JP2017090147A - 偏光イメージ取得装置、パターン検査装置、及び偏光イメージ取得方法 - Google Patents
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Abstract
Description
パターンが形成された、露光用のマスク基板を載置する移動可能なステージと、
マスク基板が露光装置に配置された場合にマスク基板からの透過光を入射して被露光基板に結像する露光装置の縮小光学系がマスク基板からの透過光を入射する場合と同様の開口数で、マスク基板上に照明された照明光がマスク基板を透過した透過光を入射する対物レンズと、
対物レンズに対してマスク基板とは反対側の位置であって対物レンズの瞳位置付近に配置され、対物レンズを通過後の透過光のP偏光波とS偏光波とを互いに直交する方向に揃える分割型1/2波長板と、
透過光のP偏光波とS偏光波とのうち一方を通過させ、他方の通過を制限する、偏光子と偏光ビームスプリッタとの1つにより構成される制限機構と、
制限機構が上述した他方を通過させ、上述した一方の通過を制限するように、制限機構を回転させる駆動機構と、
制限機構を通過した光を、露光装置の縮小光学系よりも十分小さい開口数で結像させる結像レンズと、
結像レンズにより結像された像を撮像するイメージセンサと、
を備えたことを特徴する。
パターンが形成された、露光用のマスク基板を載置する移動可能なステージと、
マスク基板が露光装置に配置された場合にマスク基板からの透過光を入射して被露光基板に結像する露光装置の縮小光学系がマスク基板からの透過光を入射する場合と同様の開口数で、マスク基板上に結像された照明光がマスク基板を透過した透過光を入射する対物レンズと、
対物レンズに対してマスク基板とは反対側の位置であって対物レンズの瞳位置付近に配置され、対物レンズを通過後の透過光のP偏光波とS偏光波とを互いに直交する方向に揃える分割型1/2波長板と、
透過光のP偏光波とS偏光波とのうち一方を通過させ、他方の通過を制限する、偏光子と偏光ビームスプリッタとの1つにより構成される制限機構と、
制限機構がかかる他方を通過させ、かかる一方の通過を制限するように、偏光方向を90°回転させる1/2波長板と、
回転用の1/2波長板を回転させる駆動機構と、
制限機構を通過した光を、露光装置の縮小光学系よりも十分小さい開口数で結像させる結像レンズと、
結像レンズにより結像された像を撮像するイメージセンサと、
を備えたことを特徴する。
パターンが形成された、露光用のマスク基板を載置する移動可能なステージと、
マスク基板が露光装置に配置された場合にマスク基板からの透過光を入射して被露光基板に結像する露光装置の縮小光学系がマスク基板からの透過光を入射する場合と同様の開口数で、マスク基板上に照明された照明光がマスク基板を透過した透過光を入射する対物レンズと、
対物レンズに対してマスク基板とは反対側の位置であって対物レンズの瞳位置付近に配置され、対物レンズを通過後の透過光のP偏光波とS偏光波とを互いに直交する方向に揃える分割型1/2波長板と、
透過光のP偏光波とS偏光波とのうち一方を通過させ、他方を反射する偏光ビームスプリッタと、
偏光ビームスプリッタを通過した光を、露光装置の縮小光学系よりも十分小さい開口数で結像させる第1の結像レンズと、
第1の結像レンズにより結像された像を撮像する第1のイメージセンサと、
偏光ビームスプリッタにより反射された光を、露光装置の縮小光学系よりも十分小さい上述した開口数で結像させる第2の結像レンズと、
第2の結像レンズにより結像された像を撮像する第2のイメージセンサと、
を備えたことを特徴する。
上述した偏光イメージ取得装置と、
P偏光波とS偏光波とのうち一方による第1の光学画像と、P偏光波とS偏光波とのうち他方による第2の光学画像とを合成する合成部と、
第1のダイにおける第1と第2の光学画像が合成された第1のダイ画像と、第1のダイと同様のパターンが形成された第2のダイにおける第1と第2の光学画像が合成された、第1のダイ画像に対応する第2のダイ画像と、を比較する比較部と、
を備えたことを特徴する。
パターンが形成された、露光用のマスク基板に照明光を照明する工程と、
マスク基板が露光装置に配置された場合にマスク基板からの透過光を入射して被露光基板に結像する露光装置の縮小光学系がマスク基板からの透過光を入射する場合と同様の開口数で、照明光がマスク基板を透過した透過光を対物レンズに入射する工程と、
対物レンズに対してマスク基板とは反対側の位置であって対物レンズの瞳位置付近に配置された分割型1/2波長板を用いて、対物レンズを通過後の透過光のP偏光波とS偏光波とを互いに直交する方向に揃える工程と、
透過光のP偏光波とS偏光波とのうち一方を通過させ、他方の通過を制限する工程と、
通過したP偏光波とS偏光波とのうち一方を、露光装置の縮小光学系よりも十分小さい開口数でイメージセンサに結像させる工程と、
上述したイメージセンサを用いて、結像されたP偏光波とS偏光波とのうちの上述した一方による第1の像を撮像する工程と、
第1の像の光学画像を出力する工程と、
透過光のP偏光波とS偏光波とのうち上述した他方を通過させ、上述した一方の通過を制限する工程と、
通過したP偏光波とS偏光波とのうち上述した他方を、露光装置の縮小光学系よりも十分小さい上述した開口数で上述したイメージセンサに結像させる工程と、
上述したイメージセンサを用いて、結像されたP偏光波とS偏光波とのうちの上述した他方による第2の像を撮像する工程と、
第2の像の光学画像を出力する工程と、
を備えたことを特徴する。
本発明の一態様の偏光イメージ取得方法は、
パターンが形成された、露光用のマスク基板に照明光を照明する工程と、
マスク基板が露光装置に配置された場合にマスク基板からの透過光を入射して被露光基板に結像する露光装置の縮小光学系がマスク基板からの透過光を入射する場合と同様の開口数で、照明光がマスク基板を透過した透過光を対物レンズに入射する工程と、
対物レンズに対してマスク基板とは反対側の位置であって対物レンズの瞳位置付近に配置された分割型1/2波長板を用いて、対物レンズを通過後の透過光のP偏光波とS偏光波とを互いに直交する方向に揃える工程と、
透過光のP偏光波とS偏光波とのうち一方を通過させ、他方を反射する工程と、
通過したP偏光波とS偏光波とのうち上述した一方を、露光装置の縮小光学系よりも十分小さい開口数で第1のイメージセンサに結像させる工程と、
第1のイメージセンサを用いて、結像されたP偏光波とS偏光波とのうちの上述した一方による第1の像を撮像する工程と、
第1の像の光学画像を出力する工程と、
透過光のP偏光波とS偏光波とのうち反射された上述した他方を、露光装置の縮小光学系よりも十分小さい上述した開口数で第2のイメージセンサに結像させる工程と、
第2のイメージセンサを用いて、結像されたP偏光波とS偏光波とのうちの上述した他方による第2の像を撮像する工程と、
第2の像の光学画像を出力する工程と、
を備えたことを特徴する。
図1は、実施の形態1におけるパターン検査装置の構成を示す構成図である。図1において、マスク基板101に形成されたパターンの欠陥を検査する検査装置100は、光学画像取得部150、及び制御系回路160(制御部)を備えている。
(1) ΔL<0.05・D・f/d
実施の形態1では、2つのセンサを使って、S偏光波の偏光イメージとP偏光波の偏光イメージとを同時に撮像する構成について説明したが、これに限るものではない。実施の形態2では、1つのセンサを使って、S偏光波の偏光イメージとP偏光波の偏光イメージとを切り替えながら撮像する構成について説明する。
実施の形態1では、2つのセンサを使って、S偏光波の偏光イメージとP偏光波の偏光イメージとを同時に撮像する構成について説明したが、これに限るものではない。実施の形態2では、1つのセンサを使って、S偏光波の偏光イメージとP偏光波の偏光イメージとを切り替えながら撮像する構成について説明する。
20 検査ストライプ
30 フレーム領域
50,52,58,60,66,68 記憶装置
54,56 フレーム分割部
62 補正部
64 合成部
70 位置合わせ部
72 比較部
100 検査装置
101 マスク基板
102 XYθテーブル
103 光源
104 拡大光学系
105,205 フォトダイオードアレイ
106,206 センサ回路
107 位置回路
108 比較回路
109 磁気ディスク装置
110 制御計算機
113 オートローダ制御回路
114 テーブル制御回路
115 磁気テープ装置
116 FD
117 CRT
118 パターンモニタ
119 プリンタ
120 バス
122 レーザ測長システム
123,223 ストライプパターンメモリ
150 光学画像取得部
160 制御系回路
170 透過照明光学系
171 対物レンズ
172 分割型1/2波長板
174 偏光ビームスプリッタ
176,178 結像レンズ
177 1/2波長板
180 投影レンズ
181 照明形状切替機構
182 結像レンズ
190 透過光
192 光
300 マスク基板
301 透過光
302 対物レンズ
304 半導体基板
305 光
Claims (6)
- パターンが形成された、露光用のマスク基板を載置する移動可能なステージと、
前記マスク基板が露光装置に配置された場合に前記マスク基板からの透過光を入射して被露光基板に結像する前記露光装置の縮小光学系が前記マスク基板からの透過光を入射する場合と同様の開口数で、前記マスク基板上に結像された照明光が前記マスク基板を透過した透過光を入射する対物レンズと、
前記対物レンズに対して前記マスク基板とは反対側の位置であって前記対物レンズの瞳位置付近に配置され、前記対物レンズを通過後の前記透過光のP偏光波とS偏光波とを互いに直交する方向に揃える分割型1/2波長板と、
前記透過光の前記P偏光波と前記S偏光波とのうち一方を通過させ、他方の通過を制限する、偏光子と偏光ビームスプリッタとの1つにより構成される制限機構と、
前記制限機構が前記他方を通過させ、前記一方の通過を制限するように、前記制限機構を回転させる駆動機構と、
前記制限機構を通過した光を、前記露光装置の前記縮小光学系よりも十分小さい開口数で結像させる結像レンズと、
前記結像レンズにより結像された像を撮像するイメージセンサと、
を備えたことを特徴する偏光イメージ取得装置。 - パターンが形成された、露光用のマスク基板を載置する移動可能なステージと、
前記マスク基板が露光装置に配置された場合に前記マスク基板からの透過光を入射して被露光基板に結像する前記露光装置の縮小光学系が前記マスク基板からの透過光を入射する場合と同様の開口数で、前記マスク基板上に結像された照明光が前記マスク基板を透過した透過光を入射する対物レンズと、
前記対物レンズに対して前記マスク基板とは反対側の位置であって前記対物レンズの瞳位置付近に配置され、前記対物レンズを通過後の前記透過光のP偏光波とS偏光波とを互いに直交する方向に揃える分割型1/2波長板と、
前記透過光の前記P偏光波と前記S偏光波とのうち一方を通過させ、他方の通過を制限する、偏光子と偏光ビームスプリッタとの1つにより構成される制限機構と、
前記制限機構が前記他方を通過させ、前記一方の通過を制限するように、偏光方向を90°回転させる1/2波長板と、
前記回転用の1/2波長板を回転させる駆動機構と、
前記制限機構を通過した光を、前記露光装置の前記縮小光学系よりも十分小さい開口数で結像させる結像レンズと、
前記結像レンズにより結像された像を撮像するイメージセンサと、
を備えたことを特徴する偏光イメージ取得装置。 - パターンが形成された、露光用のマスク基板を載置する移動可能なステージと、
前記マスク基板が露光装置に配置された場合に前記マスク基板からの透過光を入射して被露光基板に結像する前記露光装置の縮小光学系が前記マスク基板からの透過光を入射する場合と同様の開口数で、前記マスク基板上に結像された照明光が前記マスク基板を透過した透過光を入射する対物レンズと、
前記対物レンズに対して前記マスク基板とは反対側の位置であって前記対物レンズの瞳位置付近に配置され、前記対物レンズを通過後の前記透過光のP偏光波とS偏光波とを互いに直交する方向に揃える分割型1/2波長板と、
前記透過光の前記P偏光波と前記S偏光波とのうち一方を通過させ、他方を反射する偏光ビームスプリッタと、
前記偏光ビームスプリッタを通過した光を、前記露光装置の前記縮小光学系よりも十分小さい開口数で結像させる第1の結像レンズと、
前記第1の結像レンズにより結像された像を撮像する第1のイメージセンサと、
前記偏光ビームスプリッタにより反射された光を、前記露光装置の前記縮小光学系よりも十分小さい前記開口数で結像させる第2の結像レンズと、
前記第2の結像レンズにより結像された像を撮像する第2のイメージセンサと、
を備えたことを特徴する偏光イメージ取得装置。 - 請求項1〜3いずれか記載の偏光イメージ取得装置と、
前記P偏光波と前記S偏光波とのうち前記一方による第1の光学画像と、前記P偏光波と前記S偏光波とのうち前記他方による第2の光学画像とを合成する合成部と、
第1のダイにおける前記第1と第2の光学画像が合成された第1のダイ画像と、前記第1のダイと同様のパターンが形成された第2のダイにおける前記第1と第2の光学画像が合成された、前記第1のダイ画像に対応する第2のダイ画像と、を比較する比較部と、
を備えたことを特徴するパターン検査装置。 - パターンが形成された、露光用のマスク基板に照明光を結像する工程と、
前記マスク基板が露光装置に配置された場合に前記マスク基板からの透過光を入射して被露光基板に結像する前記露光装置の縮小光学系が前記マスク基板からの透過光を入射する場合と同様の開口数で、前記照明光が前記マスク基板を透過した透過光を対物レンズに入射する工程と、
前記対物レンズに対して前記マスク基板とは反対側の位置であって前記対物レンズの瞳位置付近に配置された分割型1/2波長板を用いて、前記対物レンズを通過後の前記透過光のP偏光波とS偏光波とを互いに直交する方向に揃える工程と、
前記透過光の前記P偏光波と前記S偏光波とのうち一方を通過させ、他方の通過を制限する工程と、
通過した前記P偏光波と前記S偏光波とのうち前記一方を、前記露光装置の前記縮小光学系よりも十分小さい開口数でイメージセンサに結像させる工程と、
前記イメージセンサを用いて、結像された前記P偏光波と前記S偏光波とのうちの前記一方による第1の像を撮像する工程と、
前記第1の像の光学画像を出力する工程と、
前記透過光の前記P偏光波と前記S偏光波とのうち前記他方を通過させ、前記一方の通過を制限する工程と、
通過した前記P偏光波と前記S偏光波とのうち前記他方を、前記露光装置の前記縮小光学系よりも十分小さい前記開口数で前記イメージセンサに結像させる工程と、
前記イメージセンサを用いて、結像された前記P偏光波と前記S偏光波とのうちの前記他方による第2の像を撮像する工程と、
前記第2の像の光学画像を出力する工程と、
を備えたことを特徴する偏光イメージ取得方法。 - パターンが形成された、露光用のマスク基板に照明光を結像する工程と、
前記マスク基板が露光装置に配置された場合に前記マスク基板からの透過光を入射して被露光基板に結像する前記露光装置の縮小光学系が前記マスク基板からの透過光を入射する場合と同様の開口数で、前記照明光が前記マスク基板を透過した透過光を対物レンズに入射する工程と、
前記対物レンズに対して前記マスク基板とは反対側の位置であって前記対物レンズの瞳位置付近に配置された分割型1/2波長板を用いて、前記対物レンズを通過後の前記透過光のP偏光波とS偏光波とを互いに直交する方向に揃える工程と、
前記透過光の前記P偏光波と前記S偏光波とのうち一方を通過させ、他方を反射する工程と、
通過した前記P偏光波と前記S偏光波とのうち前記一方を、前記露光装置の前記縮小光学系よりも十分小さい開口数で第1のイメージセンサに結像させる工程と、
前記第1のイメージセンサを用いて、結像された前記P偏光波と前記S偏光波とのうちの前記一方による第1の像を撮像する工程と、
前記第1の像の光学画像を出力する工程と、
前記透過光の前記P偏光波と前記S偏光波とのうち反射された前記他方を、前記露光装置の前記縮小光学系よりも十分小さい前記開口数で第2のイメージセンサに結像させる工程と、
前記第2のイメージセンサを用いて、結像された前記P偏光波と前記S偏光波とのうちの前記他方による第2の像を撮像する工程と、
前記第2の像の光学画像を出力する工程と、
を備えたことを特徴する偏光イメージ取得方法。
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