JP2017073487A - 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体 - Google Patents
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Abstract
Description
図1に示すように、基板処理システム1は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハWである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。基板処理システム1は、塗布・現像装置2と露光装置3とを備える。露光装置3は、ウェハW上に形成されたレジスト膜の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置2は、露光装置3による露光処理の前に、ウェハWの表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置2の構成を説明する。図1〜図3に示すように、塗布・現像装置2は、キャリアブロック4と、処理ブロック5と、インターフェースブロック6とを備える。
処理モジュール14〜16は、液処理ユニットU1に配置されたウェハWの表面に処理液を供給するための液供給モジュールを備える。以下、処理モジュール15を具体例にして説明する。
図3に示すように、塗布・現像装置2は、コントローラ100を更に備える。コントローラ100は、複数の液供給モジュール30を含む塗布・現像装置2の構成要素を制御する。塗布・現像装置2は、コントローラ100用のユーザインタフェース200を更に備えてもよい。ユーザインタフェース200は、例えば液晶モニタ等の表示部211と、キーパッド等の入力部212とを有する。
続いて、基板処理方法の一例として、塗布・現像装置2により実行される塗布・現像処理手順を説明する。この塗布・現像処理手順は、プロセス構築手順と、制御実行手順とを含む。プロセス構築手順は、上記プロセス情報を構築する手順である。制御実行手順は、上記プロセス情報に従って塗布・現像装置2の各要素を制御する手順である。いずれの手順もコントローラ100により実行される。以下、プロセス構築手順及び制御実行手順の各々の具体例を説明する。
図6に示すように、コントローラ100は、まずステップS11,S12を順に実行する。ステップS11では、プロセス構築部112が、ユーザインタフェース200への入力情報に基づいて処理モードを取得する。処理モードは、構築しようとするプロセスが、上記並列処理であるか否かを示す情報である。例えばプロセス構築部112は、構築しようとするプロセスが並列処理であるか否かを問う画像を表示部211に表示し、これに応じてオペレータにより入力部212に入力された情報に基づいて処理モードを取得する。
図8は、プロセス構築手順の変形例を示すフローチャートである。この手順において、コントローラ100は、まずステップS11,S12と同様のステップS21,S22を実行する。
図9は、プロセス構築手順の他の変形例を示すフローチャートである。この手順において、コントローラ100は、まずステップS11,S12と同様のステップS31,S32を実行する。
ステップS38において、並列処理用の全ての液供給モジュール30についてレシピを取得したと判定された場合、コントローラ100は処理を終了する。
コントローラ100が制御手順を実行する際には、制御実行部114が、プロセス情報記憶部113に記憶されたプロセス情報に従って塗布・現像装置2の各要素を制御する。制御実行部114は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置2を制御する。
塗布・現像装置2は、ウェハWに処理液を供給するための複数の液供給モジュール30と、複数の液供給モジュール30を制御するコントローラ100とを備える。それぞれの液供給モジュール30は複数のノズルを有し、コントローラ100は、それぞれのノズルの識別情報と、ぞれぞれのノズルに割り当てられた処理液の種類を示す情報とを記憶する処理液情報記憶部111と、複数のノズルのうち、処理液の供給に用いるアクティブノズルを定める情報を含むプロセス情報を、処理液情報記憶部111に記憶された情報に基づいて構築するプロセス構築部112と、プロセス構築部112により構築されたプロセス情報に従ってウェハWに処理液を供給するように液供給モジュール30を制御する制御実行部114と、を有する。
Claims (11)
- 基板に処理液を供給するための複数の液供給モジュールと、
前記複数の液供給モジュールを制御するコントローラと、を備え、
それぞれの前記液供給モジュールは複数のノズルを有し、
前記コントローラは、
それぞれの前記ノズルの識別情報と、ぞれぞれの前記ノズルに割り当てられた前記処理液の種類を示す情報とを記憶する処理液情報記憶部と、
前記複数のノズルのうち、前記処理液の供給に用いるアクティブノズルを定める情報を含むプロセス情報を、前記処理液情報記憶部に記憶された情報に基づいて構築するプロセス構築部と、
前記プロセス構築部により構築されたプロセス情報に従って前記基板に前記処理液を供給するように前記液供給モジュールを制御する制御実行部と、を有する基板処理装置。 - ユーザインタフェースを更に備え、
前記プロセス構築部は、
前記ユーザインタフェースへの入力情報に基づいて前記プロセス情報を構築し、
複数の前記液供給モジュールにおいて同一種類の前記処理液を供給する並列処理用の前記プロセス情報を構築する際には、前記ユーザインタフェースへの入力情報に基づいて当該複数の液供給モジュールのそれぞれにおける前記アクティブノズルを選択し、前記処理液情報記憶部を参照して、当該複数の液供給モジュールの前記アクティブノズルに割り当てられた処理液同士が同一種類か否かを判定する、請求項1に記載の基板処理装置。 - ユーザインタフェースを更に備え、
前記プロセス構築部は、
前記ユーザインタフェースへの入力情報に基づいて前記プロセス情報を構築し、
複数の前記液供給モジュールにおいて同一種類の前記処理液を供給する並列処理用の前記プロセス情報を構築する際には、前記ユーザインタフェースへの入力情報に基づいて一つの前記液供給モジュールにおける前記アクティブノズルを選択し、前記処理液情報記憶部を参照して、前記一つの液供給モジュールと同一種類の前記処理液を供給するように他の前記液供給モジュールにおける前記アクティブノズルを選択する、請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記プロセス構築部は、
複数の前記液供給モジュールにおいて同一種類の前記処理液を供給する並列処理用の前記プロセス情報を構築する際には、前記ユーザインタフェースへの入力情報に基づいて一つの前記液供給モジュールにおける前記アクティブノズルを選択し、前記処理液情報記憶部を参照して、前記一つの液供給モジュールと同一種類の前記処理液を供給可能な他の前記液供給モジュールを、前記並列処理用の前記液供給モジュールとして選択する、請求項3に記載の基板処理装置。 - ユーザインタフェースを更に備え、
前記プロセス構築部は、
前記ユーザインタフェースへの入力情報に基づいて前記プロセス情報を構築し、
複数の前記液供給モジュールにおいて同一種類の前記処理液を供給する並列処理用の前記プロセス情報を構築する際には、前記ユーザインタフェースへの入力情報に基づいて前記基板に供給する前記処理液の種類を選択し、前記処理液情報記憶部を参照して、当該処理液を供給可能な複数の前記液供給モジュールを、前記並列処理用の前記液供給モジュールとして選択する、請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記プロセス構築部は、前記処理液情報記憶部を参照して、前記並列処理用のそれぞれの前記液供給モジュールにおける前記アクティブノズルを選択する、請求項5に記載の基板処理装置。
- 一つの前記液供給モジュールにおいて前記複数のノズルに割り当てられた前記処理液の種類と、他の前記液供給モジュールにおいて前記複数のノズルに割り当てられた前記処理液の種類とが部分的に重複している、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 複数種類の前記処理液をそれぞれ供給する複数の液源を更に備え、
前記液源の数は、一つの前記液供給モジュールが有する前記ノズルの数よりも多く、
全ての前記液供給モジュールが有するノズルの合計数よりも少ない、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 三つ以上の前記液供給モジュールを備え、
前記液源の数は、一つの前記液供給モジュールが有する前記ノズルの数よりも多く、二つの液供給モジュールが有する前記ノズルの合計数よりも少ない、請求項8に記載の基板処理装置。 - 基板に処理液を供給するための複数の液供給モジュールを備え、
それぞれの前記液供給モジュールが複数のノズルを有する基板処理装置により実行される基板処理方法であって、
それぞれの前記ノズルの識別情報と、ぞれぞれの前記ノズルに割り当てられた前記処理液の種類を示す情報とを処理液情報として記憶すること、
前記複数のノズルのうち、前記処理液の供給に用いるアクティブノズルを定める情報を含むプロセス情報を、前記処理液情報に基づいて構築すること、
前記プロセス情報に従って前記基板に前記処理液を供給するように前記液供給モジュールを制御すること、を含む基板処理方法。 - 請求項10に記載の基板処理方法を基板処理装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015200081A JP6412845B2 (ja) | 2015-10-08 | 2015-10-08 | 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体 |
KR1020160128481A KR102644202B1 (ko) | 2015-10-08 | 2016-10-05 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기록 매체 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015200081A JP6412845B2 (ja) | 2015-10-08 | 2015-10-08 | 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017073487A true JP2017073487A (ja) | 2017-04-13 |
JP6412845B2 JP6412845B2 (ja) | 2018-10-24 |
Family
ID=58538382
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2015200081A Active JP6412845B2 (ja) | 2015-10-08 | 2015-10-08 | 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体 |
Country Status (2)
Country | Link |
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JP (1) | JP6412845B2 (ja) |
KR (1) | KR102644202B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111383962A (zh) * | 2018-12-28 | 2020-07-07 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理装置的运转方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011131188A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Tokyo Electron Ltd | 薬液供給ノズル及び薬液供給方法 |
JP2011187490A (ja) * | 2010-03-04 | 2011-09-22 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
JP2012015385A (ja) * | 2010-07-02 | 2012-01-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2015026744A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100277596B1 (ko) * | 1998-11-30 | 2001-03-02 | 윤종용 | 웨이퍼가공장치의 제어장치 및 제어방법 |
JP5304474B2 (ja) | 2009-06-22 | 2013-10-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
-
2015
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011131188A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Tokyo Electron Ltd | 薬液供給ノズル及び薬液供給方法 |
JP2011187490A (ja) * | 2010-03-04 | 2011-09-22 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
JP2012015385A (ja) * | 2010-07-02 | 2012-01-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2015026744A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111383962A (zh) * | 2018-12-28 | 2020-07-07 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理装置的运转方法 |
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Publication number | Publication date |
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KR20170042238A (ko) | 2017-04-18 |
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KR102644202B1 (ko) | 2024-03-06 |
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