JP2019128554A - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性の向上が可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】表示装置は、第１導電層Ｌ１を含む第１基板ＳＵＢ１と、第１基板と対向する第１下面と、第１下面の反対側の第１上面とを有する基体を含む第２基板ＳＵＢ２と、第１基板と第２基板との間に配置された表示機能層と、第１上面に対向する第２下面と、第２下面の反対側の第２上面とを有する第２導電層Ｌ２と、第２上面に対向する第３下面と、第３下面の反対側の第３上面とを有する保護層と、第２導電層に接触している第１端部と、前記第２導電層及び第３上面に接触している第２端部とを有する接続材Ｃと、を備え、保護層は、第１貫通孔を有し、第２導電層は、第１貫通孔に繋がる第２貫通孔を有し、基体は、第２貫通孔に繋がる第３貫通孔を有し、接続材は、第１貫通孔、第２貫通孔、及び第３貫通孔を通って第１導電層及び第２導電層を電気的に接続している。【選択図】図５

Description

本発明の実施形態は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。

近年、表示装置を狭額縁化するための技術が種々検討されている。一例では、樹脂製の第１基板の内面と外面とを貫通する孔の内部に孔内接続部を有する配線部と、樹脂製の第２基板の内面に設けられた配線部とが基板間接続部によって電気的に接続される技術が開示されている。

特開２００２−４０４６５号公報

本開示の一態様における目的は、信頼性の向上が可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することにある。

一実施形態に係る表示装置は、第１導電層を含む第１基板と、前記第１基板と対向する第１下面と、前記第１下面の反対側の第１上面とを有する基体を含む第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置された表示機能層と、前記第１上面に対向する第２下面と、前記第２下面の反対側の第２上面とを有する第２導電層と、前記第２上面に対向する第３下面と、前記第３下面の反対側の第３上面とを有する保護層と、前記第２導電層に接触している第１端部と、前記第２導電層及び前記第３上面に接触している第２端部とを有する接続材と、を備え、前記保護層は、第１貫通孔を有し、前記第２導電層は、前記第１貫通孔に繋がる第２貫通孔を有し、前記基体は、前記第２貫通孔に繋がる第３貫通孔を有し、前記接続材は、前記第１貫通孔、前記第２貫通孔、及び前記第３貫通孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続している。

他の実施形態に係る表示装置は、第１導電層を含む第１基板と、前記第１基板と対向する第１下面と、前記第１下面の反対側の第１上面とを有する基体を含む第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置された表示機能層と、前記第１上面に対向する第２下面と、前記第２下面の反対側の第２上面とを有する第２導電層と、前記第２上面に対向する第３下面と、前記第３下面の反対側の第３上面とを有する保護層と、前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続材と、を備え、前記保護層は、第１貫通孔を有し、前記第２導電層は、前記第１貫通孔に繋がる第２貫通孔を有し、前記基体は、前記第２貫通孔に繋がる第３貫通孔を有し、前記接続材は、前記第１貫通孔の外側に突出していない第１端部と、前記第１貫通孔の外側に突出している第２端部とを有している。

また、他の実施形態に係る表示装置の製造方法は、画像を表示する表示領域と、前記表示領域に隣接する非表示領域を有し、第１導電層を含む第１基板と、前記第１基板と対向する第１下面と前記第１下面と反対側の第１上面とを有する基体を含む第２基板と、前記第１上面に対向する第２下面と前記第２下面の反対側の第２上面とを有する第２導電層と、前記第２上面に対向する第３下面と前記第３下面の反対側の第３上面とを有する保護層と、前記第３上面に接着されている保護フィルムとを備え、前記基体が前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した、表示パネルを用意し、前記保護フィルムにレーザー光を照射し、前記保護フィルム及び前記保護層を貫通する第１貫通孔を形成し、前記第１貫通孔に対向する位置の前記第２導電層を貫通する第２貫通孔を形成し、前記第２貫通孔に対向する位置の前記基体を貫通する第３貫通孔を形成し、前記保護フィルムにアニール処理を施し、前記第１貫通孔を通して接続材を注入して前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続材を形成する。

図１は、実施形態の表示装置の一構成例を示す平面図である。 図２は、図１に示した表示パネルの基本構成及び等価回路を示す図である。 図３は、表示領域ＤＡにおける表示装置の一部を概略的に示す断面図である。 図４は、センサの一構成例を示す平面図である。 図５は、図１に示したＡ−Ｂ線に沿って切断した表示装置の一部の概略的な断面図である。 図６は、実施形態に係る表示装置の製造工程の一例を示す図である。 図７は、実施形態に係る表示装置の製造工程の一例を示す図である。 図８は、実施形態に係る表示装置の製造工程の一例を示す図である。 図９は、実施形態に係る表示装置の製造工程の一例を示す図である。 図１０は、実施形態に係る表示装置の製造工程の一例を示す図である。 図１１は、実施形態に係る表示装置の製造工程の一例を示す図である。 図１２は、実施形態の変形例１に係る表示装置の一部の概略的な断面図である。 図１３は、実施形態の変形例２に係る表示装置の製造工程の一例を示す平面図である。 図１４は、実施形態の変形例３に係る表示装置の製造工程の一例を示す平面図である。 図１５は、実施形態の変形例３に係る表示装置の一部の概略的な断面図である。 図１６は、実施形態の変形例４に係る表示装置の一部の概略的な断面図である。 図１７は、実施形態の変形例５に係る表示装置の一部の概略的な断面図である。

以下、いくつかの実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

各実施形態においては、表示装置の一例として液晶表示装置を開示する。この液晶表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、ノートブックタイプのパーソナルコンピュータ、車載機器、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。各実施形態にて開示する主要な構成は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置等の自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置など、他種の表示装置にも適用可能である。

図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの一構成例を示す平面図である。ここでは、表示装置ＤＳＰの一例として、センサＳＳを搭載した液晶表示装置について説明する。第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。以下、第３方向Ｚの長さを厚さと称する。ここでは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙによって規定されるＸ−Ｙ平面における表示装置ＤＳＰの平面図を示している。以下の説明において、第３方向ＺからＸ−Ｙ平面を見ることを平面視という。

表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬ、ＩＣチップＩ１、配線基板ＳＵＢ３などを備えている。表示パネルＰＮＬは、液晶表示パネルであり、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、シールＳＥと、表示機能層（後述する液晶層ＬＣ）と、を備えている。第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１に対向している。シールＳＥは、図１において右上がりの斜線で示した部分に相当し、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接着している。以下の説明で、Ｘ−Ｙ平面に対して垂直な方向、例えば、第３方向Ｚにおいて、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を上方（あるいは、単に上）と称し、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向を下方（あるいは、単に下）と称する。

表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡ、及び、表示領域ＤＡに隣り合う額縁状の非表示領域ＮＤＡを備えている。表示領域ＤＡは、例えば、シールＳＥによって囲まれた内側に位置している。非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡを囲む額縁状に配置されてもよい。シールＳＥは、非表示領域ＮＤＡに位置している。

ＩＣチップＩ１は、配線基板ＳＵＢ３に実装されている。なお、図示した例に限らず、ＩＣチップＩ１は、第２基板ＳＵＢ２よりも外側に延出した第１基板ＳＵＢ１に実装されていてもよいし、配線基板ＳＵＢ３に接続される外部回路基板に実装されていてもよい。ＩＣチップＩ１は、例えば、画像を表示するのに必要な信号を出力するディスプレイドライバＤＤを内蔵している。ここでのディスプレイドライバＤＤは、後述する信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ、及び、共通電極駆動回路ＣＤの少なくとも一部を含むものである。また、図示した例では、ＩＣチップＩ１は、タッチパネルコントローラなどとして機能する検出回路ＲＣを内蔵している。なお、検出回路ＲＣは、ＩＣチップＩ１とは異なる他のＩＣチップに内蔵されていてもよい。

センサＳＳは、表示装置ＤＳＰへの被検出物の接触あるいは接近を検出するためのセンシングを行うものである。センサＳＳは、複数の検出電極Ｒｘ（Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、Ｒｘ４…）を備えている。複数の検出電極Ｒｘは、それぞれ、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。これらの検出電極Ｒｘは、それぞれ、第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに間隔をおいて並んでいる。

複数の検出電極Ｒｘ（Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、Ｒｘ４…）は、それぞれ、検出部ＲＳ（ＲＳ１、ＲＳ２、ＲＳ３、ＲＳ４…）と、端子部ＲＴ（ＲＴ１、ＲＴ２、ＲＴ３、ＲＴ４…）と、接続部ＣＮ（ＣＮ１、ＣＮ２、ＣＮ３、ＣＮ４…）とを備えている。
検出部ＲＳは、それぞれ、表示領域ＤＡに位置し、第１方向Ｘに延出している。検出電極Ｒｘにおいては、主として検出部ＲＳがセンシングに利用される。図示した例では、検出部ＲＳは、それぞれ、帯上に示されているが、より具体的には、微細な金属細線の集合体によって形成されている。なお、図示した例では、検出電極Ｒｘは、それぞれ、２本の検出部ＲＳを備えているが、３本以上の検出部ＲＳを備えていても良いし、１本の検出部ＲＳを備えていてもよい。

複数の端子部ＲＴは、それぞれ、検出部ＲＳに繋がっている。図示した例では、奇数番目の検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ３…の各々の端子部ＲＴ１、ＲＴ３…は、非表示領域ＮＤＡの第１方向Ｘで一端側部（以下、第１側部と称する）に位置している。また、偶数番目の検出電極Ｒｘ２、Ｒｘ４…の各々の端子部ＲＴ２、ＲＴ４…は、いずれも非表示領域ＮＤＡの第１側部と第１方向Ｘで反対側の他端側部（以下、第２側部と称する）に位置している。端子部ＲＴの一部は、平面視でシールＳＥと重なる位置に形成されている。

一方で、第１基板ＳＵＢ１は、複数のパッドＰ（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４…）及び複数の配線Ｗ（Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４…）を備えている。図示した例では、奇数番目のパッドＰ１、Ｐ３…及び配線Ｗ１、Ｗ３…は、いずれも非表示領域ＮＤＡの第１側部に位置している。また、偶数番目のパッドＰ２、Ｐ４…及び配線Ｗ２、Ｗ４…は、いずれも非表示領域ＮＤＡの第２側部に位置している。パッドＰ及び配線Ｗは、それぞれ、平面視でシールＳＥと重なっている。パッドＰは、それぞれ、平面視で、対応する端子部ＲＴと重なる位置に形成されている。図示した例では、パッドＰは、それぞれ、平面視した場合に台形状に形成されている。なお、パッドＰは、それぞれ、平面視した場合に台形状以外の形状、例えば、多角形状、円形状、及び、楕円形状等に形成されていてもよい。配線Ｗは、それぞれ、パッドＰに接続され、第２方向Ｙに沿って延出し、配線基板ＳＵＢ３を介してＩＣチップＩ１の検出回路ＲＣと電気的に接続されている。

図示したように、パッドＰ３が第２方向ＹにおいてパッドＰ１よりも配線基板ＳＵＢ３に近い位置に配置されたレイアウトでは、配線Ｗ１は、第１方向ＸにおいてパッドＰ３の内側（つまり、表示領域ＤＡが設けられた方向）を迂回し、パッドＰ３と配線基板ＳＵＢ３との間で、配線Ｗ３の内側で配線Ｗ３に並んで配置されている。同様に、配線Ｗ２は、第１方向ＸにおいてパッドＰ４の内側を迂回し、パッドＰ４と配線基板ＳＵＢ３との間で、配線Ｗ４の内側で配線Ｗ４に並んで配置されている。

複数の接続用孔（接続孔）Ｖ（Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４…）は、それぞれ、端子部ＲＴ（ＲＴ１、ＲＴ２、ＲＴ３、ＲＴ４…）とパッドＰ（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４…）とが対向する位置に形成されている。また、複数の接続用孔Ｖは、それぞれ、端子部ＲＴを含む第２基板ＳＵＢ２及びシールＳＥを貫通するとともに、パッドＰまで貫通するように形成され得る。図示した例では、複数の接続用孔Ｖは、それぞれ、平面視で円形であるが、その形状は図示した例に限らず、楕円形などの他の形状であっても良い。複数の接続用孔Ｖには、接続材Ｃ（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４…）がそれぞれ設けられている。接続材Ｃは、それぞれ、端子部ＲＴとパッドＰとを電気的に接続している。つまり、第２基板ＳＵＢ２に設けられた複数の検出電極Ｒｘは、それぞれ、接続材Ｃを介して、第１基板ＳＵＢ１のパッドＰに接続された配線基板ＳＵＢ３の検出回路ＲＣと電気的に接続している。検出回路ＲＣは、複数の検出電極Ｒｘの各々から出力されたセンサ信号を読み取り、被検出物の接触あるいは接近の有無や、被検出物の位置座標などを検出する。以下、パッドＰを第１導電層と称し、検出電極Ｒｘを第２導電層と称する場合もある。
以上で説明したような表示装置ＤＳＰのレイアウトによれば、非表示領域ＮＤＡにおける第１側部の幅と第２側部の幅とを均一化することができ、狭額縁化に好適である。

図２は、図１に示した表示パネルＰＮＬの基本構成及び等価回路を示す図である。
表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数の画素ＰＸを備えている。ここで、画素とは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位を示し、例えば、後述する走査線と信号線とが交差する位置に配置されたスイッチング素子を含む領域に存在する。複数の画素ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置されている。また、表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数本の走査線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、複数本の信号線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）、共通電極ＣＥなどを備えている。複数の走査線Ｇは、第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに並んでいる。複数の信号線Ｓは、第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに並んでいる。走査線Ｇ及び信号線Ｓは、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウムなどの金属材料又はこれらの合金材料によって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。なお、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくてもよく、それらの一部が屈曲していてもよい。共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。走査線Ｇ、信号線Ｓ、及び、共通電極ＣＥは、それぞれ非表示領域ＮＤＡに引き出されている。非表示領域ＮＤＡにおいて、走査線Ｇは走査線駆動回路ＧＤに接続され、信号線Ｓは信号線駆動回路ＳＤに接続され、共通電極ＣＥは共通電極駆動回路ＣＤに接続されている。信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ、及び、共通電極駆動回路ＣＤは、第１基板ＳＵＢ１上に形成されてもよいし、これらの一部或いは全部が図１に示したＩＣチップＩ１に内蔵されていてもよい。

各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、及び液晶層ＬＣ等を備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。より具体的には、スイッチング素子ＳＷは、ゲート電極ＷＧ、ソース電極ＷＳ、及び、ドレイン電極ＷＤを備えている。ゲート電極ＷＧは、走査線Ｇと電気的に接続されている。図示した例では、信号線Ｓと電気的に接続された電極をソース電極ＷＳと称し、画素電極ＰＥと電気的に接続された電極をドレイン電極ＷＤと称する。共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥは、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成されている。
走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。画素電極ＰＥの各々は、例えば、共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣを駆動している。保持容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの間に形成される。

図３は、表示領域ＤＡにおける表示装置ＤＳＰの一部を概略的に示す断面図である。ここでは、表示装置ＤＳＰを第１方向Ｘに沿って切断した断面図を示す。図示した表示装置ＤＳＰは、主に基板主面と略平行な横電界を利用する表示モードに対応した構成を有している。なお、表示装置ＤＳＰは、基板主面に対して垂直な縦電界や、基板主面に対して斜め方向の電界、或いは、それらを組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有してもよい。横電界を利用する表示モードでは、例えば第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２のいずれか一方が画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方を備える構成が適用可能である。縦電界や斜め電界を利用する表示モードでは、例えば、第１基板ＳＵＢ１が画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの一方を備え、第２基板ＳＵＢ２が画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの他方を備える構成が適用可能である。なお、ここでの基板主面とは、Ｘ−Ｙ平面と平行な面である。

第１基板ＳＵＢ１は、第１基体１０（第１絶縁基板）、信号線Ｓ、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ、第１絶縁層１１、第２絶縁層１２、第３絶縁層１３、及び第１配向層１４などを備えている。なお、ここでは、上述のスイッチング素子ＳＷや走査線Ｇ、これらの間に介在する各種絶縁層等の図示を省略している。

第１基体１０は、例えば、無アルカリガラスによって形成され、第２基板ＳＵＢ２と対向する上面１０Ａ（第１面１０Ａ）と、上面１０Ａの反対側の下面１０Ｂ（第２面１０Ｂ）とを有している。第１絶縁層１１は、上面１０Ａの上に配置されている。信号線Ｓは、第１絶縁層１１の上に配置されている。第２絶縁層１２は、信号線Ｓ及び第１絶縁層１１の上に配置されている。共通電極ＣＥは、第２絶縁層１２の上に配置されている。第３絶縁層１３は、共通電極ＣＥの上に配置されている。画素電極ＰＥは、第３絶縁層１３の上に配置されている。画素電極ＰＥは、第３絶縁層１３を介して共通電極ＣＥと対向している。図３の例において、画素電極ＰＥは、１つのスリットＳＬを有している。但し、画素電極ＰＥは、より多くのスリットＳＬを有してもよいし、スリットＳＬを有さなくてもよい。第１配向層１４は、画素電極ＰＥ及び第３絶縁層１３を覆っている。例えば、第１絶縁層１１及び第３絶縁層１３は無機絶縁層であり、第２絶縁層１２は有機絶縁層である。

なお、第１基板ＳＵＢ１の構成は、図示した例に限らず、画素電極ＰＥが第２絶縁層１２と第３絶縁層１３との間に位置し、共通電極ＣＥが第３絶縁層１３と第１配向層１４との間に位置してもよい。また、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が櫛歯状に形成され、互いに噛み合うように同層に配置されてもよい。

第２基板ＳＵＢ２は、第２基体２０（第２絶縁基板）、遮光層２１、カラーフィルタ２２、オーバーコート層２３、第２配向層２４などを備えている。
第２基体２０は、例えば無アルカリガラスによって形成され、第１基板ＳＵＢ１と対向する下面２０Ａ（第１面２０Ａ）と、下面２０Ａの反対側の上面２０Ｂ（第２面２０Ｂ）とを有している。遮光層２１及びカラーフィルタ２２は、下面２０Ａの下に配置されている。遮光層２１は、各画素を区画し、信号線Ｓの直上に位置している。

カラーフィルタ２２は、画素電極ＰＥと対向し、その一部が遮光層２１と重なっている。カラーフィルタ２２は、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタなどを含む。オーバーコート層２３は、カラーフィルタ２２を覆っている。第２配向層２４は、オーバーコート層２３を覆っている。液晶層ＬＣは、第１配向層１４と第２配向層２４との間に配置されている。なお、カラーフィルタ２２は、第１基板ＳＵＢ１に配置されてもよい。カラーフィルタ２２は、４色以上のカラーフィルタを含んでいてもよい。白色を表示する画素には、白色のカラーフィルタが配置されていてもよいし、無着色の樹脂材料が配置されていてもよいし、カラーフィルタを配置せずにオーバーコート層を配置してもよい。

検出電極Ｒｘは、第２基体２０の主面２０Ｂ側に位置している。検出電極Ｒｘは、金属を含む導電層、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電材料によって形成されていてもよいし、金属を含む導電層の上に透明導電層が積層されていてもよいし、導電性の有機材料や、微細な導電性物質の分散体などによって形成されていてもよい。オーバーコート層（保護層）３０は、検出電極Ｒｘを覆っている。オーバーコート層３０は、例えば、有機絶縁材料で形成されている。

表示装置ＤＳＰは、カバー部材ＣＧと、照明装置ＢＬと、第１偏光板ＰＬ１と、第２偏光板ＰＬ２と、をさらに備えている。
第１偏光板ＰＬ１は、下面１０Ｂ側に位置している。図示した例では、第１偏光板ＰＬ１は、第１基板ＳＵＢ１と照明装置ＢＬとの間に位置している。カバー部材ＣＧは、接着層４０を介して第２偏光板ＰＬ２に貼り付けられている。カバー部材ＣＧは、例えば、ガラスを用いて形成されているが、ガラス以外の材料を用いて形成されていてもよい。第２偏光板ＰＬ２は、上面２０Ｂ側に位置している。図示した例では、第２偏光板ＰＬ２は、カバー部材ＣＧと検出電極Ｒｘとの間に位置している。図示した例では、第２偏光板ＰＬ２は、接着層３１を介してオーバーコート層３０に接着されている。各偏光板ＰＬ１、ＰＬ２は、少なくとも表示領域ＤＡの全域と対向している。なお、表示装置ＤＳＰは、カバー部材ＣＧと第２基板ＳＵＢ２との間、及び、第１基板ＳＵＢ１と照明装置ＢＬとの間に位相差板などの光学素子をさらに備えてもよい。また、第２偏光板ＰＬ２と検出電極Ｒｘとの間には、他の各種絶縁層や各種導電層が配置されていてもよい。

なお、図３に示す表示装置ＤＳＰは、照明装置ＢＬからの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過型の構造の適用例である。この例に限らず、表示装置ＤＳＰは、第２基板ＳＵＢ２の上方からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射型であってもよいし、透過型及び反射型の双方の機能を備えた半透過型であってもよい。
図４は、センサＳＳの一構成例を示す平面図である。
図４に示した例では、センサＳＳは、センサ駆動電極Ｔｘ、及び、検出電極Ｒｘを備えている。図４において、センサ駆動電極Ｔｘは、右下がりの斜線で示した部分に相当し、第１基板ＳＵＢ１に設けられている。また、検出電極Ｒｘは、右上がりの斜線で示した部分に相当し、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、Ｘ−Ｙ平面において、互いに交差している。検出電極Ｒｘは、第３方向Ｚにおいて、センサ駆動電極Ｔｘと対向している。

センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、表示領域ＤＡに位置し、それらの一部が非表示領域ＮＤＡに延在している。図示した例では、センサ駆動電極Ｔｘは、それぞれ第２方向Ｙに延出した帯状の形状を有し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。検出電極Ｒｘは、それぞれ第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。検出電極Ｒｘは、図１を参照して説明したように、第１基板ＳＵＢ１に設けられたパッドＰに接続され、配線を介して検出回路ＲＣと電気的に接続されている。センサ駆動電極Ｔｘの各々は、配線ＷＲを介して共通電極駆動回路ＣＤと電気的に接続されている。なお、センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘの個数やサイズ、形状は特に限定されるものではなく種々変更可能である。

センサ駆動電極Ｔｘは、上記の共通電極ＣＥを含み、画素電極ＰＥとの間で電界を発生させる機能を有するとともに、検出電極Ｒｘとの間で容量を発生させることで被検出物の位置を検出するための機能を有している。
共通電極駆動回路ＣＤは、表示領域ＤＡに画像を表示する表示駆動時に、共通電極ＣＥを含むセンサ駆動電極Ｔｘに対してコモン駆動信号を供給する。また、共通電極駆動回路ＣＤは、センシングを行うセンシング駆動時に、センサ駆動電極Ｔｘに対してセンサ駆動信号を供給する。検出電極Ｒｘは、センサ駆動電極Ｔｘへのセンサ駆動信号の供給に伴って、センシングに必要なセンサ信号（つまり、センサ駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間の電極間容量の変化に基づいた信号）を出力する。検出電極Ｒｘから出力された検出信号は、図１に示した検出回路ＲＣに入力される。

なお、上記した構成例におけるセンサＳＳは、一対の電極間の静電容量（上記の例ではセンサ駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間の静電容量）の変化に基づいて被検出物を検出する相互容量方式に限らず、検出電極Ｒｘの静電容量の変化に基づいて被検出物を検出する自己容量方式であっても良い。

図５は、図１に示したＡ−Ｂ線に沿って切断した表示装置ＤＳＰの一部の概略的な断面図である。ここでは、図３に示した第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２が備える各要素、照明装置ＢＬ、及び第１偏光板ＰＬ１の図示を適宜省略している。以下、接続用孔Ｖ１を用いて説明するが他の接続用孔Ｖにも接続用孔Ｖ１と同様の構成が適用できる。図５には、第２基板ＳＵＢ２の端部ＳＵＢ２Ｅを示している。

第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とは、シールＳＥによって貼り合わされている。シールＳＥは、例えば、図１に示したように表示領域ＤＡを囲う環状に形成されている。図５に示した例において、シールＳＥと第１基体１０との間に第２絶縁層１２が配置され、シールＳＥと第２基体２０との間に遮光層２１及びオーバーコート層２３が配置されている。シールＳＥ、第２絶縁層１２、遮光層２１、及びオーバーコート層２３は、例えば有機絶縁層である絶縁層ＩＬを構成する。なお、絶縁層ＩＬは、無機絶縁層を含んでいてもよい。以下、絶縁層ＩＬを層間絶縁層ＩＬと称する場合もある。
なお、絶縁層ＩＬは、図３に示した第１配向層１４や第２配向層２４などをさらに含んでもよい。また、絶縁層ＩＬは、第２絶縁層１２、オーバーコート層２３、及び遮光層２１の少なくとも１つを含まなくてもよい。絶縁層ＩＬは、他の層を含んでいてもよい。

第１基板ＳＵＢ１は、第１導電層Ｌ１を備えている。図５に示した例において、第１導電層Ｌ１は、第１基体の上面１０Ａに形成されるとともに、第２絶縁層１２で覆われている。この例に限らず、第１導電層Ｌ１と第１基体１０との間や第１導電層Ｌ１と第２絶縁層１２との間に、各種絶縁層や各種導電層が配置されてもよい。第１導電層Ｌ１は、例えば、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウム、銀、銅、クロムなどの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金や、ＩＴＯ及びＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成することができる。第１導電層Ｌ１は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。

図示した例では、第２導電層Ｌ２は、第２基体２０の上面２０Ｂの側に位置している。第２導電層Ｌ２は、上面２０Ｂに対向する下面Ｌ２Ａと、下面Ｌ２Ａと反対側の上面Ｌ２Ｂとを有している。オーバーコート層３０は、第２導電層Ｌ２の上面Ｌ２Ｂに位置し、第２導電層Ｌ２に接触している。オーバーコート層３０は、上面Ｌ２Ｂに対向する下面３０Ａと、下面２０Ａと反対側の上面２０Ｂとを有している。接着層３１は、オーバーコート層３０の上面２０Ｂに位置し、オーバーコート層３０を介して第２導電層Ｌ２と第２偏光板ＰＬ２と接着している。第２偏光板ＰＬ２と第２導電層Ｌ２との間には、他の各種層が配置されていてもよい。また、オーバーコート層３０と第２導電層Ｌ２との間にも、他の各種層が配置されていてもよい。図示した例では、第２導電層Ｌ２は、図１に示したＲｘ１に相当する。第２導電層Ｌ２は、例えば、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウム、銀、銅、クロムなどの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金や、ＩＴＯ及びＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成することができる。第２導電層Ｌ２は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。

オーバーコート層３０は、は、下面３０Ａと上面３０Ｂとを貫通する貫通孔ＶＡ１（第１貫通孔）を有している。第２導電層Ｌ２は、下面Ｌ２Ａと上面Ｌ２Ｂとを貫通し、貫通孔ＶＡ１に繋がる貫通孔ＶＡ２（第２貫通孔）を有している。第２基体２０は、下面２０Ａと上面２０Ｂとを貫通し、貫通孔ＶＡ１及びＶＡ２に繋がる貫通孔ＶＡ３（第３貫通孔）を有している。絶縁層ＩＬは、下面２０Ａと上面１０Ａとの間を貫通し、各貫通孔ＶＡ１、ＶＡ２、及びＶＡ３に繋がる貫通孔ＶＡ４（第４貫通孔）を有している。第１導電層Ｌ１は、各貫通孔ＶＡ１〜ＶＡ４に繋がる貫通孔ＶＡ５（第５貫通孔）を有している。また、第１基体１０は、各貫通孔ＶＡ１〜ＶＡ５に繋がる凹部Ｒを上面１０Ａに有している。図示した例では、各貫通孔ＶＡ１〜ＶＡ５及び凹部Ｒは、非表示領域ＮＤＡに位置している。なお、貫通孔ＶＡ４は、絶縁層ＩＬを構成する各層、すなわち図５に示した例ではシールＳＥ、第２絶縁層１２、遮光層２１、及びオーバーコート層２３をそれぞれ貫通している。

凹部Ｒは、上面１０Ａから下面１０Ｂに向かって形成されているが、図示した例では、下面１０Ｂまで貫通していない。一例では、凹部Ｒの第３方向Ｚに沿った深さは、第１基体１０の第３方向Ｚに沿った厚さの約１／５〜約１／２程度である。なお、第１基体１０は、凹部Ｒの代わりに、上面１０Ａと下面１０Ｂとの間を貫通する貫通孔を有してもよい。

各貫通孔ＶＡ１〜ＶＡ５及び凹部Ｒは、それぞれの孔の中心位置が平面視で見て一致しており、第３方向Ｚに沿った同一直線状に位置し、接続用孔Ｖ１を構成している。各貫通孔ＶＡ１〜ＶＡ５及び凹部Ｒは、例えば平面視における形状が正円形であるが、楕円形などの他の形状であってもよい。なお、接続用孔Ｖ１は、第３方向に沿った同一直線状に位置する各貫通孔ＶＡ１〜ＶＡ５及び凹部Ｒの少なくとも１つによって構成されていてもよい。

図５に示した例において、各貫通孔ＶＡ１〜ＶＡ５は、いずれも下方に向かうに連れて幅（内径）が小さくなる。すなわち、貫通孔ＶＡ１の内面Ｆ１、貫通孔ＶＡ２の内面Ｆ２、貫通孔ＶＡ３の内面Ｆ３、貫通孔ＶＡ４の内面Ｆ４、及び貫通孔ＶＡ５の内面Ｆ５は、第３方向Ｚに対して傾いたテーパ状である。図５に示した例では、各内面Ｆ１〜Ｆ５が断面視で直線状であるが、曲線状であってもよい。また、各貫通孔ＶＡ１〜ＶＡ５は、上方に向かうに連れて幅（内径）が小さくなる形状を有してもよいし、幅が一定（各内面Ｆ１〜Ｆ５が第３方向Ｚと平行）であってもよい。

貫通孔ＶＡ１と貫通孔ＶＡ２との境界近傍においては、貫通孔ＶＡ２の幅よりも貫通孔ＶＡ１の幅の方が大きい。これにより、第２導電層Ｌ２は、貫通孔ＶＡ２の周囲において、オーバーコート層３０から露出している第１領域Ａ１を有している。例えば、第１領域Ａ１の平面視における形状は、貫通孔ＶＡ２を全周に亘って囲う環状である。但し、第１領域Ａ１は、貫通孔ＶＡ２の周囲の一部に設けられてもよいし、断続的に複数設けられてもよい。

貫通孔ＶＡ４と貫通孔ＶＡ５との境界近傍においては、貫通孔ＶＡ５の幅よりも貫通孔ＶＡ４の幅の方が大きい。これにより、第１導電層Ｌ１は、貫通孔ＶＡ５の周囲において、絶縁層ＩＬから露出した第２領域Ａ２を有している。例えば、第２領域Ａ２の平面視における形状は、貫通孔ＶＡ５を全周に亘って囲う環状である。但し、第２領域Ａ２は、貫通孔ＶＡ５の周囲の一部に設けられてもよいし、断続的に複数設けられてもよい。

表示装置ＤＳＰは、各貫通孔ＶＡ２〜ＶＡ５を通じて第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２とを電気的に接続する接続材Ｃをさらに備えている。図５に示した例では、接続材Ｃは、図１に示した接続材Ｃ１に相当する。一例として、接続材Ｃは、銀などの金属材料を含み、その粒径が数ナノメートルから数十ナノメートルのオーダーの微粒子を含むものであることが望ましい。

接続材Ｃは、各貫通孔ＶＡ１〜ＶＡ５の内面Ｆ１〜Ｆ５、凹部Ｒの内面、第１領域Ａ１、及び第２領域Ａ２を途切れることなく連続的に覆っている。
図示した例では、接続材Ｃは、非表示領域ＮＤＡに位置している。接続材Ｃは、第３方向Ｚにおいて、端部ＣＵ１及び端部ＣＵ２を有している。端部ＣＵ１及び端部ＣＵ２は、それぞれ、第２導電層Ｌ２に接触している。端部ＣＵ１は、貫通孔ＶＡ１から第３方向Ｚの上側に突出していない。換言すると、端部ＣＵ１は、貫通孔ＶＡ１の外側に突出していない。端部ＣＵ１は、第１方向Ｘにおいて貫通孔ＶＡ１の中心位置の方向（以下、中心側と称する）に突出している。図５に示した例では、端部ＣＵ１は、第１方向Ｘにおいて、端部ＳＵＢ２Ｅの側に突出している。端部ＣＵ１は、第１領域Ａ１に接触し、貫通孔ＶＡ１の内面Ｆ１に接触している。また、端部ＣＵ１は、第３方向Ｚにおいて、端面ＣＵＳ１を有している。端面ＣＵＳ１は、オーバーコート層３０の上面３０Ｂに連続している。例えば、端面ＣＵＳ１は、上面３０Ｂと同一平面上に形成されている。端部ＣＵ２は、貫通孔ＶＡ１から外側に突出している。端部ＣＵ２は、第１領域Ａ１に接触し、貫通孔ＶＡ１の内面Ｆ１に接触している。端部ＣＵ２は、第１領域Ａ１に十分な範囲で接触している。また、端部ＣＵ２は、上面３０Ｂに接触している。端部ＣＵ２は、上面３０Ｂにおいて、端部ＳＵＢ２Ｅの側に延出している。換言すると、端部ＣＵ２は、上面３０Ｂにおいて、表示領域ＤＡと反対側に延出している。図示した例では、端部ＣＵ１と端部ＣＵ２とは、接続用孔Ｖ１を挟んで対向しているが、対向していなくともよい。端部ＣＵ１及びＣＵ２は、それぞれ、貫通孔ＶＡ１及び貫通孔ＶＡ１の周囲に位置してれいばよい。接続材Ｃは、貫通孔ＶＡ２の内面Ｆ２において第２導電層Ｌ２に接触している。また、接続材Ｃは、貫通孔ＶＡ５の内面Ｆ５において第１導電層Ｌ１に接触している。したがって、第１導電層Ｌ１及び第２導電層Ｌ２は、接続材Ｃにより電気的に接続される。接続材Ｃは、貫通孔ＶＡ２の内面Ｆ２だけでなく、第１領域Ａ１においても第２導電層Ｌ２に接触している。これにより、内面Ｆ２にのみ接触する場合に比べて接触面積を大きくでき、導通の信頼性が向上する。また、接続材Ｃは、貫通孔ＶＡ５の内面Ｆ５だけでなく、第２領域Ａ２においても第１導電層Ｌ１に接触している。これにより、内面Ｆ５にのみ接触する場合に比べて接触面積を大きくでき、導通の信頼性が向上する。

接続材Ｃの内側には、充填材ＰＴが充填されている。図示した例では、充填材ＰＴの一部が、貫通孔ＶＡ１の上に突出し、第２基板ＳＵＢ２の端部ＳＵＢ２Ｅの側に延出している。充填材ＰＴの一部は、端部ＣＵ２を覆っているが、端部ＣＵ１を覆っていない。充填材ＰＴは、例えば、黒色の有機絶縁材料によって形成することができる。この充填材ＰＴにより、接続用孔Ｖ１に露出する各部や接続材Ｃを保護する。また、充填材ＰＴにより、接続用孔Ｖ１に起因した凹凸の発生が防がれる。さらに、充填材ＰＴは、接続用孔Ｖ１に入射する光を遮光する。なお、充填材ＰＴの一部は、表示領域ＤＡの側に延出していてもよいし、延出していなくともよい。また、充填材ＰＴの一部は、端部ＣＵ１を覆っていてもよいし、端部ＣＵ１及び端部ＣＵ２の両方を覆っていてもよいし、端部ＣＵ１及び端部ＣＵ２の両方を覆っていなくともよい。

充填材ＰＴの上面は、接着層３１で覆われている。この接着層３１を介して、第２偏光板ＰＬ２の下面は、オーバーコート層３０及び充填材ＰＴに接着している。第２偏光板ＰＬ２の上面は、接着層４０を介してカバー部材ＣＧに接着している。このようにカバー部材ＣＧが設けられるために、接続用孔Ｖ１の形成により第２基板ＳＵＢ２などの強度が低下したとしても、接続用孔Ｖ１の近傍が十分に保護される。

カバー部材ＣＧは、例えば、第２偏光板ＰＬ２と対向する側の面に、加飾層４１（遮光層）を備えている。加飾層４１は、非表示領域ＮＤＡと対向し、上述した表示領域ＤＡの形状に応じて開口している。この加飾層４１により、接続用孔Ｖ１が外部から視認できなくなっている。

以上の本実施形態の構造によれば、接続用孔Ｖ１を通じて第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２とを接続している。したがって、極めて少ないスペースで第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２とを接続できる。これにより、表示装置ＤＳＰの狭額縁化が可能となる。
また、接続材Ｃは、端部ＣＵ１及び端部ＣＵ２を有している。端部ＣＵ１は、第１領域Ａ１に接触している。端部ＣＵ２は、第１領域Ａ１及びオーバーコート層３０の上面３０Ｂに接触している。端部ＣＵ２が第１領域Ａ１に十分な範囲で接触しているため、接続材Ｃは、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２とを電気的に確実に接続できる。さらに、貫通孔ＶＡ１の周囲において、第２基板ＳＵＢ２の端部ＳＵＢ２Ｅの側に延出しているが、表示領域ＤＡの側には延出していない。そのため、接続材Ｃで反射した光が表示領域ＤＡで視認されることを軽減できる。したがって、信頼性の向上が可能な表示装置を提供することができる。

続いて、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２との接続に関する製造工程の一例につき、図６乃至図１１を用いて説明する。なお、各図においては、主に第２基板ＳＵＢ２、第２導電層Ｌ２及びオーバーコート層３０に着目しており、第１基板ＳＵＢ１やシールＳＥ等の図示を省略している。
先ず、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とがシールＳＥによって貼り合わせられ、液晶層ＬＣが形成された液晶パネルを用意する。次に、第２基体２０の上面２０Ｂに第２導電層Ｌ２を貼り付ける。そして、図６に示すように、第２導電層Ｌ２の上面Ｌ２Ｂにオーバーコート層３０を貼り付ける。この段階で、オーバーコート層３０の上面３０Ｂには、保護フィルムＰＲが貼り付けされている。保護フィルムＰＲは、樹脂、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムで形成されている。保護フィルムＰＲの厚さは、例えば、数十μｍである。

さらに、保護フィルムＰＲの上面からレーザー光Ｌを照射する。レーザー光Ｌの光源としては、例えば炭酸ガスレーザー装置などが適用可能であるが、ガラス材料及び有機系材料に穴あけ加工ができるものであればよく、エキシマレーザー装置なども適用可能である。
このようなレーザー光Ｌが照射されることにより、接続用孔Ｖ１が形成される。例えば、図７に示すように、保護フィルムＰＲ及びオーバーコート層３０を貫通する貫通孔ＶＡ１と、第２導電層Ｌ２を貫通する貫通孔ＶＡ２と、第２基体２０を貫通する貫通孔ＶＡ３とが形成される。また、シールＳＥを含む絶縁層ＩＬ、第１導電層Ｌ１、及び第１基体１０においては、レーザー光Ｌにより、図５に示した貫通孔ＶＡ４、貫通孔ＶＡ５、及び凹部Ｒが形成される。この工程においては、溶融した第２基体２０などの残渣１００が生じ得る。この残渣１００は、例えば図７に示すように、貫通孔ＶＡ１の周囲において、保護フィルムＰＲの上面に付着する。

一般に、オーバーコート層３０を構成する材料の融点は、第２導電層Ｌ２や第２基体２０の融点よりも低い。したがって、レーザー光Ｌを照射した際には、第２導電層Ｌ２や第２基体２０よりもオーバーコート層３０の方が溶融又は昇華し易い。これにより、図７に示すように貫通孔ＶＡ１の内径が貫通孔ＶＡ２の内径よりも大きくなり、上述の第１領域Ａ１が第２導電層Ｌ２の上面に形成される。同様に、絶縁層ＩＬの融点が第１導電層Ｌ１の融点よりも低いために、図５に示したように貫通孔ＶＡ４の内径が貫通孔ＶＡ５の内径よりも大きくなり、上述の第２領域Ａ２が第１導電層Ｌ１の上面に形成される。

図８に示すように、平面視した場合、接続用孔Ｖ１は、保護フィルムＰＲの第１方向Ｘの幅Ｗｄ１の中心位置ＣＴ１に対して表示領域ＤＡの側に形成されている。つまり、レーザー光Ｌは、保護フィルムＰＲの幅Ｗｄ１の中心位置ＣＴ１よりも表示領域ＤＡの側に照射される。接続用孔Ｖ１を形成した後に、保護フィルムＰＲにアニール処理を実施することで、図８に示すように、保護フィルムＰＲは、中心位置ＣＴ１に向かって収縮する。そのため、図９に示すように、保護フィルムＰＲは、第１方向Ｘにおいて、オーバーコート層３０に対して第２基板ＳＵＢ２の端部ＳＵＢ２Ｅの側にずれる。そのため、保護フィルムＰＲは、オーバーコート層３０に形成された貫通孔ＶＡ１の一部を覆う。また、保護フィルムＰＲが第１方向Ｘにおいて端部ＳＵＢ２Ｅの側にずれるために、オーバーコート層３０の一部は、オーバーコート層３０に形成された貫通孔ＶＡ１の周囲で保護フィルムＰＲから露出する。なお、接続用孔Ｖ１は、中心位置ＣＴ１を跨いで形成されていてもよい。例えば、接続用孔Ｖ１の一部分が、中心位置ＣＴ１に対して端部ＳＵＢ２Ｅの側に位置し、接続用孔Ｖ１の他の部分が中心位置ＣＴ１に対して表示領域ＤＡの側に位置していてもよい。つまり、レーザー光Ｌは、中心位置ＣＴ１辺りに照射されてもよい。

続いて、図１０に示すように、第１導電層Ｌ１及び第２導電層Ｌ２を電気的に接続する接続材Ｃを形成する。より具体的には、例えば真空環境下において、溶剤と混合された接続材Ｃは、第１貫通孔ＶＡ１を通して接続用孔Ｖ１に注入され、接続用孔Ｖ１を満たす。その後、上記溶剤を除去することにより、接続材Ｃの体積を減少させる。これにより、図１０や図５に示すように、接続用孔Ｖ１の内面に付着した接続材Ｃを形成することができる。図示した例では、接続材Ｃは、保護フィルムＰＲをマスクとして接続用孔Ｖ１内に注入される。接続材Ｃの端部ＣＵ１は、上に保護フィルムＰＲがあるため、保護フィルムＰＲの下面に沿って、第１方向Ｘに延出している。そのため、端部ＣＵ１は、貫通孔ＶＡ１の外側に突出せず、オーバーコート層３０の上面３０Ｂに接触していない。端部ＣＵ１は、第１領域Ａ１に接触し、且つ貫通孔ＶＡ１の中心側に突出している。また、端面ＣＵＳ１は、保護フィルムＰＲの下面に沿って形成されている。接続材Ｃの端部ＣＵ２は、上に保護フィルムＰＲがないため、貫通孔ＶＡ１の外側に突出する。端部ＣＵ２は、第１領域Ａ１と、保護フィルムＰＲから露出しているオーバーコート層３０の上面３０Ｂに接触している。端部ＣＵ２は、保護フィルムＰＲに形成された貫通孔ＶＡ１の内面ＦＰに接触して止まり、上面３０Ｂ及び第１領域Ａ１に溜まるため、第１領域Ａ１と十分な範囲で接触する。

続いて、図１１に示すように、充填材ＰＴを形成する。図示した例では、充填材ＰＴは、貫通孔ＶＡ１を通して接続用孔Ｖ１内に注入される。充填材ＰＴは、接続材Ｃに沿って貫通孔ＶＡ１の外側に突出し、端部ＣＵ２を覆い、内面ＦＰに接触して止まる。さらに、保護フィルムＰＲを剥がす。残渣１００は、保護フィルムＰＲを剥がすことで、保護フィルムＰＲとともに除去される。このとき、一例では、図５に示したように、端面ＣＵＳ１は、充填材ＰＴの下面に沿って、オーバーコート層３０の上面３０Ｂと同一平面上に形成される。その後、オーバーコート層３０の上に、接着層３１を介して第２偏光板ＰＬ２を貼り付ける。次に、第２偏光板ＰＬ２の上に接着層４０を介してカバー部材ＣＧなどを貼り付け、照明装置ＢＬなどを配置することにより、図５等に示した構造の表示装置ＤＳＰが完成する。

このような製造方法によれば、第２偏光板ＰＬ２を第２基板ＳＵＢ２の上に配置した後に、レーザー光Ｌで接続用孔Ｖ１を一括で形成する。また、接続用孔Ｖ１を形成した後に、保護フィルムＰＲをマスクとして、接続材Ｃを接続用孔Ｖ１に注入する。接続材Ｃの端部ＣＵ１は、保護フィルムＰＲの下面に沿って、第１方向Ｘに延出する。端部ＣＵ１は、第１領域Ａ１に接触する。接続材Ｃの端部ＣＵ２は、第１領域Ａ１及びオーバーコート層３０の上面３０Ｂに接触する。端部ＣＵ２は、内面ＦＰに接触して止まり、第１領域Ａ１及び上面３０Ｂに溜まるため、第１領域Ａ１と十分な範囲で接触する。そのため、接続材Ｃは、第２導電層Ｌ２に確実に接続される。また、上述のように保護フィルムＰＲをマスクとして使用することで、接続材Ｃが、表示領域ＤＡの側に広がることを抑制できる。したがって、信頼性の向上が可能な表示装置を提供することができる。
なお、各貫通孔ＶＡ１〜ＶＡ５及び凹部Ｒは、エッチングなどの他種のプロセスを適宜に利用して形成されてもよい。
以上、本実施形態にて開示した表示装置ＤＳＰ及びその製造方法によれば、既述した効果の他にも、種々の好適な効果を得ることができる。

次に、本実施形態の変形例について図１２乃至図１７を参照しながらそれぞれ説明する。以下に説明する本実施形態の変形例において、前述と同一の部分には、同一の参照符号を付しその詳細な説明を省略し、前述と異なる部分を中心に詳細に説明する。なお、変形例においても、前述と同様の効果を得ることができる。

（変形例１）
図１２は、本実施形態の変形例１に係る表示装置ＤＳＰの一部の概略的な断面図である。図１２には、主に第２基板ＳＵＢ２、第２導電層Ｌ２及びオーバーコート層３０に着目しており、第１基板ＳＵＢ１やシールＳＥ等の図示を省略している。
図１２に示した構成例では、第２導電層Ｌ２が、貫通孔ＶＡ２の周囲において、オーバーコート層３０から露出していない点で前述の実施形態と相違している。図示した例では、オーバーコート層３０は、第２導電層Ｌ２の上面の全部を覆っている。貫通孔ＶＡ１の内面Ｆ１は、貫通孔ＶＡ２の内面Ｆ２に連続的に接続されている。また、図示した例では、接続材Ｃは、第２導電層Ｌ２に内面Ｆ２だけで接触している。変形例１においても、上記同様の効果が得られる。

（変形例２）
図１３は、本実施形態の変形例２に係る第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２との接続に関する製造工程の一例を示す平面図である。図１３には、説明に必要な構成のみを示し、その他の部材の図示を省略している。
図１３に示した例では、保護フィルムＰＲが貼り付けられた領域に第１方向Ｘで離間した２つの接続用孔Ｖが形成されている点が相違している。図示した例では、一方の接続用孔Ｖは、保護フィルムＰＲの第１方向Ｘの幅Ｗｄ２の中心位置ＣＴ２より表示領域ＤＡの側に形成されている。この接続用孔Ｖは、中心位置ＣＴ２から表示領域ＤＡの側に１／４Ｗｄ２離間した位置ＰＳ１よりもさらに表示領域ＤＡの側に形成されている。もう一方の接続用孔Ｖは、幅Ｗｄ２の中心位置ＣＴ２よりも第２基板ＳＵＢ２の端部ＳＵＢ２Ｅの側に形成されている。この接続用孔Ｖは、中心位置ＣＴ２から端部ＳＵＢ２Ｅの側に１／４Ｗｄ２離間した位置ＰＳ２よりもさらに端部ＳＵＢ２Ｅの側に形成されている。例えば、図１３に示すように２つの接続用孔Ｖが形成された状態で保護フィルムＰＲにアニール処理を実施することで、保護フィルムＰＲは、中心位置ＣＴ２に向かって収縮する。その後、図９乃至図１１に示したように、２つの接続用孔Ｖに、接続材Ｃ及び充填材ＰＴがそれぞれ注入される。例えば、図１３に示した表示パネルＰＮＬは、中心位置ＣＴ２に沿って切断される。つまり、中心位置ＣＴ２に沿って切断されることで、２つの表示パネルＰＮＬが形成される。変形例２においても、上記同様の効果が得られる。

（変形例３）
図１４は、本実施形態の変形例３に係る第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ３との接続に関する製造工程の一例を示す平面図である。図１４には、説明に必要な構成のみを示し、その他の部材の図示を省略している。
図１４に示した例では、接続用孔Ｖ１が保護フィルムＰＲの幅Ｗｄ１の中心位置ＣＴ１に対して第２基板ＳＵＢ２の端部ＳＵＢ２Ｅの側に形成されている点が相違している。図１４に示すように、平面視した場合、接続用孔Ｖ１は、保護フィルムＰＲの幅Ｗｄ１の中心位置ＣＴ１に対して端部ＳＵＢ２Ｅの側に形成されている。つまり、レーザー光Ｌは、保護フィルムＰＲの幅Ｗｄ１の中心位置ＣＴ１よりも表示領域ＤＡの側に照射される。接続用孔Ｖ１を形成した後に、保護フィルムＰＲをアニール処理することで、図１４に示すように、保護フィルムＰＲは、中心位置ＣＴ１に向かって収縮する。その後、接続用孔Ｖ１に、接続材Ｃ及び充填材ＰＴが注入される。このような製造方法により製造された表示装置ＤＳＰでは、図１５に示すように、接続材Ｃの端部ＣＵ１は、貫通孔ＶＡ１の外側に突出している。端部ＣＵ１は、第１領域Ａ１に接触し、貫通孔ＶＡ１の内面Ｆ１に接触している。端部ＣＵ１は、第１領域Ａ１に十分な範囲で接触している。また、端部ＣＵ１は、上面３０Ｂに接触している。端部ＣＵ１は、上面３０Ｂにおいて、表示領域ＤＡの側に延出している。端部ＣＵ２は、貫通孔ＶＡ１の外側に突出していない。端部ＣＵ２は、第１方向Ｘにおいて貫通孔ＶＡ１の中心側に突出している。図１５に示した例では、端部ＣＵ２は、第１方向Ｘにおいて、表示領域ＤＡの側に突出している。端部ＣＵ２は、第１領域Ａ１に接触し、貫通孔ＶＡ１の内面Ｆ１に接触している。また、端部ＣＵ２は、第３方向Ｚにおいて、端面ＣＵＳ２を有している。端面ＣＵＳ２は、オーバーコート層３０の上面３０Ｂに連続している。例えば、端面ＣＵＳ２は、上面３０Ｂと同一平面上に形成されている。変形例３においても、上記同様の効果が得られる。

（変形例４）
図１６は、本実施形態の変形例４に係る表示装置ＤＳＰの一部の概略的な断面図である。ここでは、図５に示した第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２が備える各要素、照明装置ＢＬ、及び第１偏光板ＰＬ１の図示を適宜省略している。
図１６に示した構成例は、第３導電層Ｌ３を備えている点が相違している。図示した例では、第３導電層Ｌ３は、第２絶縁層１２の上に位置している。換言すると、第３導電層Ｌ３は、絶縁層ＩＬに覆われている。また、第２絶縁層１２は、第１導電層Ｌ１まで貫通するコンタクトホールＣＨを有している。第３導電層Ｌ３は、第１導電層Ｌ１と電気的に接続されている。例えば、第３導電層Ｌ３は、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウムなどの金属材料によって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。
図示した例では、貫通孔ＶＡ４は、絶縁層ＩＬを構成する各層、及び第３導電層Ｌ３を貫通している。接続材Ｃは、貫通孔ＶＡ４において、第３導電層Ｌ３に接触している。
変形例４においても、上記同様の効果が得られる。さらに、接続材Ｃと接触する第３導電層Ｌ３の分だけ接触面積を拡大することができる。

（変形例５）
図１７は、本実施形態の変形例５に係る表示装置ＤＳＰの一部の概略的な断面図である。ここでは、説明に必要な構成のみを示している。
図１７に示した構成例は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置ＤＳＰである点が相違している。図示した例では、第１基板ＳＵＢ１は、第１基体１０、第２絶縁層１２、反射層４、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ、リブ１５、封止層１６等を備えている。第１基体１０は、有機絶縁材料を用いて形成され、例えば、ポリイミドを用いて形成される。反射層４は、第２絶縁層１２の上に形成されている。反射層４は、アルミニウムや銀等の光反射率が高い金属材料で形成される。なお、反射層４の表面は、平坦面であってもよいし、光散乱性を付与するための凹凸面であってもよい。図示していないが、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、スイッチング素子に電気的に接続されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、反射層４の上に画素電極ＰＥを備えている。図示していないが、画素電極ＰＥは、スイッチング素子のドレイン電極ＷＤと接触し、スイッチング素子と電気的に接続されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、さらに有機発光層ＯＲＧ及び共通電極ＣＥを備えている。図示した例では、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥのうち、一方が陽極であり、他方が陰極である。有機発光層ＯＲＧは、画素電極ＰＥの上に位置している。共通電極ＣＥは、有機発光層ＯＲＧの上に位置している。ここでは、共通電極ＣＥは、例えば、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電材料によって形成されている。リブ１５は、絶縁層１２の上、且つ有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとシールＳＥとの間に位置している。封止層１６は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの上を覆っている。図示した例では、封止層１６は、第２基板ＳＵＢ２の第２基体２０とシールＳＥとの間にも位置している。封止層１６は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへの酸素や水分の侵入を抑制し、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化を抑制する。例えば、封止層１６は、無機膜と有機膜の積層体から構成されていてもよい。なお、封止層１６は、第２基体２０とシールＳＥとの間に位置していなくともよい。例えば、基体２０の下面２０ＡにシールＳＥが接触していてもよい。また、第２絶縁層１２と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとの間には、他の各種絶縁層や各種導電層が配置されていてもよい。図示した例において、第２絶縁層１２、シールＳＥ、及び封止層１６は、絶縁層ＩＬを構成する。なお、絶縁層ＩＬは、他の各種絶縁層や各種導電層をさらに含んでいてもよいし、第２絶縁層１２及び封止層１６の少なくとも１つを含まなくともよい。

第２基体ＳＵＢ２は、第２基体２０等を備えている。なお、第２基体ＳＵＢ２は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに対向する位置にカラーフィルタ２２を備えていてもよい。また、第２基体２０は、有機絶縁材料を用いて形成され、例えば、ポリイミドを用いて形成されていてもよい。また、第２基体ＳＵＢ２は、第２基体２０の下面２０Ａ側に他の各種絶縁層や各種導電層を備えていてもよい。
変形例５においても、上記同様の効果が得られる。

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
各実施形態では、接続用孔Ｖ１の内面に接続材が形成され、接続材の内側に充填材が充填されるとしたが、接続用孔Ｖ１の内部が接続材で満たされてもよい。
各実施形態では、接続用孔Ｖ１が第１基体１０の凹部を有するとしたが、接続用孔Ｖ１は、凹部を有さなくてもよい。また、接続用孔Ｖ１は第１導電層Ｌ１を貫通する貫通孔ＶＡ６を有さなくてもよい。
本明細書にて開示した構成から得られる表示装置の一例を以下に付記する。
（１）
第１導電層を含む第１基板と、
前記第１基板と対向する第１下面と、前記第１下面の反対側の第１上面とを有する基体を含む第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置された表示機能層と、
前記第１上面に対向する第２下面と、前記第２下面の反対側の第２上面とを有する第２導電層と、
前記第２上面に対向する第３下面と、前記第３下面の反対側の第３上面とを有する保護層と、
前記第２導電層に接触している第１端部と、前記第２導電層及び前記第３上面に接触している第２端部とを有する接続材と、を備え、
前記保護層は、第１貫通孔を有し、
前記第２導電層は、前記第１貫通孔に繋がる第２貫通孔を有し、
前記基体は、前記第２貫通孔に繋がる第３貫通孔を有し、
前記接続材は、前記第１貫通孔、前記第２貫通孔、及び前記第３貫通孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続している、表示装置。
（２）
画像を表示する表示領域と、前記表示領域を囲む非表示領域とを有し、
前記第２端部は、前記非表示領域に位置し、前記表示領域と反対側に延出している、（１）に記載の表示装置。
（３）
前記第１端部は、前記第１貫通孔の中心側に突出している、（１）又は（２）のいずれか１項に記載の表示装置。
（４）
前記第１端部は、前記第３上面に接触していない、（１）乃至（３）のいずれか１に記載の表示装置。
（５）
前記保護層は、前記第２導電層の前記第２上面に接触し、
前記第２上面は、前記第２貫通孔の周囲において、前記保護層から露出している第１領域を有し、
前記第１端部及び前記第２端部は、前記第１領域に接触している、（１）乃至（６）のいずれか１に記載の表示装置。
（６）
前記第１端部は、前記第３上面と同一平面上に位置する端面を有している、（１）乃至（７）のいずれか１に記載の表示装置。
（７）
前記第２端部を覆っている充填材をさらに備える、（１）乃至（６）のいずれか１項に記載の表示装置。
（８）
前記第１導電層と前記基体との間に配置された絶縁層をさらに備え、
前記絶縁層は、前記第３貫通孔に繋がる第４貫通孔を有し、
前記接続材は、前記第４貫通孔を通って、前記第１導電層及び前記第２導電層に接触している、（１）乃至（７）のいずれか１に記載の表示装置。
（９）
第１導電層を含む第１基板と、
前記第１基板と対向する第１下面と、前記第１下面の反対側の第１上面とを有する基体を含む第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置された表示機能層と、
前記第１上面に対向する第２下面と、前記第２下面の反対側の第２上面とを有する第２導電層と、
前記第２上面に対向する第３下面と、前記第３下面の反対側の第３上面とを有する保護層と、
前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続材と、を備え、
前記保護層は、第１貫通孔を有し、
前記第２導電層は、前記第１貫通孔に繋がる第２貫通孔を有し、
前記基体は、前記第２貫通孔に繋がる第３貫通孔を有し、
前記接続材は、前記第１貫通孔の外側に突出していない第１端部と、前記第１貫通孔の外側に突出している第２端部とを有している、表示装置。
（１０）
前記接続材は、前記第１貫通孔、前記第２貫通孔、前記第３貫通孔を通って前記第１導電層と前記第２導電層とを接続している、（９）に記載の表示装置。
（１１）
前記第１端部は、前記第２導電層に接触し、
前記第２端部は、前記第２導電層と前記第３上面とに接触している、（９）又は（１０）に記載の表示装置。
（１２）
画像を表示する表示領域と、前記表示領域に隣接する非表示領域を有し、第１導電層を含む第１基板と、前記第１基板と対向する第１下面と前記第１下面と反対側の第１上面とを有する基体を含む第２基板と、前記第１上面に対向する第２下面と前記第２下面の反対側の第２上面とを有する第２導電層と、前記第２上面に対向する第３下面と前記第３下面の反対側の第３上面とを有する保護層と、前記第３上面に接着されている保護フィルムとを備え、前記基体が前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した、表示パネルを用意し、
前記保護フィルムにレーザー光を照射し、
前記保護フィルム及び前記保護層を貫通する第１貫通孔を形成し、
前記第１貫通孔に対向する位置の前記第２導電層を貫通する第２貫通孔を形成し、
前記第２貫通孔に対向する位置の前記基体を貫通する第３貫通孔を形成し、
前記保護フィルムにアニール処理を施し、
前記第１貫通孔を通して接続材を注入して前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続材を形成する、表示装置の製造方法。
（１３）
第１方向の幅の中心位置よりも前記表示領域の側の前記保護フィルムに前記レーザー光を照射する、（１２）に記載の表示装置の製造方法。
（１４）
第１方向の幅の中心位置よりも前記表示領域と反対側の前記保護フィルムに前記レーザー光を照射する、（１２）に記載の表示装置の製造方法。
（１５）
前記第１貫通孔を通して充填材を注入し、
前記充填材を注入した後に前記保護フィルムを剥がす、（１３）乃至（１４）のいずれか１に記載の表示装置の製造方法。

ＤＳＰ…表示装置、ＳＵＢ１…第１基板、ＳＵＢ２…第２基板、１０…第１基体、２０…第２基体、ＰＬ１…第１偏光板、ＰＬ２…第２偏光板、ＤＡ…表示領域、ＮＤＡ…非表示領域、ＬＣ…液晶層、ＣＧ…カバー部材、ＢＬ…照明装置、Ｌ１…第１導電層、Ｌ２…第２導電層、Ｖ１…接続用孔、ＶＡ１〜ＶＡ５…貫通孔、Ｒ…凹部、Ａ１…第１領域、Ａ２…第２領域、Ｃ…接続材、ＰＴ…充填材。

Claims (15)

1. 第１導電層を含む第１基板と、
   前記第１基板と対向する第１下面と、前記第１下面の反対側の第１上面とを有する基体を含む第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に配置された表示機能層と、
   前記第１上面に対向する第２下面と、前記第２下面の反対側の第２上面とを有する第２導電層と、
   前記第２上面に対向する第３下面と、前記第３下面の反対側の第３上面とを有する保護層と、
   前記第２導電層に接触している第１端部と、前記第２導電層及び前記第３上面に接触している第２端部とを有する接続材と、を備え、
   前記保護層は、第１貫通孔を有し、
   前記第２導電層は、前記第１貫通孔に繋がる第２貫通孔を有し、
   前記基体は、前記第２貫通孔に繋がる第３貫通孔を有し、
   前記接続材は、前記第１貫通孔、前記第２貫通孔、及び前記第３貫通孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続している、表示装置。
2. 画像を表示する表示領域と、前記表示領域を囲む非表示領域とを有し、
   前記第２端部は、前記非表示領域に位置し、前記表示領域と反対側に延出している、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１端部は、前記第１貫通孔の中心側に突出している、請求項１又は２のいずれか１項に記載の表示装置。
4. 前記第１端部は、前記第３上面に接触していない、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置。
5. 前記保護層は、前記第２導電層の前記第２上面に接触し、
   前記第２上面は、前記第２貫通孔の周囲において、前記保護層から露出している第１領域を有し、
   前記第１端部及び前記第２端部は、前記第１領域に接触している、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の表示装置。
6. 前記第１端部は、前記第３上面と同一平面上に位置する端面を有している、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 前記第２端部を覆っている充填材をさらに備える、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の表示装置。
8. 前記第１導電層と前記基体との間に配置された絶縁層をさらに備え、
   前記絶縁層は、前記第３貫通孔に繋がる第４貫通孔を有し、
   前記接続材は、前記第４貫通孔を通って、前記第１導電層及び前記第２導電層に接触している、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の表示装置。
9. 第１導電層を含む第１基板と、
   前記第１基板と対向する第１下面と、前記第１下面の反対側の第１上面とを有する基体を含む第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に配置された表示機能層と、
   前記第１上面に対向する第２下面と、前記第２下面の反対側の第２上面とを有する第２導電層と、
   前記第２上面に対向する第３下面と、前記第３下面の反対側の第３上面とを有する保護層と、
   前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続材と、を備え、
   前記保護層は、第１貫通孔を有し、
   前記第２導電層は、前記第１貫通孔に繋がる第２貫通孔を有し、
   前記基体は、前記第２貫通孔に繋がる第３貫通孔を有し、
   前記接続材は、前記第１貫通孔の外側に突出していない第１端部と、前記第１貫通孔の外側に突出している第２端部とを有している、表示装置。
10. 前記接続材は、前記第１貫通孔、前記第２貫通孔、前記第３貫通孔を通って前記第１導電層と前記第２導電層とを接続している、請求項９に記載の表示装置。
11. 前記第１端部は、前記第２導電層に接触し、
    前記第２端部は、前記第２導電層と前記第３上面とに接触している、請求項９又は１０に記載の表示装置。
12. 画像を表示する表示領域と、前記表示領域に隣接する非表示領域を有し、第１導電層を含む第１基板と、前記第１基板と対向する第１下面と前記第１下面と反対側の第１上面とを有する基体を含む第２基板と、前記第１上面に対向する第２下面と前記第２下面の反対側の第２上面とを有する第２導電層と、前記第２上面に対向する第３下面と前記第３下面の反対側の第３上面とを有する保護層と、前記第３上面に接着されている保護フィルムとを備え、前記基体が前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した、表示パネルを用意し、
    前記保護フィルムにレーザー光を照射し、
    前記保護フィルム及び前記保護層を貫通する第１貫通孔を形成し、
    前記第１貫通孔に対向する位置の前記第２導電層を貫通する第２貫通孔を形成し、
    前記第２貫通孔に対向する位置の前記基体を貫通する第３貫通孔を形成し、
    前記保護フィルムにアニール処理を施し、
    前記第１貫通孔を通して接続材を注入して前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続材を形成する、表示装置の製造方法。
13. 第１方向の幅の中心位置よりも前記表示領域の側の前記保護フィルムに前記レーザー光を照射する、請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
14. 第１方向の幅の中心位置よりも前記表示領域と反対側の前記保護フィルムに前記レーザー光を照射する、請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
15. 前記第１貫通孔を通して充填材を注入し、
    前記充填材を注入した後に前記保護フィルムを剥がす、請求項１３乃至１４のいずれか１に記載の表示装置の製造方法。

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