JP6588921B2 - 半導体デバイスを試験する方法、製造する方法、プローブカード及び試験システム - Google Patents
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- 半導体デバイスを試験する方法であって、
前記半導体デバイスの第1のパッドを、複数の第1のニードル及び少なくとも1つの第2のニードルを含む複数のプローブニードルに接触させることと、
前記複数の第1のニードルを通る電流を与えることと、
前記少なくとも1つの第2のニードルにおいて電圧の測定をすることと
を含み、
前記複数の第1のニードルは先端を含み、
前記複数の第1のニードルの先端は、前記複数の第1のニードルの先端と前記少なくとも1つの第2のニードルの1つのニードルの最近傍先端部との間に等抵抗経路を与えるように位置決めされ、
前記半導体デバイスは、ウェーハ上の半導体デバイスであり、
前記ウェーハはチャックに取り付けられ、
電流を与えることは、前記複数の第1のニードルと前記チャックとの間に電流を誘導することを含む方法。 - 電圧の測定をすることは、前記チャックと前記少なくとも1つの第2のニードルとの電圧差を測定することを含む、請求項1の方法。
- 半導体デバイスを試験する方法であって、
前記半導体デバイスの第1のパッドを、複数の第1のニードル及び少なくとも1つの第2のニードルを含む複数のプローブニードルに接触させることと、
前記複数の第1のニードルを通る電流を与えることと、
前記少なくとも1つの第2のニードルにおいて電圧の測定をすることと
を含み、
前記複数の第1のニードルは先端を含み、
前記複数の第1のニードルの先端は、前記複数の第1のニードルの先端と前記少なくとも1つの第2のニードルの1つのニードルの最近傍先端部との間に等抵抗経路を与えるように位置決めされ、
前記半導体デバイスは、ウェーハ上の第1の半導体デバイスであり、
前記ウェーハは、前記第1の半導体デバイスに隣接して少なくとも1つの第2の半導体デバイスを含み、
前記少なくとも1つの第2の半導体デバイスのそれぞれは、第2のパッドを含み、
電圧の測定をすることは、
前記少なくとも1つの第2の半導体デバイスにバイアスをかけることと、
前記少なくとも1つの第2の半導体デバイスの前記第2のパッドを第2のノードに接続することと、
前記第2のノードと前記少なくとも1つの第2のニードルとの電圧差を測定することと
を含む方法。 - 半導体デバイスを試験する試験システムであって、
前記半導体デバイスはパッドを含み、
前記試験システムは、
前記パッドに接触するように位置決めされる先端部を含む複数のニードルであって複数の第1のニードル及び少なくとも1つの第2のニードルを含むプローブカードと、
前記複数の第1のニードルに結合される少なくとも1つの電流源と、
前記少なくとも1つの第2のニードルに結合される少なくとも1つの電圧検知回路と、
チャックと、
前記少なくとも1つの電圧検知回路によって検知される電圧を示す値を受信し、前記検知される電圧に基づいて、前記半導体デバイスのオン抵抗を計算するように結合されるプロセッサと
を含み、
前記複数の第1のニードルは、先端が前記少なくとも1つの第2のニードルの1つのニードルの最近傍先端から等距離となるように位置決めされ、
前記電圧は、前記パッドと前記チャックとの間において検知される試験システム。 - 前記複数の第1のニードルは、力ニードルを含み、
前記少なくとも1つの第2のニードルは、検知ニードルを含む、請求項4の試験システム。 - 前記少なくとも1つの第2のニードルは、複数の第2のニードルを含み、
前記複数の第2のニードルは、前記少なくとも1つの電圧検知回路の1つの電圧検知回路に接続される、請求項4の試験システム。 - 前記複数の第2のニードルは、等値抵抗を介して前記1つの電圧検知回路に接続される、請求項6の試験システム。
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