CN107665636B - 电子设备的制造方法 - Google Patents

Abstract

本实施方式提供一种电子设备的制造方法，该电子设备的制造方法包括以下步骤：准备具有第一基体和第一导电层的第一基板和具有第二基体以及第二导电层并与上述第一导电层相对且从上述第一导电层分离的第二基板；在上述第二基板上设置保护层；在与上述保护层重叠的位置，向第二基板照射激光形成贯穿上述第二基体的第一孔；除去上述保护层；除去上述保护层之后，形成穿过上述第一孔将上述第一导电层和上述第二导电层电连接的连接材。

Description

电子设备的制造方法

相关申请的交叉参考

本申请基于并要求于2016年7月29日提交的日本专利申请第2016-149574号的优先权，其全部内容结合于此作为参照。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种电子设备的制造方法。

背景技术

近几年，技术人员对显示装置的窄边框化技术进行了各种研究。现有技术中公开的一个例子如下，将在贯穿树脂制的第一基板的内表面和外表面的孔的内部具有连接部的配线部和配置于树脂制的第二基板的内表面的配线部通过基板间的连接部电连接。

发明内容

本实施方式提供一种电子设备的制造方法，该电子设备的制造方法包括以下步骤：准备具有第一基体和第一导电层的第一基板和具有第二基体以及第二导电层并与所述第一导电层相对且从所述第一导电层分离的第二基板；在所述第二基板上设置保护层；在与所述保护层重叠的位置，向第二基板照射激光形成贯穿所述第二基体的第一孔；除去所述保护层；除去所述保护层之后，形成穿过所述第一孔将所述第一导电层和所述第二导电层电连接的连接材。

本实施方式可以提供可实现窄边框化以及低成本化的电子设备的制造方法。

附图说明

图1为示出本实施方式的显示装置的一个构成例的俯视图。

图2为示出图1所示的显示面板的基本构成以及等效电路的图。

图3为示出图1所示的显示面板PNL的一部分的构造的截面图。

图4为示出传感器的一个构成例的俯视图。

图5为示出图1所示的检测电极的检测部的构成例的图。

图6为沿图1所示的包括连接用孔的A-B线切断显示面板的截面图。

图7为用于说明准备显示面板的步骤的截面图。

图8为用于说明设置保护层、照射激光的步骤的截面图。

图9A为示出照射激光后的显示面板的截面图。

图9B为示出图9A所示的孔的位置关系的俯视图。

图10为用于说明除去保护层的步骤的截面图。

图11为用于说明向孔注入连接材的步骤的截面图。

图12为用于说明将连接材从孔向孔以及凹部填充的步骤的截面图。

图13为用于说明使连接材所含的溶剂气化的步骤的截面图。

图14为用于说明形成填充部件的步骤的截面图。

图15为用于说明粘贴第二光学元件的步骤的截面图。

图16为用于说明设置保护层、照射激光的步骤的截面图。

图17为示出照射激光后的显示面板的截面图。

图18为用于说明除去保护层的步骤的截面图。

图19为用于说明形成填充部件以及保护部件的步骤的截面图。

图20为用于说明粘贴第二光学元件的步骤的截面图。

具体实施方式

下面参照附图对本实施方式进行说明。以下内容终归只是一个例子，本领域技术人员在不脱离发明主旨的情况下容易想到的适当的变更当然属于本发明的范围所包括的内容。而且，附图有时为了对发明进行说明，与实物相比，示意性地示出将各部件的宽、厚、形状，终归只是一个例子，不是限制本发明的说明。而且，在本发明书和各附图中，有时给和前面附图中的前述构成要素相同的或者发挥同一种作用的构成要素标注相同的附图标记，适当省略重复的详细说明。

在本实施方式中，作为电子设备的一个例子公开了显示装置。该显示装置可应用于例如智能手机、平板电脑终端、手机终端、笔记本类的个人电脑、游戏设备等各种装置。本实施方式公开的主要构成可以应用于液晶显示装置、有机电致发光显示装置等自发光显示装置、具有电泳元件等的电子纸显示装置、应用了微机电***(Micro Electro MechanicalSystems)的显示装置或者是应用了电致变色的显示装置等。

图1为示出本实施方式的显示装置DSP的一个构成例的截面图。在此，作为显示装置DSP的一个例子，对搭载了传感器SS的液晶显示装置进行说明。

而且，第一方向X、第二方向Y以及第三方向Z相互垂直，但是也可以以90度以外的角度交叉。第一方向X以及第二方向Y相当于与构成显示装置DSP的基板的主表面平行的方向，第三方向Z相当于显示装置DSP的厚度方向。在此，示出由第一方向X以及第二方向Y限定的X-Y平面内的显示装置DSP的平面。

显示装置DSP包括：显示面板PNL、IC芯片I1、配线基板SUB3等。显示面板PNL为液晶显示面板，包括：第一基板SUB1、第二基板SUB2、密封材SE、显示功能层(将在后文中提到的的液晶层LC)。第二基板SUB2与第一基板SUB1相对配置。密封材SE相当于图1中右上方向的斜线所表示的部分，粘贴第一基板SUB1与第二基板SUB2。

显示面板PNL包括：显示图像的显示区域DA以及包围显示区域DA的边框状的非显示区域NDA。密封材SE位于非显示区域NDA，显示区域DA位于被密封材SE包围的部分的内侧。

配线基板SUB3安装于第一基板SUB1上。这样的配线基板SUB3例如为有可挠性的柔性基板。本实施方式中可使用的柔性基板只要是其至少一部分具有由可弯曲材料形成的柔性部就可以了。例如，本实施方式的配线基板SUB3可以为整个由柔性部构成的柔性基板，还可以为具有由环氧玻璃等硬质材料形成的刚性部以及由聚酰亚胺等可弯曲材料形成柔性部的硬质柔性基板。

IC芯片I1安装于配线基板SUB3。不仅仅局限于图示的例子，IC芯片I1还可以安装于比第二基板SUB2向外延伸的第一基板SUB1，还可以安装于与配线基板SUB3相连的外部电路基板。IC芯片I1内置例如输出图像显示所需的信号的显示驱动器DD。这里的显示驱动器DD包括将在后文中提到的信号线驱动电路SD、扫描线驱动电路GD以及公共电极驱动电路CD的至少一部分。而且，在附图所示的例子中，IC芯片I1内置作为触摸屏控制器等发挥作用的检测电路RC。检测电路RC还可以内置于与IC芯片I1不同的其他IC芯片内。

显示面板PNL可以为例如，具有通过从第一基板SUB1的下方选择性地使光透过从而显示图像的透射显示功能的透射型、具有通过从第二基板SUB2的上方选择性地使光反射从而显示图像的反射显示功能的反射型或者是兼具透射显示功能和反射显示功能的半透射型中任意一种。

传感器SS对被检测物接触显示装置DSP或者接近显示装置DSP进行传感。传感器SS具有多个检测电极Rx(Rx1、Rx2……)。检测电极Rx设置于第二基板SUB2上。在此，在本实施方式中，将检测电极Rx作为配置于第二基板SUB2的第二导电层L2。这些检测电极Rx分别在第一方向X延伸，在第二方向Y隔开间隔排列。

在图1中，作为检测电极Rx示出了检测电极Rx1至Rx4，在此着眼于检测电极Rx1对其构造例进行说明。即，检测电极Rx1包括：检测部RS、终端部RT1、连接部CN。

检测部RS位于显示区域DA，在第一方向X延伸。在检测电极Rx1主要是检测部RS被用于传感。在附图所示的例子中，检测部RS形成为带状，具体而言，如图5所示，由极微细的金属细线的集合体形成。而且，一个检测电极Rx1具有两个检测部RS，也可以具有三个或三个以上检测部RS，也可以具有有一个检测部RS。

终端部RT1位于非显示领域NDA的沿第一方向X的一端一侧，与检测部RS相连。连接部CN位于非显示领域NDA的沿第一方向X的另一端一侧，将多个检测部RS相互连接。在图1中，一端一侧相当于显示区域DA的左侧，另一端一侧相当于显示区域DA的右侧。在俯视图中，终端部RT1的一部分形成于与密封材SE重叠的位置。

另一方面，第一基板SUB1具有与配线基板SUB3电连接的焊盘P1以及配线W1。在此，在本实施方式中，将焊盘P1以及配线W1作为配置于第一基板SUB1的第一导电层L1。焊盘P1以及配线W1位于非显示领域NDA的一端一侧，在俯视图中与密封材SE重叠。在俯视图中，焊盘P1形成于与终端部RT1重叠的位置。配线W1连接于焊盘P1，沿第二方向Y延伸，通过配线基板SUB3与IC芯片I1的检测电路RC电连接。

连接用孔V1形成于终端部RT1和垫P相对的位置。连接用孔V1贯穿包括终端部RT1的第二基板SUB2和密封材SE。而且，连接用孔V1也可以不贯穿焊盘P1。在后文中将会提到，在连接用孔V1设置具有导电性的连接材C。这样终端部RT1和焊盘P1被电连接。即，设置于第二基板SUB2上的检测电极Rx1通过连接于第一基板SUB1的配线基板SUB3与检测电路RC电连接。检测电路RC读取从检测电极Rx输出的传感器信号，检测有无被检测物的接触或接近和被检测物的位置坐标等。

在附图所示的例子中，在俯视图中，连接用孔V1为圆形，但是其形状不仅仅局限于附图所示的例子，也可是椭圆形等其他形状。

在附图所示的例子中，奇数编号的检测电极RX1、Rx3……的各个终端部RT1、RT3……、焊盘P1、P3……、配线W1、W3……、连接用孔V1、V3……均位于非显示区域NDA的一端一侧。而且，偶数编号的检测电极RX2、Rx4……的各个终端部RT2、RT4……、垫P2、P4……、配线W2、W4……、连接用孔V2、V4……均位于非显示区域NDA的另一端一侧。通过这样的排列可以使非显示区域NDA的一端一侧的宽度和另一端一侧的宽度相同，有利于窄边框化。

如图所示，在焊盘P3比焊盘P1离配线基板SUB3近这样的排列中，配线W1在焊盘P3的内侧(即，离显示区域DA近的一侧)迂回，在焊盘P3和配线基板SUB3之间，在配线W3的内侧并列地设置。同样，配线W2在焊盘P4的内侧迂回，在焊盘P4和配线基板SUB3之间，在配线W4的内侧并列地设置。

图2为示出图1所示的显示面板PNL的基本构成和等效电路的图。

显示面板PNL在显示区域DA具有多个像素PX。在此，像素指的是根据像素信号可进行单独控制的最小单位，例如存在于包括配置于将在后文中提到的扫描线和信号线交叉的位置的开关原件的区域。多个像素PX在第一方向X以及第二方向Y配置为阵矩状。而且，显示面板PNL在显示区域DA具有多根扫描线G(G1～Gn)、多根信号线S(S1～Sm)、公共电极CE等。扫描线G各自在第一方向X延伸，在第二方向Y排列。信号线S各自在第二方向Y延伸，在第一方向X排列。另外，扫描线G以及信号线S不一定是直线延伸，部分弯曲也可以。公共电极CE配置为横跨多个像素PX。扫描线G、信号线S以及公共电极CE分别被引出至非显示区域NDA。在非显示区域NDA，扫描线G连接于扫描线驱动电路GD，信号线S连接于信号线驱动电路SD，公共电极CE连接于公共电极驱动电路CD。信号线驱动电路SD、扫描线驱动电路GD以及公共电极驱动电路CD可以形成于第一基板SUB1上，也可以部分或全部内置于图1所示的IC芯片I1内。

各个像素PX包括：开关元件SW、像素电极PE、公共电极CE、液晶层LC等。开关元件SW例如由膜晶体管(TFT)构成，与扫描线G以及信号线S电连接。具体而言，开关元件SW包括：栅电极WG、源电极WS、漏极电极WD。栅电极WG与扫描线G电连接。在附图所示的例子中，将与信号线S电连接的电极称为源电极WS，将与像素电极PE电连接的电极称为漏极电极WD。

扫描线G连接于在第一方向X排列的各个像素PX上的开关元件SW。信号线S连接于在第二方向Y排列的各个像素PX上的开关元件SW。各个像素电极PE与公共电极CE相对设置，通过像素电极PE和公共电极CE之间产生的电场驱动液晶层LC。恒定容量CS例如形成于公共电极CE和像素电极PE之间。

图3为示出图1所示的显示面板PNL的一部分的构造的截面图。在此，示出将显示装置DSP沿第一方向X切断的截面图。第一基板SUB1以及第二基板SUB2在第三方向Z相对设置。

在下面的说明中，将从第一基板SUB1向第二基板SUB2的方向称为上方(或者简称上)，将从第二基板SUB2向第一基板SUB1的方向称为下方(或者简称下)。而且，将从第二基板SUB2向第一基板SUB1的方向观察的图称为俯视图。

附图所示的显示面板PNL构成为：主要应对利用与基板主表面大致平行的横向电场的显示模式。另外，显示面板PNL还可以构成为：应对利用垂直于基板主表面的垂直电场或相对于基板主表面倾斜的电场或这些电场的组合的显示模式。在利用横向电场的显示模式中，例如可以适用在第一基板SUB1以及第二基板SUB2的任意一方设置像素电极PE与公共电极CE两者的构成。在利用垂直电场和倾斜电场的显示模式中，例如可以适用在第一基板SUB1设置像素电极PE与公共电极CE的任意一方，在第二基板SUB2设置像素电极PE与公共电极CE的任意另一方的构成。另外，此处的基板主表面为与X-Y平面平行的面。

第一基板SUB1包括：第一基体10、信号线S、公共电极CE、金属层M、像素电极PE、第一绝缘层11、第二绝缘层12、第三绝缘层13、第一取向膜AL1等。另外，在此在附图中省略了开关元件和扫描线和介于它们之间的各种绝缘层等。

第一基体10包括：与第二基板SUB2相对的主面10A和与主面10A相反的一侧的主面10B。第一绝缘层11位于第一基体10主面10A。在附图中没有示出的扫描线和开关元件的半导体层位于第一基体10和第一绝缘层11之间。信号线S位于第一绝缘层11上。第二绝缘层12位于信号线S以及第一绝缘层11上。公共电极CE位于第二绝缘层12上。金属层M在信号线S的正上方与公共电极CE接触。在附图所示的例子中，金属层M位于公共电极CE上，也可以位于公共电极CE与第二绝缘层12之间。第三绝缘层13位于公共电极CE以及金属层M上。像素电极PE位于第三绝缘层13上。像素电极PE隔着第三绝缘层13与公共电极CE相对配置。而且，像素电极PE在与公共电极CE相对的位置具有缝隙SL。第一取向膜AL1覆盖像素电极PE以及第三绝缘层13。

另外，第一基板SUB1的构成不仅仅局限于附图所示的例子，还可以是像素电极PE位于第二绝缘层12和第三绝缘层13之间，公共电极CE位于第三绝缘层13和第一取向膜AL1之间的构成。在这种情况下，像素电极PE形成为没有缝隙的平板状，公共电极CE具有与像素电极PE相对的缝隙。而且，像素电极PE和公共电极CE还可以都形成为梳状，相互啮合地配置。

第二基板SUB2包括：第二基体20、遮光层BM、彩色滤光片CF、外涂层OC、第二取向膜AL2等。

第二基体20包括：与第一基板SUB1相对的主面20A和与主面20A相反的一侧的主面20B。遮光层BM以及彩色滤光片CF位于第二基体20的主面20A。遮光层BM分割各个像素，位于信号线S的正上方。彩色滤光片CF与像素电极PE相对，其一部分与遮光层BM重叠。彩色滤光片CF包括红色的彩色滤光片、绿色的彩色滤光片、蓝色的彩色滤光片等。外涂层OC覆盖彩色滤光片CF。第二取向膜AL2覆盖外涂层OC。

另外，彩色滤光片CF还可以配置于第一基板SUB1。彩色滤光片CF还可以包括4种颜色以上的滤光片。可以在显示白色的像素配置白色的彩色滤光片，还可以配置无着色的树脂材料，还可以不配置彩色滤光片直接配置外涂层OC。

检测电极Rx位于第二基体20的主面20B。检测电极Rx如上所述相当于第二导电层L2，可以由包含金属的导电层、ITO和IZO等透明的导电材料形成，还可以在包含金属的导电层上层积透明导电层，还可以由具有导电性的有机材料、微细的导电性物质的分散体等形成。

包括第一偏光板PL1的第一光学元件OD1位于第一基体10和照明装置BL之间。包括第二偏光板PL2的第二光学元件OD2位于检测电极Rx上面。第一光学元件OD1以及第二光学元件OD2可以根据需要包含相位差板。

第一基体10以及第二基体20例如可以有由玻璃，具体而言，由无碱玻璃形成，还可以由树脂材料形成。扫描线G、信号线S以及金属层M由钼、钨、钛、铝等金属材料形成，可以为单层构造也可以为多层构造。公共电极CE以及像素电极PE由ITO或IZO等透明的导电材料形成。第一绝缘层11以及第三绝缘层13为无机绝缘层，第二绝缘层12为有机绝缘层。

下面对搭载于本实施方式的显示装置DSP的传感器SS的一个构成例进行说明。下面将进行说明的传感器SS例如为互容量式的静电容量型，基于隔着电介质相对配置的一对电极间的静电容量的变化，检测被检测物的接触或接近。

图4为示出传感器SS的一个构成例的俯视图。

在附图所示的构成例中，传感器SS具有传感器驱动电极Tx以及检测电极Rx。在附图所示的例子中，传感器驱动电极Tx相当于右下方向的斜线所表示的部分，设置于第一基板SUB1上。而且，检测电极Rx相当于右上方向的斜线所表示的部分，设置于第二基板SUB2上。传感器驱动电极Tx以及检测电极Rx在X-Y平面内相互交叉。检测电极Rx在第三方向Z与传感器驱动电极Tx相对配置。

传感器驱动电极Tx以及检测电极Rx位于显示区域DA，它们的一部分延伸至非显示区域NDA。在附图所示的例子中，各个传感器驱动电极Tx具有在第二方向Y延伸的带状的形状，在第一方向X隔开间隔配置。各个检测电极Rx在第一方向X延伸，在第二方向Y隔开间隔配置。如图1所示，检测电极Rx连接于设置于第一基板SUB1上的焊盘，通过配线与检测电路RC电连接。各个传感器驱动电极Tx通过配线WR与公共电极驱动电路CD电连接。另外，传感器驱动电极Tx以及检测电极Rx的个数和尺寸、形状没有特别的限定，可以进行各种变更。

传感器驱动电极Tx包括所述公共电极CE，不仅具有在其与像素电极PE之间产生电场的功能，还具有通过在其与检测电极Rx之间产生容量检测被检测物的位置的功能。

公共电极驱动电路CD在显示领域DA显示图像的显示驱动时间内，向包括公共电极CE的传感器驱动电极Tx供给公共驱动信号。而且，公共电极驱动电路CD在实施传感的传感器驱动时间内，向传感器驱动电极Tx供给传感器驱动信号。伴随着朝向传感器驱动电极Tx的传感器驱动信号的供给，检测电极Rx输出传感所必须的传感器信号(即，基于传感器驱动电极Tx和检测电极Rx之间的电极间容量的变化的信号)。从检测电极Rx输出的检测信号被输入图1所示的检测电路RC。

另外，上述各个构成例中的传感器SS不仅仅局限于基于一对电极之间的静电容量(上述例子中的传感器驱动电极Tx和检测电极Rx之间的静容量量)的变化检测被检测物的互容量式，还可以为基于检测电极Rx的静电容量的变化检测被检测物的自容量式。

而且，在附图所示的例子中，传感器驱动电极Tx分别在第二方向Y延伸，在第一方向X隔开间隔配置，传感器驱动电极Tx也可以分别在第一方向X延伸，在第二方向Y隔开间隔配置。而且，此时，检测电极Rx分别在第二方向Y延伸，在第一方向X隔开间隔配置。

图5为示出图1所示的检测电极Rx1的检测部RS的构成例的图。

在图5(A)所示的例子中，检测部RS由网状的金属细线MS形成。金属细线MS连接于终端部RT1。在图5(B)所示的例子中，检测部RS由波状的金属细线MW形成。在附图所示的例子中，金属细线MW为锯齿状，也可以为正弦波状等其他形状。金属细线MW连接于终端部RT1。

终端部RT1例如和检测部RS由同一材料形成。在终端部RT1形成圆形的连接用孔V1。

图6为示出包括图1所示的连接用孔V1的沿A-B线切断的显示装置DSP的截面图。在此，只示出说明所必须的主要部件。

在附图所示的例子中，显示装置DSP包括：第一基板SUB1、第二基板SUB2、密封材SE、液晶层LC、连接材C、填充部件FI、第二光学元件OD2。

第一基板SUB1包括：第一基体10、相当于第一导电层L1的焊盘P1和第二绝缘层12等。下面将焊盘P1作为第一导电层L1进行说明。在附图所示的例子中，第一导电层L1位于主面10A。第一导电层例如和图3所示的信号线S由同一材料形成。而且，在附图所示的例子中，第二绝缘层12配置于第一基体10以及第一导电层L1上。

另外，也可以在第一基体10和焊盘P1之间以及第一基体10和第二绝缘层12之间配置图3所示的第一绝缘层11、或其他绝缘层或其他导电层。

第二基板SUB2包括：第二基板20、相当于第二导电层L2的检测电极Rx1、保护部件PT、遮光层BM、外涂层OC等。下面将检测电极Rx1作为第二导电层L2进行说明。第二导电层L2位于第二基体20的主面20B。保护部件PT覆盖检测电极Rx1。而且，保护部件PT与第二基体20的主面20B接触。保护部件PT例如为丙烯酸系树脂等有机绝缘材料。另外，虽然在图中没有示出，但是也可以在第二基体20和第二导电层L2之间配置各种绝缘层和各种导电层。

密封材SE位于第二绝缘层12和外涂层OC之间。液晶层LC位于第一基板SUB1和第二基板SUB2之间的缝隙。

另外，虽然在图中没有示出，但是可以在第二绝缘层12和密封材SE之间设置图3所示的金属层M、第三绝缘层13、第一取向膜AL1。而且可以在外涂层OC和密封材SE之间设置图3所示的第二取向膜AL2。

在此，对本实施方式的第一导电层L1和第二导电层L2的连接构造进行详细的说明。在第二基板SUB2，第二基体20具有贯穿主面20A和主面20B之间的孔(第一孔)VA。在附图所示的例子中，孔VA还贯穿了第二导电层L2。

另一方面，在第一基板SUB1，第一导电层L1具有与孔VA在第三方向Z相对设置的孔(第二孔)VB。而且，第二绝缘层12、密封材SE、遮光层BM以及外涂层OC即各种有机绝缘层具有孔VC。具体而言，孔VC包括：贯穿第二绝缘层12的第一部分VC1、贯穿密封材SE的第二部分VC2和贯穿遮光层BM以及外涂层OC的第三部分VC3。

而且，第一基体10具有与孔VB在第三方向Z相对设置的凹部CC。凹部CC、孔VB、孔VC以及孔VA按照该顺序在第三方向Z排列。凹部CC从主面10A朝向主面10B形成，但是在附图所示的例子中，没有贯穿主面10B。在一个例子中，凹部CC的沿第三方向Z的深度为第一基体10的沿第三方向Z的厚度的约1/5至约1/2的范围。另外，第一基体10还可以具有贯穿主面10A和主面10B的之间的孔来代替凹部CC。孔VB以及凹部CC均位于孔VA的正下方。孔VA、孔VB、孔VC以及凹部CC位于沿第三方向Z的同一直线上，形成连接用孔V1。

连接材C设置于连接用孔V1，将第一导电层L1以及第二导电层L2电连接。即，连接材C设置于孔VA、孔VB、孔VC以及凹部CC的各自的内表面。在附图所示的例子中，连接材C在第二基板SUB2与第二导电层L2的上表面LT2、位于孔VA的第二导电层L2的内表面LS2以及位于孔VA的第二基体20的内表面20S分别接触。这些内表面LS2以及20S形成孔VA的内表面。而且，连接材C在第一基板SUB1与第一导电层L1的上表面LT1、位于孔VB的第一导电层L1的内表面LS1、位于孔VC的各种有机绝缘层的内表面LS3以及凹部CC分别接触。内表面LS1形成孔VB的内表面，内表面LS3形成孔VC的内表面。

另外，在附图所示的例子中，连接材C设置于孔VA、孔VB、孔VC以及凹部CC各自的内表面，填充时也可以使其填满孔VA、孔VB、孔VC以及凹部CC的内部。这样的连接材C在第一导电层L1以及第二导电层L2之间不间断地连续地形成。

第一导电层L1以及第二导电层L2例如可以由钼、钨、钛、铝、银、铜、铬等金属材料或将这些金属材料组合的合金，或者是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等透明导电材料等形成，可以为单层构造也可以为多层构造。连接材C最好包括银等金属材料，包含粒径从几纳米到几十纳米大小的金属微粒子。

填充部件FI填充连接材C的中空部分。填充部件FI例如为具有导电性的，将含有银等导电粒子的糊状物固化后的物体。当填充材料FI具有导电性时，即使连接材C间断，填充部件FI也可以将第一导电层L1和第二导电层L2电连接，可以提高可靠性。而且填充部件FI例如也可以具有绝缘性，可以由有机绝缘材料形成。这样，通过配置填充部件FI可以缓和由在连接材C形成中空部分而引起的第三方向Z的高低平面的差异。而且可以保护连接材C。

在上面这样的具有传感器SS的显示装置DSP中，设置于第二基板SUB2上的第一导电层L1(检测电极Rx)通过设置于连接用孔V的连接材C连接于设置于第一基板SUB1上的第二导电层L2(焊盘P)。因此，不需要在第二基板SUB2安装用于连接第一导电层L1和检测电路RC的配线基板。即，安装于第一基板SUB1的配线基板SUB3既形成了传输在显示面板PNL显示图像所必须的信号的传输路径，又形成了在检测电极Rx和检测电路RC之间传输信号的传输路径。因此，与除了配线基板SUB3之外还另外需要其他配线基板的构成例相比，可以削减配线基板的个数，降低成本。而且，由于不需要在第二基板SUB2设置连接配线基板的空间，所以可以缩小显示面板PNL的非显示区域NDA，特别是安装配线基板SUB3的端侧的宽度。由此可以实现窄边框化和低成本化。

下面参照图7至图15对上述显示装置DSP的制造方法的一个例子进行说明。

图7为用于说明准备显示面板PNL的步骤的截面图。

如图7所示，首先准备显示面板PNL。附图所示的显示面板PNL包括：至少包括第一基体10以及第一导电层L1的第一基板SUB1；至少包括第二基体20以及第二导电层L2的第二基板SUB2。在该显示面板PNL，在第二基板SUB2与第一导电层L1相对且第二基板SUB2与第一导电层L1隔开的状态下，用密封材SE粘贴第一基板SUB1和第二基板SUB2。另外，如上所述，这里的第一导电层L1相当于例如图6所示的焊盘P1等，第二导电层L2相当于例如图6所示的检测电极Rx1等。

下面对这样的显示面板PNL的制造方法的一个例子进行说明。即，准备在第一基体10的主面10A上形成了第一导电层L1和第二绝缘层12等的第一基板SUB1。另一方面，准备在第二基体20的主面20A上形成了遮光层BM、外涂层OC等的第二基板SUB2。此时，在第二基板SUB2的主面20B没有形成第二导电层L2。沿这些第一基板SUB1以及第二基板的任意一方的基板的端侧形成密封材SE，在密封材SE的内侧滴下液晶材料。之后，贴合第一基板SUB1以及第二基板SUB2，使密封材SE固化，粘贴第一基板SUB1以及第二基板SUB2。之后用氢氟酸(HF)等蚀刻液分别蚀刻第一基板SUB1以及第二基板SUB2，将第一基体10和第二基体20薄板化。之后在第二基体20的主面20B形成第二导电层L2，在第二基板SUB2上形成覆盖第二导电层L2的保护部件PT。这样制造图7所示的显示面板PNL。

下面，对显示面板PNL的制造方法的其他例子进行说明。即，准备和上述例子相同的第一基板SUB1，另一方面准备在第二基体20的主面20A上形成了遮光层BM、外涂层OC等，且在第二基体20的主面20B上形成了第二导电层L2，并进一步在第二基板SUB2上覆盖第二导电层L2的保护部件PT的第二基板SUB2。之后，形成密封材SE，滴下液晶材料之后，粘贴第一基板SUB1以及第二基板SUB2。这样制造图7所示的显示面板PNL。

图8为用于说明设置保护层PF、照射激光L的步骤的截面图。

如图8所示，然后在第二基板SUB2上设置保护层PF。

在此，保护层PF例如为膜。此时，在第二基板SUB2上设置保护层PF的步骤相当于在第二基板SUB2上贴合膜的步骤。这样的保护层PF例如包含聚对苯二甲酸乙二醇酯。

而且，保护层PF也可以由有机绝缘材料形成。此时，在第二基板SUB2上设置保护层PF的步骤相当于在第二基板SUB2上涂上有机绝缘材料的步骤。这样的保护层PF例如包含丙烯酸系树脂。

然后在与保护层PF重叠的位置，向第二基板SUB2照射激光L。在附图所示的例子中，从第二导电层L2的上方照射激光L。作为激光光源，例如可以使用二氧化碳激光装置等，只要是能在玻璃材料以及有机材料上进行开孔加工的都可以，还可以使用准分子激光装置等。

另外，在图7以及图8所示的例子中，设置保护层PF之前形成保护部件PT，还可以和该例子不同，在图7以及图8所示的步骤中不形成保护部件PT，将保护层PF设置于第二导电层L2上。详细的步骤会在后文中进行详细的说明。

图9A为示出照射激光L之后的显示面板PNL的截面图。

如图9A所示，通过照射激光L形成贯穿第二基体20以及第二导电层L2的孔VA。而且，在附图所示的例子中，照射激光L时，同时形成位于孔VA的正下方的贯穿遮光层BM以及外涂层OC的孔的第三部分VC3、位于第三部分VC3的正下方的贯穿密封材SE的孔的第二部分VC2、位于第二部分VC2的正下方的贯穿第二绝缘层12的第一部分VC1、位于第一部分VC1的正下方的贯穿第一导电层L1的孔VB，位于孔VB的正下方的第一基体10的凹部CC。这样形成连接第一导电层L1和第二导电层L2的连接用孔V1。

而且，通过照射激光L，保护部件PT的内表面PFS1以及保护层PF的内表面PFS2相对于第二导电层L2的内表面LS2以及第二基体20的内表面20S向后退了。

照射激光L后，包含玻璃片和导电材料等的残渣RE附着于保护层PF上。残渣RE附着于贯穿保护层PF的孔的周边，几乎不附着于第二导电层L2的上表面LT2和第二基体20的主面20B。

图9B为示出图9A所示的孔VA以及VD的位置关系的俯视图。

形成孔VA时，通过向第二基板照射所述激光，形成贯穿保护层PF的孔VD(第三孔)。孔VA以及孔VD在俯视图中为圆形。孔VA的中心以及孔VB的中心位于点O。即，孔VA为孔VD的同心圆。而且，孔VA具有直径W21，孔VD具有直径W22。直径W22比直径W21大。因此，第二导电层L2的上表面LT2从孔VD露出。图10为用于说明除去保护层PF的步骤的截面图。

然后将附着了残渣RE的保护层PF从第二基板SUB2除去。此时，保护部件PT和保护层PF之间的粘着力最好小于保护部件PT和第二导电层L2之间的粘着力。这样在除去保护层PF时，可以防止保护部件PT被一并剥离。

图11为用于说明将连接材C注入孔VA的步骤的截面图。

如图11所示，除去保护层PF后，形成通过孔VA将第一导电层L1和第二导电层L2电连接的连接材C。具体而言，如图11所示，首先在腔体CB内设置显示面板PNL，之后，排出腔体CB内的空气，在真空状态(比大气压低的气压的环境下)将连接材C注入孔VA。此时，会有连接材C不流入第一导电层L1，在连接材C和第一导电层L1之间形成空间SP的情况发生。但是，空间SP为真空。

图12为用于说明将连接材C从孔VA填充至孔VC、VB以及凹部CC的步骤的截面图。

如图12所示，通过向腔体CB内导入空气、惰性气体等气体降低真空度，通过空间SP和显示面板PNL周围的气压差，连接材C从孔VA流入孔VC、VB以及凹部CC，连接材C与第一导电层L1接触。

图13为用于说明使包含于连接材C的溶剂气化的步骤的截面图。

如图13所示，通过除去连接材C所包含的溶剂，连接材C的体积减小，形成中空部分HL。这样形成的连接材C在孔VA分别与第二导电层L2以及第二基体20接触，在孔VC分别与遮光层BM、外涂层OC、密封材SE以及第二绝缘层12接触，在孔VB与第一导电层L1接触，在凹部CC与第一基体10接触。

另外，参照图13进行说明连接材C的形成方法只是一个例子，不是仅仅局限于此。例如，通过在大气压环境下将连接材C注入孔VA之后，将连接材C所包含的溶剂除去的方法也可以形成和上述连接材C相同的连接材C。

图14为用于说明形成填充部件FI的步骤的截面图。

如图14所示，然后形成填充部件FI。在附图所示的例子中，填充部件FI填充连接材C的中空部分HL。而且，填充部件FI覆盖连接材C，还和第二导电层L2相接。这样，第二基板SUB2的表面SUB2A几乎被平坦化，可以缓和与连接用孔V1重叠的部分的高低平面的差异。

图15为用于说明粘贴第二光学元件OD2的步骤的截面图。

如图15所示，然后在保护部件PT粘贴第二光学元件OD2。在附图所示的例子中，第二光学元件OD2延伸至与连接用孔V1重叠的部分，还和填充部件FI相接。由于连接用孔V1引起的高低平面的差异被填充部件FI缓和，所以在粘贴第二光学元件OD2时可以防止第二光学元件OD2的底子的高低的差异引起的第二光学元件OD2的剥离。

在本实施方式中，在照射激光L形成孔VA的步骤之前，在第二基板SUB2上设置保护层PF。因此，在照射激光L之后，即使包含玻璃片等的残渣RE附着于保护层PE上，也可以通过除去保护层PE，不使残渣RE残留在显示面板PNL上。因此，可以防止由残渣RE残存引起的问题，例如由孔VA周边的高低的差异引起的第二导电层L2和连接材C的接触不良。

而且，本实施方式中，第一导电层L1和第二导电层L2通过连接材C电连接。因此，向第二导电层L2写入信号、读取从第二导电层L2输出的信号的控制电路可以通过配线基板SUB3与第二导电层L2连接。也就是说，没有必要为了连接第二导电层L2和控制电路，在第二基板SUB2上多安装一个配线基板。因此，在本实施方式中，不需要用于安装另一个配线基板的终端部以及用于连接第二导电层L2和另一个配线基板迂回配线。因此，不仅可以缩小第二基板SUB2的基板尺寸，还可以减小显示装置DSP的边缘部的边框宽度。而且，还可以节省无需安装的配线基板的这部分成本。这样，可以实现窄边框化以及低成本化。

下面，参照图16至图20对所述显示装置DSP的制造方法的其他例子进行说明。在图7至图15所示的制造方法中，在设置保护层PF之前，形成保护部件PT，而在图16至图20所示的制造方法中不同的是，在设置保护部件PT之前设置保护层PF，之后除去保护层PF。另外，在图16至图20所示的制造方法中，省去了与图7至图15所示的制造方法重复的部分的说明。

图16为用于说明设置保护层PF，照射激光L的步骤的截面图。图16所示的构成与图8所示的构成相比，区别在于：将保护层PF直接设置于第二导电层L2上。

在此，保护层PF例如为有机绝缘材料。此时，将保护层PF设置于第二基板SUB2上的步骤相当于将有机绝缘材料涂在第二基板SUB2上的步骤，这样保护层PF与第二基体20的主面20B接触。另外，保护层PF例如可以为膜，可以将膜贴在第二基板SUB2上。

下面，在第一导电层L1和第二导电层L2重叠的位置，向第二基板SUB2照射激光L。

图17为示出照射激光L之后的显示面板PNL的截面图。

如图17所示，通过照射激光L形成连接第一导电层L1和第二导电层L2的连接用孔V1。照射激光L之后，包含玻璃片和导电材料等的残渣RE附着于保护层PF上。残渣RE附着在贯穿保护层PF的孔的周围，几乎不附着于第二导电层L2的上表面LT2和第二基体20的主面20B。

图18为用于说明除去保护层PF的步骤的截面图。

然后，将附着了残渣RE的保护层PF从第二基板SUB2上除去。然后，形成连接材C的步骤与参照图11至图13所说明的内容相同，所以省略其说明，连接材C分别与第二导电层L2、第二基体20、遮光层BM、外涂层OC、密封材SE、第二绝缘层12、第一导电层L1以及第一基体10相接。

图19为用于说明形成填充部件FI以及保护部件PT的步骤的截面图。

如图19所示，然后形成填充部件FI。在附图所示的例子中，填充部件FI被填充至连接材C的中空部分HL。然后，在第二基板SUB2上形成覆盖第二导电层L2的保护部件PT。保护部件PT还覆盖填充部件FI。

图20为用于说明粘贴第二光学元件OD2的步骤的截面图。

如图20所示，然后在保护部件PT上粘贴第2光学元件OD2。在图15所示的例子中，第二光学元件OD2与填充部件FI接触，而在图20所示的例子中，第二光学元件OD2不与填充部件FI接触。而且，在图15所示的例子中，保护部件PT具有孔，而在图20所示的例子中，保护部件不具有孔。

如上所述。本实施方式可以提供可实现窄边框化和低成本化的显示装置的制造方法。

虽然说明了本发明的几个实施方式，但这些实施方式只是作为示例而提出的，并非旨在限定发明的范围。这些新实施方式能够以其他各种方式进行实施，能够在不脱离发明的宗旨的范围内进行各种省略、替换、变更。这些实施方式及其变形被包括在发明的范围和宗旨中，同样地被包括在权利要求书所记载的发明及其均等的范围内。

下面附注由本说明书公开的构成得到的显示装置的一个例子。

(1)一种电子设备的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：准备具有第一基体以及第一导电体的第一基板和具有第二基体以及第二导电层并与上述第一导电层相对且从上述第一导电层分离的第二基板；在上述第二基板上设置保护层；在与上述保护层重叠的位置，向第二基板照射激光形成贯穿上述第二基体的第一孔；除去上述保护层；除去上述保护层后，形成穿过上述第一孔将上述第一导电层和上述第二导电层电连接的连接材。

(2)根据(1)所述的电子设备的制造方法，其特征在于，上述保护层为膜。

(3)根据(2)所述的电子设备的制造方法，其特征在于，设置上述保护层的步骤为在上述第二基板上贴合上述膜的步骤。

(4)根据(2)所述的电子设备的制造方法，其特征在于，上述膜含有聚对苯二甲酸。

(5)根据(2)所述的电子设备的制造方法，其特征在于，在设置上述保护层的步骤之前，形成覆盖上述第二导电层的保护部件，在上述保护部件上形成上述保护层。

(6)根据(5)所述的电子设备的制造方法，其特征在于，上述保护层和上述保护部件之间的粘着力小于上述保护部件和上述第二导电层之间的粘着力。

(7)根据(1)所述的电子设备的制造方法，其特征在于，上述保护层为有机绝缘材料。

(8)根据(7)所述的电子设备的制造方法，其特征在于，设置上述保护层的步骤为将上述有机绝缘材料涂在上述第二基板上的步骤。

(9)根据(7)所述的电子设备的制造方法，其特征在于，上述有机绝缘材料包含丙烯酸系树脂。

(10)根据(1)所述的电子设备的制造方法，其特征在于，照射上述激光，形成与上述第一孔相对的位置的贯穿上述第一导电层的第二孔。

(11)根据(10)所述的电子设备的制造方法，其特征在于，照射上述激光，在与上述第二孔相对的位置的上述第一基体上形成凹部。

(12)根据(1)所述的电子设备的制造方法，其特征在于，上述连接材C包含粒径从几纳米到几十纳米大小的金属微粒子。

(13)根据(1)所述的电子设备的制造方法，其特征在于，上述激光是二氧化碳气体激光。

(14)根据(1)所述的电子设备的制造方法，其特征在于，形成上述第一孔时，向上述第二基板照射上述激光，形成贯穿上述保护层的第三孔。

(15)根据(14)所述的电子设备的制造方法，其特征在于，述第一孔以及上述第三孔在俯视图中为圆形，上述第一孔和上述第三孔是同心圆。

(16)根据(15)所述的电子设备的制造方法，其特征在于，上述第三孔的直径大于上述第一孔的直径。

(17)根据(16)所述的电子设备的制造方法，其特征在于，上述第二导电层的上表面从上述第三孔露出。

(18)根据(1)所述的电子设备的制造方法，其特征在于，在除去上述保护层的步骤之后，形成覆盖上述第二导电层的保护部件。

Claims (16)

1.一种电子设备的制造方法，其特征在于，包括：

准备第一基板和第二基板，所述第一基板具备第一基体以及第一导电层，所述第二基板具备第二基体以及第二导电层，并与所述第一导电层相对且从所述第一导电层分离；

形成覆盖所述第二导电层的保护部件；

在所述第二基板上且所述保护部件上设置保护层；

在与所述保护层重叠的位置，向所述第二基板照射激光形成贯穿所述第二基体的第一孔；

除去所述保护层；

除去所述保护层后，形成穿过所述第一孔将所述第一导电层和所述第二导电层电连接的连接材。

2.根据权利要求1所述的电子设备的制造方法，其特征在于，

所述保护层是膜。

3.根据权利要求2所述的电子设备的制造方法，其特征在于，

设置所述保护层的步骤是在所述第二基板上贴合所述膜的步骤。

4.根据权利要求2所述的电子设备的制造方法，其特征在于，

所述膜含有聚对苯二甲酸乙二醇酯。

5.根据权利要求1所述的电子设备的制造方法，其特征在于，

所述保护层和所述保护部件之间的粘着力小于所述保护部件和所述第二导电层之间的粘着力。

6.根据权利要求1所述的电子设备的制造方法，其特征在于，

所述保护层是有机绝缘材料。

7.根据权利要求6所述的电子设备的制造方法，其特征在于，

设置所述保护层的步骤是将所述有机绝缘材料涂敷在所述第二基板上的步骤。

8.根据权利要求6所述的电子设备的制造方法，其特征在于，

所述有机绝缘材料包含丙烯酸系树脂。

9.根据权利要求1所述的电子设备的制造方法，其特征在于，

所述连接材包含粒径从几纳米到几十纳米的金属微粒子。

10.根据权利要求1所述的电子设备的制造方法，其特征在于，

所述激光是二氧化碳气体激光。

11.一种电子设备的制造方法，其特征在于，包括：

准备第一基板和第二基板，所述第一基板具备第一基体以及第一导电层，所述第二基板具备第二基体以及第二导电层，并与所述第一导电层相对且从所述第一导电层分离；

在所述第二基板上设置保护层；

在与所述保护层重叠的位置，向所述第二基板照射激光形成贯穿所述第二基体的第一孔；

照射所述激光，形成与所述第一孔相对的位置的贯穿所述第一导电层的第二孔；

除去所述保护层；

除去所述保护层后，形成穿过所述第一孔将所述第一导电层和所述第二导电层电连接的连接材。

12.根据权利要求11所述的电子设备的制造方法，其特征在于，

照射所述激光，在与所述第二孔相对的位置的所述第一基体上形成凹部。

13.一种电子设备的制造方法，其特征在于，包括：

准备第一基板和第二基板，所述第一基板具备第一基体以及第一导电层，所述第二基板具备第二基体以及第二导电层，并与所述第一导电层相对且从所述第一导电层分离；

在所述第二基板上设置保护层；

在与所述保护层重叠的位置，向所述第二基板照射激光形成贯穿所述第二基体的第一孔；

形成所述第一孔时，向所述第二基板照射所述激光，形成贯穿所述保护层并具有比所述第一孔的直径大的直径的第三孔；

除去所述保护层；

除去所述保护层后，形成穿过所述第一孔将所述第一导电层和所述第二导电层电连接的连接材。

14.根据权利要求13所述的电子设备的制造方法，其特征在于，

所述第一孔以及所述第三孔在俯视图中是圆形，所述第一孔和所述第三孔是同心圆。

15.根据权利要求13所述的电子设备的制造方法，其特征在于，

所述第二导电层的上表面从所述第三孔露出。

16.一种电子设备的制造方法，其特征在于，包括：

准备第一基板和第二基板，所述第一基板具备第一基体以及第一导电层，所述第二基板具备第二基体以及第二导电层，并与所述第一导电层相对且从所述第一导电层分离；

在所述第二基板上设置保护层；

在与所述保护层重叠的位置，向所述第二基板照射激光形成贯穿所述第二基体的第一孔；

除去所述保护层；

在除去所述保护层的步骤之后，形成覆盖所述第二导电层的保护部件；

除去所述保护层后，形成穿过所述第一孔将所述第一导电层和所述第二导电层电连接的连接材。

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