JP2017127097A - 制御装置一体型回転電機 - Google Patents

Abstract

【課題】電食による信頼性の低下が抑えられた制御装置を備えた制御装置一体型回転電機を提供すること。
【解決手段】本発明の制御装置一体型回転電機１は、回転子１０２、固定子１０１、ハウジング１００を備えた回転電機１０と、複数のスイッチング素子モジュール１１０Ａ，１１１Ａ，１１２Ａを備えた制御装置１１と、を備える制御装置一体型回転電機１において、スイッチング素子モジュールに、対向する表面に絶縁被膜を有する放熱フィン１１０Ｂ，１１１Ｂ，１１２Ｂが接合している。本発明の制御装置一体型回転電機１は、対向面に絶縁被膜を有する放熱フィンを持つことで、放熱フィンが電気的に絶縁することとなり、放熱フィンとヒートシンクとの間での電食が抑えられる。
【選択図】図２

Description

本発明は、制御装置一体型回転電機に関する。

従来、車両用回転電機として、回転電機と制御装置を備えた制御装置一体型回転電機が使用されている。制御装置一体型回転電機は、例えば、特許文献１に開示されているものがある。

特許文献１には、冷却フィン（ヒートシンク）が絶縁部材を介してパワーモジュールに固着してなるパワーモジュール構成体を有する制御装置が記載されている。なお、特許文献１では、冷却フィンがヒートシンクと一体に形成されている。この制御装置の冷却フィンは、絶縁部材を介したことで、電位を持たない。このため、冷却フィンに電食の心配がなくなる。

特許第５７７４２０７号公報

しかしながら、従来の制御装置では、パワーモジュールと冷却フィンを接着し、その周りに樹脂を充填した構成である。この構成では、製造時に微小な導電性の異物が接着部に入りパス経路を作った場合や、接着部にボイドが発生し水蒸気が入り込みリーク経路を作った場合には、放熱フィンが電位を持つことになる。そうすると、通常回転電機のハウジングはバッテリと接続しており、冷却フィンがハウジングと異なる電位を持つことになる。つまり、従来の制御装置でも、冷却フィンに電食の可能性があった。
本発明は上記実情に鑑みてなされたものであり、電食による信頼性の低下が抑えられた制御装置を備えた制御装置一体型回転電機を提供することを課題とする。

上記課題を解決するために本発明者は制御装置一体型回転電機の構成について検討を重ねた結果、本発明を完成した。

本発明の制御装置一体型回転電機は、回転子巻線への通電によって磁極が形成される回転子と、回転子と対向配置された固定子と、回転子と固定子とを保持するハウジングと、を備えた回転電機と、複数のスイッチング素子を備え、回転電機に交流を供給するインバータ回路、及び、回転電機から供給される交流を整流する整流回路を構成する複数のスイッチング素子モジュールを備えた制御装置と、を備える制御装置一体型回転電機において、スイッチング素子モジュールは、スイッチング素子モジュールに対向する表面に絶縁被膜を有する放熱フィンが接合している。

本発明の制御装置一体型回転電機は、制御装置が放熱フィンを備えている。そして、放熱フィンは、スイッチング素子モジュールと対向する対向面に絶縁被膜を有する。この構成によると、放熱フィンが電気的に絶縁することとなる。つまり、放熱フィンとスイッチング素子モジュールとの間での電位差が生じなくなり、電食が抑えられる。

実施形態の制御装置一体型回転電機の軸方向断面図である。 実施形態の制御装置一体型回転電機を、制御装置側から見た正面図である。 電源端子一体型パワーアセンブリの構成を示す正面図である。 実施形態の制御装置一体型回転電機の回路図である。 パワーモジュールと放熱フィンの構成を示す斜視図である。 電源端子一体型パワーアセンブリの構成を示す構成図である。 放熱フィンの取り付け構造を示す図である。 パワーアセンブリのパワーモジュールとバスバーアセンブリとの接続構造を模式的に示す断面図である。 別のパワーアセンブリの構成を示す正面図である。 別のパワーアセンブリの構成を示す正面図である。 変形形態のパワーアセンブリのパワーモジュールとバスバーアセンブリとの接続構造を模式的に示す断面図である。

［実施形態］
以下、実施形態を用いて、本発明をより詳しく説明する。本実施形態では、本発明の制御装置一体型回転電機を、車両に搭載される車両用回転電機に適用した形態で示す。
図１〜図１０を参照して本形態の制御装置一体型回転電機の構成について説明する。本形態の制御装置一体型回転電機１の構成を図１に断面図で示す。

本形態の制御装置一体型回転電機１は、車両に搭載され、バッテリから電力が供給されることで、車両を駆動するための駆動力を発生する装置である。また、車両のエンジンから駆動力が供給されることで、バッテリを充電するための電力を発生する装置でもある。制御装置一体型回転電機１は、回転電機１０と、制御装置１１と、を備えている。

（回転電機）
回転電機１０は、電力が供給されることで、車両を駆動するための駆動力を発生する機器である。また、エンジンから駆動力が供給されることで、バッテリを充電するための電力を発生する機器でもある。回転電機１０は、ハウジング１００と、固定子１０１と、回転子１０２と、スリップリング１０３と、ブラシ１０４とを備えている。

ハウジング１００は、固定子１０１及び回転子１０２を対向配置した状態で収容するとともに、回転子１０２を回転可能に支持する部材である。また、制御装置１１が固定される部材でもある。ハウジング１００は、フロントハウジング１００Ａと、リアハウジング１００Ｂと、から構成される。

固定子１０１は、磁路の一部を構成するとともに、電流が流れることで回転磁界を発生する部材である。また、磁路の一部を構成するとともに、後述する回転子１０２の発生する磁束と鎖交することで交流を発生する部材でもある。固定子１０１は、固定子コア１０１Ａと、固定子巻線１０１Ｂとを備えている。

回転子１０２は、磁路の一部を構成するとともに、電流が流れることで磁極を形成する部材である。回転子１０２は、回転軸１０２Ａと、回転子コア１０２Ｂと、回転子巻線１０２Ｃとを備えている。

スリップリング１０３及びブラシ１０４は、回転子巻線１０２Ｃに直流を供給する部材である。スリップリング１０３は、絶縁部材を介して回転軸１０２Ａの外周面に固定されている。ブラシ１０４は、バネ１０４Ａによって回転軸１０２Ａ側に押圧され、端面をスリップリング１０３の外周面に接触させた状態でブラシホルダに保持されている。

（制御装置）
制御装置１１は、回転電機１０に駆動力を発生させるために、バッテリから回転電機１０に供給される電力を制御する装置である。また、バッテリを充電するために、回転電機１０の発生した電力を変換してバッテリに供給する装置でもある。回転電機１０に交流を供給するインバータ回路と、回転電機１０から供給される交流を整流する整流回路を備えた装置である。図２に示すように、制御装置１１は、電源端子一体側パワーアセンブリ１１０と、パワーアセンブリ１１１，１１２と、レギュレータ１１３と、図示しないカバーとを備えている。なお、制御装置１１は制御部に相当し、パワーアセンブリ１１０，１１１，１１２はスイッチング素子モジュールに相当する。

（電源端子一体型パワーアセンブリ）
電源端子一体型パワーアセンブリ１１０は、インバータ回路及び整流回路を構成する部品の集合体である。図３に示すように、電源端子一体型パワーアセンブリ１１０は、パワーモジュール１１０Ａと、放熱フィン１１０Ｂと、電源端子一体型バスバーアセンブリ１１０Ｃとを備えている。

パワーモジュール１１０Ａは、図４に示すように、インバータ回路及び整流回路を構成する４つのスイッチング素子（ＭＯＳＦＥＴ１１０Ｄ〜１１０Ｇ）を有するスイッチング素子モジュールである。パワーモジュール１１０Ａは、ＭＯＳＦＥＴ１１０Ｄ〜１１０Ｇのそれぞれを制御する演算手段としてＩＣ１１０Ｈを有する。ＭＯＳＦＥＴ１１０Ｄ、１１０Ｅ及びＭＯＳＦＥＴ１１０Ｆ、１１０Ｇは、それぞれ直列接続されている。ＭＯＳＦＥＴ１１０Ｄ、１１０ＦのソースがＭＯＳＦＥＴ１１０Ｅ、１１０Ｇのドレインにそれぞれ接続されている。直列接続した２つのＭＯＳＦＥＴ１１０Ｄ、１１０Ｅのうち、バッテリＢ１の正極側に接続するＭＯＳＦＥＴ１１０Ｄは高電位側スイッチング素子にあたり、ＭＯＳＦＥＴ１１０Ｅは低電位側スイッチング素子にあたる。

図４に示すように、パワーモジュール１１０ＡのＭＯＳＦＥＴ１１０Ｄ〜１１０Ｇと、パワーモジュール１１１ＡのＭＯＳＦＥＴ１１１Ｄ〜１１１Ｅと、で１組の３相電機巻線１０１Ｃの各相に接続されている。つまり、２つのパワーモジュール１１０Ａ，１１１Ａで３相電機巻線１０１Ｃを制御する。パワーモジュール１１０Ａの直列接続したＭＯＳＦＥＴ１１０Ｄ〜１１０Ｅが、３相電機巻線１０１Ｃの１相に接続される。ＭＯＳＦＥＴ１１０Ｆ〜１１０Ｇが、３相電機巻線１０１Ｃの別の１相に接続される。パワーモジュール１１１Ａの直列接続したＭＯＳＦＥＴ１１１Ｄ〜１１１Ｅが、３相電機巻線１０１Ｃの残りの１相に接続される。すなわち、パワーモジュール１１０Ａは、３相電機巻線１０１Ｃの２相に接続され、パワーモジュール１１１Ａが３相電機巻線１０１Ｃの残りの１相に接続されている。

パワーモジュール１１０Ａは、図４〜図５に示すように、ＭＯＳＦＥＴ１１０Ｄと１１０Ｆが同一の基板部１１０Ｉに、ＭＯＳＦＥＴ１１０Ｅが基板部１１０Ｊに、ＭＯＳＦＥＴ１１０Ｇが基板部１１０Ｌに、それぞれ設けられている。ＩＣ１１０Ｈが設けられるとともにＭＯＳＦＥＴ１１０Ｅ及び１１０Ｇに接続する基板部１１０Ｋと、ＩＣ１１０Ｈの制御信号が流れる端子部１１０Ｍと、を有する。パワーモジュール１１０Ａは、ＭＯＳＦＥＴ１１０Ｄ〜１１０Ｇ及びＩＣ１１０Ｈを樹脂モールドしている。ＭＯＳＦＥＴ１１０Ｄ〜１１０Ｇが設置する基板部１１０Ｉ〜１１０Ｍは、導電性の金属板よりなる。

なお、図５は、放熱フィン１１０Ｂが接続したパワーモジュール１１０Ａを、パワーモジュール１１０Ａの表面１１０Ａａ側から見た斜視図である。図６は、パワーモジュール１１０Ａの各要素の実装構成を示す構成図であり、破線が樹脂モールドを示す。図６では、各基板部１１０Ｉ〜１１０Ｍのそれぞれを平面状に展開して示している。図６の基板部１１０Ｉ〜１１０Ｍは、図中の樹脂モールドの外部の一点破線で紙面垂直方向（紙面の手前方向）に折り曲げられる。図６に示したように、基板部１１０Ｉ〜１１０Ｍは、パワーモジュール１１０Ａと外部回路を接続する端子としても機能する。基板部１１０ＩはバッテリＢ１の正極と接続するバッテリ側端子に、基板部１１０Ｊ，１１０Ｌは回転電機１０と接続するモータ側端子に、基板部１１０ＫはバッテリＢ１の負極と接続する低電位側端子に、それぞれ相当する。

基板部１１０Ｉは、ＭＯＳＦＥＴ１１０Ｄ及び１１０Ｆのドレインが接続する。基板部１１０Ｉは、図５に示すように、ＭＯＳＦＥＴ１１０Ｄ及び１１０Ｆのドレインが接続する部分から樹脂モールドの外部に一カ所で突出し、樹脂モールドの外部で二股に分岐する略Ｘ字状の形状を有する。基板部１１０Ｉは、二股に分岐したその先端部に、電源端子一体型バスバーアセンブリ１１０Ｃのバスバー１１０Ｎと接続する（接合する）一対の接続部１１０Ｉａ，１１０Ｉａを有する。一対の接続部１１０Ｉａ，１１０Ｉａは、同一の形状をなすように形成されている。

基板部１１０Ｊは、ＭＯＳＦＥＴ１１０Ｅのドレインが接続する。また、ブリッジによりＭＯＳＦＥＴ１１０Ｄのソースと接続する。基板部１１０Ｊは、ＭＯＳＦＥＴ１１０ＤとＭＯＳＦＥＴ１１０Ｅの直列接続点を形成する。基板部１１０Ｊは、樹脂モールドの外部に一カ所で突出し、その先端部にバスバーアセンブリ１１０Ｃのバスバー１１０Ｐと接続する（接合する）接続部１１０Ｊａを有する。接続部１１０Ｊａは、一対の接続部１１０Ｉａ，１１０Ｉａと同一の形状をなすように形成されている。

基板部１１０Ｌは、ＭＯＳＦＥＴ１１０Ｇのドレインが接続する。また、ブリッジによりＭＯＳＦＥＴ１１０Ｆのソースと接続する。基板部１１０Ｌは、ＭＯＳＦＥＴ１１０ＦとＭＯＳＦＥＴ１１０Ｇの直列接続点を形成する。基板部１１０Ｌは、樹脂モールドの外部に一カ所で突出し、その先端部にバスバーアセンブリ１１０Ｃのバスバー１１０Ｑと接続する（接合する）接続部１１０Ｌａを有する。接続部１１０Ｌａは、各接続部１１０Ｉａ，１１０Ｉａ，１１０Ｊａと同一の形状をなすように形成されている。

基板部１１０Ｉ，１１０Ｊ，１１０Ｌのそれぞれの端子部１１０Ｉａ，１１０Ｉａ，１１０Ｊａ，１１０Ｌａは、図５〜図６に示すように、方形状の樹脂モールドの一方の辺から突出する。

基板部１１０Ｋは、ＩＣ１１０Ｈが設けられる。基板部１１０Ｋは、ＭＯＳＦＥＴ１１０Ｅ，１１０Ｇのソースと、ブリッジを介して接続する。基板部１１０Ｋは、図６に示すように、略Ｈ字形状を有し、樹脂モールドの外部に二カ所で突出し、その先端部にバスバーアセンブリ１１０Ｏのバスバーと接続する（接合する）一対の接続部１１０Ｋａ，１１０Ｋａを有する。一対の接続部１１０Ｋａ，１１０Ｋａは、各接続部１１０Ｉａ，１１０Ｉａ，１１０Ｊａ，１１０Ｌａと同一の形状をなすように形成されている。

基板部１１０Ｋの一対の接続部１１０Ｋａ，１１０Ｋａは、図５〜図６に示すように、方形状の樹脂モールドの他方の辺から突出する。一対の接続部１１０Ｋａ，１１０Ｋａは、一方の辺から背向するように突出する。

端子部１１０Ｍ，１１０Ｍは、ＩＣ１１０Ｈの制御信号が流れる。端子部１１０Ｍ，１１０Ｍは、図示しない導電路によりＩＣ１１０Ｈに接続する。一対の端子部１１０Ｍ，１１０Ｍは、図５〜図６に示すように、一対の接続部１１０Ｋａ，１１０Ｋａと同様に、方形状の樹脂モールドの他方の辺から突出する。

パワーモジュール１１０Ａは、放熱フィン１１０Ｂが接続する裏面１１０Ａｂが、パワーモジュール１１０Ａの発生した熱を放熱するための金属からなるヒートシンクにより形成される。パワーモジュール１１０Ａの裏面１１０Ａｂとは、図５〜６に示したＭＯＳＦＥＴ１１０のバッテリＢ１の正極に接続するドレインが位置する面にあたる。

図２及び図３に示す放熱フィン１１０Ｂは、パワーモジュール１１０Ａの発生した熱を放熱するための金属からなる部材である。放熱フィン１１０Ｂを形成する金属は、パワーモジュール１１０Ａの発生した熱を放熱することができる材質であれば限定されるものではない。このような金属としては、熱伝導性に優れた金属を挙げることができ、アルミニウム、銅、金、銀等の金属を具体的に挙げることがでる。なお、本形態の制御装置一体型回転電機の使用温度範囲において、これらの金属と同等程度の熱伝導率を有する金属を用いることができる。すなわち、これら以外の金属や合金を用いることができる。

放熱フィン１１０Ｂは、表面に絶縁被膜が形成されたアルミニウムよりなる。そして、放熱フィン１１０Ｂの表面の絶縁被膜は、絶縁性を発揮できる被膜であれば限定されるものではない。絶縁被膜としては、陽極酸化被膜、樹脂被膜等の被膜を挙げることができる。

放熱フィン１１０Ｂは、所定の形状に形成した状態で陽極酸化被膜を形成しても良いが、図２の紙面に垂直方向に沿って伸びる長尺状の成形体に陽極酸化被膜を形成した後に、所定の長さに切断して形成してもよい。本形態は、長尺状の成形体に陽極酸化被膜を形成し、所定の長さに切断して形成している。

放熱フィン１１０Ｂは、パワーモジュール１１０Ａの裏面１１０Ａｂに、絶縁性の接着剤で接合する。絶縁性を有する接着剤とは、本形態の制御装置一体型回転電機の使用温度範囲において、電気絶縁性を発揮する接着剤である。絶縁性の接着剤は、熱伝導性に優れた接着剤を用いることが好ましい。このような接着剤としては、樹脂系接着剤を挙げることができる。詳しくは、シリコン系の接着剤を挙げることができる。

絶縁性の接着剤は、フィラーを含有していても良い。フィラーは、接着剤と同様に、絶縁性だけでなく熱伝導性に優れたことが好ましく、無機系のフィラーを挙げることができる。詳しくは、ガラスフィラーやセラミックスフィラーを挙げることができる。

電源端子一体型バスバーアセンブリ１１０Ｃは、パワーモジュール１１０Ａを配線するための部品の集合体である。具体的には、図３に示すように、パワーモジュール１１０Ａを配線するための後述するバスバー１１０Ｎ〜１１１Ｑを樹脂で固定するとともに、後述する電源端子１１０Ｒが所定のバスバー１１０Ｎに接続されている部材である。図３に示すように、バスバーアセンブリ１１０Ｃは、バスバー１１０Ｎ〜１１１Ｑと、電源端子１１０Ｒとを備えている。

図３に示すように、バスバー１１０Ｎは、ＭＯＳＦＥＴ１１０Ｄ，１１０ＦのドレインをバッテリＢ１の正極に配線するための板状の金属からなる部材である。バスバー１１０Ｎは、基板部１１０Ｉの一対の接続部１１０Ｉａ，１１０Ｉａが接続する。バスバー１１０Ｎと一対の接続部１１０Ｉａ，１１０Ｉａの接続は、溶接（例えば、ＴＩＧ溶接）で行われる。

バスバー１１０Ｏは、ＭＯＳＦＥＴ１１０Ｅ、１１０Ｇのソースを接地された回転電機１０のハウジング１００に配線することで、接地されたバッテリＢ１の負極に配線するための板状の金属からなる部材である。

バスバー１１０Ｐは、ＭＯＳＦＥＴ１１０Ｄ、１１０Ｅの直列接続点を、固定子巻線１０１Ｂを構成する第１巻線１０１Ｃに配線するための板状の金属からなる部材である。

バスバー１１０Ｑは、ＭＯＳＦＥＴ１１０Ｆ、１１０Ｇの直列接続点を、固定子巻線１０１Ｂを構成する第１巻線１０１Ｃに配線するための板状の金属からなる部材である。
図３に示すように、バスバー１１０Ｎ〜１１０Ｑは、所定の間隔をあけた状態で、樹脂で一体的に固定されている。

電源端子１１０Ｒは、図３〜図４に示すように、バッテリＢ１の正極からの配線を接続するための金属からなる部材である。電源端子１１０Ｒは、バスバー１１０Ｎに接続（接合）した状態で、バスバー１１０Ｎ〜１１１Ｑとともに樹脂で一体的に固定されている。

図２〜図３に示すように、パワーモジュール１１０Ａは、バスバー１１０Ｎ〜１１１Ｑに接続された状態で、バスバーアセンブリ１１０Ｃに固定されている。放熱フィン１１０Ｂは、パワーモジュール１１０Ａ及びバスバーアセンブリ１１０Ｃに固定されている。

放熱フィン１１０Ｂは、上記のように、絶縁性の接着剤でパワーモジュール１１０Ａに接合する。さらに、図７に示すように、バスバーアセンブリ１１０Ｃに熱カシメで固定されている。図７は、パワーモジュール１１０Ａの放熱フィン１１０Ｂ近傍を、放熱フィン１１０Ｂ側（すなわち、パワーモジュール１１０Ａの裏面１１０Ａｂ側）から見た図である。

放熱フィン１１０Ｂは、図７に示すように、背向する２つの辺であって、回転電機１０に組み付けられたときに、回転軸１０２Ａの周方向に沿って背向する２つの辺に、合計四つの切り欠き１１０Ｓが形成されている。切り欠き１１０Ｓは、一つの辺に２つずつ形成されている。切り欠き１１０Ｓは、放熱フィン１１０Ｂの周方向に対称な位置に設けられている。すなわち、放熱フィン１１０Ｂを、図７に示した状態で、周方向に１８０°回転したときに、回転前と回転後の切り欠き１１０Ｓが一致するように形成されている。

バスバーアセンブリ１１０Ｃは、切り欠き１１０Ｓに挿入される突起部１１０Ｔが形成されている。突起部１１０Ｔは、パワーアセンブリ１１０を形成したときに、切り欠き１１０Ｓに挿入される位置に、その先端が放熱フィン１１０Ｂを貫通して突出する高さで形成される。突起部１１０Ｔは、切り欠き１１０Ｓの形成された２つの辺のそれぞれに挿入可能に設けられる。２つの突起部１１０Ｔは、放熱フィン１１０Ｂの周方向で対称な位置に設けられている。一方の突起部１１０Ｔは、一つの辺にもうけられた２つの切り欠き１１０Ｓのうち、一対の電源端子１１０Ｒから離れた切り欠き１１０Ｓに設けられる。突起部１１０Ｔは、切り欠き１１０Ｓに挿入された状態で、先端が熱カシメにより切り欠き１１０Ｓよりも拡径し、放熱フィン１１０Ｂがバスバーアセンブリ１１０Ｃに密着した状態で固定する。

パワーアセンブリ１１０は、図２に示すように、回転軸１０２Ａの軸方向であって、ハウジング１００（詳しくは、リアハウジング１００Ｂ）から離反する方向に、方形状の樹脂モールドの一方の辺（詳しくは、端子部１１０Ｉａ，１１０Ｉａ，１１０Ｊａ，１１０Ｌａが突出する辺）が位置するように組み付けられる。

パワーアセンブリ１１０において、パワーモジュール１１０Ａとバスバーアセンブリ１１０Ｃとの接続は、限定されるものではない。例えば、図８に示した構成とすることができる。図８には、パワーアセンブリ１１０のパワーモジュール１１０Ａ（基板部１１０Ｉ，１１０Ｋ）とバスバーアセンブリ１１０Ｃ（バスバー１１０Ｎ，１１０Ｏ）との接続構造を模式的に示す断面図である。なお、図８は、放熱フィン１１０Ｂの谷の部分での断面図であり、パワーモジュール１１０Ａと放熱フィン１１０Ｂの間には、上記の接着剤から形成した接着剤層が図示されていないが形成されている。

図８に示すように、パワーモジュール１１０Ａ（の樹脂モールド）から突出した基板部１１０Ｉと、基板部１１０Ｋは、それぞれパワーモジュール１１０Ａの表面１１０Ａａ方向（又は、裏面１１０Ａｂから離反する方向、表面１１０Ａａの広がる面に対して略垂直な方向）に折り曲げられている。

バスバーアセンブリ１１０Ｃは、パワーモジュール１１０Ａの基板部１１０Ｉ，１１０Ｋと同様に、バスバー１１０Ｎ，１１０Ｏの先端が突出するとともに折り曲げられている。

バスバーアセンブリ１１０Ｃを、パワーモジュール１１０Ａの表面１１０Ａａ側に組み付ける。そうすると、基板部１１０Ｉ，１１０Ｋの端子部１１０Ｉａ，１１０Ｋａとバスバー１１０Ｎ，１１０Ｏの先端とが接触する。そして、接触した部分（端子部１１０Ｉａ）を溶接で接合する。

以上により、パワーモジュール１１０Ａとバスバーアセンブリ１１０Ｃとが接続できる。なお、図８では、基板部１１０Ｉ，１１０Ｋとバスバー１１０Ｎ，１１０Ｏとが露出しないように、外周をキャップ１１４Ａで囲包し、内部に絶縁性の樹脂１１４Ｂを充填している。なお、キャップ１１４Ａは、その内部に樹脂１１４Ｂを保持するための部材であり、固化前の樹脂１１４Ｂを注入するための孔が形成されていてもよい。
また、図８に示したように、樹脂１１４Ｂと放熱フィン１１０Ｂとの間には、熱伝導性のシリコン樹脂が充填したシリコン樹脂層１１４Ｃが形成されている。

（他のパワーアセンブリ）
図３に示すパワーアセンブリ１１１は、インバータ回路及び整流回路を構成する部品の集合体である。パワーアセンブリ１１１は、パワーアセンブリ１１０と実質的に同様な構成を備える。パワーアセンブリ１１１の特に言及しない構成は、パワーアセンブリ１１０と同様であり、図中同様な符号が付与してある。
図９に示すように、パワーアセンブリ１１１は、パワーモジュール１１１Ａと、放熱フィン１１１Ｂと、バスバーアセンブリ１１１Ｃとを備えている。

パワーモジュール１１１Ａは、インバータ回路及び整流回路を構成する４つのスイッチング素子、ＭＯＳＦＥＴ１１１Ｄ〜１１１Ｇを有するスイッチング素子モジュールである。ＭＯＳＦＥＴ１１１Ｄ、１１１Ｅ及びＭＯＳＦＥＴ１１１Ｆ、１１１Ｇは、それぞれ直列接続されている。ＭＯＳＦＥＴ１１１Ｄ、１１１ＦのソースがＭＯＳＦＥＴ１１１Ｅ、１１１Ｇのドレインにそれぞれ接続されている。
図９に示す放熱フィン１１１Ｂは、パワーモジュール１１１Ａの発生した熱を放熱するための金属からなる部材である。

バスバーアセンブリ１１１Ｃは、パワーモジュール１１１Ａを配線するための部品の集合体である。具体的には、パワーモジュール１１１Ａを配線するためのバスバー１１１Ｎ〜１１１Ｑを樹脂で固定した部材である。

パワーモジュール１１１Ａは、バスバー１１１Ｎ〜１１１Ｑに接続された状態で、バスバーアセンブリ１１１Ｃに固定されている。放熱フィン１１１Ｂは、パワーモジュール１１１Ａ及びバスバーアセンブリ１１１Ｃに固定されている。

図３に示すパワーアセンブリ１１２は、インバータ回路及び整流回路を構成する部品の集合体である。パワーアセンブリ１１２は、パワーアセンブリ１１０，１１１と実質的に同様な構成をしている。パワーアセンブリ１１２の特に言及しない構成は、パワーアセンブリ１１０，１１１と同様であり、図中同様な符号が付与してある。

図３及び図１０に示すように、パワーアセンブリ１１２は、パワーモジュール１１２Ａと、放熱フィン１１２Ｂと、バスバーアセンブリ１１２Ｃとを備えている。

パワーモジュール１１２Ａは、インバータ回路及び整流回路を構成する４つのスイッチング素子、ＭＯＳＦＥＴ１１２Ｄ〜１１２Ｇを有するスイッチング素子モジュールである。ＭＯＳＦＥＴ１１２Ｄ、１１２Ｅ及びＭＯＳＦＥＴ１１２Ｆ、１１２Ｇは、それぞれ直列接続されている。ＭＯＳＦＥＴ１１２Ｄ、１１２ＦのソースがＭＯＳＦＥＴ１１２Ｅ、１１２Ｇのドレインにそれぞれ接続されている。
図３及び図１０に示す放熱フィン１１２Ｂは、パワーモジュール１１２Ａの発生した熱を放熱するための金属からなる部材である。

バスバーアセンブリ１１２Ｃは、パワーモジュール１１２Ａを配線するための部品の集合体である。具体的には、パワーモジュール１１２Ａを配線するためのバスバー１１２Ｎ〜１１２Ｑを樹脂で固定した部材である。

パワーモジュール１１２Ａは、バスバー１１２Ｎ〜１１２Ｑに接続された状態で、バスバーアセンブリ１１２Ｃに固定されている。放熱フィン１１２Ｂは、パワーモジュール１１２Ａ及びバスバーアセンブリ１１２Ｃに固定されている。

（その他の構成）
本形態は、図４に示すように、パワーモジュール１１１ＡのＭＯＳＦＥＴ１１１Ｆ〜１１１Ｇと、パワーモジュール１１２ＡのＭＯＳＦＥＴ１１１Ｄ〜１１１Ｇと、で１組の３相電機巻線１０１Ｄの各相に接続されている。つまり、２つのパワーモジュール１１１Ａ，１１２Ａで１組の３相電機巻線１０１Ｄを制御する。
レギュレータ１１３は、回転子１０２にロータに界磁電流を流す回路を備える。

図示しないカバーは、電源端子一端型パワーアセンブリ１１０及びパワーアセンブリ１１１、１１２を覆う樹脂からなる部材である。カバーは、電源端子１１０Ｒの一端部を外部に露出させた状態で、電源端子一端型パワーアセンブリ１１０及びパワーアセンブリ１１１、１１２を覆うようにハウジング１００（詳しくは、リアハウジング１００Ｂ）に固定されている。

なお、制御装置１１の各パワーアセンブリ１１０，１１１，１１２等のハウジング１００（詳しくは、リアハウジング１００Ｂ）への固定方法は、限定されるものではない。本形態では、各パワーアセンブリ１１０，１１１，１１２を貫通したボルトを用いてハウジング１００に固定される。

［制御装置一体型回転電機の動作］
次に、図１及び図５を参照して制御装置一体型回転電機１の動作について説明する。まず、車両を駆動するための駆動力を発生する際の動作について説明する。

車両においてイグニッションスイッチがオン状態になると、図１に示すブラシ１０４及びスリップリング１０３を介して回転子巻線１０２Ｃに直流がレギュレータ１１３により供給される。回転子巻線１０２Ｃに直流が供給されると、回転子１０２の外周面に磁極が形成される。車両において図示しない車両側ＥＣＵからの信号を受信した状態になると、図４に示すように、バッテリＢ１からパワーモジュール１１０Ａ、１１１Ａ、１１２Ａに直流が供給される。インバータ回路を構成するＭＯＳＦＥＴ１１０Ｄ〜１１０Ｇ、１１１Ｄ、１１１Ｅは、バッテリＢ１から供給される直流を３相交流に変換するように、所定のタイミングでスイッチングする。

また、インバータ回路を構成するＭＯＳＦＥＴ１１１Ｆ、１１１Ｇ、１１２Ｄ〜１１２Ｇは、バッテリＢ１から供給される直流を３相交流に変換するように、所定のタイミングでスイッチングする。
その結果、第１巻線１０１Ｃ及び第２巻線１０１Ｄにそれぞれ３相交流が供給される。これにより、回転電機１０は、車両を駆動するための駆動力を発生する。
次に、バッテリを充電するための電力を発生する際の動作について説明する。

図１に示す回転子巻線１０２Ｃにレギュレータ１１３を介して直流が供給され、回転子１０２の外周面に磁極が形成されている状態において、エンジンから駆動力が供給されると、第１巻線１０１Ｃ及び第２巻線１０１Ｄは、それぞれ３相交流を発生する。整流回路を構成するＭＯＳＦＥＴ１１０Ｄ〜１１０Ｇ、１１１Ｄ、１１１Ｅは、第１巻線１０１Ｃの発生する３相交流を整流するように、所定のタイミングでスイッチングする。

また、整流回路を構成するＭＯＳＦＥＴ１１１Ｆ、１１１Ｇ、１１２Ｄ〜１１２Ｇは、第２巻線１０１Ｄの発生する３相交流を整流するように、所定のタイミングでスイッチングする。

その結果、第１巻線１０１Ｃ及び第２巻線１０１Ｄの発生する３相交流が直流に変換され、バッテリＢ１に供給される。これにより、バッテリＢ１は、回転電機１０の発生した電力によって充電される。

［制御装置一体型回転電機の効果］
次に、本形態の制御装置一体型回転電機１の効果について説明する。

（第１の効果）
本形態の制御装置一体型回転電機１は、パワーモジュール１１０Ａ（１１１Ａ，１１２Ａを含む）に放熱フィン１１０Ｂ（１１１Ｂ，１１２Ｂを含む）が接合している。そして、放熱フィン１１０Ｂは、絶縁被膜としての陽極酸化被膜が成膜している。

放熱フィン１１０Ｂが陽極酸化被膜を有することで、パワーモジュール１１０Ａと、放熱フィン１１０Ｂとの間に電位差が生じなくなっている。この結果、両者の間でマイグレーションやトラッキングの発生を抑えることができ、両者の間の絶縁不良による制御装置一体型回転電機１の性能の低下を防止することができる。

また、放熱フィン１１０Ｂが絶縁被膜を有することで、パワーモジュール１１０Ａと、放熱フィン１１０Ｂとの間に電位を加える（電位差を付与する）ことで、両者の間の絶縁性を検査できる。さらに、加えられる電位差の大きさを調節することで、絶縁部の耐圧チェックが可能となる。すなわち、絶縁信頼性が向上する。

さらに、放熱フィン１１０Ｂが絶縁被膜を有することで、放熱フィン１１０Ｂに異常を生じても、パワーモジュール１１０Ａとの間に電位差が生じないため、高い絶縁信頼性を確保することができる。なお、放熱フィン１１０Ｂの異常としては、例えば、別の電位を持つターミナルが接触する、または塩水などの被水により電位の通電経路を持つ等を挙げることができる。

（第２の効果）
本形態では、放熱フィン１１０Ｂ（１１１Ｂ，１１２Ｂを含む）が絶縁性の接着剤でパワーモジュール１１０Ａ（１１１Ａ，１１２Ａを含む）に接合する。
この構成によると、放熱フィン１１０Ｂとパワーモジュール１１０Ａとの電気絶縁性を確保しながら、両者を固定できる。さらに、絶縁性の接着剤が高い熱伝導性を有する構成となることで、接着剤が両者の固定と放熱との両方の機能を持つ。すなわち、部品点数を低減でき、回転電機１に要するコストを低減できる。

（第３の効果）
本形態では、放熱フィン１１０Ｂ（１１１Ｂ，１１２Ｂを含む）が、絶縁被膜として陽極酸化被膜を備えたアルミニウムよりなる。
この構成によると、熱伝導性に優れた放熱フィン１１０Ｂに対して電気絶縁性の被膜を付与できる。

さらに、陽極酸化被膜は、アルミニウムに処理を施して成膜することから、剥離を生じない被膜（絶縁被膜）となる。このことからも、パワーモジュール１１０Ａ（１１１Ａ，１１２Ａを含む）との電気絶縁性を確実に確保できる。

（第４の効果）
本形態では、放熱フィン１１０Ｂ（１１１Ｂ，１１２Ｂを含む）が、回転子１０２の回転軸１０２Ａに垂直な方向での断面形状が同じ形状であり、軸方向の両端面以外の外周面に陽極酸化被膜を備える。
この構成の放熱フィン１１０Ｂは、長尺状のアルミニウム成形体を成形し、陽極酸化被膜を成膜した後に所定の長さに切断して製造することが可能となる。陽極酸化被膜の成膜前の純アルミニウム成形体は、硬度が低く（すなわち、塑性変形を生じやすい）、長尺状の成形体を切断加工すると、切断面にバリが発生する。しかし、陽極酸化被膜を成膜すると、硬度が高くなり（すなわち、塑性変形を生じにくくなり）、同様の切断加工を行ってもバリの発生が抑えられる。つまり、この製造方法で製造することが可能となり、バリの削除の工程を施すことなく、放熱フィン１１０Ｂを製造できる。なお、この製造方法でも、切断した成形体（被膜を有する成形体）の切断面に、陽極酸化被膜を成膜する処理を施すことが好ましい。

（第５の効果）
本形態では、制御装置１１は、３つのパワーモジュール（複数のモジュール部）１１０，１１１，１１２に分割されている。
この構成によると、それぞれのパワーモジュール１１０〜１１２を、回転子１０２の回転軸１０２Ａの周方向に沿って密に配置できる。このことは、制御装置１１の体格の増加を抑えることができる。また、それぞれのパワーモジュール１１０〜１１２の組み付け位置の自由度が向上し、冷却性を高めることができる。

さらに、３つのパワーモジュール１１０〜１１２を有することで、いずれかのパワーモジュール１１０〜１１２に異常が発生しても、当該パワーモジュールの交換のみで対応可能となる。このことは、回転電機１のメンテナンスに要するコストを低減できる。

（第６の効果）
本形態では、固定子１０１が２組の３相電機巻線１０１Ｃ，１０１Ｄを備えている。また、３相電機巻線１０１Ｃ，１０１Ｄのそれぞれが、異なる２つのパワーモジュール１１０と１１１、１１１と１１２により制御される。
パワーモジュール１１０〜１１２がこの構成となることで、上記の第５の効果をより確実に発揮できる。

（第７の効果）
本形態では、パワーモジュール１１０〜１１２のそれぞれが、それぞれのＭＯＳＦＥＴ（スイッチング素子）を制御するＩＣ１１０Ｈ〜１１２Ｈを有する。
それぞれのパワーモジュールがＩＣを有することで、ＭＯＳＦＥＴとＩＣとを接続する信号線も、パワーモジュール内に配される。このことは、パワーモジュール１１０〜１１２の耐環境性や耐振性を向上できる。
さらに、信号線の長さが短くなることから、耐ＥＭＣ性も向上する。

（第８の効果）
本形態では、パワーモジュール１１０〜１１２のそれぞれが、回転子１０２の回転軸１０２Ａの周方向に沿って配される。
この構成によると、レギュレータ１１３と３つのパワーモジュール１１０〜１１２を回転軸１０２Ａの周方向に沿って、全周にわたって配することができる。すなわち、制御装置１１の体格の粗大化を抑えることができる。

（第９の効果）
本形態では、高電位側ＭＯＳＦＥＴ１１０Ｄ，１１０Ｆが、１つの基板部１１０Ｉを介してバッテリ（Ｂ１）に接続している。そして、基板部１１０Ｉは、バスバーアセンブリ１１０Ｃのバスバー１１０Ｎの接続箇所となる２つの接続部１１０Ｉａ，１１０Ｉａ（接続箇所を複数）備えている。

この構成によると、パワーモジュール１１０（１１１，１１２）の損傷を抑えることができる。また、基板部１１０Ｉとバスバー１１０Ｎとの接合条件（溶接条件）を他の接合部（溶接部）と同条件とすることができる。つまり、パワーモジュール１１０（１１１，１１２）の製造に要するコストの上昇を抑えることができる。

詳しくは、本形態では、高電位側ＭＯＳＦＥＴ１１０Ｄ，１１０Ｆのドレイン側が１つの基板部１１０Ｉに接続する。そして、このバスバー１１０Ｎは、バッテリＢ１の正極に接続する。この構成によると、基板部１１０Ｉには、ＭＯＳＦＥＴ１１０ＤとＭＯＳＦＥＴ１１０Ｆの２つの高電位の電流（大電流）が流れる。接続箇所が１つの場合、接続箇所に大電流が集中することとなり、発熱等の不具合が発生しやすくなる。これに対し、接続箇所が２つ（複数）となることで、大電流の集中が抑えられる。つまり、パワーモジュール１１０（１１１，１１２）の損傷を抑えることができる。

また、基板部１１０Ｉがバスバー１１０Ｎとの接続箇所は、溶接で行う。溶接箇所となる接続部１１０Ｉａ，１１０Ｉａが複数となることで、それぞれの溶接条件を、低いものとすることができる。つまり、１カ所で溶接するためには、上記の大電流の問題のため、接続部１１０Ｉａを大きくすることが必要となる。この場合、溶接条件もより出力の高いものとする必要がある。そうすると、接続部１１０Ｉａの溶接条件が、他の接続部１１０Ｊａ、１１０Ｌａと異なるものとなり、パワーモジュール１１０（１１１，１１２）の製造において、製造設備は出力の高い溶接条件に合わせる必要があり、かつ溶接条件の切り替えが必要となる。このことは、製造に要するコストの上昇を招く。

一方、本形態のように接続部１１０Ｉａが複数備わる（２カ所で備わる）ことで、接続部１１０Ｉａを他の接続部１１０Ｊａ、１１０Ｌａと同形状とすることができ、溶接条件を同一とすることができる。つまり、溶接条件の切り替えが必要なくなり、低コストでパワーモジュール１１０を得られる。

（第１０の効果）
本形態では、パワーアセンブリ１１０（１１１，１１２）のバッテリＢ１の正極に接続する基板部１１０Ｉ（１１１Ｉ，１１２Ｉ）、基板部１１０Ｌ（１１１Ｌ，１１２Ｌ）及び基板部１１０Ｊ（１１１Ｊ，１１２Ｊ）と、基板部１１０Ｋ（１１１Ｋ，１１２Ｋ）とが、樹脂モールドの背向する辺から離反する状態で組み付けられる。

この構成によると、基板部１１０Ｉ（１１１Ｉ，１１２Ｉ）と、基板部１１０Ｋ（１１１Ｋ，１１２Ｋ）との沿面距離を確保でき、異物での短絡によるショート故障や、被水でのＧＮＤとのリークによる電食を低減でき信頼性・耐環境性が向上する。

（第１１の効果）
本形態では、パワーアセンブリ１１０（１１１，１１２）のバッテリＢ１の正極に接続する基板部１１０Ｉ（１１１Ｉ，１１２Ｉ）と回転電機１０に接続するモータ側端子１１０Ｊ，１１０Ｌが、ハウジング１００（詳しくは、リアハウジング１００Ｂ）から離反する状態で組み付けられる。また、パワーアセンブリ１１０が回転軸１０２Ａの軸方向に平行な状態で組み付けられる。

この構成によると、パワーアセンブリ１１０（１１１，１１２）の基板部１１０Ｉ（１１１Ｉ，１１２Ｉ）とモータ側端子１１０Ｊ，１１０Ｌが、ハウジング１００から最も離れた位置となる。つまり、基板部１１０Ｉと、ハウジング１００との沿面距離を確保でき、上記の効果を発揮する。

（第１２の効果）
本形態では、パワーアセンブリ１１０（１１１，１１２）が、バスバー１１０Ｎ〜１１０Ｑ（１１１Ｎ〜１１１Ｑ、１１２Ｎ〜１１２Ｑ）を樹脂で固定している。そして、放熱フィン１１０Ｂ（１１１Ｂ，１１２Ｂ）の一部が樹脂に埋設した状態で固定される。

この構成によると、パワーアセンブリ１１０でバスバー１１０Ｎ〜１１０Ｑを固定する樹脂を放熱フィン１１０Ｂの固定に用いることとなる。つまり、部品点数を増加することなく、放熱フィン１１０Ｂの固定を行うことができる。また絶縁性のある樹脂で固定されるため、放熱フィンをフィン１１０Ｂ（１１１Ｂ，１１２Ｂ）を電位的にフローティング状態にできる。
なお、放熱フィン１１０Ｂ（１１１Ｂ，１１２Ｂ）の一部が樹脂に埋設した状態とは、放熱フィン１１０Ｂをバスバー１１０Ｎ〜１１０Ｑとともに一体となるように樹脂を成形した状態や、熱カシメにより放熱フィン１１０Ｂを樹脂に固定した状態を示す。熱カシメは、放熱フィン１１０Ｂと樹脂とを加熱した状態で押圧することとなり、樹脂が放熱フィン１１０Ｂの一部を覆う（端縁部の一部を挟む）状態となる。このように熱カシメによると、放熱フィン１１０Ｂの一部が樹脂に埋設した構成となる。

（第１３の効果）
本形態では、放熱フィン１１０Ｂが複数の切り欠き１１０Ｓを有し、バスバーアセンブリ１１０Ｃが、少なくとも２つの切り欠き１１０Ｓを貫通した状態で、先端部が拡径した突起部１１０Ｔを有する。
この構成によると、放熱フィン１１０Ｂをバスバーアセンブリ１１０Ｃに組み付ける組み付け性が向上する。
特に、切り欠き１１０Ｓを放熱フィン１１０Ｂの対称な位置に設けておくことで、パワーモジュール１１０〜１１２ごとに放熱フィン１１０Ｂの向きを調節できる。また、バスバーアセンブリ１１０Ｃ〜１１２Ｃは、それぞれ形状が異なる。この場合、同一の位置に突起部１１０Ｔがあると、加工治具の干渉が生じる場合がある。切り欠き１１０Ｓを複数（好ましくは、４以上）有すると、干渉を生じにくい位置の切り欠き１１０Ｓに突起部１１０Ｔを設置でき、この点からも組み付け性が向上する。

［実施形態の変形形態］
上記の形態では、パワーモジュール１１０Ａとバスバーアセンブリ１１０Ｃとの接続構造について、樹脂モールドの背向する辺から突出する２つの基板部１１０Ｉ，１１０Ｋで説明した。

この場合、図１１に示したように、低電位側の基板部１１０Ｋは、露出した状態としても良い。なお、本変形形態では、低電位側の基板部１１０Ｋが、ハウジング１００と同電位となっているため、基板部１１０Ｋがハウジング１００とショートしても電位差が生まれず、不具合が生じない。
この構成では、キャップ１１４Ａ及び樹脂１１４Ｂの数を減らすことができ、より低コストで得られるパワーアセンブリ１１０となる。

１・・・制御装置一体型回転電機
１０・・・回転電機 １１・・・制御装置
１１０・・・電源端子一体型パワーアセンブリ １１０Ａ・・・パワーモジュール
１１０Ｂ・・・放熱フィン １１０Ｃ・・・電源端子一体型バスバーアセンブリ
１１０Ｄ〜１１０Ｇ・・・ＭＯＳＦＥＴ １１０Ｈ・・・ＩＣ
１１０Ｉ〜１１０Ｌ・・・基板部 １１０Ｎ〜１１０Ｑ・・・バスバー
１１０Ｒ・・・電源端子 １１０Ｓ・・・切り欠き
１１１，１１２・・・パワーアセンブリ
１１１Ａ，１１２Ａ・・・パワーモジュール
１１１Ｂ，１１２Ｂ・・・放熱フィン
１１１Ｃ，１１２Ｃ・・・電源端子一体型バスバーアセンブリ
１１１Ｄ〜１１１Ｇ，１１２Ｄ〜１１２Ｇ・・・ＭＯＳＦＥＴ
１１１Ｈ，１１２Ｈ・・・ＩＣ
１１１Ｉ〜１１１Ｌ、１１２Ｉ〜１１２Ｌ・・・基板部
１１１Ｎ〜１１１Ｑ、１１２Ｎ〜１１２Ｑ・・・バスバー
１１３・・・レギュレータ
１１４Ａ・・・キャップ １１４Ｂ・・・樹脂
１１４Ｃ・・・シリコン樹脂層

Claims (13)

1. 回転子巻線（１０２Ｃ）への通電によって磁極が形成される回転子（１０２）と、該回転子と対向配置された固定子（１０１）と、該回転子と該固定子とを保持するハウジング（１００）と、を備えた回転電機（１０）と、
   複数のスイッチング素子を備え、該回転電機に交流を供給するインバータ回路、及び、該回転電機から供給される交流を整流する整流回路を構成する複数のスイッチング素子モジュール（１１０Ａ，１１１Ａ，１１２Ａ）を備えた制御装置（１１）と、
   を備える制御装置一体型回転電機（１）において、
   該スイッチング素子モジュールは、該スイッチング素子モジュールに対向する表面に絶縁被膜を有する放熱フィン（１１０Ｂ，１１１Ｂ，１１２Ｂ）が接合している制御装置一体型回転電機（１）。
2. 前記放熱フィンは、絶縁性の接着剤で前記スイッチング素子モジュールに接合する請求項１記載の制御装置一体型回転電機。
3. 前記放熱フィンは、前記絶縁被膜として陽極酸化被膜を備えたアルミニウムよりなる請求項１〜２のいずれか１項に記載の制御装置一体型回転電機。
4. 前記放熱フィンは、前記回転子の回転軸（１０２Ａ）に垂直な方向での断面形状が同じ形状であり、該軸方向の両端面以外の外周面に陽極酸化被膜を備える請求項３記載の制御装置一体型回転電機。
5. 前記制御装置は、複数のモジュール部（１１０，１１１，１１２）に分割されている請求項１〜４のいずれか１項に記載の制御装置一体型回転電機。
6. 前記固定子は、２組の３相電機巻線（１０１Ｃ，１０１Ｄ）を備え、
   前記制御装置は、３相電機巻線の各相に対応した高電位側スイッチング素子（１１０Ｄ，１１０Ｆ，１１１Ｄ），（１１１Ｆ，１１２Ｄ，１１２Ｆ）と低電位側スイッチング素子（１１０Ｅ，１１０Ｇ，１１１Ｅ），（１１１Ｇ，１１２Ｅ，１１２Ｇ）とを有し、
   １相の各該スイッチング素子は、残りの３相のうちの少なくとも１相の各該スイッチング素子と、異なる前記モジュール部に組み付けられる請求項５記載の制御装置一体型回転電機。
7. 前記モジュール部は、各前記スイッチング素子を制御する制御部（１１０Ｈ，１１１Ｈ，１１２Ｈ）を有する請求項６記載の制御装置一体型回転電機。
8. 前記制御装置は、２相の各該スイッチング素子と前記制御部をそれぞれ備えた３つの前記モジュール部を有し、
   ３つの該モジュール部は、前記回転子の回転軸の周方向に沿って配される請求項７記載の制御装置一体型回転電機。
9. 前記モジュール部は、少なくとも２相の前記高電位側スイッチング素子（１１０Ｄ，１１０Ｆ）が、１つのバッテリ側端子（１１０Ｉ）を介してバッテリ（Ｂ１）の正極に接続し、
   該バッテリ側端子は、外部回路（１１０Ｎ）との接続箇所（１１０Ｉａ，１１０Ｉａ）を複数備えている請求項６〜８のいずれか１項に記載の制御装置一体型回転電機。
10. 前記モジュール部は、前記バッテリの正極に接続する前記バッテリ側端子（１１０Ｉ）及び前記回転電機に接続するモータ側端子（１１０Ｊ，１１０Ｌ）と、該バッテリの負極に接続する低電位側端子（１１０Ｋ）と、が互いに背向する方向に突出している請求項９記載の制御装置一体型回転電機。
11. 板状の前記モジュール部は、前記低電位側端子が前記ハウジング（１００，１００Ｂ）に近接し、かつ前記バッテリ側端子が該ハウジングから離反した状態であり、かつ前記回転子の回転軸の伸びる方向と平行な状態で、前記ハウジングに固定される請求項１０記載の制御装置一体型回転電機。
12. 前記モジュール部は、各前記端子が接続されるバスバーを樹脂で固定したバスバーアセンブリ（１１０Ｃ，１１１Ｃ，１１２Ｃ）を有し、
    前記放熱フィンは、該バスバーアセンブリに一部が埋設した状態で固定される請求項８〜１１のいずれか１項に記載の制御装置一体型回転電機。
13. 前記放熱フィンは、複数の切り欠き（１１０Ｓ）を有し、
    前記バスバーアセンブリは、少なくとも二カ所の前記切り欠きを貫通した状態で、先端部が拡径した突起部（１１０Ｔ）を有する請求項１２記載の制御装置一体型回転電機。

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