode
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- detector
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/305—Contactless testing using electron beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/266—Measurement of magnetic- or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy
- H01J37/268—Measurement of magnetic- or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy with scanning beams
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、電子ビームを針として被測定物体表面の電位
（例えばＬＳＩ内の電位）を測定する電位測定装置に関
するものである。
（例えばＬＳＩ内の電位）を測定する電位測定装置に関
するものである。
走査形電子顕微鏡に２次電子のエネルギーを分析する装
置を付加すると、電子ビーム照射箇所の電位を測定でき
ることが知られている（特公昭４７−５１０２４号公報
参照）。
置を付加すると、電子ビーム照射箇所の電位を測定でき
ることが知られている（特公昭４７−５１０２４号公報
参照）。
第１図の（ａ）にこの原理を示す。被測定試料１に対向
して置かれた２次電子検出器４の中間に制御電極Ｇが配
置されている。制御電極Ｇは、電子ビーム２の照射によ
り試料１から放出された２次電子３のエネルギーを区別
するための電位障壁を形成する。第１図（ｂ）はこの電
位障壁の動作を説明する図である。試料上に制御電極Ｇ
が配置されていない場合には、すべての２次電子３が２
次電子検出器４で検出される。零電位の試料１がら放出
される２次電子のエネルギー分布は、第１図（ｂ）のＡ
で示すような分布をしている。試料ｌの電位が一５Ｖで
あるとその分布はＢのようになる。制御電極Ｇを設け、
これに−５■を印加すると、検出される２次電子は５ｅ
Ｖ以上のものに制限されるので、試料１の電位によって
、２次電子検出量に変化が生じる。このように検出量が
試料電流に関係するので、逆に検出２次電子量から試料
１の電位を知ることができる。
して置かれた２次電子検出器４の中間に制御電極Ｇが配
置されている。制御電極Ｇは、電子ビーム２の照射によ
り試料１から放出された２次電子３のエネルギーを区別
するための電位障壁を形成する。第１図（ｂ）はこの電
位障壁の動作を説明する図である。試料上に制御電極Ｇ
が配置されていない場合には、すべての２次電子３が２
次電子検出器４で検出される。零電位の試料１がら放出
される２次電子のエネルギー分布は、第１図（ｂ）のＡ
で示すような分布をしている。試料ｌの電位が一５Ｖで
あるとその分布はＢのようになる。制御電極Ｇを設け、
これに−５■を印加すると、検出される２次電子は５ｅ
Ｖ以上のものに制限されるので、試料１の電位によって
、２次電子検出量に変化が生じる。このように検出量が
試料電流に関係するので、逆に検出２次電子量から試料
１の電位を知ることができる。
しかし上記の制御電極Ｇの配置のみによる電位測定では
、試料１の電位と検出された２次電子量との関係は直線
的でなく、電位の定量的な測定は難しい。そこで、これ
に直線性をもたせるため検出２次電子量を常に一定に保
つように制御電極の電位を回路的に調整するフィードバ
ック法が知られている（Ｈ，Ｐ、 ＦＥＵＲＢＡＵＭ
ｅｔ ａｔ、 ＩＥＥＥＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ ５ｏｌ
ｉｄ ５ｔａｔｅ ｃｉｒｃｕｉｔｓ、 ＶＯＩ。
、試料１の電位と検出された２次電子量との関係は直線
的でなく、電位の定量的な測定は難しい。そこで、これ
に直線性をもたせるため検出２次電子量を常に一定に保
つように制御電極の電位を回路的に調整するフィードバ
ック法が知られている（Ｈ，Ｐ、 ＦＥＵＲＢＡＵＭ
ｅｔ ａｔ、 ＩＥＥＥＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ ５ｏｌ
ｉｄ ５ｔａｔｅ ｃｉｒｃｕｉｔｓ、 ＶＯＩ。
５Ｃ−１３，Ａ３１９７８）。
第２図は、このフィードバック法を説明するブロック図
である。２次電子検出器４の出力を基準電圧すと比較し
、その差を増幅器５で増幅し、その出力を制御電極Ｇに
与える。２次電子検出量が増加すると、制御電極Ｇの電
位が低下するように構成されているので、試料１の電位
がどのように変化しても、２次電子検出量は一定に保た
れる。
である。２次電子検出器４の出力を基準電圧すと比較し
、その差を増幅器５で増幅し、その出力を制御電極Ｇに
与える。２次電子検出量が増加すると、制御電極Ｇの電
位が低下するように構成されているので、試料１の電位
がどのように変化しても、２次電子検出量は一定に保た
れる。
このとき、試料電位の変化量と制御電極Ｇの変化量は一
対−になるので、制御電極Ｇの電位を測定することで試
料１の電位変化を定量的に知ることができる。
対−になるので、制御電極Ｇの電位を測定することで試
料１の電位変化を定量的に知ることができる。
（１
しかしながら、この測定を精度よく広うには、制御電極
Ｇ電位の変化範囲を定められた範囲内にしなければなら
ない。この範囲内で動作させるために、通常２次電子検
出器４の感度を調整する。
Ｇ電位の変化範囲を定められた範囲内にしなければなら
ない。この範囲内で動作させるために、通常２次電子検
出器４の感度を調整する。
しかし、１次電子ビーム量の変化や、試料材質の差があ
ると、この動作点は変化してしまい、測定に大きな誤差
を生じるようになる。例えば、ＬＳＩ内の配線電圧の時
間変化を測定する場合、ＬＳＩ内の多数の点を測定して
その電圧を比較し検討する。ところが、ＬＳＩ内の各測
定点における材質はすべて同一とは限らない（例えば、
Ａｔ配線。
ると、この動作点は変化してしまい、測定に大きな誤差
を生じるようになる。例えば、ＬＳＩ内の配線電圧の時
間変化を測定する場合、ＬＳＩ内の多数の点を測定して
その電圧を比較し検討する。ところが、ＬＳＩ内の各測
定点における材質はすべて同一とは限らない（例えば、
Ａｔ配線。
ポリＳｔ配線、金線等）。このため、２次電子の放出量
が異なるので、２次電子検出器４の感度を調整して規定
された動作点（制御電極Ｇの電位）に合せなければなら
ない。この調整はほぼ測定点を変えるごとに必要となる
。すなわち、これまでの方式では常に動作点に留意し、
その調整を行わねばならず、煩雑でしかも測定誤差を生
じる要因となっていた。
が異なるので、２次電子検出器４の感度を調整して規定
された動作点（制御電極Ｇの電位）に合せなければなら
ない。この調整はほぼ測定点を変えるごとに必要となる
。すなわち、これまでの方式では常に動作点に留意し、
その調整を行わねばならず、煩雑でしかも測定誤差を生
じる要因となっていた。
本発明の目的は、かかる点に着目してなされたものであ
り動作点の調整を自動的に行い得る電位測定装置を提供
することにある。
り動作点の調整を自動的に行い得る電位測定装置を提供
することにある。
上記目的を達成するために、本発明の電位検出装置では
、回路的に制御電極Ｇの動作点を自動設定できるように
したことに特徴があるものであり、１次電子ビームを照
射して被測定物体から放出される２次電子を検出する検
出器と、前記被測定物体と前記検出器との間にあって前
記２次電子の検出量を制御するための制御電極と、前記
２次電子検出器の出力を一定値に保つように前記制御電
極に電圧を印加する回路と、前記制御電極の電圧の作動
範囲を規定値内にあるように前記回路内の定数を自動的
に設定する設定回路とを具備する如く構成したものであ
る。
、回路的に制御電極Ｇの動作点を自動設定できるように
したことに特徴があるものであり、１次電子ビームを照
射して被測定物体から放出される２次電子を検出する検
出器と、前記被測定物体と前記検出器との間にあって前
記２次電子の検出量を制御するための制御電極と、前記
２次電子検出器の出力を一定値に保つように前記制御電
極に電圧を印加する回路と、前記制御電極の電圧の作動
範囲を規定値内にあるように前記回路内の定数を自動的
に設定する設定回路とを具備する如く構成したものであ
る。
以下、本発明を実施例を参照して詳細に説明する。
第３図は、本発明の一実施例を示すブロック図である。
一般に、測定しようとする試料１（例えばＬＳＩ）の電
位は周期変化している。すでに第２図の従来例で説明し
たように、フィードバック回路を用いると制御電極Ｇの
電位が電子ビームを照射した箇所の電位に対応する。第
４図（ａ）の波形Ｂは、２次電子検出器４の感度を調整
し、制御電極Ｇの動作を規定された範囲内で正しく動作
している様子を示したものである。かがる調整が狂って
いる場合には波形Ａのようになり、振幅が小さくなり正
しい測定がなされなくなる。
位は周期変化している。すでに第２図の従来例で説明し
たように、フィードバック回路を用いると制御電極Ｇの
電位が電子ビームを照射した箇所の電位に対応する。第
４図（ａ）の波形Ｂは、２次電子検出器４の感度を調整
し、制御電極Ｇの動作を規定された範囲内で正しく動作
している様子を示したものである。かがる調整が狂って
いる場合には波形Ａのようになり、振幅が小さくなり正
しい測定がなされなくなる。
さて、本実施例では、制御電極Ｇに低域沖波器８倉接続
し、低域ｐ波器８０出カと動作点基準電圧９とを動作点
設定用差動増幅器１ｏを用いて比較し、その差を２次電
子検出器４の増幅器７にフィードバックしている。低域
涙液器８のろ波周波数は試料１内の周波数よりも充分低
い周波数に設定する。
し、低域ｐ波器８０出カと動作点基準電圧９とを動作点
設定用差動増幅器１ｏを用いて比較し、その差を２次電
子検出器４の増幅器７にフィードバックしている。低域
涙液器８のろ波周波数は試料１内の周波数よりも充分低
い周波数に設定する。
この動作を、第４図（ｂ） を用いて説明する。例えば
、（ａ）で示した波形Ａのように、動作点が不適当であ
ったとする。かがる場合、低域済波器８の出力は、制御
電極Ｇの変化の高周波分を取ｉ波形トナリ、第４図（ｂ
）のＡ′のような波形に々る。ζこでは、まだ変動が残
っているように示しであるが、例えば試料１内の電位変
化が、１００Ｈ２以上もあり、Ｆ波周波数がＩＨ２であ
れば、はとんどＡ′波形は直線とがる。Ａ′の波形は、
動作点設定電位と比較される。ここでは大きな差電圧が
あるため動作点設定用差動増幅器１ｏは、大きな出力を
発生し、増幅器７の増幅度を低下させように働く。この
動作は、差電圧が０になるまで行なわれ、最軽的には
Ｂ／の波形で停止する。このように、この方式を用いる
と、制御電極の電位の時間的な平均値は動作点設定用基
準電圧と一致するようになる。
、（ａ）で示した波形Ａのように、動作点が不適当であ
ったとする。かがる場合、低域済波器８の出力は、制御
電極Ｇの変化の高周波分を取ｉ波形トナリ、第４図（ｂ
）のＡ′のような波形に々る。ζこでは、まだ変動が残
っているように示しであるが、例えば試料１内の電位変
化が、１００Ｈ２以上もあり、Ｆ波周波数がＩＨ２であ
れば、はとんどＡ′波形は直線とがる。Ａ′の波形は、
動作点設定電位と比較される。ここでは大きな差電圧が
あるため動作点設定用差動増幅器１ｏは、大きな出力を
発生し、増幅器７の増幅度を低下させように働く。この
動作は、差電圧が０になるまで行なわれ、最軽的には
Ｂ／の波形で停止する。このように、この方式を用いる
と、制御電極の電位の時間的な平均値は動作点設定用基
準電圧と一致するようになる。
本実施例では、増幅器７の増幅度を調整したが２次電子
検出器４の感度、例えばホトマル電圧を。
検出器４の感度、例えばホトマル電圧を。
調整するようにしてもよい。第５図は、ホトマル電圧の
調整方法の一例を示したものである。ホトマル電圧は、
一般には、θ〜１００ＯＶの直流電圧である。この発生
には、高周波発振器５１で高周波電圧を発生させ、これ
を例えばコックロフトウオルトン型と呼ばれる整流回路
５３で直流電圧をつくる。高周波発振器５１の出力を可
変することでホトマル電圧は、予め、動作点に近い値ま
で設定する。この操作はたいていの場合測定箇所を決め
るために行う２次電子像観察時に行なわれる。
調整方法の一例を示したものである。ホトマル電圧は、
一般には、θ〜１００ＯＶの直流電圧である。この発生
には、高周波発振器５１で高周波電圧を発生させ、これ
を例えばコックロフトウオルトン型と呼ばれる整流回路
５３で直流電圧をつくる。高周波発振器５１の出力を可
変することでホトマル電圧は、予め、動作点に近い値ま
で設定する。この操作はたいていの場合測定箇所を決め
るために行う２次電子像観察時に行なわれる。
ホトマル電圧の自動調整は、高周波発生器５１の後段に
変調器５２を設けて行う。この変調器５２は、入力が０
のとき鉱、無変調で、正の電圧が入ったときには高周波
を減衰させ、負の電圧のときは増加するように働く。こ
の動作は、増幅器９と等価なものになり、本発明の効果
をもたらし得る。
変調器５２を設けて行う。この変調器５２は、入力が０
のとき鉱、無変調で、正の電圧が入ったときには高周波
を減衰させ、負の電圧のときは増加するように働く。こ
の動作は、増幅器９と等価なものになり、本発明の効果
をもたらし得る。
第４図に説明した方式は、制御電極Ｇの電位変化の平均
値を基準値と比較する方式であった。基準値との比較に
低域Ｆ波器による平均値を用いるのではなく、変化の最
高値あるいは最低値を検出して自動調整するようにして
も同様に有効である。
値を基準値と比較する方式であった。基準値との比較に
低域Ｆ波器による平均値を用いるのではなく、変化の最
高値あるいは最低値を検出して自動調整するようにして
も同様に有効である。
第６図は本発明の他の実施例で最高値を検出する場合に
おける最高値検出回路の一例を示す。第６図の回路例は
第３図における低域Ｆ波器８の位置に置かれる。端子６
６がグリッドＧ側で、端子“ ６７が動作点設定用差動
増幅器１０に接続される。
おける最高値検出回路の一例を示す。第６図の回路例は
第３図における低域Ｆ波器８の位置に置かれる。端子６
６がグリッドＧ側で、端子“ ６７が動作点設定用差動
増幅器１０に接続される。
端子６６の電圧は、正から負の範囲で変化するので抵抗
６８，６２．正の直流電源６１を用いて端子６９ではす
べて正の範囲になるように直流分を加える。これを端子
６９の電位がコンデンサ６４よ抄も高いときのみダイオ
ード６３全通して、コンデンサ６４に電流が流れる。最
も高電位の値がコンデンサ６５に蓄積される。このコン
デンサ６４には放電抵抗６５を設ける。この放電時定数
はＲ，Ｃできまり具体的には、低域ｐ波器８０時定数１
秒と同程度に設定する。なお本例では最高値を用いた場
合について説明したが、最低値を用いて同様に上述の如
き自動調整することが可能である。
６８，６２．正の直流電源６１を用いて端子６９ではす
べて正の範囲になるように直流分を加える。これを端子
６９の電位がコンデンサ６４よ抄も高いときのみダイオ
ード６３全通して、コンデンサ６４に電流が流れる。最
も高電位の値がコンデンサ６５に蓄積される。このコン
デンサ６４には放電抵抗６５を設ける。この放電時定数
はＲ，Ｃできまり具体的には、低域ｐ波器８０時定数１
秒と同程度に設定する。なお本例では最高値を用いた場
合について説明したが、最低値を用いて同様に上述の如
き自動調整することが可能である。
以上、説明した実施例では、動作点設定用の回路が常時
動作していた。第７図に示す本発明のさらに他の実施例
は動作点設定用の回路が常時動作しないようにしたもの
である。す々わち、この実施例では、動作点設定用差動
増幅器１０の出力はスイッチ１２とメモリー回路１１を
介して増幅器７に接続されている。スイッチ１２は測定
を開始する直前にＯＮになる。１〜１０秒間に、この回
路は、動作点設定用基準電圧９で決められた動作点に設
定される。この設定には、平均値でも最高値、最低値で
もよいことはもちろんである。この後、スイッチ１２は
ＯＦ’Ｆとなるが、メモリ回路１１には、ＯＮ時の電圧
が記録され、この電圧で増幅器７の増幅度が決められ、
動作点は変化しない。そして、スイッチ１２がＯＦＦと
なった後に測定（データの取得）を行うものである。こ
のメモリー回路１１の最も簡単な例は、モータとポテン
ショメータの組合せである。壕だこれらの装置は、計算
器をもって制御されることが多いので、このメモリー回
路は、半導体素子等によってより容易に行なわれる。こ
のような場合には、測定の実施命令により、スイッチ１
２の０Ｎ−ＯＦ’Ｆ’％データの取得等が自動的に行な
われる。このように構成することにより、前述の実施例
において測を排除することができる。
動作していた。第７図に示す本発明のさらに他の実施例
は動作点設定用の回路が常時動作しないようにしたもの
である。す々わち、この実施例では、動作点設定用差動
増幅器１０の出力はスイッチ１２とメモリー回路１１を
介して増幅器７に接続されている。スイッチ１２は測定
を開始する直前にＯＮになる。１〜１０秒間に、この回
路は、動作点設定用基準電圧９で決められた動作点に設
定される。この設定には、平均値でも最高値、最低値で
もよいことはもちろんである。この後、スイッチ１２は
ＯＦ’Ｆとなるが、メモリ回路１１には、ＯＮ時の電圧
が記録され、この電圧で増幅器７の増幅度が決められ、
動作点は変化しない。そして、スイッチ１２がＯＦＦと
なった後に測定（データの取得）を行うものである。こ
のメモリー回路１１の最も簡単な例は、モータとポテン
ショメータの組合せである。壕だこれらの装置は、計算
器をもって制御されることが多いので、このメモリー回
路は、半導体素子等によってより容易に行なわれる。こ
のような場合には、測定の実施命令により、スイッチ１
２の０Ｎ−ＯＦ’Ｆ’％データの取得等が自動的に行な
われる。このように構成することにより、前述の実施例
において測を排除することができる。
（例えばＬＳＩの駆動周波数）と同期して、パルス化し
、１〜１００ＭＨ，Ｚ８度の高周波電位をも測定できる
ようにしたストロボ方式の電位測定でも、まったく同様
の回路を用いて適用できる。
、１〜１００ＭＨ，Ｚ８度の高周波電位をも測定できる
ようにしたストロボ方式の電位測定でも、まったく同様
の回路を用いて適用できる。
以上説明したように、本発明によれば、電位測定のフィ
ードバック回路の動作点を自動的に設定できるので、従
来の如き煩雑でしかも測定誤差を生じる要因を取除くこ
とができ、操作性が著しく向上をするものであり、ＬＳ
Ｉ等の機能検査・欠陥検査等に用いて有効である。
ードバック回路の動作点を自動的に設定できるので、従
来の如き煩雑でしかも測定誤差を生じる要因を取除くこ
とができ、操作性が著しく向上をするものであり、ＬＳ
Ｉ等の機能検査・欠陥検査等に用いて有効である。
第１図の（ａ）は、電位検出の構造を、（ｂ）はその原
理を示す図、第２図は、試料電位変化を一対一の対応で
測定するためのフィードバック法を示す図、第３図は、
本発明の一実施例を示す図、第４図の（ａ）、 （ｂ）
は、本発明における動作を説明する波形図、第５図は、
ホトマル電圧の調整方法の一例を示すブロック図、第６
図は、本発明の他の実施例を示す図、第７図は、本発明
のさらに他の実施例を示す図である。 図において、１・・・試料、２・・・電子ビーム、３・
・・２次電子、４・・・２次電子検出器、５・・・増幅
器、６・・・基準電圧、７・・・増幅器、８・・・低域
沖波器、９・・・第 １ 図 第２図 第 ３ 図 第４図 （久ｐ 第 ５ 回 菖 ６ 図 １５ ７ 図 尖
理を示す図、第２図は、試料電位変化を一対一の対応で
測定するためのフィードバック法を示す図、第３図は、
本発明の一実施例を示す図、第４図の（ａ）、 （ｂ）
は、本発明における動作を説明する波形図、第５図は、
ホトマル電圧の調整方法の一例を示すブロック図、第６
図は、本発明の他の実施例を示す図、第７図は、本発明
のさらに他の実施例を示す図である。 図において、１・・・試料、２・・・電子ビーム、３・
・・２次電子、４・・・２次電子検出器、５・・・増幅
器、６・・・基準電圧、７・・・増幅器、８・・・低域
沖波器、９・・・第 １ 図 第２図 第 ３ 図 第４図 （久ｐ 第 ５ 回 菖 ６ 図 １５ ７ 図 尖
Claims (1)
- １．１次電子ビームを照射して被測定物体から放出され
る２次電子を検出する検出器と、前記被測定物体と前記
検出器との間にあって前記２次電子の検出量を制御する
ための制御電極上、前記２次電子検出器の出力を一定値
に保つように前記制御電極に電圧を印加する回路と、前
記制御電極の電圧の作動範囲を規定値内にあるように前
記回路内の定数を自動的に設定する設定回路とを具備し
て、前記被測定体面の電位を測定する如く構成したこと
を特徴とする電位測定装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載の装置において、前記制
御電極電圧の変動を低域ν波回路を通して検出し、この
検出量に基き前記制御電極の電圧設定を行うようにした
ことを特徴とする電位測定装置。 ３、特許請求の範囲第１項記載の装置において、前記制
御電極の電圧の変動の最高値若しくは最低値を検出し、
この検出量により前記制御電極の電圧設定を行うように
したことを特徴とする電位測定装置。 ４、特許請求の範囲第１項記載の装置において、前記制
御電極の電圧の変動範囲を規定する前記設定回路を、前
記被測定物体面の電位測定の直前の一定期間だけ動作さ
せた後遮断し、その後は前記動作時の状態を保つように
したことを特徴とする電位測定装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58112719A JPS607049A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 電位測定装置 |
| US06/623,083 US4629889A (en) | 1983-06-24 | 1984-06-21 | Potential analyzer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58112719A JPS607049A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 電位測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS607049A true JPS607049A (ja) | 1985-01-14 |
Family
ID=14593803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58112719A Pending JPS607049A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 電位測定装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4629889A (ja) |
| JP (1) | JPS607049A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6255853A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-03-11 | Fujitsu Ltd | ストロボ電子ビ−ム装置 |
| US5339502A (en) * | 1990-11-29 | 1994-08-23 | Peter Grossenbacher | Method and apparatus for plug loosening after texturing |
| US11120969B2 (en) | 2015-03-24 | 2021-09-14 | Kla Corporation | Method and system for charged particle microscopy with improved image beam stabilization and interrogation |
Families Citing this family (9)
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