JP2018038216A - 電力変換装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体スイッチの導通状態を制御する駆動回路に、複数の半導体スイッチが接続される電力変換装置において、基準電位が互いに同じ複数の半導体スイッチと、複数の半導体スイッチの導通状態を制御する駆動回路と、駆動回路と複数の半導体スイッチとをそれぞれ接続する、基準電位配線と導通制御信号配線とを含む配線が配置される多層基板と、を備え、多層基板には、基準電位配線と導通制御信号配線とが、基板の積層方向に重なる位置にして互いに異なる層に配置され、配線のうち、駆動回路から配線の分岐点までの共通配線部分と、分岐点からそれぞれの半導体スイッチまでの分岐配線部分とについて、共通配線部分のインピーダンスを分岐配線部分のインピーダンスよりも低くさせ、かつ分岐配線部分の互いの配線インピーダンスを一致させて配置される。
【選択図】図1
Description
以下、図を参照して電力変換装置の第1の実施形態について説明する。
図1は、本実施形態の電力変換装置1の回路構成の一例を示す図である。本実施形態の電力変換装置1は、いわゆる2レベルインバータ回路を備えている。図1には、電力変換装置1が備える複数相の2レベルインバータ回路のうちの、1相分(例えば、U相)の回路構成を示す。電力変換装置1は、第1モジュール10と、第2モジュール20と、第3モジュール30と、駆動回路100と、直流電源50とを備える。
具体的には、第1モジュール10は、上アームの半導体スイッチ10−1と、下アームの半導体スイッチ10−2とを備える。第2モジュール20は、上アームの半導体スイッチ20−1と、下アームの半導体スイッチ20−2とを備える。第3モジュール30は、上アームの半導体スイッチ30−1と、下アームの半導体スイッチ30−2とを備える。これらの半導体スイッチSSは、それぞれMOSFET及びダイオードを備える。
また、上アームの半導体スイッチ10−1を第1半導体スイッチSS1と、下アームの半導体スイッチ10−2を第2半導体スイッチSS2とも記載する。上アームの半導体スイッチ20−1を第3半導体スイッチSS3と、下アームの半導体スイッチ20−2を第4半導体スイッチSS4とも記載する。上アームの半導体スイッチ30−1を第5半導体スイッチSS5と、下アームの半導体スイッチ30−2を第6半導体スイッチSS6とも記載する。
第1駆動回路100−1は、導通制御信号配線及び基準電位配線によって、上アームの半導体スイッチ10−1、上アームの半導体スイッチ20−1及び上アームの半導体スイッチ30−1と接続される。第1駆動回路100−1は、第1半導体スイッチSS1の導通状態、第3半導体スイッチSS3及び第5半導体スイッチSS5の導通状態を制御する。
第2駆動回路100−2は、導通制御信号配線及び基準電位配線によって、下アームの半導体スイッチ10−2、下アームの半導体スイッチ20−2及び下アームの半導体スイッチ30−2と接続される。第2駆動回路100−2は、第2半導体スイッチSS2の導通状態、第4半導体スイッチSS4及び第6半導体スイッチSS6の導通状態を制御する。
具体的には、第1駆動回路100−1と上アームとを接続する導通制御信号配線は、導通制御信号共通配線110−G1と、導通制御信号第1分岐配線110−G11と、導通制御信号第2分岐配線110−G12と、導通制御信号第3分岐配線110−G13とを備える。導通制御信号共通配線110−G1とは、第1駆動回路100−1から配線の分岐点までの共通配線部分である。導通制御信号第1分岐配線110−G11とは、分岐点から上アームの半導体スイッチ10−1までの分岐配線部分である。導通制御信号第2分岐配線110−G12とは、分岐点から上アームの半導体スイッチ20−1までの分岐配線部分である。導通制御信号第3分岐配線110−G13とは、分岐点から上アームの半導体スイッチ30−1までの分岐配線部分である。
また、第1駆動回路100−1と上アームとを接続する基準電位配線は、基準電位共通配線110−S1と、基準電位第1分岐配線110−S11と、基準電位第2分岐配線110−S12と、基準電位第3分岐配線110−S13とを備える。基準電位共通配線110−S1とは、第1駆動回路100−1から配線の分岐点までの共通配線部分である。基準電位第1分岐配線110−S11とは、分岐点から上アームの半導体スイッチ10−1までの分岐配線部分である。基準電位第2分岐配線110−S12とは、分岐点から上アームの半導体スイッチ20−1までの分岐配線部分である。基準電位第3分岐配線110−S13とは、分岐点から上アームの半導体スイッチ30−1までの分岐配線部分である。
また、第2駆動回路100−2と下アームとを接続する基準電位配線は、基準電位共通配線110−S2と、基準電位第1分岐配線110−S21と、基準電位第2分岐配線110−S22と、基準電位第3分岐配線110−S23とを備える。基準電位共通配線110−S2とは、第2駆動回路100−2から配線の分岐点までの共通配線部分である。基準電位第1分岐配線110−S21とは、分岐点から下アームの半導体スイッチ10−2までの分岐配線部分である。基準電位第2分岐配線110−S22とは、分岐点から下アームの半導体スイッチ20−2までの分岐配線部分である。基準電位第3分岐配線110−S23とは、分岐点から下アームの半導体スイッチ30−2までの分岐配線部分である。
次に、図2を参照して第1モジュール10の回路接続について説明する。なお、第2モジュール20の回路接続及び第3モジュール30の回路接続は、第1モジュール10の回路接続と同様であるため、その説明を省略する。
第1モジュール10は、高電位接続端子10−D1と、低電位接続端子10−S2Aと、第1交流出力端子10−S1D2と、第1ゲート接続端子10−G1と、第2ゲート接続端子10−G2と、第1補助ソース接続端子10−S1と、第2補助ソース接続端子10−S2とを備える。
高電位接続端子10−D1は、直流電源50の正側電位Pに接続される。低電位接続端子10−S2Aは、直流電源50の負側電位Nに接続される。第1交流出力端子10−S1D2は、第2モジュール20の第2交流出力端子20−S1D2及び第3モジュール30の第3交流出力端子30−S1D2と接続されて、交流を出力する。
第1ゲート接続端子10−G1は、導通制御信号共通配線110−G1を介して第1駆動回路100−1から導通制御信号(ゲート信号)が供給される。第1補助ソース接続端子10−S1は、基準電位共通配線110−S1を介して第1駆動回路100−1から基準電位が供給される。
第2ゲート接続端子10−G2は、導通制御信号共通配線110−G2を介して第2駆動回路100−2から導通制御信号(ゲート信号)が供給される。第2補助ソース接続端子10−S2は、基準電位共通配線110−S2を介して第2駆動回路100−2から基準電位が供給される。
第1モジュール10と並列接続される第2モジュール20においても、第1モジュール10と同様に、第1補助ソース接続端子20−S1には、第1駆動回路100−1から基準電位が供給される。また、第2モジュール20の第2補助ソース接続端子20−S2には、第2駆動回路100−2から基準電位が供給される。この第1補助ソース接続端子20−S1に供給される基準電位と、第2補助ソース接続端子20−S2に供給される基準電位とは互いに電位が異なる。
また、第1モジュール10及び第2モジュール20と並列接続される第3モジュール30においても、第1モジュール10と同様に、第1補助ソース接続端子30−S1には、第1駆動回路100−1から基準電位が供給される。また、第3モジュール30の第2補助ソース接続端子30−S2には、第2駆動回路100−2から基準電位が供給される。この第1補助ソース接続端子30−S1に供給される基準電位と、第2補助ソース接続端子30−S2に供給される基準電位とは互いに電位が異なる。
つまり、上アームの半導体スイッチSS1、SS3,SS5と、下アームの半導体スイッチSS2、SS4,SS6とは、互いに基準電位が異なる。
また、第3半導体スイッチSS3の基準電位及び第5半導体スイッチSS5の基準電位は、第1半導体スイッチSS1の基準電位と電位が同じである。つまり、電力変換装置1は、基準電位が第1半導体スイッチSS1の基準電位と同じ第3半導体スイッチSS3及び第5半導体スイッチSS5を備える。
また、第4半導体スイッチSS4の基準電位は、第2半導体スイッチSS2の基準電位及び第6半導体スイッチSS6の基準電位と電位が同じである。つまり、電力変換装置1は、基準電位が第2半導体スイッチSS2の基準電位と同じ第4半導体スイッチSS4及び第6半導体スイッチSS6を備える。
第1モジュール10と、第2モジュール20と、第3モジュール30とはX軸方向に順に並べて配置される。第1モジュール10の第1半導体スイッチSS1及び第2半導体スイッチSS2と、第2モジュール20の第3半導体スイッチSS3及び第4半導体スイッチSS4と、第3モジュール30の第5半導体スイッチSS5及び第6半導体スイッチSS6とは、記載順にX軸方向に順に並べて配置される。つまり、各半導体スイッチSSは、第1半導体スイッチSS1、第2半導体スイッチSS2、第3半導体スイッチSS3、第4半導体スイッチSS4、第5半導体スイッチSS5、第6半導体スイッチSS6の順に並べて配置される。
同図に示すように、互いに並列接続される第1モジュール10と第2モジュール20と第3モジュール30とは、隣接して配置される。また、第1モジュール10と、第2モジュール20と、第3モジュール30とは、同一の半導体スイッチモジュールが使用されている。このため、第1モジュール10の端子配列と、第2モジュール20の端子配列と、第3モジュール30の端子配列とは一致している。
これらの端子のうち、高電位接続端子10−D1、低電位接続端子10−S2A、及び第1交流出力端子10−S1D2は、1対のピン端子として形成される。
次に、この半導体スイッチモジュールに対して、多層プリント配線基板40と駆動回路100とが組み合わされた電力変換装置1の構造について、図4〜図6を参照して説明する。
同図には、多層プリント配線基板40が備える複数の層のうち第1層40−1の配線パターンを示す。
また、図4〜図6においては、駆動回路100のうち第1駆動回路100−1及び第1駆動回路100−1から半導体スイッチSSに至る配線パターンを示し、第2駆動回路100−2の記載及び第2駆動回路100−2から半導体スイッチSSに至る配線パターンの記載は省略している。
具体的には、多層プリント配線基板40の第1層40−1には、第1駆動回路100−1と、第1モジュール10の第1補助ソース接続端子10−S1、第2モジュール20の第1補助ソース接続端子20−S1及び第3モジュール30の第1補助ソース接続端子30−S1とを接続する基準電位配線の配線パターンが形成される。具体的には、第1層40−1には、基準電位共通配線110−S1、基準電位第1分岐配線110−S11、基準電位第2分岐配線110−S12及び基準電位第3分岐配線110−S13の配線パターンがそれぞれ形成される。基準電位共通配線110−S1は、第1層40−1において第1駆動回路100−1から分岐点BPS1を経由して分岐点BPS11及び分岐点BPS13までの配線パターンとして形成される。基準電位第1分岐配線110−S11は、分岐点BPS11から第1補助ソース接続端子10−S1までの配線パターンとして形成される。基準電位第2分岐配線110−S12は、分岐点BPS12(すなわち、分岐点BPS1)から第1補助ソース接続端子20−S1までの配線パターンとして形成される。基準電位第3分岐配線110−S13は、分岐点BPS13から第1補助ソース接続端子30−S1までの配線パターンとして形成される。
図4に示す一例の場合、基準電位共通配線110−S1の配線パターンのうち、分岐点BPS11から分岐点BPS13までの配線パターンを、単に共通配線とも称する。すなわち共通配線とは、駆動回路から半導体スイッチモジュールに至る配線パターンのうち、半導体スイッチモジュールの配列方向、すなわちX軸方向に延在する配線パターンである。
また、この一例の場合、基準電位第1分岐配線110−S11の配線パターン、基準電位第2分岐配線110−S12の配線パターン及び基準電位第3分岐配線110−S13の配線パターンを、単に分岐配線とも称する。すなわち分岐配線とは、駆動回路から半導体スイッチモジュールに至る配線パターンのうち、共通配線から半導体スイッチモジュールに向かう方向、すなわちY軸方向に延在する配線パターンである。
図4に示すように、共通配線、すなわち基準電位共通配線110−S1の配線パターンのうち、分岐点BPS11から分岐点BPS13までの配線パターンには、電源平滑コンデンサCが配置される。この一例においては、共通配線には、電源平滑コンデンサC1−1、電源平滑コンデンサC1−2、電源平滑コンデンサC2−1及び電源平滑コンデンサC2−2が配置される。
電源平滑コンデンサC1−1及び電源平滑コンデンサC1−2は、共通配線と順バイアス電源+Vgとの間に接続される。電源平滑コンデンサC2−1及び電源平滑コンデンサC2−2は、共通配線と逆バイアス電源−Vgとの間に接続される。
多層プリント配線基板40の共通配線部分には、基準電位配線と電源配線との間に容量素子が配置される。上述した電源平滑コンデンサCは、容量素子の一例である。
なお、この容量素子は、基準電位配線と電源配線との間だけでなく、導通制御信号配線と電源配線との間に配置されてもよい。
また、多層プリント配線基板40の共通配線部分には、この容量素子に代えて又は容量素子に加えて、配線の電源に対するインピーダンスを低減させる手段が備えられていてもよい。例えば、多層プリント配線基板40の共通配線部分は、分岐配線部分に比べて、配線パターンの厚さが厚くされていたり、配線パターンの幅が太くされていてもよい。
電源平滑コンデンサC1−1及び電源平滑コンデンサC1−2は、順バイアス電源+Vgと基準電位Mとの間に、多層プリント配線基板40の配線パターンの共通配線部分に接続される。
電源平滑コンデンサC2−1及び電源平滑コンデンサC2−2は、基準電位Mと逆バイアス電源−Vgとの間に、多層プリント配線基板40の配線パターンの共通配線部分に接続される。
共通配線のインピーダンスは、これら電源平滑コンデンサCによって、分岐配線のインピーダンスよりも低減される。つまり、共通配線のインピーダンスは、分岐配線のインピーダンスよりも低い。
図4に戻り、同図に示す一例の場合、基準電位共通配線110−S1の配線パターンのうち分岐点BPS11から分岐点BPS13までの配線パターンの配線長L、すなわち共通配線の配線長Lは、長さx1である。
また、この一例の場合、基準電位第1分岐配線110−S11の配線パターンの配線長Lは、長さy1である。基準電位第2分岐配線110−S12の配線パターンの配線長Lは、長さy2である。基準電位第3分岐配線110−S13の配線パターンの配線長Lは、長さy3である。この一例において、長さy1、長さy2及び長さy3は、それぞれ一致する。
つまり、多層プリント配線基板40において、分岐配線の配線パターンは、配線長Lが互いに一致している。
駆動回路100と、半導体スイッチSSとの間の配線長Lが、半導体スイッチSS毎に互いに異なると、配線インピーダンスに違いが生じる。これにより、それぞれの半導体スイッチSSのゲート駆動電流Ig間に過渡的なアンバランスが生じる。駆動回路100と半導体スイッチSSとの間の配線長Lが、半導体スイッチSS毎に一致している場合、すなわち等長配線の場合には、ゲート駆動電流Ig間のアンバランスを低減することができる。
したがって、本実施形態の多層プリント配線基板40によれば、駆動回路100と半導体スイッチSSとの間の配線長Lが、半導体スイッチSS毎に互いに異なっていても、等長配線の効果が得られ、ゲート駆動電流Ig間のアンバランスを低減することができる。
すなわち、本実施形態の電力変換装置1によれば、複数の半導体スイッチSSを並列接続する場合に生じる過渡的な電流のアンバランスを低減することができる。つまり、本実施形態の電力変換装置1によれば、過渡的な電流のアンバランスに起因する半導体スイッチの誤動作を低減することができる。
図6は、本実施形態の多層プリント配線基板40の各層の配線パターンの一例を示す図である。同図に示すように、第1層40−1には基準電位配線の配線パターンが配置される。具体的には、第1層40−1には、基準電位共通配線110−S1、基準電位第1分岐配線110−S11、基準電位第2分岐配線110−S12及び基準電位第3分岐配線110−S13が配置される。
また、第2層40−2には導通制御信号配線(ゲート信号配線)の配線パターンが配置される。具体的には、第2層40−2には、導通制御信号共通配線110−G1、導通制御信号第1分岐配線110−G11、導通制御信号第2分岐配線110−G12及び導通制御信号第3分岐配線110−G13が配置される。
第3層40−3には、順バイアス電源+Vgの電源プレーンが配置される。第4層40−4には、逆バイアス電源−Vgの電源プレーンが配置される。
つまり、多層プリント配線基板40には、基準電位配線と導通制御信号配線とが、多層プリント配線基板40の積層方向AZに重なる位置にして、互いに異なる層に配置されている。
なお、絶縁層RのZ軸方向の厚さは、各配線パターンを流れる電流の絶縁を確保できる厚さが選択されている。
上述のように構成されることにより、電力変換装置1は、配線どうしの磁束の打ち消しあいの効果を、配線パターンの形状が一致していない場合に比べて高めることができる。
つまり、1つの半導体スイッチSSにそれぞれ接続される基準電位配線と導通制御信号配線とについて、これらの配線の配線パターンの形状が同一である。なお、ここでいう配線パターンの形状が同一であることには、互いの形状が完全に同一であることのほか、配線パターンの配線幅Wが互いに異なっている場合や、多層プリント配線基板40の積層方向視においてX軸方向又はY軸方向にずれて配置されている場合をも含む。
図7を参照して本実施形態の電力変換装置1の変形例について説明する。
図7は、本実施形態の電力変換装置1の変形例を示す図である。この変形例においては、電力変換装置1は、上述した多層プリント配線基板40に代えて多層プリント配線基板41を備える。多層プリント配線基板40は、電源プレーンが第3層40−3と第4層40−4とに配置されているが、この多層プリント配線基板41は、電源プレーンが第2層41−2と第3層41−3とに配置される点で、上述した多層プリント配線基板40と異なる。
この変形例のように構成しても、電力変換装置1は、導通制御信号配線及び基準電位配線の配線インダクタンスを低減することができる。したがって、本変形例の電力変換装置1によれば、プリント配線基板の配線インダクタンスに起因するノイズによる半導体スイッチの誤動作を低減することができる。
図8及び図9を参照して電力変換装置の第2の実施形態について説明する。なお、第1の実施形態と同一の構成については、同一の符号を付してその説明を省略する。
図8は、本実施形態の多層プリント配線基板42の回路構成の一例を示す図である。本実施形態では、第1駆動回路100−1から半導体スイッチモジュールに至る配線パターンと、第2駆動回路100−2から半導体スイッチモジュールに至る配線パターンとについて説明する。
第1駆動回路100−1のトランジスタTr1は、順バイアス電源+Vg1に接続される。第1駆動回路100−1のトランジスタTr2は、逆バイアス電源−Vg1に接続される。
第2駆動回路100−2のトランジスタTr1は、順バイアス電源+Vg2に接続される。第2駆動回路100−2のトランジスタTr2は、逆バイアス電源−Vg2に接続される。
ここで、順バイアス電源+Vg1の電位と、順バイアス電源+Vg2の電位とは互いに異なる。つまり、順バイアス電源+Vg1と順バイアス電源+Vg2とは、それぞれ電位が互いに異なる電源である。
また、逆バイアス電源−Vg1の電位と、逆バイアス電源−Vg2の電位とは互いに異なる。つまり、逆バイアス電源−Vg1と逆バイアス電源−Vg2とは、それぞれ電位が互いに異なる電源である。
また、第1駆動回路100−1の基準電位M1と、第2駆動回路100−2の基準電位M2とは、互いに電位が異なる。したがって、第1駆動回路100−1によって駆動される半導体スイッチSSと、第2駆動回路100−2によって駆動される半導体スイッチSSとは、基準電位が互いに異なる。
具体的には、第1層42−1には、基準電位共通配線110−S1、基準電位第1分岐配線110−S11、基準電位第2分岐配線110−S12及び基準電位第3分岐配線110−S13が配置される。
第2層42−2には、導通制御信号共通配線110−G1、導通制御信号第1分岐配線110−G11、通制御信号第2分岐配線110−G12及び通制御信号第3分岐配線110−G13が配置される。
第3層42−3には、順バイアス電源+Vg1の電源プレーンが配置される。
第4層42−4には、逆バイアス電源−Vg1の電源プレーンが配置される。
具体的には、第5層42−5には、順バイアス電源+Vg2の電源プレーンが配置される。
第6層42−6には、逆バイアス電源−Vg2の電源プレーンが配置される。
第7層42−7には、基準電位共通配線110−S2、基準電位第1分岐配線110−S21、基準電位第2分岐配線110−S22及び基準電位第3分岐配線110−S23が配置される。
第8層42−8には、導通制御信号共通配線110−G2、導通制御信号第1分岐配線110−G21、通制御信号第2分岐配線110−G22及び通制御信号第3分岐配線110−G23が配置される。
図9(A)〜(C)に示すように、第1層42−1の配線パターン及び第2層42−2の配線パターンと、第7層42−7の配線パターン及び第8層42−8の配線パターンとは、多層プリント配線基板42の積層方向AZに重なる位置を避けて配置される。
ここで、図9(A)に示す交差部分IS(交差部分IS1及び交差部分IS2)において、第1層42−1の配線パターン及び第2層42−2の配線パターンと、第7層42−7の配線パターン及び第8層42−8の配線パターンとは、多層プリント配線基板42の積層方向AZに交差する。なお、以下の説明において、第1層42−1の配線パターン及び第2層42−2の配線パターンを第1配線PW1と、第7層42−7の配線パターン及び第8層42−8の配線パターンを第2配線PW2とも記載する。
例えば、交差する配線長Lは、第1層42−1の基準電位配線と第2層42−2の導通制御信号配線とが積層方向AZに互いに重なる部分の配線長Lよりも短い。また、交差する配線長Lは、第7層42−7の基準電位配線と第8層42−8導通制御信号配線とが積層方向AZに互いに重なる部分の配線長Lよりも短い。
第1配線PW1と第2配線PW2とが交差部分ISにおいて直交する場合、第1配線PW1の交差部分ISにおける配線長L1と、第2配線PW2の交差部分ISにおける配線幅W2とは一致する。また、第1配線PW1と第2配線PW2とが交差部分ISにおいて直交する場合、第2配線PW2の交差部分ISにおける配線長L2と、第1配線PW1の交差部分ISにおける配線幅W1とは一致する。
すなわち、第1配線PW1と第2配線PW2とが積層方向AZに互いに重なる部分について、第1配線PW1と第2配線PW2とのうち一方の配線の配線長Lと他方の配線の配線幅Wとが一致する。
具体的には、第1モジュール10の、上アームの半導体スイッチ10−1と下アームの半導体スイッチ10−2とは、基準電位及びスイッチング動作のタイミングが互いに異なる。また、第2モジュール20の、上アームの半導体スイッチ20−1と下アームの半導体スイッチ20−2とは、基準電位及びスイッチング動作のタイミングが互いに異なる。
したがって、本実施形態の電力変換装置1によれば、上下アーム配線間の寄生容量の増大が抑止され、寄生容量の充放電電流に起因するノイズを低減することができる。すなわち、本実施形態の電力変換装置1によれば、プリント配線基板の配線パターンに起因するノイズによる半導体スイッチの誤動作を低減することができる。
10 第1モジュール
20 第2モジュール
30 第3モジュール
40,41,42 多層プリント配線基板
50 直流電源
100 駆動回路
100−1 第1駆動回路
100−2 第2駆動回路
C 電源平滑コンデンサ(容量素子)
SS 半導体スイッチ
AZ 積層方向、
L 配線長
W 配線幅
Claims (5)
- 半導体スイッチの導通状態を制御する駆動回路に、複数の半導体スイッチが接続される電力変換装置において、
基準電位が互いに同じ複数の半導体スイッチと、
複数の前記半導体スイッチの導通状態を制御する駆動回路と、
前記駆動回路と複数の前記半導体スイッチとをそれぞれ接続する、基準電位配線と導通制御信号配線とを含む配線が配置される多層基板と、
を備え、
前記多層基板には、
前記基準電位配線と前記導通制御信号配線とが、基板の積層方向に重なる位置にして互いに異なる層に配置され、
前記配線のうち、前記駆動回路から前記配線の分岐点までの共通配線部分と、前記分岐点からそれぞれの前記半導体スイッチまでの分岐配線部分とについて、
前記共通配線部分のインピーダンスを前記分岐配線部分のインピーダンスよりも低くさせ、かつ前記分岐配線部分の互いの配線インピーダンスを一致させて配置される
電力変換装置。 - 基準電位が前記半導体スイッチの基準電位とは異なる第2半導体スイッチと、
前記第2半導体スイッチの導通状態を制御する第2駆動回路と、
を更に備え、
前記多層基板には、
前記第2駆動回路と前記第2半導体スイッチを接続する第2配線の基準電位配線と導通制御信号配線とが、基板の積層方向に重なる位置にして互いに異なる層に配置され、
前記配線と前記第2配線とが前記積層方向に互いに重なる部分の配線長が、前記配線の基準電位配線と導通制御信号配線とが前記積層方向に重なる部分の配線長及び前記第2配線の基準電位配線と導通制御信号配線とが前記積層方向に重なる部分の配線長よりも短くして配置される
請求項1に記載の電力変換装置。 - 前記配線と前記第2配線とが基板の積層方向に互いに重なる部分について、前記配線と前記第2配線とのうち一方の配線の配線長と他方の配線の配線幅とが一致する
請求項2に記載の電力変換装置。 - 前記多層基板には、前記半導体スイッチの導通状態を制御するための電位を供給する電源配線が配置され、
前記共通配線部分には、前記基準電位配線と前記電源配線との間、又は前記導通制御信号配線との間に容量素子を備える
請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の電力変換装置。 - 前記基準電位配線と前記導通制御信号配線とが基板の積層方向に重なる部分の、前記基準電位配線の配線形状と前記導通制御信号配線の配線形状とが前記積層方向視において一致する
請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の電力変換装置。
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