JP2017510988A - 半導体デバイスを試験する方法、製造する方法、デバイスインターフェース基板及び試験システム - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (29)
- 半導体デバイスを試験する方法であって、
前記半導体デバイスのパッドを、複数の第1のニードル及び少なくとも1つの第2のニードルを含む複数のプローブニードルに接触させることと、
前記複数の第1のニードルを通る電流を供給することと、
前記少なくとも1つの第2のニードルにおいて電圧の測定をすることと
を含み、
前記電流を供給することは、前記複数の第1のニードルを通る電流を所定の関係に調整することを含む方法。 - 前記電流を調整することは、電流分割器において、前記複数の第1のニードルのそれぞれを通るように供給される電流を生成することを含む、請求項1の方法。
- 電流分割器において、前記複数の第1のニードルのそれぞれを通るように供給される電流を生成することは、複数の回路のそれぞれへの制御電圧を生成することを含む、請求項2の方法。
- 前記複数の第1のニードルのそれぞれを通るように供給される電流を生成することは、
0アンペア〜7アンペアの範囲の電流を前記複数のニードルのそれぞれに供給することと、
40アンペア〜60アンペアの範囲の総電流を前記複数のニードルに供給することと
を含む、請求項2の方法。 - 前記測定がされた電圧に基づいて、前記半導体デバイスのオン抵抗の計算をすることを更に含む、請求項1の方法。
- 請求項5の試験の方法を組み込んだ、半導体デバイスを製造する方法であって、
請求項1の方法により、前記半導体デバイスを試験することと、
前記計算がされたオン抵抗に基づいて、前記製造における少なくとも1つの後続ステップを選択することと
を含む方法。 - 前記複数の第1のニードルのニードルと前記半導体デバイスとの間の接触抵抗を検知することと、
検知された接触抵抗が閾値を超える場合、アラームを生成することと
を更に含む、請求項1の方法。 - 前記オン抵抗は5ミリオーム未満である、請求項1の方法。
- 前記半導体デバイスは電力FETである、請求項1の方法。
- 前記少なくとも1つの第2のニードルは、複数の第2のニードルを含み、
前記複数の第2のニードルのそれぞれの先端は、前記複数の第1のニードルの1つのニードルの先端に隣接して位置決めされる、請求項1の方法。 - 電圧を測定することは、前記複数の第2のニードルが接続されたノードにおける複合電圧を測定することを含む、請求項10の方法。
- 前記半導体デバイスは、ウェーハ上の半導体デバイスであり、
前記ウェーハはチャックに取り付けられ、
電流を供給することは、前記第1のニードルと前記チャックとの間に電流を誘導することを含む、請求項1の方法。 - 前記電流を調整することは、前記複数の第1のニードルのそれぞれに供給される電流を等化することを更に含む、請求項1の方法。
- 前記電流を等化することは、前記複数の第1のニードルのそれぞれに供給される電流を生成するべく前記電流を分割することを更に含む、請求項13の方法。
- 総電流フローの検知をすることを更に含み、
前記検知がされた総電流フローは、検知された総電流に基づいて複数の電流調整器への制御信号を調整するべく使用される、請求項1の方法。 - 高電流デバイスを試験する試験システムに接続するように構成されるデバイスインターフェース基板であって、
プローブカードに接続するように位置決めされる複数の接続点であって、複数の第1の接続点及び少なくとも1つの第2の接続点を含む複数の接続点と、
前記複数の第1の接続点に結合された複数の出力部を含む電流調整器であって、前記複数の第1の接続点のそれぞれを通る電流フローを調整するように構成される電流調整器と、
前記少なくとも1つの第2の接続点を試験システム上の測定点に結合するように位置決めされる導電路と
を含むデバイスインターフェース基板。 - 前記複数の第1の接続点のうちの1つの接続点に結合されたプローブニードルの接触抵抗が閾値を超える場合、アラームを出力するアラーム回路を更に含む、請求項16のデバイスインターフェース基板。
- 前記少なくとも1つの第2の接続点は、複数の第2の接続点を含み、
前記デバイスインターフェース基板は、前記複数の第2の接続点に接続する導電要素を含む、請求項16のデバイスインターフェース基板。 - 前記電流調整器は、±1%の許容差で前記複数の第1の接続点のそれぞれを通る電流を調整するように構成される、請求項16のデバイスインターフェース基板。
- 前記電流調整器は、0アンペア〜7アンペアの範囲内で前記複数の第1の接続点のそれぞれを通る電流を調整するように構成される、請求項19のデバイスインターフェース基板。
- 電流制御ループを更に含み、
前記制御ループは、総電流を所望の総電流の指示と比較することに応答して、前記複数の第1の接続点のそれぞれを通る電流を比例して調整するように構成される、請求項16のデバイスインターフェース基板。 - 半導体デバイスを試験する試験システムであって、
前記半導体デバイスはパッドを含み、
前記試験システムは、
前記パッドに接触するように位置決めされた先端を含む複数のニードルであって、複数の第1のニードルと、少なくとも1つの第2のニードルとを含む複数のニードルを含むプローブカードと、
前記複数の第1のニードルに結合される少なくとも1つの電流調整器であって、前記複数の第1のニードルを通る電流を等化するように構成される少なくとも1つの電流調整器と、
前記少なくとも1つの第2のニードルに結合される少なくとも1つの電圧検知回路と
を含む試験システム。 - チャックと、
前記少なくとも1つの電圧検知回路によって検知される電圧を示す値を受信し、前記検知される電圧に基づいて、前記半導体デバイスのオン抵抗を計算するように結合されるプロセッサと
を更に含み、
前記電圧は、前記パッドと前記チャックとの間において検知される、請求項22の試験システム。 - 前記チャックは、前記複数のニードルと接触するように前記半導体デバイスを含むウェーハを位置決めするように構成され、
前記チャックは、前記ウェーハを受ける表面を含み、
前記表面は金めっきを含む、請求項23の試験システム。 - 前記少なくとも1つの電流調整器は、10アンペアを超える前記複数の第1のニードルを通る総電流を生成するように構成される、請求項22の試験システム。
- 前記少なくとも1つの電流調整器は、±2%未満だけ異なる前記複数の第1のニードルのそれぞれを通る電流を生成するように構成される、請求項25の試験システム。
- 前記第1の複数のニードルは力ニードルを含み、
前記少なくとも1つの第2のニードルは検知ニードルを含む、請求項22の試験システム。 - 前記少なくとも1つの第2のニードルは、複数の第2のニードルを含み、
前記複数の第2のニードルは、前記少なくとも1つの電圧検知回路の1つの電圧検知回路に接続される、請求項22の試験システム。 - 前記複数の第1のニードルは、先端が前記少なくとも1つの第2のニードルの1つのニードルの最近傍先端から等抵抗となるように位置決めされる、請求項22の試験システム。
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