JP2018017986A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 複数の基板にそれぞれ設けられた導電層を、低コスト又は省スペースで導通させることが可能な表示装置を提供する。【解決手段】 一実施形態に係る表示装置は、第１基板と、第２基板と、第３基板と、表示機能層と、第１接続構造とを備える。前記第１基板は、第１基材と、第１導電層とを含む。前記第２基板は、前記第１基板と対向する第１面及びこの第１面の反対側の第２面を有する第２基材を含む。前記第３基板は、前記第２基板の前記第２面に対向する第３基材と、第２導電層とを含む。前記表示機能層は、前記第１基板と前記第２基板との間に配置されている。前記第１接続構造は、少なくとも前記第２基材を貫通する第１接続用孔と、前記第１接続用孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する第１接続部材と、を含み、前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する。【選択図】 図１

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

表示機能層を含む表示パネルに加え、この表示パネルに対向するさらに他の基板を備えた表示装置が知られている。近年では、表示装置の機能が複雑化しており、当該基板に各種の導電層を形成して、特定の機能を発揮させることがある。このような表示装置においては、当該基板に設けられた導電層と、表示パネルに含まれる導電層とを導通させることが要求されている。

特開２００９−２３７４１０号公報

本開示の一態様における目的は、複数の基板にそれぞれ設けられた導電層を、低コスト又は省スペースで導通させることが可能な表示装置を提供することである。

一実施形態に係る表示装置は、第１基板と、第２基板と、第３基板と、表示機能層と、第１接続構造とを備える。前記第１基板は、第１基材と、第１導電層とを含む。前記第２基板は、前記第１基板と対向する第１面及びこの第１面の反対側の第２面を有する第２基材を含む。前記第３基板は、前記第２基板の前記第２面に対向する第３基材と、第２導電層とを含む。前記表示機能層は、前記第１基板と前記第２基板との間に配置されている。前記第１接続構造は、少なくとも前記第２基材を貫通する第１接続用孔と、前記第１接続用孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する第１接続部材と、を含み、前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する。

図１は、第１実施形態に係る表示装置の構成例を示す断面図である。 図２は、図１に示す構成を適用した表示装置の一例を示す平面図である。 図３は、図２に示す表示装置の表示領域を概略的に示す断面図である。 図４は、図２に示す表示装置の各導電層及び第１接続用孔を示す平面図である。 図５は、図４におけるＶ−Ｖ線に沿った表示装置の断面図である。 図６は、図４におけるＶＩ−ＶＩ線に沿った表示装置の断面図である。 図７は、図６に示す表示装置の変形例を示す断面図である。 図８は、図６に示す表示装置の他の変形例を示す断面図である。 図９は、第２実施形態に係る表示装置の構成例を示す断面図である。 図１０は、図９に示す構成を適用した表示装置の一例を示す平面図である。 図１１は、表示装置が備えるセンサの他の構成例を示す平面図である。 図１２は、図１０に示す表示装置の表示領域を概略的に示す断面図である。 図１３は、図１０に示す第１接続構造及び第２接続構造の近傍における表示装置の断面図である。 図１４は、表示装置の製造方法の一例を示す断面図である。 図１５は、表示装置の製造方法の一例を示す断面図である。 図１６は、表示装置の製造方法の一例を示す断面図である。 図１７は、表示装置の製造方法の一例を示す断面図である。 図１８は、第３実施形態に係る表示装置の構成例を示す断面図である。 図１９は、図１８に示す構成を適用した表示装置の一例を示す平面図である。 図２０は、図１９に示す第１接続構造の近傍における表示装置の断面図である。 図２１は、第４実施形態に係る表示装置の構成例を示す断面図である。

いくつかの実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

各実施形態において開示する表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、ノートブックタイプのパーソナルコンピュータ、車載機器、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。各実施形態にて開示する主要な構成は、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置などに適用可能である。また、各実施形態にて開示する接続構造は、表示装置以外にも、複数の基板を備える電子機器に適用可能である。

［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す断面図である。第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差してもよい。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。ここでは、第２方向Ｙ及び第３方向Ｚによって規定されるＹ−Ｚ平面における表示装置ＤＳＰの一部の断面を示している。

表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、第３基板ＳＵＢ３と、絶縁層ＩＬと、第１接着層ＡＤ１と、フレキシブル回路基板ＦＰＣとを備えている。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、第３方向Ｚに対向している。以下の説明において、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を上方（あるいは、単に上）と称し、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向を下方（あるいは、単に下）と称する。また、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向に見ることを平面視という。また、図１のＹ−Ｚ平面（あるいは、第１方向Ｘ及び第３方向Ｚによって規定されるＸ−Ｚ平面）における表示装置ＤＳＰの断面を見ることを断面視という。

絶縁層ＩＬは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に配置されている。絶縁層ＩＬは、例えば１又は複数の有機絶縁膜で構成されている。但し、絶縁層ＩＬは、無機絶縁膜や他の導電膜を含んでもよい。また、絶縁層ＩＬに代えて空気層が設けられてもよい。

第２基板ＳＵＢ２及び第３基板ＳＵＢ３は、第３方向Ｚに対向し、第１接着層ＡＤ１を介して貼り合わされている。すなわち、第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１と第３基板ＳＵＢ３との間に配置されている。

第１基板ＳＵＢ１は、第１ガラス基板１０（第１基材）と、第１導電層Ｌ１とを備えている。第１ガラス基板１０は、第２基板ＳＵＢ２と対向する第１面１０Ａと、第１面１０Ａとは反対側の第２面１０Ｂとを有している。図示した例では、第１導電層Ｌ１は、第１面１０Ａと第２基板ＳＵＢ２との間に配置されている。一例として、第１導電層Ｌ１は第１面１０Ａに形成され、一部が絶縁層ＩＬで覆われ、残りの部分は第２基板ＳＵＢ２に対向しない方向に延在している。但し、第１ガラス基板１０と第１導電層Ｌ１との間には、各種絶縁膜や各種導電膜が配置されてもよい。

第２基板ＳＵＢ２は、第２ガラス基板２０（第２基材）を備えている。第２ガラス基板２０は、第１基板ＳＵＢ１と対向する第１面２０Ａと、第１面２０Ａとは反対側の第２面２０Ｂとを有している。第２ガラス基板２０は、その第１面２０Ａが第１導電層Ｌ１と対向し、且つ、第１導電層Ｌ１から第３方向Ｚに離間している。

第３基板ＳＵＢ３は、第３ガラス基板３０（第３基材）と、第２導電層Ｌ２とを備えている。第３ガラス基板３０は、第２基板ＳＵＢ２と対向する第１面３０Ａと、第１面３０Ａとは反対側の第２面３０Ｂとを有している。図示した例では、第２導電層Ｌ２は、第１面３０Ａと第２基板ＳＵＢ２との間に配置されている。一例として、第２導電層Ｌ２は第１面３０Ａに形成され、第１接着層ＡＤ１で覆われている。但し、第３ガラス基板３０と第２導電層Ｌ２との間には、各種絶縁膜や各種導電膜が配置されてもよい。

各ガラス基板１０，２０，３０は、例えば無アルカリガラスによって形成されている。各基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２，ＳＵＢ３は、各ガラス基板１０，２０，３０に代えて、樹脂基板などの他種の基材を備えてもよい。第１導電層Ｌ１及び第２導電層Ｌ２は、例えば、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウム、銀、銅、クロムなどの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金や、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明な導電材料などによって形成されている。第１導電層Ｌ１及び第２導電層Ｌ２は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。

フレキシブル回路基板ＦＰＣは、第１基板ＳＵＢ１に実装され、第１導電層Ｌ１と電気的に接続されている。フレキシブル回路基板ＦＰＣは、例えば表示装置ＤＳＰが搭載される電子機器の制御基板などに接続される。

表示装置ＤＳＰは、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２とを接続する第１接続構造１００を備えている。本実施形態において、第１接続構造１００は、第１接続用孔Ｖ１と、第１接続部材Ｃ１と、異方性導電層ＡＣとを含む。

第１接続用孔Ｖ１は、第２ガラス基板２０を貫通する貫通孔ＶＡ１と、絶縁層ＩＬを貫通する貫通孔ＶＢ１と、第１導電層Ｌ１を貫通する貫通孔ＶＣ１と、第１ガラス基板１０の第１面１０Ａに形成された凹部Ｒ１とを有している。各貫通孔ＶＡ１，ＶＢ１，ＶＣ１及び凹部Ｒ１は、それぞれの孔の中心を第３方向Ｚに沿った同一直線状に位置させ、互いに繋がっている。各貫通孔ＶＡ１，ＶＢ１，ＶＣ１及び凹部Ｒ１は、例えば平面視における形状が正円形であるが、楕円形などの他の形状であってもよい。

凹部Ｒ１は、第１面１０Ａから第２面１０Ｂに向かって形成されているが、図示した例では、第２面１０Ｂまで貫通していない。例えば、凹部Ｒ１の第３方向Ｚに沿った深さは、第１ガラス基板１０の第３方向Ｚに沿った厚さの約１／５〜約１／２である。なお、第１ガラス基板１０は、凹部Ｒ１の代わりに、第１面１０Ａと第２面１０Ｂとの間を貫通する貫通孔を有してもよい。

図１の例において、貫通孔ＶＡ１は、第２ガラス基板２０の第２面２０Ｂから第１面２０Ａに向かうに連れて幅（内径）が小さくなるテーパー状である。貫通孔ＶＣ１及び凹部Ｒ１も同様に、下方に向かうに連れて幅が小さくなるテーパー状である。また、貫通孔ＶＢ１は、第２ガラス基板２０の第１面２０Ａから第１ガラス基板１０の第１面１０Ａに向かうに連れて幅（内径）が大きくなるテーパー状である。図１の例では、各貫通孔ＶＡ１，ＶＢ１，ＶＣ１及び凹部Ｒ１の内面が断面視において直線状であるが、これらの内面は曲線状であってもよい。

また、貫通孔ＶＡ１は、第２ガラス基板２０の第２面２０Ｂから第１面２０Ａに向かうに連れて幅が大きくなるテーパー状であってもよい。貫通孔ＶＣ１及び凹部Ｒ１も同様に、下方に向かうに連れて幅が大きくなるテーパー状であってもよい。また、貫通孔ＶＢ１は、第２ガラス基板２０の第１面２０Ａから第１ガラス基板１０の第１面１０Ａに向かうに連れて幅が小さくなるテーパー状であってもよい。さらに、各貫通孔ＶＡ１，ＶＢ１，ＶＣ１及び凹部Ｒ１は、幅が一定（各内面が第３方向Ｚと平行）であってもよい。

貫通孔ＶＡ１と貫通孔ＶＢ１の境界近傍においては、貫通孔ＶＡ１の幅よりも貫通孔ＶＢ１の幅の方が大きい。また、貫通孔ＶＢ１と貫通孔ＶＣ１の境界近傍においては、貫通孔ＶＣ１の幅よりも貫通孔ＶＢ１の幅の方が大きい。これにより、第１導電層Ｌ１は、貫通孔ＶＣ１の周囲において、絶縁層ＩＬから露出した領域Ａ１１を有している。例えば、領域Ａ１１の平面視における形状は、貫通孔ＶＣ１を全周に亘って囲う環状である。但し、領域Ａ１１は、貫通孔ＶＣ１の周囲の一部に設けられてもよいし、断続的に複数設けられてもよい。

例えば、貫通孔ＶＡ１，ＶＢ１，ＶＣ１及び凹部Ｒ１は、第３基板ＳＵＢ３及び第１接着層ＡＤ１が配置されていない状態において、第２ガラス基板２０の第２面２０Ｂ側からレーザー光を照射することにより、一括して形成できる。貫通孔ＶＡ１，ＶＢ１，ＶＣ１及び凹部Ｒ１は、エッチングなどの他種のプロセスを利用して形成されてもよい。

第１接続部材Ｃ１は、第１接続用孔Ｖ１の内部に配置された第１部分ＣＰ１と、第１接続用孔Ｖ１の外部に配置された第２部分ＣＰ２とを有している。第１部分ＣＰ１は、各貫通孔ＶＡ１，ＶＢ１，ＶＣ１及び凹部Ｒ１の内面を覆っている。第２部分ＣＰ２は、第２ガラス基板２０の第２面２０Ｂを覆っている。第２部分ＣＰ２と第２面２０Ｂとの間に各種の絶縁膜や導電膜が介在してもよい。

第１接続部材Ｃ１は、銀などの金属材料を含む。一例として、第１接続部材Ｃ１は、粒径が数ナノメートルから数十ナノメートルのオーダーの金属微粒子を含むものであることが望ましい。このような第１接続部材Ｃ１は、大気圧下、或いは大気圧より低い気圧の環境下（真空を含む）において、溶剤と混ぜた状態で貫通孔ＶＡ１から注入した後、溶剤を除去することによって形成することができる。

第１接続部材Ｃ１の第１部分ＣＰ１は、貫通孔ＶＣ１の内面及び領域Ａ１１に接触している。このように、第１部分ＣＰ１が領域Ａ１１においても第１導電層Ｌ１に接触する場合、内面にのみ接触する場合に比べて両者の接触面積を大きくでき、導通の信頼性が向上する。

図１の例では、第１接続用孔Ｖ１の内部において、第１部分ＣＰ１が中空部分を有している。当該中空部分は、第１接着層ＡＤ１で満たされている。なお、当該中空部分が絶縁性或いは導電性の充填材で満たされてもよい。

第１接続部材Ｃ１の第２部分ＣＰ２は、第２導電層Ｌ２と対向している。第２部分ＣＰ２と第２導電層Ｌ２とが対向する領域において、これら第２部分ＣＰ２と第２導電層Ｌ２との間に、上述の異方性導電層ＡＣが形成されている。異方性導電層ＡＣは、複数の導電材ＣＭを含む。導電材ＣＭとしては、例えば、ボール状の弾性樹脂を金などの導電材料でメッキしたものを用いることができる。第２導電層Ｌ２と第１接続部材Ｃ１の第２部分ＣＰ２とは、導電材ＣＭを介して電気的に接続されている。なお、異方性導電層ＡＣは、第１部分ＣＰ１と第２導電層Ｌ２との間にさらに配置されてもよい。

異方性導電層ＡＣは、例えば導電材ＣＭを含むテープを第１接続部材Ｃ１の第２部分ＣＰ２又は第２導電層Ｌ２に貼り付けること、或いは導電材ＣＭを含む樹脂を第２部分ＣＰ２又は第２導電層Ｌ２に塗布することにより形成できる。これらテープや樹脂の上に第１接着層ＡＤ１の基となる樹脂が配置されたとしても、第２基板ＳＵＢ２と第３基板ＳＵＢ３とを貼り合せる際に加わる圧力で導電材ＣＭが第１接着層ＡＤ１を突き抜け、第２部分ＣＰ２と第２導電層Ｌ２とを導通させることができる。

以上の構成において、第２導電層Ｌ２は、第１接続部材Ｃ１及び第１導電層Ｌ１を介してフレキシブル回路基板ＦＰＣと電気的に接続される。このため、第２導電層Ｌ２に対して信号を書き込んだり、第２導電層Ｌ２から出力された信号を読み取ったりするための制御回路は、フレキシブル回路基板ＦＰＣを介して第２導電層Ｌ２と接続可能となる。つまり、第２導電層Ｌ２と制御回路とを接続するために、他の回路基板を第３基板ＳＵＢ３に実装する必要がなくなる。

さらに、当該他の回路基板を実装するための端子部や、第２導電層Ｌ２と当該他の回路基板とを接続するための引き回し配線が不要となる。このように、本実施形態においては、不要となる回路基板、端子部、及び引き回し配線の分のコストやスペースを削減することができる。

続いて、図１に示す構造を液晶表示装置に適用した場合の具体例について説明する。
図２は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す平面図である。表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２を含む表示パネルＰＮＬと、第３基板ＳＵＢ３と、フレキシブル回路基板ＦＰＣと、ＩＣチップＩ１とを備えている。ここでは、第３基板ＳＵＢ３を破線で示している。第１基板ＳＵＢ１はアレイ基板であり、第２基板ＳＵＢ２はアレイ基板に対向する対向基板であり、第３基板ＳＵＢ３は表示装置ＤＳＰの最外面を形成するカバー部材（カバーガラス或いはカバーレンズなどとも称される）である。

表示装置ＤＳＰは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡを囲む額縁状の周辺領域ＳＡとを有している。これら表示領域ＤＡ及び周辺領域ＳＡは、各基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２が対向する領域に相当する。図２の例において、表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１が第２基板ＳＵＢ２と対向しない非対向領域ＮＡを有している。

フレキシブル回路基板ＦＰＣは、非対向領域ＮＡにおいて、第１基板ＳＵＢ１に接続されている。ＩＣチップＩ１は、フレキシブル回路基板ＦＰＣに実装されている。但し、ＩＣチップＩ１は、非対向領域ＮＡに実装されてもよいし、フレキシブル回路基板ＦＰＣに接続される外部回路基板に実装されてもよい。ＩＣチップＩ１は、例えば、画像表示に必要な信号を出力するディスプレイドライバＤＤと、タッチパネルコントローラとして機能する検出回路ＲＣとを内蔵している。なお、検出回路ＲＣは、ＩＣチップＩ１とは異なる他のＩＣチップに内蔵されてもよい。

表示装置ＤＳＰは、表示領域ＤＡにおいて、複数の画素ＰＸを備えている。ここで、画素とは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位に相当する。複数の画素ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに沿ってマトリクス状に配置されている。

また、表示装置ＤＳＰは、表示領域ＤＡにおいて、複数本の走査線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、複数本の信号線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）、共通電極ＣＥなどを備えている。走査線Ｇは、各々第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに並んでいる。信号線Ｓは、各々第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに並んでいる。なお、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、必ずしも直線的に延出しなくてもよく、それらの一部が屈曲してもよい。共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。走査線Ｇ、信号線Ｓ、及び共通電極ＣＥは、それぞれ周辺領域ＳＡに引き出されている。周辺領域ＳＡにおいて、走査線Ｇは走査線駆動回路ＧＤに接続され、信号線Ｓは信号線駆動回路ＳＤに接続され、共通電極ＣＥは共通電極駆動回路ＣＤに接続されている。走査線駆動回路ＧＤ、信号線駆動回路ＳＤ、及び共通電極駆動回路ＣＤは、第１基板ＳＵＢ１に形成されてもよいし、これらの一部或いは全部がディスプレイドライバＤＤに内蔵されてもよい。

各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ等を備えている。液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に配置されており、本実施形態における表示機能層に相当する。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。より具体的には、スイッチング素子ＳＷは、ゲート電極ＷＧ、ソース電極ＷＳ、及びドレイン電極ＷＤを備えている。ゲート電極ＷＧは、走査線Ｇと電気的に接続されている。図示した例では、信号線Ｓと電気的に接続された電極をソース電極ＷＳと称し、画素電極ＰＥと電気的に接続された電極をドレイン電極ＷＤと称している。

走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。画素電極ＰＥの各々は、共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣを駆動する。画素電位を保持するための保持容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの間に形成される。

図３は、表示領域ＤＡにおける表示装置ＤＳＰの一部を概略的に示す断面図である。ここでは、表示装置ＤＳＰを第１方向Ｘに沿って切断した断面図を示す。図示した表示装置ＤＳＰは、主に基板主面と略平行な横電界を利用する表示モードに対応した構成を有している。なお、表示装置ＤＳＰは、基板主面に対して垂直な縦電界や、基板主面に対して斜め方向の電界、或いは、それらを組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有してもよい。横電界を利用する表示モードでは、例えば第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２のいずれか一方が画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方を備える構成が適用可能である。縦電界や斜め電界を利用する表示モードでは、例えば、第１基板ＳＵＢ１が画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの一方を備え、第２基板ＳＵＢ２が画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの他方を備える構成が適用可能である。なお、ここでの基板主面とは、Ｘ−Ｙ平面と平行な面である。

第１基板ＳＵＢ１は、第１ガラス基板１０、信号線Ｓ、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第１配向膜１４などを備えている。なお、ここでは、上述のスイッチング素子ＳＷや走査線Ｇ、これらの間に介在する各種絶縁膜等の図示を省略している。

第１絶縁膜１１は、第１ガラス基板１０の第１面１０Ａの上に配置されている。信号線Ｓは、第１絶縁膜１１の上に配置されている。第２絶縁膜１２は、信号線Ｓ及び第１絶縁膜１１の上に配置されている。共通電極ＣＥは、第２絶縁膜１２の上に配置されている。第３絶縁膜１３は、共通電極ＣＥの上に配置されている。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３の上に配置されている。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３を介して共通電極ＣＥと対向している。図３の例において、画素電極ＰＥは、１つのスリットＳＬを有している。但し、画素電極ＰＥは、より多くのスリットＳＬを有してもよいし、スリットＳＬを有さなくてもよい。第１配向膜１４は、画素電極ＰＥ及び第３絶縁膜１３を覆っている。

走査線Ｇ及び信号線Ｓは、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウムなどの金属材料によって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥは、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成されている。例えば、第１絶縁膜１１及び第３絶縁膜１３は無機絶縁膜であり、第２絶縁膜１２は有機絶縁膜である。

なお、第１基板ＳＵＢ１の構成は、図示した例に限らず、画素電極ＰＥが第２絶縁膜１２と第３絶縁膜１３との間に位置し、共通電極ＣＥが第３絶縁膜１３と第１配向膜１４との間に位置してもよい。また、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が櫛歯状に形成され、互いに噛み合うように同層に配置されてもよい。

第２基板ＳＵＢ２は、第２ガラス基板２０、遮光層２１、カラーフィルタ２２、オーバーコート層２３、第２配向膜２４などを備えている。
遮光層２１及びカラーフィルタ２２は、第２ガラス基板２０の第１面２０Ａの下に配置されている。遮光層２１は、各画素を区画し、信号線Ｓの直上に位置している。カラーフィルタ２２は、画素電極ＰＥと対向し、その一部が遮光層２１と重なっている。カラーフィルタ２２は、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタなどを含む。オーバーコート層２３は、カラーフィルタ２２を覆っている。第２配向膜２４は、オーバーコート層２３を覆っている。液晶層ＬＣは、第１配向膜１４と第２配向膜２４との間に配置されている。なお、カラーフィルタ２２は、第１基板ＳＵＢ１に配置されてもよい。

表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１に対向する照明装置ＢＬ（バックライト）と、照明装置ＢＬと第１基板ＳＵＢ１との間に配置された第１光学素子ＯＤ１と、第２基板ＳＵＢ２と第３基板ＳＵＢ３との間に配置された第２光学素子ＯＤ２とをさらに備えている。第１光学素子ＯＤ１は第１偏光板ＰＬ１を含み、第２光学素子ＯＤ２は第２偏光板ＰＬ２を含む。第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２は、位相差板やプリズムシートなどの他の光学素子をさらに含んでもよい。照明装置ＢＬ、第１光学素子ＯＤ１、及び第２光学素子ＯＤ２は、表示領域ＤＡの全域と対向している。

第３基板ＳＵＢ３は、第１接着層ＡＤ１を介して第２光学素子ＯＤ２に貼り付けられている。第３基板ＳＵＢ３は、第３ガラス基板３０と、第３ガラス基板３０の第１面３０Ａに形成された第２導電層Ｌ２とを備えている。第３ガラス基板３０の第２面３０Ｂは、表示装置ＤＳＰの最外面に相当する。図３の例において、第２面３０Ｂには何も設けられていないが、反射防止層などが設けられてもよい。なお、図３においては第３ガラス基板３０の第１面３０Ａの側に平坦な第２導電層Ｌ２のみを示しているが、詳細には第１面３０Ａの側の層構成として図５で後述する構造を適用することができる。

なお、図３に示す表示装置ＤＳＰは、照明装置ＢＬからの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過型の構造の適用例である。この例に限らず、表示装置ＤＳＰは、第２基板ＳＵＢ２の上方からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射型であってもよいし、透過型及び反射型の双方の機能を備えた半透過型であってもよい。

次に、第１導電層Ｌ１、第２導電層Ｌ２、及びこれらを接続する第１接続構造１００について説明する。
図４は、第１導電層Ｌ１、第２導電層Ｌ２、及び第１接続構造１００の第１接続用孔Ｖ１の構成例を示す平面図である。表示装置ＤＳＰは、複数の検出電極Ｒｘと、複数の駆動電極Ｔｘとを備えている。各検出電極Ｒｘ及び各駆動電極Ｔｘは、第３基板ＳＵＢ３に設けられた第２導電層Ｌ２に相当する。また、各検出電極Ｒｘ及び各駆動電極Ｔｘは、表示領域ＤＡにおいて、第３基板ＳＵＢ３に接触或いは接近する物体を検出するセンサを構成する。検出電極Ｒｘ及び駆動電極Ｔｘは、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電材料によって形成されてもよいし、金属を含む導電層によって形成されてもよい。また、中継導電層ＲＬは、積層構造であってもよいし、単層構造であってもよい。

検出電極Ｒｘは、表示領域ＤＡに配置された検出部ＲＳと、周辺領域ＳＡに配置された端子部ＲＴとを有している。図４においては、フレキシブル回路基板ＦＰＣの側から奇数番目の検出電極Ｒｘの端子部ＲＴが表示領域ＤＡの左方に配置され、偶数番目の検出電極Ｒｘの端子部ＲＴが表示領域ＤＡの右方に配置される例を示している。

駆動電極Ｔｘは、表示領域ＤＡに配置された駆動部ＴＳと、周辺領域ＳＡに配置された端子部ＴＴとを有している。図４の例においては、各駆動電極Ｔｘの端子部ＴＴがいずれも表示領域ＤＡと非対向領域ＮＡとの間に配置されている。

各検出電極Ｒｘの検出部ＲＳは、第１方向Ｘに延出するとともに第２方向Ｙに並んでいる。各駆動電極Ｔｘの駆動部ＴＳは、第２方向Ｙに延出するとともに第１方向Ｘに並んでいる。図示した例では、検出部ＲＳは、複数の矩形部分を繋ぎ合わせた形状を有している。また、駆動部ＴＳは、隣り合う検出電極Ｒｘの間に形成されるスペースに配置された複数の矩形部分を有している。駆動部ＴＳの各矩形部分は、検出部ＲＳを跨ぐブリッジＢＲによって電気的に接続されている。本実施形態においては、検出電極Ｒｘ及び駆動電極Ｔｘに加え、このブリッジＢＲも第２導電層Ｌ２に相当する。

図５は、検出部ＲＳ、駆動部ＴＳ、及びブリッジＢＲの構成例を示す図であり、図４におけるＶ−Ｖ線に沿った表示装置ＤＳＰの断面の一部に相当する。検出部ＲＳ及び駆動部ＴＳは、互いに間隔をあけて第３ガラス基板３０の第１面３０Ａに形成されている。隣り合う駆動部ＴＳの間において、検出部ＲＳは、絶縁膜３２で覆われている。ブリッジＢＲは、絶縁膜３２の下に形成されている。ブリッジＢＲの両端部は、各駆動部ＴＳにそれぞれ接している。絶縁膜３２によりブリッジＢＲと検出部ＲＳとが絶縁されている。このような構成においては、同一のＸ−Ｙ平面において、検出電極Ｒｘと駆動電極Ｔｘとを電気的に絶縁された状態で配置することができる。
図５の例においては、検出部ＴＳ及びブリッジＢＲが第１接着層ＡＤ１で覆われている。但し、検出部ＴＳ及びブリッジＢＲ、さらには検出部ＲＳのブリッジＢＲと重畳しない領域が絶縁膜で覆われ、この絶縁膜が第１接着層ＡＤ１に接していてもよい。

第１基板ＳＵＢ１は、検出電極Ｒｘの端子部ＲＴと対向するパッドＰ１と、駆動電極Ｔｘの端子部ＴＴと対向するパッドＰ２とを備えている。さらに、第１基板ＳＵＢ１は、パッドＰ１とフレキシブル回路基板ＦＰＣとを接続する配線Ｗ１と、パッドＰ２とフレキシブル回路基板ＦＰＣとを接続する配線Ｗ２とを備えている。これらパッドＰ１，Ｐ２及び配線Ｗ１，Ｗ２は、第１導電層Ｌ１に相当する。

端子部ＲＴ及びパッドＰ１は、第１接続構造１００によって電気的に接続されている。この第１接続構造１００の第１接続用孔Ｖ１は、例えば、端子部ＲＴとパッドＰ１とが平面視で重なる領域に形成されている。また、端子部ＴＴ及びパッドＰ２に関しても、第１接続構造１００によって電気的に接続されている。この第１接続構造１００の第１接続用孔Ｖ１は、例えば、端子部ＴＴとパッドＰ２とが平面視で重なる領域に形成されている。

第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、これら基板の間に配置されたシールＳＥによって貼り合わされている。シールＳＥは、周辺領域ＳＡに形成され、表示領域ＤＡを囲っている。各端子部ＲＴ，ＴＴ、各パッドＰ１，Ｐ２、及び各第１接続用孔Ｖ１は、平面視においてシールＳＥと重なっている。

以上のような構成においては、各検出電極Ｒｘ及び各駆動電極Ｔｘが検出回路ＲＣと電気的に接続される。検出回路ＲＣは、駆動電極Ｔｘに駆動信号を供給する。この駆動信号を受けて、駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間に電界が形成され、検出電極Ｒｘから検出信号が出力される。上記電界は、表示領域ＤＡにおいて第３基板ＳＵＢ３に接触或いは接近するユーザの指などの物体の影響を受けるため、検出信号も当該物体の有無に応じて変化する。検出回路ＲＣは、検出電極Ｒｘからの検出信号を読み取り、この検出信号に基づいて物体の有無や物体の位置座標を検出する。

なお、センサによる物体の検出方式は、ここで述べたものに限られない。例えば、センサは、表示領域ＤＡに配列された検出電極に駆動信号を供給し、当該電極から検出信号を読み出す方式であってもよい。

図６は、図４におけるＶＩ−ＶＩ線に沿った表示装置ＤＳＰの断面図である。ここでは、検出電極Ｒｘの接続用の第１接続構造１００に着目するが、駆動電極Ｔｘの接続用の第１接続構造１００も同様の構成を有している。なお、照明装置ＢＬ、第１光学素子ＯＤ１、及び第２光学素子ＯＤ２などの図示を省略している。
この図に示す第１接続構造１００は、図１に示したものと同様である。すなわち、第１接続構造１００は、第１接続用孔Ｖ１と、第１接続部材Ｃ１と、異方性導電層ＡＣとを含む。また、第１接続用孔Ｖ１は、第２ガラス基板２０を貫通する貫通孔ＶＡ１と、絶縁層ＩＬを貫通する貫通孔ＶＢ１と、パッドＰ１（第１導電層Ｌ１）を貫通する貫通孔ＶＣ１と、第１ガラス基板１０の凹部Ｒ１とを有している。第１接続部材Ｃ１の第１部分ＣＰ１は、第１接続用孔Ｖ１においてパッドＰ１に接触している。第１接続部材Ｃ１の第２部分ＣＰ２は、異方性導電層ＡＣを介して端子部ＲＴ（第２導電層Ｌ２）と電気的に接続されている。

図６の例において、絶縁層ＩＬは、上述の第２絶縁膜１２と、遮光層２１と、オーバーコート層２３と、シールＳＥとを含む。貫通孔ＶＢ１は、これら第２絶縁膜１２、遮光層２１、オーバーコート層２３、及びシールＳＥを貫通している。なお、絶縁層ＩＬは、図３に示す第１配向膜１４や第２配向膜２４などをさらに含んでもよい。また、絶縁層ＩＬは、第２絶縁膜１２、遮光層２１、オーバーコート層２３、及びシールＳＥの少なくとも１つを含まなくてもよい。

第３基板ＳＵＢ３は、加飾層３１（遮光層或いは着色層）をさらに備えている。加飾層３１は、周辺領域ＳＡと対向し、上述の表示領域ＤＡの形状に応じて開口している。この加飾層３１により、第１接続用孔Ｖ１が外部から視認できなくなっている。第３基板ＳＵＢ３が配置されているために、第１接続用孔Ｖ１によって生じ得る凹凸が表示装置ＤＳＰの外部に現れることはない。

図７は、図６に示す表示装置ＤＳＰの変形例を示す断面図である。この図に示すように、第１接続用孔Ｖ１の近傍において、第２基板ＳＵＢ２と第３基板ＳＵＢ３との間に第２光学素子ＯＤ２が介在してもよい。この図の例において、第１接続用孔Ｖ１は、第２光学素子ＯＤ２を貫通する貫通孔ＶＰＬをさらに有している。

貫通孔ＶＡ１と貫通孔ＶＰＬの境界近傍においては、貫通孔ＶＡ１の幅よりも貫通孔ＶＰＬの幅の方が大きい。これにより、第２ガラス基板２０は、貫通孔ＶＡ１の周囲において、第２光学素子ＯＤ２から露出した領域Ａ１３を有している。例えば、領域Ａ１３の平面視における形状は、貫通孔ＶＰＬを全周に亘って囲う環状である。但し、領域Ａ１３は、貫通孔ＶＰＬの周囲の一部に設けられてもよいし、断続的に複数設けられてもよい。

第１接続部材Ｃ１の第２部分ＣＰ２は、第２光学素子ＯＤ２の上に延在している。第１接続部材Ｃ１は、領域Ａ１３も覆っている。第１接着層ＡＤ１は、第２光学素子ＯＤ２及び第１接続部材Ｃ１を覆っている。

図８は、図６に示す表示装置ＤＳＰの他の変形例を示す断面図である。この図に示すように、第１接続構造１００は、第１接続部材Ｃ１の中空部分を満たす第１充填材ＦＩ１をさらに備えてもよい。第１充填材ＦＩ１は、例えば絶縁性の樹脂材料で形成することができる。第１充填材ＦＩ１に導電性を与えてもよい。図８の例では、第１充填材ＦＩ１が貫通孔ＶＡ１から突出しているが、突出していなくてもよい。第１充填材ＦＩ１により、第１接続用孔Ｖ１に起因した段差を緩和ないしは防止することができる。

以上、図２乃至図８を用いて説明した適用例によれば、検出電極Ｒｘ及び駆動電極Ｔｘとフレキシブル回路基板ＦＰＣとを第１接続構造１００により電気的に接続できる。したがって、第３基板ＳＵＢ３の検出電極Ｒｘ及び駆動電極Ｔｘを含むセンサを、第１基板ＳＵＢ１に実装されたフレキシブル回路基板ＦＰＣを介して駆動することができる。その他、本適用例からは、図１等を用いて説明した種々の好適な効果を得ることができる。
なお、第２導電層Ｌ２は検出電極Ｒｘ及び駆動電極Ｔｘに限定されるものではなく、その他の機能を有する導電層であってもよい。

［第２実施形態］
第２実施形態について説明する。第１実施形態と同一又は類似する要素には同一の符号を付し、説明を適宜省略する。
図９は、第２実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す断面図である。この図に示す表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１が第１導電層Ｌ１に加えて第３導電層Ｌ３を備え、第２基板ＳＵＢ３が第４導電層Ｌ４を備えている。また、表示装置ＤＳＰは、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２とを接続する第１接続構造１００を備えるとともに、第３導電層Ｌ３と第４導電層Ｌ４とを接続する第２接続構造２００を備えている。さらに、表示装置ＤＳＰは、第３基板ＳＵＢ３に対向する第４基板ＳＵＢ４と、第３基板ＳＵＢ３と第４基板ＳＵＢ４との間に形成された第２接着層ＡＤ２とを備えている。

第３導電層Ｌ３は、フレキシブル回路基板ＦＰＣに接続されている。この図の断面においては第１導電層Ｌ１とフレキシブル回路基板ＦＰＣとが離間しているが、第１導電層Ｌ１は当該断面とは異なる位置を引き回されてフレキシブル回路基板ＦＰＣに接続されている。一例として、第１導電層Ｌ１及び第３導電層Ｌ３は第１ガラス基板１０の第１面１０Ａに形成され、絶縁層ＩＬで覆われている。但し、第１ガラス基板１０と第１導電層Ｌ１との間、及び、第１ガラス基板１０と第３導電層Ｌ３との間には、各種絶縁膜や各種導電膜が配置されてもよい。また、一例として、第４導電層Ｌ４は第２ガラス基板２０の第２面２０Ｂに形成され、第１接着層ＡＤ１で覆われている。但し、第２ガラス基板２０と第４導電層Ｌ４との間には、各種絶縁膜や各種導電膜が配置されてもよい。また、第４導電層Ｌ４が第１接着層ＡＤ１とは別途の絶縁膜で覆われ、この絶縁膜の上に第１接着層ＡＤ１が形成されてもよい。

本実施形態における第１接続構造１００は、図１の例と同じく、第１接続用孔Ｖ１と、第１接続部材Ｃ１とを備えている。第１接続用孔Ｖ１は、第２ガラス基板２０を貫通する貫通孔ＶＡ１と、絶縁層ＩＬを貫通する貫通孔ＶＢ１と、第１導電層Ｌ１を貫通する貫通孔ＶＣ１と、第１ガラス基板１０の第１面１０Ａに形成された凹部Ｒ１とを有する。さらに、第１接続用孔Ｖ１は、第３ガラス基板３０を貫通する貫通孔ＶＤ１と、第１接着層ＡＤ１を貫通する貫通孔ＶＥ１と、第２導電層Ｌ２を貫通する貫通孔ＶＦ１とを有する。

各貫通孔ＶＡ１，ＶＢ１，ＶＣ１，ＶＤ１，ＶＥ１，ＶＦ１及び凹部Ｒ１は、それぞれの孔の中心を第３方向Ｚに沿った同一直線状に位置させ、互いに繋がっている。各貫通孔ＶＡ１，ＶＢ１，ＶＣ１，ＶＤ１，ＶＥ１，ＶＦ１及び凹部Ｒ１は、例えば平面視における形状が正円形であるが、楕円形などの他の形状であってもよい。

貫通孔ＶＣ１の周囲においては、図１の例と同様の領域Ａ１１が形成されている。
貫通孔ＶＥ１と貫通孔ＶＡ１の境界近傍においては、貫通孔ＶＡ１の幅よりも貫通孔ＶＥ１の幅の方が大きい。これにより、第１導電層Ｌ１は、貫通孔ＶＡ１の周囲において、第１接着層ＡＤ１から露出した領域Ａ１２を有している。例えば、領域Ａ１２の平面視における形状は、貫通孔ＶＡ１を全周に亘って囲う環状である。但し、領域Ａ１２は、貫通孔ＶＡ１の周囲の一部に設けられてもよいし、断続的に複数設けられてもよい。

貫通孔ＶＥ１と貫通孔ＶＦ１の境界近傍においては、貫通孔ＶＦ１の幅よりも貫通孔ＶＥ１の幅の方が大きい。これにより、第２導電層Ｌ２は、貫通孔ＶＥ１の周囲において、第１接着層ＡＤ１から露出した領域Ａ１４を有している。例えば、領域Ａ１４の平面視における形状は、貫通孔ＶＦ１を全周に亘って囲う環状である。但し、領域Ａ１４は、貫通孔ＶＦ１の周囲の一部に設けられてもよいし、断続的に複数設けられてもよい。

第１接続部材Ｃ１は、各貫通孔ＶＡ１，ＶＢ１，ＶＣ１，ＶＤ１，ＶＥ１，ＶＦ１の内面、領域Ａ１１，Ａ１２，Ａ１４、及び凹部Ｒ１の内部を覆っている。すなわち、第１接続部材Ｃ１は、第１導電層Ｌ１及び第２導電層Ｌ２に接触し、これら導電層を電気的に接続している。第１接続部材Ｃ１が第１導電層Ｌ１の内面だけでなく領域Ａ１１を覆うとともに、第２導電層Ｌ２の内面だけでなく領域Ａ１４を覆うので、第１接続部材Ｃ１とこれら導電層との接触面積を大きくでき、導通の信頼性が向上する
第１接続構造１００は、第１接続部材Ｃ１の中空部分を満たす第１充填材ＦＩ１を備えている。図９の例において、第１充填材ＦＩ１は、貫通孔ＶＤ１から突出していないが、突出してもよい。

第２接続構造２００は、第２接続用孔Ｖ２と、第２接続部材Ｃ２とを備えている。第２接続用孔Ｖ２は、第２ガラス基板２０を貫通する貫通孔ＶＡ２と、絶縁層ＩＬを貫通する貫通孔ＶＢ２と、第１導電層Ｌ１を貫通する貫通孔ＶＣ２と、第３ガラス基板３０を貫通する貫通孔ＶＤ２と、第１接着層ＡＤ１を貫通する貫通孔ＶＥ２と、第４導電層Ｌ４を貫通する貫通孔ＶＦ２と、第１ガラス基板１０の第１面１０Ａに形成された凹部Ｒ２とを有する。

各貫通孔ＶＡ２，ＶＢ２，ＶＣ２，ＶＤ２，ＶＥ２，ＶＦ２及び凹部Ｒ２は、第３方向Ｚに沿った同一直線状に位置し、互いに繋がっている。各貫通孔ＶＡ２，ＶＢ２，ＶＣ２，ＶＤ２，ＶＥ２，ＶＦ２及び凹部Ｒ２は、例えば平面視における形状が正円形であるが、楕円形などの他の形状であってもよい。

各貫通孔ＶＡ２，ＶＢ２，ＶＣ２，ＶＤ２，ＶＥ２，ＶＦ２及び凹部Ｒ２の形状は、第１接続用孔Ｖ１の各貫通孔ＶＡ１，ＶＢ１，ＶＣ１，ＶＤ１，ＶＥ１，ＶＦ１及び凹部Ｒ１の形状と同様である。また、第３導電層Ｌ３の上面には領域Ａ１１と同様の領域Ａ２１が形成されている。さらに、第４導電層Ｌ４は、貫通孔ＶＦ２の周囲で第１接着層ＡＤ１から露出した領域Ａ２２を有している。

第２接続部材Ｃ２は、各貫通孔ＶＡ２，ＶＢ２，ＶＣ２，ＶＤ２，ＶＥ２，ＶＦ２の内面、領域Ａ２１、領域Ａ２２、及び凹部Ｒ２の内部を覆っている。すなわち、第２接続部材Ｃ２は、第３導電層Ｌ３及び第４導電層Ｌ４に接触し、これら導電層を電気的に接続している。第２接続部材Ｃ２が第３導電層Ｌ３の内面だけでなく領域Ａ２１を覆うとともに、第４導電層Ｌ４の内面だけでなく領域Ａ２２を覆うので、第２接続部材Ｃ２とこれら導電層との接触面積を大きくでき、導通の信頼性が向上する。

第２接続構造２００は、第２接続部材Ｃ２の中空部分を満たす第２充填材ＦＩ２を備えている。図９の例において、第２充填材ＦＩ２は、貫通孔ＶＤ２から突出していないが、突出してもよい。第２接続部材Ｃ２及び第２充填材ＦＩ２は、それぞれ第１接続部材Ｃ１及び第１充填材ＦＩ１と同様の材料で形成することができる。

図９の例において、貫通孔ＶＡ１，ＶＡ２，ＶＣ１，ＶＣ２，ＶＤ１，ＶＤ２，ＶＦ１，ＶＦ２は、下方に向かうに連れて幅（内径）が小さくなるテーパー状である。貫通孔ＶＢ１，ＶＢ２，ＶＥ１，ＶＥ２は、幅が一定（内面が第３方向Ｚと平行）である。なお、第１接続用孔Ｖ１及び第２接続用孔Ｖ２を構成する各貫通孔の形状は図９の例に限られず、下方に向かうに連れて幅が小さくなるテーパー状、下方に向かうに連れて幅が大きくなるテーパー状、或いは幅が一定の形状のいずれであってもよい。また、これら貫通孔の内面は、断面視において直線状であってもよいし、曲線状であってもよい。

第４基板ＳＵＢ４は、第４ガラス基板４０（第４基材）を備えている。第４ガラス基板４０は、第３基板ＳＵＢ３と対向する第１面４０Ａと、第１面４０Ａの反対側の第２面４０Ｂとを有している。第２面４０Ｂは、表示装置ＤＳＰの最外面に相当する。図９の例において、第２面４０Ｂには何も設けられていないが、反射防止層などが設けられてもよい。第４ガラス基板４０は、第２接着層ＡＤ２を介して第３基板ＳＵＢ３に貼り付けられている。第４基板ＳＵＢ４が配置されているために、第１接続用孔Ｖ１及び第２接続用孔Ｖ２によって生じ得る凹凸が表示装置ＤＳＰの外部に現れることはない。
なお、表示装置ＤＳＰは、第４基板ＳＵＢ４を備えなくてもよい。この場合においては、第３ガラス基板３０の第２面３０Ｂが表示装置ＤＳＰの最外面に相当する。

以上のような構成によれば、第１接続構造１００により第２導電層Ｌ２とフレキシブル回路基板ＦＰＣとを電気的に接続するとともに、第２接続構造２００により第４導電層Ｌ４とフレキシブル回路基板ＦＰＣとを電気的に接続することができる。このため、第２導電層Ｌ２及び第４導電層Ｌ４に対して信号を書き込んだり、第２導電層Ｌ２及び第４導電層Ｌ４から出力された信号を読み取ったりするための制御回路は、フレキシブル回路基板ＦＰＣを介して第２導電層Ｌ２及び第４導電層Ｌ４と接続可能となる。つまり、第２導電層Ｌ２及び第４導電層Ｌ４と制御回路とを接続するために、他の回路基板を第３基板ＳＵＢ３や第２基板ＳＵＢ２に実装する必要がなくなる。

さらに、当該他の回路基板を実装するための端子部や、第２導電層Ｌ２及び第４導電層Ｌ４と当該他の回路基板とを接続するための引き回し配線が不要となる。このように、本実施形態においては、不要となる回路基板、端子部、及び引き回し配線の分のコストやスペースを削減することができる。

続いて、図９に示す構造を液晶表示装置に適用した場合の具体例について説明する。
図１０は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す平面図である。表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２を含む表示パネルＰＮＬと、第３基板ＳＵＢ３と、第４基板ＳＵＢ４と、フレキシブル回路基板ＦＰＣと、ＩＣチップＩ１とを備えている。ここでは、第４基板ＳＵＢ４は破線で示し、第３基板ＳＵＢ３は一部のみ示している。第１基板ＳＵＢ１はアレイ基板であり、第２基板ＳＵＢ２はアレイ基板に対向する対向基板である。第３基板ＳＵＢ３は、表示パネルＰＮＬに表示のための光を供給する照明装置（フロントライト）である。第４基板ＳＵＢ４は、表示装置ＤＳＰの最外面を形成するカバー部材である。表示パネルＰＮＬの基本的な構成は、図２及び図４と同様である。但し、本実施形態において、表示パネルＰＮＬは、第３基板ＳＵＢ３からの光を利用して画像を表示する反射型である。

ＩＣチップＩ１は、ディスプレイドライバＤＤ及び検出回路ＲＣに加え、第３基板ＳＵＢ３を制御する駆動回路ＬＤを備えている。なお、駆動回路ＬＤは、ＩＣチップＩ１とは異なる他のＩＣチップに内蔵されてもよい。

第３基板ＳＵＢ３は、複数の発光素子ＬＳを備えている。図１０の例において、各発光素子ＬＳは、表示領域ＤＡにおいて第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに沿ってマトリクス状に配置されている。なお、発光素子ＬＳの配置態様はこれに限られず、例えば各発光素子ＬＳが第１方向Ｘ或いは第２方向Ｙに沿って直線状に延在するなど他の態様を採用してもよい。

各発光素子ＬＳは、アノードＡＮ（第１電極）及びカソードＣＡ（第２電極）と電気的に接続されている。各発光素子ＬＳは、これらアノードＡＮ及びカソードＣＡの間の電圧によって発光する発光層を備えている。例えば、この発光層としては、有機化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス層を用いることができる。アノードＡＮ及びカソードＣＡは、例えばＩＴＯなどの透明な導電材料や金属を含む導電層で形成されている。

アノードＡＮは、端子部ＡＴに接続されている。また、カソードＣＡは、端子部ＣＴに接続されている。本適用例において、これらアノードＡＮ、カソードＣＡ、及び各端子部ＡＴ，ＣＴは、第２導電層Ｌ２に相当する。

第１基板ＳＵＢ１は、アノードＡＮの端子部ＡＴと対向するパッドＰ３と、カソードＣＡの端子部ＣＴと対向するパッドＰ４とを備えている。さらに、第１基板ＳＵＢ１は、パッドＰ３とフレキシブル回路基板ＦＰＣとを接続する配線Ｗ３と、パッドＰ４とフレキシブル回路基板ＦＰＣとを接続する配線Ｗ４とを備えている。本適用例において、これらパッドＰ３，Ｐ４及び配線Ｗ３，Ｗ４は、第１導電層Ｌ１に相当する。

端子部ＡＴ及びパッドＰ３は、第１接続構造１００によって電気的に接続されている。この第１接続構造１００の第１接続用孔Ｖ１は、例えば、端子部ＡＴとパッドＰ３とが平面視で重なる領域に形成されている。また、端子部ＣＴ及びパッドＰ４に関しても、第１接続構造１００によって電気的に接続されている。この第１接続構造１００の第１接続用孔Ｖ１は、例えば、端子部ＣＴとパッドＰ４とが平面視で重なる領域に形成されている。各端子部ＡＴ，ＣＴ、各パッドＰ３，Ｐ４、及び各第１接続用孔Ｖ１は、平面視においてシールＳＥと重なっている。

一方、第２基板ＳＵＢ２は、複数の検出電極Ｒｘと、複数の駆動電極Ｔｘと、複数のブリッジＢＲとを備えている。これら検出電極Ｒｘ、駆動電極Ｔｘ、及びブリッジＢＲは、図４の例とは異なる基板に配置されているものの、図４の例と同様の構成を有している。本適用例において、各検出電極Ｒｘ、各駆動電極Ｔｘ、及びブリッジＢＲは、第２基板ＳＵＢ２に設けられた第３導電層Ｌ３に相当する。また、各検出電極Ｒｘ及び各駆動電極Ｔｘは、表示領域ＤＡにおいて、第４基板ＳＵＢ４に接触或いは接近する物体を検出するセンサを構成する。

第１基板ＳＵＢ１は、検出電極Ｒｘの端子部ＲＴと対向するパッドＰ１と、駆動電極Ｔｘの端子部ＴＴと対向するパッドＰ２とを備えている。さらに、第１基板ＳＵＢ１は、パッドＰ１とフレキシブル回路基板ＦＰＣとを接続する配線Ｗ１と、パッドＰ２とフレキシブル回路基板ＦＰＣとを接続する配線Ｗ２とを備えている。本適用例において、これらパッドＰ１，Ｐ２及び配線Ｗ１，Ｗ２は、第３導電層Ｌ３に相当する。

端子部ＲＴ及びパッドＰ１は、第２接続構造２００によって電気的に接続されている。この第２接続構造２００の第２接続用孔Ｖ２は、例えば、端子部ＲＴとパッドＰ１とが平面視で重なる領域に形成されている。また、端子部ＴＴ及びパッドＰ２に関しても、第２接続構造２００によって電気的に接続されている。この第２接続構造２００の第２接続用孔Ｖ２は、例えば、端子部ＴＴとパッドＰ２とが平面視で重なる領域に形成されている。各端子部ＲＴ，ＴＴ、各パッドＰ１，Ｐ２、及び各第１接続用孔Ｖ１は、平面視においてシールＳＥと重なっている。

以上のような構成においては、各検出電極Ｒｘ及び各駆動電極Ｔｘが検出回路ＲＣと電気的に接続される。さらに、アノードＡＮ及びカソードＣＡが駆動回路ＬＤと電気的に接続される。例えば、駆動回路ＬＤは、アノードＡＮ及びカソードＣＡに供給する電圧の大きさや周波数を制御することで、発光素子ＬＳを所望の明るさで発光させることができる。アノードＡＮ或いはカソードＣＡを電気的に絶縁された複数のセクションに分け、各セクションをそれぞれ第１接続構造１００にて駆動回路ＬＤに接続してもよい。この場合には、セクションごとに異なる電圧を印加することで、各セクションに対応する領域ごとに照明の強度を異ならせることができる。

なお、センサの構成は、図１０に示す例に限られない。図１１にセンサの他の構成例を示す。この図の例では、検出電極Ｒｘは、表示領域ＤＡにおいて第１方向Ｘに帯状に延びるとともに第２方向Ｙに並んでいる。駆動電極Ｔｘは、表示領域ＤＡにおいて第２方向Ｙに帯状に延びるとともに第１方向Ｘに並んでいる。なお、検出電極Ｒｘが第２方向Ｙに延びるとともに第１方向Ｘに並び、駆動電極Ｔｘが第１方向Ｘに延びるとともに第２方向Ｙに並んでもよい。検出電極Ｒｘは、例えばＩＴＯなどの透明な導電材料で形成されてもよいし、金属を含む導電性の細線にて形成されてもよい。

各検出電極Ｒｘと各駆動電極Ｔｘは、第３方向Ｚに間隔を空けて対向している。このような駆動電極Ｔｘとしては、例えば共通電極ＣＥを利用できる。この場合、センシングのための一対の電極の一方と、表示のための一対の電極の一方とが共通化されるために、表示装置ＤＳＰの構成を簡易化できる。また、図３の例のように共通電極ＣＥが第１基板ＳＵＢ１に設けられる場合には、駆動電極Ｔｘのための第２接続構造２００を省略できる。

図１２は、図１０に示す表示装置ＤＳＰの表示領域ＤＡにおける構成を概略的に示す断面図である。この図に示す表示パネルＰＮＬは、第２基板ＳＵＢ２に共通電極ＣＥが設けられている点で図３の例と相違する。共通電極ＣＥは、オーバーコート層２３と第２配向膜２４との間に配置されている。一方で、画素電極ＰＥは、第２絶縁膜１２と第１配向膜１４との間に配置されている。また、表示装置ＤＳＰは、第２基板ＳＵＢ２と第３基板ＳＵＢ３との間に配置された光学素子ＯＤを備えている。例えば、光学素子ＯＤは、偏光板ＰＬ及び位相差板ＲＤを含む。光学素子ＯＤは、拡散板などをさらに含んでもよい。

検出電極ＲＸの検出部ＲＳ及び駆動電極Ｔｘの駆動部ＴＳを含む第４導電層Ｌ４は、第２ガラス基板２０の第２面２０Ｂに形成され、光学素子ＯＤで覆われている。第３基板ＳＵＢ３は、第１接着層ＡＤ１を介して光学素子ＯＤに貼り付けられている。

アノードＡＮ及びカソードＣＡを含む第２導電層Ｌ２は、第３ガラス基板３０の第１面３０Ａに形成されている。発光素子ＬＳも第１面３０Ａに形成され、アノードＡＮ及びカソードＣＡと接続されている。なお、図１２においてはアノードＡＮ及びカソードＣＡを１つの層で纏めて示しているが、実際にはアノードＡＮ及びカソードＣＡは絶縁膜を介して離間している。

発光素子ＬＳは、図中の下方に向けて光を発する。画素電極ＰＥは、アルミニウム又は銀のような金属光沢を有する材料で形成されており、発光素子ＬＳからの光を反射する。画素電極ＰＥによって反射された光は、発光素子ＬＳが設けられていない領域を通過して、第４ガラス基板４０から出射する。

このように、図１２の例においては、画素電極ＰＥが発光素子ＬＳからの光を液晶層ＬＣに向けて反射する反射層の機能を兼ねている。他の例として、画素電極ＰＥとは別途の反射層が第１基板ＳＵＢ１に設けられてもよい。

図１３は、図１０に示す第１接続構造１００及び第２接続構造２００の近傍における表示装置ＤＳＰの断面図である。ここでは、アノードＡＮの接続用の第１接続構造１００と、検出電極Ｒｘの接続用の第２接続構造２００とに着目するが、カソードＣＡの接続用の第１接続構造１００及び駆動電極Ｔｘの接続用の第２接続構造２００も同様の構成を有している。

この図に示す第１接続構造１００及び第２接続構造２００は、図９に示したものと同様である。すなわち、第１接続構造１００は、第１接続用孔Ｖ１と、第１接続部材Ｃ１と、第１充填材ＦＩ１とを含み、第２接続構造２００は、第２接続用孔Ｖ２と、第２接続部材Ｃ２と、第２充填材ＦＩ２とを含む。第１接続用孔Ｖ１は、貫通孔ＶＡ１，ＶＢ１，ＶＣ１，ＶＤ１，ＶＥ１，ＶＦ１、及び凹部Ｒ１を有している。第１接続部材Ｃ１は、第１接続用孔Ｖ１においてパッドＰ３（第１導電層Ｌ１）及びアノードＡＮの端子部ＡＴ（第２導電層Ｌ２）に接触している。第２接続用孔Ｖ２は、貫通孔ＶＡ２，ＶＢ２，ＶＣ２，ＶＤ２，ＶＥ２，ＶＦ２、及び凹部Ｒ２を有している。第２接続部材Ｃ２は、第２接続用孔Ｖ２においてパッドＰ１（第３導電層Ｌ３）及び検出電極Ｒｘの検出部ＲＳ（第４導電層Ｌ４）に接触している。

図１３の例において、絶縁層ＩＬは、上述の第２絶縁膜１２と、遮光層２１と、オーバーコート層２３と、シールＳＥとを含む。貫通孔ＶＢ１，ＶＢ２は、これら第２絶縁膜１２、遮光層２１、オーバーコート層２３、及びシールＳＥを貫通している。なお、絶縁層ＩＬは、図１２に示す第１配向膜１４や第２配向膜２４などをさらに含んでもよい。また、絶縁層ＩＬは、第２絶縁膜１２、遮光層２１、オーバーコート層２３、及びシールＳＥの少なくとも１つを含まなくてもよい。

第４基板ＳＵＢ４は、加飾層４１（遮光層或いは着色層）をさらに備えている。加飾層４１は、周辺領域ＳＡと対向し、上述の表示領域ＤＡの形状に応じて開口している。この加飾層４１により、第１接続用孔Ｖ１及び第２接続用孔Ｖ２が外部から視認できなくなっている。

なお、図７の例と同じく、第１接続用孔Ｖ１及び第２接続用孔Ｖ２の近傍において、第２基板ＳＵＢ２と第３基板ＳＵＢ３との間に光学素子ＯＤが介在してもよい。この場合においては、第１接続用孔Ｖ１及び第２接続用孔Ｖ２が光学素子ＯＤを貫通する貫通孔を有する。さらに、図７に示す領域Ａ１３と同じく、貫通孔ＶＡ１，ＶＡ２の周囲において、第２ガラス基板２０が光学素子ＯＤから露出した領域を有してもよい。

以上、図１０乃至図１３を用いて説明した適用例においては、第３基板ＳＵＢ３のアノードＡＮ及びカソードＣＡと第１基板ＳＵＢ１に実装されたフレキシブル回路基板ＦＰＣとを第１接続構造１００により電気的に接続できる。さらに、センサ用の検出電極Ｒｘ及び駆動電極Ｔｘとフレキシブル回路基板ＦＰＣとを第２接続構造２００により電気的に接続できる。したがって、第３基板ＳＵＢ３の発光素子ＬＳや、第２基板ＳＵＢ２の検出電極Ｒｘ及び駆動電極Ｔｘを含むセンサを、第１基板ＳＵＢ１に実装されたフレキシブル回路基板ＦＰＣを介して駆動することができる。その他、本適用例からは、図９等を用いて説明した種々の好適な効果を得ることができる。
なお、第２導電層Ｌ２は照明装置のアノードＡＮ及びカソードＣＡに限定されるものではなく、その他の機能を有する導電層であってもよい。同様に、第４導電層Ｌ４はセンサの検出電極Ｒｘや駆動電極Ｔｘに限定されるものではなく、その他の機能を有する導電層であってもよい。

続いて、図９に示す表示装置ＤＳＰの製造方法の一例につき、図１４乃至図１７を用いて説明する。
先ず、図１４に示すように、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とが貼り合わされ、さらに第１接着層ＡＤ１を介して第３基板ＳＵＢ３が第２基板ＳＵＢ２に貼り付けられた表示装置ＤＳＰを用意する。この状態において、第３ガラス基板３０の第２面３０Ｂからレーザー光ＬＺ１，ＬＺ２を照射する。レーザー光ＬＺ１は第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２とが対向する領域に照射され、レーザー光ＬＺ２は第３導電層Ｌ３と第４導電層Ｌ４とが対向する領域に照射される。レーザー光源としては、例えば炭酸ガスレーザー装置などが適用可能であるが、ガラス材料及び樹脂材料に穴あけ加工ができるものであればよく、エキシマレーザー装置なども適用可能である。

このようなレーザー光ＬＺ１，ＬＺ２が照射されることにより、図１５に示すように、第１接続用孔Ｖ１と、第２接続用孔Ｖ２とが形成される。一般に、絶縁層ＩＬや第１接着層ＡＤ１を構成する材料の融点は、各ガラス基板２０，３０や、第４導電層Ｌ４を構成するＩＴＯ或いは金属材料の融点よりも低い。したがって、レーザー光ＬＺ１，ＬＺ２を照射した際には、各ガラス基板２０，３０や第４導電層Ｌ４よりも絶縁層ＩＬや第１接着層ＡＤ１の方が溶融又は昇華し易い。このため、レーザー光ＬＺ１，ＬＺ２を用いて第１接続用孔Ｖ１及び第２接続用孔Ｖ２を形成する際には、図１５に示すように、上述の領域Ａ１１，Ａ１２，Ａ１４，Ａ２１，Ａ２２が同時に形成される。

続いて図１６に示すように、例えば真空環境下において、溶剤と混合された第１接続部材Ｃ１を第１接続用孔Ｖ１に注入し、第１接続用孔Ｖ１を満たす。同様に、溶剤と混合された第２接続部材Ｃ２を第２接続用孔Ｖ２に注入し、第２接続用孔Ｖ２を満たす。その後、上記溶剤を除去（乾燥）することにより、第１接続部材Ｃ１及び第２接続部材Ｃ２の体積を減少させる。これにより、図１７に示すように、第１接続用孔Ｖ１の内面に付着した第１接続部材Ｃ１、及び、第２接続用孔Ｖ２の内面に付着した第２接続部材Ｃ２を形成することができる。

さらに、第１接続用孔Ｖ１の中空部分に第１充填材ＦＩ１を充填し、第２接続用孔Ｖ２の中空部分に第２充填材ＦＩ２を充填する。これにより、図９に示した第１接続構造１００及び第２接続構造２００が完成する。その後、第２接着層ＡＤ２を介して第４基板ＳＵＢ４を第３基板ＳＵＢ３に貼り付けることで、図９に示した表示装置ＤＳＰを得ることができる。

以上の製造方法によれば、レーザー光ＬＺ１，ＬＺ２によって第１接続用孔Ｖ１及び第２接続用孔Ｖ２を容易に形成することができる。したがって、図９に示す各貫通孔ＶＡ１，ＶＢ１，ＶＣ１，ＶＤ１，ＶＥ１，ＶＦ１，ＶＡ２，ＶＢ２，ＶＣ２，ＶＤ２，ＶＥ２，ＶＦ２及び凹部Ｒ１，Ｒ２を別々に形成する場合に比べ、プロセス数を大幅に低減できる。

第１実施形態にて開示した第１接続用孔Ｖ１及び第１接続部材Ｃ１についても、同様の方法で形成することができる。この場合においては、第３基板ＳＵＢ３を第２基板ＳＵＢ２に貼り付ける前に、第２ガラス基板２０の第２面２０Ｂからレーザー光を照射することで、第１接続用孔Ｖ１を形成すればよい。

なお、第１接続用孔Ｖ１及び第２接続用孔Ｖ２の形成方法は、レーザー光を用いる方法に限られず、エッチングなどの他種のプロセスを適宜に利用してもよい。

［第３実施形態］
第３実施形態について説明する。第１，第２実施形態と同一又は類似する要素には同一の符号を付し、説明を適宜省略する。
図１８は、第３実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す断面図である。この図に示す表示装置ＤＳＰは、図１の例と同じく、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、第３基板ＳＵＢ３と、絶縁層ＩＬと、第１接着層ＡＤ１と、フレキシブル回路基板ＦＰＣと、第１基板ＳＵＢ１に設けられた第１導電層Ｌ１と、第３基板ＳＵＢ３に設けられた第２導電層Ｌ２とを備えている。

第１接続構造１００は、第１接続用孔Ｖ１及び第１接続部材Ｃ１に加え、中継導電層ＲＬと、第３接続用孔Ｖ３と、第３接続部材Ｃ３とを備えている。図１８の例において、中継導電層ＲＬは、第２ガラス基板２０の第２面２０Ｂに形成され、第１接着層ＡＤ１で覆われている。但し、第２ガラス基板２０と中継導電層ＲＬとの間には、各種絶縁膜や各種導電膜が配置されてもよい。また、中継導電層ＲＬが第１接着層ＡＤ１とは別途の絶縁膜で覆われ、この絶縁膜の上に第１接着層ＡＤ１が形成されてもよい。

第１接続用孔Ｖ１は、図１の例と同じく、第２ガラス基板２０を貫通する貫通孔ＶＡ１と、絶縁層ＩＬを貫通する貫通孔ＶＢ１と、第１導電層Ｌ１を貫通する貫通孔ＶＣ１と、第１ガラス基板１０の第１面１０Ａに形成された凹部Ｒ１とを有する。さらに、第１接続用孔Ｖ１は、中継導電層ＲＬを貫通する貫通孔ＶＧ１を有する。貫通孔ＶＣ１の周囲においては、図１の例と同様の領域Ａ１１が形成されている。

第１接続部材Ｃ１は、第１接続用孔Ｖ１の内面を覆うとともに、中継導電層ＲＬの上面の一部を覆っている。第１接続部材Ｃ１が第１導電層Ｌ１及び中継導電層ＲＬに接触しているために、第１導電層Ｌ１と中継導電層ＲＬとが電気的に接続される。

第３接続用孔Ｖ３は、第３ガラス基板３０を貫通する貫通孔ＶＡ３と、第１接着層ＡＤ１を貫通する貫通孔ＶＢ３と、第２導電層Ｌ２を貫通する貫通孔ＶＣ３と、中継導電層ＲＬを貫通する貫通孔ＶＧ３と、第２ガラス基板２０の第２面２０Ｂに形成された凹部Ｒ３とを有する。各貫通孔ＶＡ３，ＶＢ３，ＶＣ３，ＶＧ３及び凹部Ｒ３は、第３方向Ｚに沿った同一直線状に位置し、互いに繋がっている。各貫通孔ＶＡ３，ＶＢ３，ＶＣ３，ＶＧ３及び凹部Ｒ３は、例えば平面視における形状が正円形であるが、楕円形などの他の形状であってもよい。

貫通孔ＶＢ３と貫通孔ＶＣ３の境界近傍においては、貫通孔ＶＣ３の幅よりも貫通孔ＶＢ３の幅の方が大きい。これにより、第２導電層Ｌ２は、貫通孔ＶＣ３の周囲において、第１接着層ＡＤ１から露出した領域Ａ３１を有している。また、貫通孔ＶＢ３と貫通孔ＶＧ３の境界近傍においては、貫通孔ＶＧ３の幅よりも貫通孔ＶＢ３の幅の方が大きい。これにより、中継導電層ＲＬは、貫通孔ＶＧ３の周囲において、第１接着層ＡＤ１から露出した領域Ａ３２を有している。例えば、領域Ａ３１，Ａ３２の平面視における形状は、それぞれ貫通孔ＶＣ３，ＶＧ３を全周に亘って囲う環状である。但し、領域Ａ３１，３２は、それぞれ貫通孔ＶＣ３，ＶＧ３の周囲の一部に設けられてもよいし、断続的に複数設けられてもよい。

第３接続部材Ｃ３は、各貫通孔ＶＡ３，ＶＢ３，ＶＣ３，ＶＧ３の内面、領域Ａ３１，３２、及び凹部Ｒ３の内部を覆っている。すなわち、第３接続部材Ｃ３は、第２導電層Ｌ２及び中継導電層ＲＬに接触し、これら導電層を電気的に接続している。第３接続部材Ｃ３が第２導電層Ｌ２の内面だけでなく領域Ａ３１を覆うとともに、中継導電層ＲＬの内面だけでなく領域Ａ３２を覆うので、第３接続部材Ｃ３とこれら導電層との接触面積を大きくでき、導通の信頼性が向上する。

第１接続構造１００は、第３接続部材Ｃ３の中空部分を満たす第３充填材ＦＩ３を備えている。図１８の例において、第３充填材ＦＩ３は、貫通孔ＶＡ３から突出していない。第３接続部材Ｃ３は、第１接続部材Ｃ１と同様の材料で形成することができる。第３充填材ＦＩ３は、例えば絶縁性の樹脂材料で形成することができる。

図１８の例において、貫通孔ＶＡ１，ＶＡ３，ＶＣ１，ＶＣ３，ＶＧ１，ＶＧ３は、下方に向かうに連れて幅（内径）が小さくなるテーパー状である。貫通孔ＶＢ１，ＶＢ３は、幅が一定（内面が第３方向Ｚと平行）である。なお、第１接続用孔Ｖ１及び第３接続用孔Ｖ３を構成する各貫通孔の形状は図１８の例に限られず、下方に向かうに連れて幅が小さくなるテーパー状、下方に向かうに連れて幅が大きくなるテーパー状、或いは幅が一定の形状のいずれであってもよい。また、これら貫通孔の内面は、断面視において直線状であってもよいし、曲線状であってもよい。

図１８の例においては、第３ガラス基板３０の第２面３０Ｂが表示装置ＤＳＰの最外面に相当する。なお、第３基板ＳＵＢ３に上述の第４基板ＳＵＢ４を貼り付けてもよい。

以上のような構成によれば、第１接続部材Ｃ１により中継導電層ＲＬと第１導電層Ｌ１とが電気的に接続され、第３接続部材Ｃ３により中継導電層ＲＬと第２導電層Ｌ２とが電気的に接続される。したがって、第２導電層Ｌ２とフレキシブル回路基板ＦＰＣとを電気的に接続することができる。

続いて、図１８に示す構造を液晶表示装置に適用した場合の具体例について説明する。
図１９は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す平面図である。表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２を含む表示パネルＰＮＬと、第３基板ＳＵＢ３と、フレキシブル回路基板ＦＰＣと、ＩＣチップＩ１とを備えている。ここでは、第３基板ＳＵＢ３を破線で示している。第１基板ＳＵＢ１はアレイ基板であり、第２基板ＳＵＢ２はアレイ基板に対向する対向基板である。第３基板ＳＵＢ３は、表示装置ＤＳＰの最外面を形成するカバー部材である。表示パネルＰＮＬの基本的な構成は、図２と同様である。

表示パネルＰＮＬは、図３のような断面構造を有する透過型であってもよいし、図１２のような断面構造を有する反射型であってもよい。図１９の例において、表示装置ＤＳＰは、図１１と同様に検出電極Ｒｘ及び駆動電極Ｔｘを含むセンサを備えている。検出電極Ｒｘは、第２ガラス基板２０の第２面２０Ｂに形成された検出部ＲＳ及び端子部ＲＴを有する。

第３基板ＳＵＢ３は、周辺領域ＳＡにおいて、センサ電極Ｓｘを有している。本適用例において、センサ電極Ｓｘは、第２導電層Ｌ２に相当する。図１９の例において、センサ電極Ｓｘは、表示領域ＤＡと非対向領域ＮＡとの間に配置されている。但し、センサ電極Ｓｘの配置位置はこの例に限定されず、周辺領域ＳＡの他の位置に配置されてもよい。

例えば、センサ電極Ｓｘは、ユーザの操作に従って特定の動作を実行するための静電容量方式のボタンを構成し、アイコンセンサ或いはアイコンボタンと呼ばれることもある。特定の動作としては、例えば、表示領域ＤＡにメニュー画面を表示させる動作、表示領域ＤＡにホーム画面（或いは待機画面）を表示させる動作、及び、表示領域ＤＡの画面をその前に表示されていた画面に戻す動作などが挙げられる。なお、表示装置ＤＳＰは、異なる動作が割り当てられた複数のセンサ電極Ｓｘを有してもよい。

第２基板ＳＵＢ２上の検出電極Ｒｘと同層に中継導電層ＲＬは設けられている。該中継導電層ＲＬは、センサ電極Ｓｘと同じく、表示領域ＤＡと非対向領域ＮＡとの間に配置されている。第１基板ＳＵＢ１は、表示領域ＤＡと非対向領域ＮＡとの間に配置されたパッドＰ４と、パッドＰ４とフレキシブル回路基板ＦＰＣとを接続する配線Ｗ４とを備えている。本適用例において、これらパッドＰ４及び配線Ｗ４は、第１導電層Ｌ１に相当する。平面視において、中継導電層ＲＬの一端はセンサ電極Ｓｘと重なり、他端はパッドＰ４と重なっている。

センサ電極Ｓｘと中継導電層ＲＬとが重なる領域に第１接続用孔Ｖ１が形成され、中継導電層ＲＬとパッドＰ４とが重なる領域に第３接続用孔Ｖ３が形成されている。第１接続用孔Ｖ１及び第３接続用孔Ｖ３の位置は、平面視において互いにずれている。第１接続用孔Ｖ１及び第３接続用孔Ｖ３は、平面視においてシールＳＥと重なっている。

検出電極Ｒｘの端子部ＲＴは、図１１の例と同じく、第２接続用孔Ｖ２を含む第２接続構造２００、パッドＰ１、配線Ｗ１を介してフレキシブル回路基板ＦＰＣに接続されている。

以上のような構成においては、センサ電極Ｓｘ及び検出電極Ｒｘが検出回路ＲＣと電気的に接続される。検出回路ＲＣは、検出電極Ｒｘ及び駆動電極Ｔｘを含むセンサにより、既述の通り表示領域ＤＡに接触或いは接近する物体の有無や当該物体の位置座標を検出する。

さらに、検出回路ＲＣは、センサ電極Ｓｘから得られるセンサ信号に基づいて、センサ電極Ｓｘに対するユーザの操作を検出する。例えば、この検出には、センサ電極Ｓｘに最も近い検出電極Ｒｘを利用することができる。すなわち、検出回路ＲＣが当該検出電極Ｒｘに駆動信号を供給すると、当該検出電極Ｒｘとセンサ電極Ｓｘとの間に電界が形成され、センサ電極Ｓｘからセンサ信号が出力される。上記電界は、センサ電極Ｓｘの近傍において第３基板ＳＵＢ３に接触或いは接近する物体の影響を受けるため、センサ信号も当該物体の有無に応じて変化する。検出回路ＲＣは、センサ電極Ｓｘからのセンサ信号を読み取り、このセンサ信号に基づいてセンサ電極Ｓｘの操作を検出する。

なお、センサ電極Ｓｘによる検出方式は、ここで述べたものに限られない。例えば、センサ電極Ｓｘに最も近い検出電極Ｒｘではなく、周辺領域ＳＡに設けられた別途の電極に駆動信号を供給し、この電極とセンサ電極Ｓｘとの間に電界を形成してもよい。また、センサ電極Ｓｘによる検出方式は、センサ電極Ｓｘに駆動信号を供給し、センサ電極Ｓｘからセンサ信号を読み出す方式であってもよい。

図２０は、図１９に示す第１接続構造１００の近傍における表示装置ＤＳＰの断面図である。この図に示す第１接続構造１００は、図１８に示したものと同様である。すなわち、第１接続構造１００は、第１接続用孔Ｖ１と、第１接続部材Ｃ１と、中継導電層ＲＬと、第３接続用孔Ｖ３と、第３接続部材Ｃ３と、第３充填材ＦＩ３とを含む。第１接続用孔Ｖ１は、貫通孔ＶＡ１，ＶＢ１，ＶＣ１，ＶＧ１及び凹部Ｒ１を有している。第１接続部材Ｃ１は、第１接続用孔Ｖ１を通じてパッドＰ４（第１導電層Ｌ１）及び中継導電層ＲＬに接触している。第３接続用孔Ｖ３は、貫通孔ＶＡ３，ＶＢ３，ＶＣ３，ＶＧ３及び凹部Ｒ３を有している。第３接続部材Ｃ３は、第３接続用孔Ｖ３を通じてセンサ電極Ｓｘ（第２導電層Ｌ２）及び中継導電層ＲＬに接触している。

なお、図２０には示していないが、上述の検出電極Ｒｘは中継導電層ＲＬと同層（例えば第２ガラス基板２０の第２面２０Ｂ）に形成されている。検出電極Ｒｘと同じく、中継導電層ＲＬは、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電材料によって形成されてもよいし、金属を含む導電層によって形成されてもよい。また、中継導電層ＲＬは、積層構造であってもよいし、単層構造であってもよい。

図２０の例において、絶縁層ＩＬは、上述の第２絶縁膜１２と、遮光層２１と、オーバーコート層２３と、シールＳＥとを含む。貫通孔ＶＢ１は、これら第２絶縁膜１２、遮光層２１、オーバーコート層２３、及びシールＳＥを貫通している。なお、絶縁層ＩＬは、図３或いは図１２に示す第１配向膜１４や第２配向膜２４などをさらに含んでもよい。また、絶縁層ＩＬは、第２絶縁膜１２、遮光層２１、オーバーコート層２３、及びシールＳＥの少なくとも１つを含まなくてもよい。

第３基板ＳＵＢ３は、図６の例と同じく、加飾層３１を備えている。この加飾層３１により、第１接続用孔Ｖ１が外部から視認できなくなっている。第３接続用孔Ｖ３は、加飾層３１を貫通している。第３充填材ＦＩ３を加飾層３１と同様の色に着色し、第３接続用孔Ｖ３が外部から視認できないようにしてもよい。

なお、図７の例と同じく、第１接続用孔Ｖ１及び第３接続用孔Ｖ３の近傍において、第２基板ＳＵＢ２と第３基板ＳＵＢ３との間に光学素子ＯＤ（第２光学素子ＯＤ２）が介在してもよい。この場合においては、第１接続用孔Ｖ１或いは第３接続用孔Ｖ３が光学素子ＯＤを貫通する貫通孔を有してもよい。

第１接続用孔Ｖ１及び第３接続用孔Ｖ３は、第２実施形態にて述べた製造方法と同様に、レーザー光を用いて形成することができる。すなわち、第１接続用孔Ｖ１は、第３基板ＳＵＢ３を第２基板ＳＵＢ２に貼り付ける前に、第２ガラス基板２０の第２面２０Ｂからレーザー光を照射することで形成できる。また、第３接続用孔Ｖ３は、第３基板ＳＵＢ３を第２基板ＳＵＢ２に貼り付けた後に、第３ガラス基板３０の第２面３０Ｂからレーザー光を照射することで形成できる。
なお、第１接続用孔Ｖ１及び第３接続用孔Ｖ３の形成方法は、レーザー光を用いる方法に限られず、エッチングなどの他種のプロセスを適宜に利用してもよい。

以上、図１９及び図２０を用いて説明した適用例においては、第３基板ＳＵＢ３のセンサ電極Ｓｘと第１基板ＳＵＢ１に実装されたフレキシブル回路基板ＦＰＣとを第１接続構造１００により電気的に接続できる。したがって、第３基板ＳＵＢ３のセンサ電極Ｓｘに対する操作を、第１基板ＳＵＢ１に実装されたフレキシブル回路基板ＦＰＣを介して検出することができる。その他、本適用例からは、既述の種々の好適な効果を得ることができる。
なお、第２導電層Ｌ２はセンサ電極Ｓｘに限定されるものではなく、上述した照明装置のアノードＡＮ或いはカソードＣＡなど、その他の機能を有する導電層であってもよい。

［第４実施形態］
第４実施形態について説明する。第１乃至第３実施形態と同一又は類似する要素には同一の符号を付し、説明を適宜省略する。
本実施形態では、第２実施形態のように２つのガラス基板を貫通する接続用孔により異なる基板の導電層を接続する接続構造と、第１，第３実施形態のように１つのガラス基板を貫通する接続用孔により異なる基板の導電層を接続する接続構造とを備えた表示装置ＤＳＰを開示する。

図２１は、第４実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す断面図である。この図に示す表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、第３基板ＳＵＢ３と、絶縁層ＩＬと、第１接着層ＡＤ１と、フレキシブル回路基板ＦＰＣとを備えている。さらに、表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１に設けられた第１導電層Ｌ１と、第３基板ＳＵＢ３に設けられた第２導電層Ｌ２と、第１基板ＳＵＢ１に設けられた第３導電層Ｌ３と、第２基板ＳＵＢ２に設けられた第４導電層Ｌ４とを備えている。

第１導電層Ｌ１及び第２導電層Ｌ２は、第１接続構造１００により電気的に接続されている。第３導電層Ｌ３及び第４導電層Ｌ４は、第２接続構造２００により電気的に接続されている。

第１接続構造１００は、図９の例と同じく、第１接続用孔Ｖ１と、第１接続部材Ｃ１と、第１充填材ＦＩ１とを備えている。第１接続用孔Ｖ１は、第２ガラス基板２０を貫通する貫通孔ＶＡ１と、絶縁層ＩＬを貫通する貫通孔ＶＢ１と、第１導電層Ｌ１を貫通する貫通孔ＶＣ１と、第３ガラス基板２０を貫通する貫通孔ＶＤ１と、第１接着層ＡＤ１を貫通する貫通孔ＶＥ１と、第２導電層Ｌ２を貫通する貫通孔ＶＦ１と、第１ガラス基板１０の第１面１０Ａに形成された凹部Ｒ１とを有する。また、第１導電層Ｌ１は貫通孔ＶＣ１の周囲において領域Ａ１１を有し、第２導電層Ｌ２は貫通孔ＶＦ１の周囲において領域Ａ１４を有する。

第２接続構造２００は、図９の例と同じく、第２接続用孔Ｖ２と、第２接続部材Ｃ２とを備えている。第２接続用孔Ｖ２は、第２ガラス基板２０を貫通する貫通孔ＶＡ２と、絶縁層ＩＬを貫通する貫通孔ＶＢ２と、第３導電層Ｌ３を貫通する貫通孔ＶＣ２と、第４導電層Ｌ４を貫通する貫通孔ＶＦ２と、第１ガラス基板１０の第１面１０Ａに形成された凹部Ｒ２とを有する。また、第３導電層Ｌ３は、貫通孔ＶＣ２の周囲において領域Ａ２１を有している。図２１の例において、第２接続用孔Ｖ２は、第３ガラス基板３０及び第１接着層ＡＤ１を貫通していない。

第２接続部材Ｃ２は、貫通孔ＶＡ２，ＶＢ２，ＶＣ２，ＶＦ２及び凹部Ｒ２の内面を覆っている。また、第２接続部材Ｃ２は、貫通孔ＶＦ２の周囲において、第４導電層Ｌ４の上面を覆っている。図２１の例においては、第２接続部材Ｃ２の中空部分が第１接着層ＡＤ１で満たされている。図９の例と同じく、この中空部分が第２充填材ＦＩ２で満たされてもよい。

第３導電層Ｌ３は、フレキシブル回路基板ＦＰＣに接続されている。図２１の断面においては第１導電層Ｌ１とフレキシブル回路基板ＦＰＣとが離間しているが、第１導電層Ｌ１は当該断面とは異なる位置を引き回されてフレキシブル回路基板ＦＰＣに接続されている。

以上の構成であっても、第３基板ＳＵＢ３の第２導電層Ｌ２及び第２基板ＳＵＢ２の第４導電層Ｌ４をフレキシブル回路基板ＦＰＣに接続できる。
一例として、第２導電層Ｌ２は、第１実施形態の適用例と同じく検出電極Ｒｘや駆動電極Ｔｘであってもよいし、第２実施形態の適用例と同じく照明装置のアノードＡＮやカソードＣＡであってもよいし、第３実施形態の適用例と同じくセンサ電極Ｓｘであってもよいし、他の機能を有する導電層であってもよい。また、第４導電層Ｌ４は、第２実施形態の適用例と同じく検出電極Ｒｘや駆動電極Ｔｘであってもよいし、他の機能を有する導電層であってもよい。

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

各実施形態では、第１接続部材Ｃ１の内側に中空部分が形成される例を示した。しかしながら、第１接続部材Ｃ１が中空部分を有さなくてもよい。同様に、第２接続部材Ｃ２が中空部分を有さなくてもよい。

各実施形態では、第１接続用孔Ｖ１が第１ガラス基板１０の凹部Ｒ１を有するとした。しかしながら、第１接続用孔Ｖ１は、この凹部Ｒ１を有さなくてもよい。また、第１接続用孔Ｖ１は、第１導電層Ｌ１を貫通する貫通孔ＶＣ１を有さなくてもよい。同様に、第２接続用孔Ｖ２は、第１ガラス基板１０の凹部Ｒ２を有さなくてもよいし、第３導電層Ｌ３を貫通する貫通孔ＶＣ２を有さなくてもよい。

各実施形態では、第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２、第３基板ＳＵＢ３、及び第４基板ＳＵＢ４の基材がガラス基板である例を示した。しかしながら、第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２、第３基板ＳＵＢ３、及び第４基板ＳＵＢ４の基材の少なくとも一部が、例えばポリイミドなどの樹脂基板のように他種の絶縁基板であってもよい。
また、各実施形態では、第１基板ＳＵＢ１にフレキシブル回路基板ＦＰＣが接続される例を示した。しかしながら、フレキシブル回路基板ＦＰＣなどの外部接続用の部材は、第１基板ＳＵＢ１ではなく第２基板ＳＵＢ２や第３基板ＳＵＢ３に接続されてもよい。

本明細書にて開示した構成から得られる表示装置の一例を以下に付記する。
（１）
第１基材と、第１導電層とを含む第１基板と、
前記第１基板と対向する第１面及びこの第１面の反対側の第２面を有する第２基材を含む第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置された表示機能層と、
前記第２基板の前記第２面に対向する第３基材と、第２導電層とを含む第３基板と、
前記第１導電層と前記第２導電層とを接続する第１接続構造と、
を備え、
前記第１接続構造は、
少なくとも前記第２基材を貫通する第１接続用孔と、
前記第１接続用孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する第１接続部材と、
を含む、表示装置。
（２）
前記第１基材と前記第２基材との間に配置された絶縁層をさらに備え、
前記第１接続用孔は、前記絶縁層をさらに貫通する、
上記（１）に記載の表示装置。
（３）
前記絶縁層は、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せるシールを含む、
上記（２）に記載の表示装置。
（４）
前記第２導電層は、前記第２基材と前記第３基材との間に形成されている、
上記（１）乃至（３）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（５）
前記第２基材と前記第３基材との間において、前記第１接続部材と前記第２導電層とが対向しており、
前記第１接続構造は、前記第１接続部材と前記第２導電層との間に配置された異方性導電層をさらに含み、
前記第１接続部材と前記第２導電層とが前記異方性導電層を介して電気的に接続されている、
上記（４）に記載の表示装置。
（６）
前記第２基板と前記第３基板とを貼り合せる接着層を備え、
前記異方性導電層は、前記接着層のうち、前記第１接続部材と前記第２導電層とが対向する領域に形成されている、
上記（５）に記載の表示装置。
（７）
前記第１接続用孔は、前記第３基材をさらに貫通する、
上記（１）乃至（４）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（８）
前記第１基板は、第３導電層をさらに含み、
前記第２基板は、第４導電層をさらに含み、
前記第３導電層と前記第４導電層とを接続する第２接続構造をさらに備え、
前記第２接続構造は、
少なくとも前記第２基材を貫通する第２接続用孔と、
前記第２接続用孔を通って前記第３導電層及び前記第４導電層を電気的に接続する第２接続部材と、
を含む、上記（１）乃至（７）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（９）
前記第２接続用孔は、前記第３基材をさらに貫通する、
上記（８）に記載の表示装置。
（１０）
前記第１接続構造は、
前記第２基板に設けられた中継導電層と、
少なくとも前記第３基材を貫通する第３接続用孔と、
前記第３接続用孔を通って前記第２導電層及び前記中継導電層を電気的に接続する第３接続部材と、
をさらに含み、
前記第１接続部材は、前記中継導電層及び前記第１導電層を電気的に接続する、
上記（１）乃至（４）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１１）
前記第２導電層は、画像の表示領域に設けられ、この表示領域に接触或いは接近する物体に応じた信号を出力する、
上記（１）乃至（１０）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１２）
前記第２導電層は、画像の表示領域の外の周辺領域に設けられ、この周辺領域に接触或いは接近する物体に応じた信号を出力する、
上記（１）乃至（１０）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１３）
前記第１導電層と電気的に接続され、前記第２導電層から出力される信号を前記第１接続部材及び前記第１導電層を介して読み取る検出回路をさらに備える、
上記（１１）又は（１２）に記載の表示装置。
（１４）
前記第３基板は、前記第２導電層を介して供給される電圧に基づき前記第１基板に向けて光を発する発光素子をさらに含み、
前記第１基板は、前記発光素子からの光を前記表示機能層に向けて反射する反射層をさらに含む、
上記（１）乃至（１０）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１５）
前記第１導電層と電気的に接続され、前記発光素子を発光させるための電圧を前記第１導電層及び前記第１接続部材を介して前記第２導電層に供給する駆動回路をさらに含む、
上記（１４）に記載の表示装置。

ＤＳＰ…表示装置、ＳＵＢ１…第１基板、ＳＵＢ２…第２基板、ＳＵＢ３…第３基板、ＳＵＢ４…第４基板、１０…第１ガラス基板（第１基材）、２０…第２ガラス基板（第２基材）、３０…第３ガラス基板（第３基材）、４０…第４ガラス基板（第４基材）、ＩＬ…絶縁層、ＦＰＣ…フレキシブル回路基板、Ｌ１…第１導電層、Ｌ２…第２導電層、Ｌ３…第３導電層、Ｌ４…第４導電層、ＲＬ…中継導電層、１００…第１接続構造、２００…第２接続構造、Ｖ１…第１接続用孔、Ｖ２…第２接続用孔、Ｖ３…第３接続用孔、Ｃ１…第１接続部材、Ｃ２…第２接続部材、Ｃ３…第３接続部材、ＦＩ１…第１充填材、ＦＩ２…第２充填材、ＦＩ３…第３充填材、ＡＣ…異方性導電層、ＣＭ…導電材、Ｒｘ…検出電極、Ｔｘ…駆動電極、ＬＳ…発光素子、ＡＮ…アノード、ＣＡ…カソード、Ｓｘ…センサ電極。

Claims (15)

1. 第１基材と、第１導電層とを含む第１基板と、
   前記第１基板と対向する第１面及びこの第１面の反対側の第２面を有する第２基材を含む第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に配置された表示機能層と、
   前記第２基板の前記第２面に対向する第３基材と、第２導電層とを含む第３基板と、
   前記第１導電層と前記第２導電層とを接続する第１接続構造と、
   を備え、
   前記第１接続構造は、
   少なくとも前記第２基材を貫通する第１接続用孔と、
   前記第１接続用孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する第１接続部材と、
   を含む、表示装置。
2. 前記第１基材と前記第２基材との間に配置された絶縁層をさらに備え、
   前記第１接続用孔は、前記絶縁層をさらに貫通する、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記絶縁層は、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せるシールを含む、
   請求項２に記載の表示装置。
4. 前記第２導電層は、前記第２基材と前記第３基材との間に形成されている、
   請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の表示装置。
5. 前記第２基材と前記第３基材との間において、前記第１接続部材と前記第２導電層とが対向しており、
   前記第１接続構造は、前記第１接続部材と前記第２導電層との間に配置された異方性導電層をさらに含み、
   前記第１接続部材と前記第２導電層とが前記異方性導電層を介して電気的に接続されている、
   請求項４に記載の表示装置。
6. 前記第２基板と前記第３基板とを貼り合せる接着層を備え、
   前記異方性導電層は、前記接着層のうち、前記第１接続部材と前記第２導電層とが対向する領域に形成されている、
   請求項５に記載の表示装置。
7. 前記第１接続用孔は、前記第３基材をさらに貫通する、
   請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の表示装置。
8. 前記第１基板は、第３導電層をさらに含み、
   前記第２基板は、第４導電層をさらに含み、
   前記第３導電層と前記第４導電層とを接続する第２接続構造をさらに備え、
   前記第２接続構造は、
   少なくとも前記第２基材を貫通する第２接続用孔と、
   前記第２接続用孔を通って前記第３導電層及び前記第４導電層を電気的に接続する第２接続部材と、
   を含む、請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の表示装置。
9. 前記第２接続用孔は、前記第３基材をさらに貫通する、
   請求項８に記載の表示装置。
10. 前記第１接続構造は、
    前記第２基板に設けられた中継導電層と、
    少なくとも前記第３基材を貫通する第３接続用孔と、
    前記第３接続用孔を通って前記第２導電層及び前記中継導電層を電気的に接続する第３接続部材と、
    をさらに含み、
    前記第１接続部材は、前記中継導電層及び前記第１導電層を電気的に接続する、
    請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の表示装置。
11. 前記第２導電層は、画像の表示領域に設けられ、この表示領域に接触或いは接近する物体に応じた信号を出力する、
    請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載の表示装置。
12. 前記第２導電層は、画像の表示領域の外の周辺領域に設けられ、この周辺領域に接触或いは接近する物体に応じた信号を出力する、
    請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載の表示装置。
13. 前記第１導電層と電気的に接続され、前記第２導電層から出力される信号を前記第１接続部材及び前記第１導電層を介して読み取る検出回路をさらに備える、
    請求項１１又は１２に記載の表示装置。
14. 前記第３基板は、前記第２導電層を介して供給される電圧に基づき前記第１基板に向けて光を発する発光素子をさらに含み、
    前記第１基板は、前記発光素子からの光を前記表示機能層に向けて反射する反射層をさらに含む、
    請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載の表示装置。
15. 前記第１導電層と電気的に接続され、前記発光素子を発光させるための電圧を前記第１導電層及び前記第１接続部材を介して前記第２導電層に供給する駆動回路をさらに含む、
    請求項１４に記載の表示装置。

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