JP2012054469A - 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 - Google Patents
塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012054469A JP2012054469A JP2010197036A JP2010197036A JP2012054469A JP 2012054469 A JP2012054469 A JP 2012054469A JP 2010197036 A JP2010197036 A JP 2010197036A JP 2010197036 A JP2010197036 A JP 2010197036A JP 2012054469 A JP2012054469 A JP 2012054469A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- block
- substrate
- unit block
- module
- development
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrates to be conveyed not being semiconductor wafers or large planar substrates, e.g. chips, lead frames
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
【解決手段】処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、を備え、液処理系の単位ブロック群は、第1の単位ブロックと第2の単位ブロックとをこの順で上側に積層した積層体と、この積層体に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックを互いに上下に積層した積層体と、から構成され、前記第1の単位ブロックは、反射防止膜モジュールと、レジストモジュールと、を基板の搬送路の左右に備え、前記第2の単位ブロックは、上層膜モジュールと、硬化モジュールと、を基板の搬送路の左右に備える。
【選択図】図16
Description
a)前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、を備えたことと、
b)前記液処理系の単位ブロック群は、第1の単位ブロックと第2の単位ブロックとをこの順で上側に積層した積層体と、
この積層体に対して上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
c)前記第1の単位ブロックは、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜用の薬液を基板に供給するための反射防止膜モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜の上にレジスト液を供給するためのレジストモジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
d)前記第2の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、レジスト膜の上に上層膜を形成するための薬液を基板に供給するための上層膜モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置され、基板に対して1回目の現像処理がされて形成された第1のレジストパターンを硬化させるための硬化液を基板に供給する硬化モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
e)前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールを備えると共に、これら現像モジュールは前記直線搬送路に沿って移動する主搬送機構により基板の受け渡しが行われることと、
f)前記加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、第1の単位ブロック及び第2の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を夫々加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
g)前記第1の単位ブロック及び第2の単位ブロックの各々におけるインターフェイスブロック側に設けられ、薬液の塗布処理後の基板を前記主搬送機構から前記上下搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、前記現像用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に設けられ、露光後の基板を前記上下搬送機構から前記主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
h)前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、現像後の基板が主搬送機構により搬出される受け渡しステージと、前記第1の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、キャリアから払い出された基板を当該第1の単位ブロックの主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
i)キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記第1の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
を備えたことを特徴とする。
(1)第1の単位ブロックに設けられたレジストモジュールに代えて硬化モジュールが設けられ、第2の単位ブロックに設けられた硬化モジュールに代えてレジストモジュールが設けられる。
(2)前記現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれる。
(3)第1回目のレジストパターン形成処理を行った後、前記硬化モジュールを使用し、その後に第2回目のレジストパターン形成処理を行うモードと、
ネガ型レジストを現像する現像モジュールを使用してレジストパターンを形成するモードと、
の一方を選択するためのモード選択部を設ける。
基板に対して1回目のレジスト液の供給を行う工程と、
前記基板を現像処理して1回目の現像処理を行い第1のレジストパターンを形成する工程と、
前記第1のレジストパターンに硬化液を供給して、第1のレジストパターンを硬化する工程と、
硬化された第1のレジストパターンに2回目のレジスト液の供給を行う工程と、
前記基板を現像処理して2回目の現像処理を行い第2のレジストパターンを形成する工程と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像方法。
a)前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、を備えたことと、
b)前記液処理系の単位ブロック群は、第1の単位ブロックと第2の単位ブロックとをこの順で上側に積層した積層体と、
この積層体に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
c)前記第1の単位ブロックは、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜用の薬液を基板に供給するための反射防止膜モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
d)前記第2の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、レジスト膜の上に上層膜を形成するための薬液を基板に供給するための上層膜モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
e)前記第1の単位ブロック及び第2の単位ブロックの少なくとも一方の直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜の上にレジスト液を供給するためのレジストモジュールと、
f)前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールを備えると共に、これら現像モジュール前記直線搬送路に沿って移動する主搬送機構により基板の受け渡しが行われることと、
g)前記加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、第1の単位ブロック及び第2の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を夫々加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
h)前記第1の単位ブロック及び第2の単位ブロックの各々におけるインターフェイスブロック側に設けられ、薬液の塗布処理後の基板を前記主搬送機構から前記上下搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、前記現像用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に設けられ、露光後の基板を前記上下搬送機構から前記主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
i)前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、現像後の基板が主搬送機構により搬出される受け渡しステージと、前記第1の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、キャリアから払い出された基板を当該第1の単位ブロックの主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
j)キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記第1の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
k)前記現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれること、
を備えたことを特徴とする。
レジストモジュールで基板にネガ型レジストまたはポジ型レジストを塗布する工程と、
ネガ型レジストが塗布された基板を、ネガ型レジストを現像する現像モジュールに搬送する工程と、
ポジ型レジストが塗布された基板を、ポジ型レジストを現像する現像モジュールに搬送する工程と、を備えたことを特徴とする。
a)前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、を備えたことと、
b)前記液処理系の単位ブロック群は、
反射防止膜を基板に形成するための反射防止膜用の単位ブロックと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためのレジスト膜用の単位ブロックと、レジスト膜の上に上層膜を形成するための上層膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、
この塗布膜用の単位ブロック群に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
c)前記塗布膜用の単位ブロック群の各々は、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、各塗布膜に対応する薬液を基板に供給するための液処理モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら液処理モジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
d)前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら現像モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
e)前記加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、塗布膜用の単位ブロック群の各単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を夫々加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
f)前記塗布膜用の単位ブロック群の各々におけるインターフェイスブロック側に設けられ、薬液の塗布処理後の基板を前記主搬送機構から前記上下搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、前記現像用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に設けられ、露光後の基板を前記上下搬送機構から前記主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、
g)前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、現像後の基板が主搬送機構により搬出される受け渡しステージと、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、キャリアから払い出された基板を当該単位ブロックの主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、
h)キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
i)下記の[i−1]、[i−2]、[i−3]のいずれかの構成を備えたことと、
[i−1] 基板に対して1回目の現像処理がされて形成された第1のレジストパターンを硬化させるための硬化液を基板に供給する硬化モジュールを設け、現像モジュールは全てポジレジスト用のレジストを現像するためのものである。
[i−2] 前記硬化モジュールを設け、現像モジュールとしては、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれる。
[i−3] 前記硬化モジュールは設けられず、現像モジュールとしては、ネガ型レジストを現像する現像モジュールが含まれる。
j)前記[i−1]、[i−2]における硬化モジュールは、塗布膜用の単位ブロック群または現像用の単位ブロックに対して上下方向に積層された単位ブロックの中に配置され、当該単位ブロックには前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置された前記硬化モジュールと、これら硬化モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備え、
また前記[i−2]における現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれることと、
前記[i−3]における現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置されたネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれることと、
を備えたことを特徴とする。
第1回目のレジストパターン形成処理を行った後、前記硬化モジュールを使用し、その後に第2回目のレジストパターン形成処理を行うモードと、
ネガ型レジストを現像する現像モジュールを使用してレジストパターンを形成するモードと、
の一方を選択するためのモード選択部を設けてもよい。
(4)基板に対して1回目のポジ型のレジスト液の供給を行う工程と、
前記基板を現像処理して1回目の現像処理を行い第1のレジストパターンを形成する工程と、
前記第1のレジストパターンに硬化液を供給して、第1のレジストパターンを硬化する工程と、
硬化された第1のレジストパターンに2回目のポジ型のレジスト液の供給を行う工程と、
前記基板を現像処理して2回目の現像処理を行い第2のレジストパターンを形成する工程と、
を備える。
(5)第1の基板に対してネガ型のレジスト液の供給を行う工程と、
前記第1の基板を現像処理する工程と、
を備える。
(6)(5)の各工程に加え、第2の基板に対して1回目のポジ型のレジスト液の供給を行う工程と、
前記第2の基板を現像処理して1回目の現像処理を行い第1のレジストパターンを形成する工程と、
前記第1のレジストパターンに硬化液を供給して、第1のレジストパターンを硬化する工程と、
硬化された第1のレジストパターンに2回目のポジ型のレジスト液の供給を行う工程と、
前記第1の基板を現像処理して2回目の現像処理を行い第2のレジストパターンを形成する工程と、
を備える。
本発明の他の塗布、現像装置についても、反射防止膜モジュール、レジストモジュール、上層膜を形成するモジュールを含む第1及び第2の単位ブロックからなる積層体に、ポジ用のレジスト、ネガ用のレジストを夫々現像する現像モジュールを含んだ現像用の単位ブロックが積層され、各モジュールは基板を搬送する搬送路の左右両側に配置されている。従って、装置の設置面積を抑えることができ、スループットの低下を抑えることができる。
本発明のさらに他の塗布、現像装置についても、反射防止膜用の単位ブロックと、レジスト膜用の単位ブロックと、上層膜用の単位ブロックと、現像用の単位ブロックとの積層体に、さらに硬化モジュールを含んだ単位ブロックが積層されるか、前記現像用単位ブロックは少なくともネガ用のレジストを現像する現像モジュールを備えるように構成され、各単位ブロックでモジュールが基板の搬送路の左右両側に配置されているので、装置の設置面積を抑えることができ、スループットの低下を抑えることができる。
本発明に係る塗布、現像装置1について説明する。図1は、本発明の塗布、現像装置1をレジストパターン形成装置に適用した場合の一実施の形態の平面図を示し、図2は同概略斜視図、図3は同概略側面図である。この塗布、現像装置1は、基板であるウエハWが例えば25枚密閉収納されたキャリアCを搬入出するためのキャリアブロックS1と、ウエハWに対して処理を行うための処理ブロックS20と、補助ブロックS5と、インターフェイスブロックS6と、を直線状に配列して構成されている。インターフェイスブロックS6には、液浸露光を行う露光装置S7が接続されている。
続いて第2の実施形態の塗布、現像装置6について、塗布、現像装置1との差異点を中心に説明する。図16、図17、図18は、夫々塗布、現像装置6の平面図、斜視図、縦断側面図である。図16に示すように前方側ブロックS2には、棚ユニットU1、U2の後方側に棚ユニットU21、U22が夫々配置されている。そして、棚ユニットU1とU2との間及びU21とU22との間は、前後方向に形成された搬送領域R4として構成されている。前記受け渡しアーム15は、搬送領域R4に沿って移動し、各棚ユニットU1、U2、U21、U22の各モジュールにウエハWを搬送する。図19は、前方側ブロックS2の正面図である。ただし、棚ユニットU21、U22は、棚ユニットU1、U2に対して、外側へずらして示している。棚ユニットU21、U22には、棚ユニットU1、U2と同様に疎水化処理モジュールADHが設けられている。
第2の実施形態の塗布、現像装置6で、液処理モジュールの配置としては上記の例に限られない。例えば、図29及び図30に示すように第1の液処理単位ブロックB1に反射防止膜形成モジュールBCT及びレジスト膜形成モジュールCOTを配置し、第2の液処理単位ブロックB2に硬化モジュールFCOT及び保護膜形成モジュールITCを配置してもよい。このような配置とした場合、ネガ現像処理モード実行時においては、ウエハWは反射防止膜形成後、第1の加熱処理単位ブロックC1の加熱モジュールCHPで加熱処理された後、棚ユニットU5の受け渡しモジュールTRSを介して第1の液処理単位ブロックB1に戻され、レジスト膜形成モジュールCOTで処理される。レジスト塗布後のウエハWは、再度第1の加熱処理単位ブロックC1に搬入され、加熱モジュールPABで加熱処理された後、メインアームF1により第2の液処理単位ブロックB2に搬送され、保護膜の形成処理を受ける。以降、ウエハWは第2の実施形態と同様の搬送経路で搬送されて処理を受ける。
BCT 反射防止膜形成モジュール
B1〜B6 液処理単位ブロック
COT レジスト膜形成モジュール
DEV 現像モジュール
D1〜D4 メインアーム
F1、F2 メインアーム
NDEV ネガ現像モジュール
ITC 保護膜形成モジュール
S1 キャリアブロック
S2 前方側処理ブロック
S3 液処理ブロック
S4 加熱処理ブロック
S5 補助ブロック
S6 インターフェイスブロック
S7 露光装置
W ウエハ
1、6 塗布、現像装置
51 制御部
Claims (14)
- キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
a)前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、を備えたことと、
b)前記液処理系の単位ブロック群は、第1の単位ブロックと第2の単位ブロックとをこの順で上側に積層した積層体と、
この積層体に対して上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
c)前記第1の単位ブロックは、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜用の薬液を基板に供給するための反射防止膜モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜の上にレジスト液を供給するためのレジストモジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
d)前記第2の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、レジスト膜の上に上層膜を形成するための薬液を基板に供給するための上層膜モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置され、基板に対して1回目の現像処理がされて形成された第1のレジストパターンを硬化させるための硬化液を基板に供給する硬化モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
e)前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールを備えると共に、これら現像モジュールは前記直線搬送路に沿って移動する主搬送機構により基板の受け渡しが行われることと、
f)前記加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、第1の単位ブロック及び第2の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を夫々加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
g)前記第1の単位ブロック及び第2の単位ブロックの各々におけるインターフェイスブロック側に設けられ、薬液の塗布処理後の基板を前記主搬送機構から前記上下搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、前記現像用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に設けられ、露光後の基板を前記上下搬送機構から前記主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
h)前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、現像後の基板が主搬送機構により搬出される受け渡しステージと、前記第1の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、キャリアから払い出された基板を当該第1の単位ブロックの主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
i)キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記第1の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。 - 第1の単位ブロックに設けられたレジストモジュールに代えて硬化モジュールが設けられ、第2の単位ブロックに設けられた硬化モジュールに代えてレジストモジュールが設けられる請求項1記載の塗布、現像装置。
- 前記現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれることを特徴とする請求項1または2記載の塗布、現像装置。
- 第1回目のレジストパターン形成処理を行った後、前記硬化モジュールを使用し、その後に第2回目のレジストパターン形成処理を行うモードと、
ネガ型レジストを現像する現像モジュールを使用してレジストパターンを形成するモードと、
の一方を選択するためのモード選択部を設けたことを特徴とする請求項3記載の塗布、現像装置。 - キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
a)前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、を備えたことと、
b)前記液処理系の単位ブロック群は、第1の単位ブロックと第2の単位ブロックとをこの順で上側に積層した積層体と、
この積層体に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
c)前記第1の単位ブロックは、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜用の薬液を基板に供給するための反射防止膜モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
d)前記第2の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、レジスト膜の上に上層膜を形成するための薬液を基板に供給するための上層膜モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
e)前記第1の単位ブロック及び第2の単位ブロックの少なくとも一方の直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜の上にレジスト液を供給するためのレジストモジュールと、
f)前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールを備えると共に、これら現像モジュール前記直線搬送路に沿って移動する主搬送機構により基板の受け渡しが行われることと、
g)前記加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、第1の単位ブロック及び第2の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を夫々加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
h)前記第1の単位ブロック及び第2の単位ブロックの各々におけるインターフェイスブロック側に設けられ、薬液の塗布処理後の基板を前記主搬送機構から前記上下搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、前記現像用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に設けられ、露光後の基板を前記上下搬送機構から前記主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
i)前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、現像後の基板が主搬送機構により搬出される受け渡しステージと、前記第1の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、キャリアから払い出された基板を当該第1の単位ブロックの主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
j)キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記第1の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
k)前記現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれること、
を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。 - 現像用の単位ブロックは複数設けられ、複数の現像用の単位ブロックの一つは、ポジ型レジストを現像する専用の単位ブロックであり、複数の現像用の単位ブロックの他の一つは、ネガ型レジストを現像する専用の単位ブロックである請求項3または5に記載の塗布、現像装置。
- キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
a)前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、を備えたことと、
b)前記液処理系の単位ブロック群は、
反射防止膜を基板に形成するための反射防止膜用の単位ブロックと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためのレジスト膜用の単位ブロックと、レジスト膜の上に上層膜を形成するための上層膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、
この塗布膜用の単位ブロック群に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
c)前記塗布膜用の単位ブロック群の各々は、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、各塗布膜に対応する薬液を基板に供給するための液処理モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら液処理モジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
d)前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら現像モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
e)前記加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、塗布膜用の単位ブロック群の各単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を夫々加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
f)前記塗布膜用の単位ブロック群の各々におけるインターフェイスブロック側に設けられ、薬液の塗布処理後の基板を前記主搬送機構から前記上下搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、前記現像用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に設けられ、露光後の基板を前記上下搬送機構から前記主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、
g)前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、現像後の基板が主搬送機構により搬出される受け渡しステージと、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、キャリアから払い出された基板を当該単位ブロックの主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、
h)キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
i)下記の[i−1]、[i−2]、[i−3]のいずれかの構成を備えたことと、
[i−1] 基板に対して1回目の現像処理がされて形成された第1のレジストパターンを硬化させるための硬化液を基板に供給する硬化モジュールを設け、現像モジュールは全てポジレジスト用のレジストを現像するためのものである。
[i−2] 前記硬化モジュールを設け、現像モジュールとしては、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれる。
[i−3] 前記硬化モジュールは設けられず、現像モジュールとしては、ネガ型レジストを現像する現像モジュールが含まれる。
j)前記[i−1]、[i−2]における硬化モジュールは、塗布膜用の単位ブロック群または現像用の単位ブロックに対して上下方向に積層された単位ブロックの中に配置され、当該単位ブロックには前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置された前記硬化モジュールと、これら硬化モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備え、
また前記[i−2]における現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれることと、
前記[i−3]における現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置されたネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれることと、
を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。 - 前記[i−2]の構成を採用し、
第1回目のレジストパターン形成処理を行った後、前記硬化モジュールを使用し、その後に第2回目のレジストパターン形成処理を行うモードと、
ネガ型レジストを現像する現像モジュールを使用してレジストパターンを形成するモードと、
の一方を選択するためのモード選択部を設けたことを特徴とする請求項7記載の塗布、現像装置。 - キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
a)前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、を備えたことと、
b)前記液処理系の単位ブロック群は、第1の単位ブロックと第2の単位ブロックとをこの順で上側に積層した積層体と、
この積層体に対して上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
c)前記第1の単位ブロックは、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜用の薬液を基板に供給するための反射防止膜モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜の上にレジスト液を供給するためのレジストモジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
d)前記第2の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、レジスト膜の上に上層膜を形成するための薬液を基板に供給するための上層膜モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置され、基板に対して1回目の現像処理がされて形成された第1のレジストパターンを硬化させるための硬化液を基板に供給する硬化モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
e)前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールを備えると共に、これら現像モジュールは前記直線搬送路に沿って移動する主搬送機構により基板の受け渡しが行われることと、
f)前記加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、第1の単位ブロック及び第2の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を夫々加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
g)前記第1の単位ブロック及び第2の単位ブロックの各々におけるインターフェイスブロック側に設けられ、薬液の塗布処理後の基板を前記主搬送機構から前記上下搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、前記現像用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に設けられ、露光後の基板を前記上下搬送機構から前記主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
h)前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、現像後の基板が主搬送機構により搬出される受け渡しステージと、前記第1の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、キャリアから払い出された基板を当該第1の単位ブロックの主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
i)キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記第1の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
を備える塗布、現像装置か、あるいは前記塗布現像装置において第1の単位ブロックに設けられたレジストモジュールに代えて硬化モジュールが設けられ、第2の単位ブロックに設けられた硬化モジュールに代えてレジストモジュールが設けられる塗布、現像装置を用い、
基板に対して1回目のレジスト液の供給を行う工程と、
前記基板を現像処理して1回目の現像処理を行い第1のレジストパターンを形成する工程と、
前記第1のレジストパターンに硬化液を供給して、第1のレジストパターンを硬化する工程と、
硬化された第1のレジストパターンに2回目のレジスト液の供給を行う工程と、
前記基板を現像処理して2回目の現像処理を行い第2のレジストパターンを形成する工程と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像方法。 - キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
a)前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、を備えたことと、
b)前記液処理系の単位ブロック群は、第1の単位ブロックと第2の単位ブロックとをこの順で上側に積層した積層体と、
この積層体に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
c)前記第1の単位ブロックは、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜用の薬液を基板に供給するための反射防止膜モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
d)前記第2の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、レジスト膜の上に上層膜を形成するための薬液を基板に供給するための上層膜モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これらモジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
e)前記第1の単位ブロック及び第2の単位ブロックの少なくとも一方の直線搬送路の左右両側に配置され、反射防止膜の上にレジスト液を供給するためのレジストモジュールと、
f)前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールを備えると共に、これら現像モジュール前記直線搬送路に沿って移動する主搬送機構により基板の受け渡しが行われることと、
g)前記加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、第1の単位ブロック及び第2の単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を夫々加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
h)前記第1の単位ブロック及び第2の単位ブロックの各々におけるインターフェイスブロック側に設けられ、薬液の塗布処理後の基板を前記主搬送機構から前記上下搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、前記現像用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に設けられ、露光後の基板を前記上下搬送機構から前記主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
i)前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、現像後の基板が主搬送機構により搬出される受け渡しステージと、前記第1の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、キャリアから払い出された基板を当該第1の単位ブロックの主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージとを備えたことと、
j)キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記第1の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
k)前記現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれること、
を備えた塗布、現像装置を用い、
レジストモジュールで基板にネガ型レジストまたはポジ型レジストを塗布する工程と、
ネガ型レジストが塗布された基板を、ネガ型レジストを現像する現像モジュールに搬送する工程と、
ポジ型レジストが塗布された基板を、ポジ型レジストを現像する現像モジュールに搬送する工程と、を備えたことを特徴とする塗布、現像方法。 - キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
a)前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、を備えたことと、
b)前記液処理系の単位ブロック群は、
反射防止膜を基板に形成するための反射防止膜用の単位ブロックと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためのレジスト膜用の単位ブロックと、レジスト膜の上に上層膜を形成するための上層膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、
この塗布膜用の単位ブロック群に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
c)前記塗布膜用の単位ブロック群の各々は、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、各塗布膜に対応する薬液を基板に供給するための液処理モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら液処理モジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
d)前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら現像モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
e)前記加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、塗布膜用の単位ブロック群の各単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を夫々加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
f)前記塗布膜用の単位ブロック群の各々におけるインターフェイスブロック側に設けられ、薬液の塗布処理後の基板を前記主搬送機構から前記上下搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、前記現像用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に設けられ、露光後の基板を前記上下搬送機構から前記主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、
g)前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、現像後の基板が主搬送機構により搬出される受け渡しステージと、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、キャリアから払い出された基板を当該単位ブロックの主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、
h)キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
i)下記の[i−1]、[i−2]、[i−3]のいずれかの構成を備えたことと、
[i−1] 基板に対して1回目の現像処理がされて形成された第1のレジストパターンを硬化させるための硬化液を基板に供給する硬化モジュールを設け、現像モジュールは全てポジレジスト用のレジストを現像するためのものである。
[i−2] 前記硬化モジュールを設け、現像モジュールとしては、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれる。
[i−3] 前記硬化モジュールは設けられず、現像モジュールとしては、ネガ型レジストを現像する現像モジュールが含まれる。
j)前記[i−1]、[i−2]における硬化モジュールは、塗布膜用の単位ブロック群または現像用の単位ブロックに対して上下方向に積層された単位ブロックの中に配置され、当該単位ブロックには前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置された前記硬化モジュールと、これら硬化モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備え、
また前記[i−2]における現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれることと、
前記[i−3]における現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置されたネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれることと、
を備えた塗布、現像装置を用い、
基板に対して1回目のポジ型のレジスト液の供給を行う工程と、
前記基板を現像処理して1回目の現像処理を行い第1のレジストパターンを形成する工程と、
前記第1のレジストパターンに硬化液を供給して、第1のレジストパターンを硬化する工程と、
硬化された第1のレジストパターンに2回目のポジ型のレジスト液の供給を行う工程と、
前記基板を現像処理して2回目の現像処理を行い第2のレジストパターンを形成する工程と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像方法。 - キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
a)前記処理ブロックは、キャリアブロック側に配置される液処理系の単位ブロック群と、この液処理系の単位ブロック群のインターフェイスブロック側に配置された加熱系のブロックと、を備えたことと、
b)前記液処理系の単位ブロック群は、
反射防止膜を基板に形成するための反射防止膜用の単位ブロックと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためのレジスト膜用の単位ブロックと、レジスト膜の上に上層膜を形成するための上層膜用の単位ブロックと、をこの順で上側に積層した塗布膜用の単位ブロック群と、
この塗布膜用の単位ブロック群に対して互いに上下に積層され、露光後の基板を現像するための現像用の単位ブロックと、から構成されることと、
c)前記塗布膜用の単位ブロック群の各々は、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側を見る方向を前方とすると、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、各塗布膜に対応する薬液を基板に供給するための液処理モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら液処理モジュールの間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
d)前記現像用の単位ブロックは、前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置され、現像液を基板に供給するための現像モジュールと、前記直線搬送路に沿って移動し、これら現像モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備えたことと、
e)前記加熱系のブロックは、多数の加熱モジュールを上下に積層し、これら加熱モジュールに対して、塗布膜用の単位ブロック群の各単位ブロックにて薬液を塗布した後の基板を夫々加熱する加熱モジュールと、現像用の単位ブロックにて現像液を供給する前の基板を加熱する加熱モジュールと、を割り当てると共に、加熱モジュールの間で基板の搬送を行うために昇降自在な上下搬送機構と、を備えたことと、
f)前記塗布膜用の単位ブロック群の各々におけるインターフェイスブロック側に設けられ、薬液の塗布処理後の基板を前記主搬送機構から前記上下搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、前記現像用の単位ブロックにおけるインターフェイスブロック側に設けられ、露光後の基板を前記上下搬送機構から前記主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、
g)前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、現像後の基板が主搬送機構により搬出される受け渡しステージと、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側に設けられ、キャリアから払い出された基板を当該単位ブロックの主搬送機構に受け渡すための受け渡しステージと、
h)キャリアブロックに置かれたキャリアから取り出された基板を、前記反射防止膜用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージに受け渡し、また前記現像用の単位ブロックにおけるキャリアブロック側の受け渡しステージから基板を受け取るための受け渡し機構と、
i)下記の[i−1]、[i−2]、[i−3]のいずれかの構成を備えたことと、
[i−1] 基板に対して1回目の現像処理がされて形成された第1のレジストパターンを硬化させるための硬化液を基板に供給する硬化モジュールを設け、現像モジュールは全てポジレジスト用のレジストを現像するためのものである。
[i−2] 前記硬化モジュールを設け、現像モジュールとしては、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれる。
[i−3] 前記硬化モジュールは設けられず、現像モジュールとしては、ネガ型レジストを現像する現像モジュールが含まれる。
j)前記[i−1]、[i−2]における硬化モジュールは、塗布膜用の単位ブロック群または現像用の単位ブロックに対して上下方向に積層された単位ブロックの中に配置され、当該単位ブロックには前後に伸びる直線搬送路と、この直線搬送路の左右両側に配置された前記硬化モジュールと、これら硬化モジュール間で基板の搬送を行う主搬送機構と、を備え、
また前記[i−2]における現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ポジ型レジストを現像する現像モジュールと、前記直線搬送路の左右両側に配置された、ネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれることと、
前記[i−3]における現像モジュールは、前記直線搬送路の左右両側に配置されたネガ型レジストを現像する現像モジュールと、が含まれることと、
を備えた塗布、現像装置を用い、
第1の基板に対してネガ型のレジスト液の供給を行う工程と、
前記第1の基板を現像処理する工程と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像方法。 - 第2の基板に対して1回目のポジ型のレジスト液の供給を行う工程と、
前記第2の基板を現像処理して1回目の現像処理を行い第1のレジストパターンを形成する工程と、
前記第1のレジストパターンに硬化液を供給して、第1のレジストパターンを硬化する工程と、
硬化された第1のレジストパターンに2回目のポジ型のレジスト液の供給を行う工程と、
前記第1の基板を現像処理して2回目の現像処理を行い第2のレジストパターンを形成する工程と、
を備えたことを特徴とする請求項12記載の塗布、現像方法。 - 塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項9ないし13のいずれか一項に記載の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010197036A JP5338777B2 (ja) | 2010-09-02 | 2010-09-02 | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
KR1020110074341A KR101667433B1 (ko) | 2010-09-02 | 2011-07-27 | 도포, 현상 장치 |
US13/219,955 US8419299B2 (en) | 2010-09-02 | 2011-08-29 | Coating and developing apparatus and method, and storage medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010197036A JP5338777B2 (ja) | 2010-09-02 | 2010-09-02 | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012054469A true JP2012054469A (ja) | 2012-03-15 |
JP5338777B2 JP5338777B2 (ja) | 2013-11-13 |
Family
ID=45770807
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010197036A Active JP5338777B2 (ja) | 2010-09-02 | 2010-09-02 | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8419299B2 (ja) |
JP (1) | JP5338777B2 (ja) |
KR (1) | KR101667433B1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014053540A (ja) * | 2012-09-10 | 2014-03-20 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置 |
JP2014075575A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-04-24 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理装置 |
US9685357B2 (en) | 2013-10-31 | 2017-06-20 | Semes Co., Ltd. | Apparatus for treating substrate |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5212443B2 (ja) * | 2010-09-13 | 2013-06-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
JP5345167B2 (ja) * | 2011-03-18 | 2013-11-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板保持装置 |
JP5779168B2 (ja) * | 2012-12-04 | 2015-09-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 周縁部塗布装置、周縁部塗布方法及び周縁部塗布用記録媒体 |
KR102108307B1 (ko) * | 2013-07-26 | 2020-05-11 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 설비 |
KR101579510B1 (ko) * | 2013-10-31 | 2015-12-23 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 설비 |
CN108873626B (zh) * | 2018-07-02 | 2021-04-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 涂胶显影设备 |
JP7181068B2 (ja) * | 2018-11-30 | 2022-11-30 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP6994489B2 (ja) * | 2019-10-02 | 2022-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置及び塗布、現像方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6313332A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-20 | Canon Inc | 半導体製造装置 |
JP2000150340A (ja) * | 1998-11-09 | 2000-05-30 | Nec Corp | 格子パターンの露光方法 |
JP2003332228A (ja) * | 2002-03-07 | 2003-11-21 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法 |
JP2003332192A (ja) * | 2002-05-10 | 2003-11-21 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法及び処理装置 |
JP2004207750A (ja) * | 2004-02-12 | 2004-07-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2006310376A (ja) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2006313936A (ja) * | 2000-09-01 | 2006-11-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理システム |
JP2007115831A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置及びその方法 |
WO2009008265A1 (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-15 | Az Electronic Materials (Japan) K.K. | 微細パターン形成用組成物およびそれを用いた微細パターン形成方法 |
JP2010118446A (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送処理装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3635214B2 (ja) * | 1999-07-05 | 2005-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP4614455B2 (ja) * | 2006-04-19 | 2011-01-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送処理装置 |
JP5397399B2 (ja) * | 2010-07-09 | 2014-01-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置 |
-
2010
- 2010-09-02 JP JP2010197036A patent/JP5338777B2/ja active Active
-
2011
- 2011-07-27 KR KR1020110074341A patent/KR101667433B1/ko active IP Right Grant
- 2011-08-29 US US13/219,955 patent/US8419299B2/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6313332A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-20 | Canon Inc | 半導体製造装置 |
JP2000150340A (ja) * | 1998-11-09 | 2000-05-30 | Nec Corp | 格子パターンの露光方法 |
JP2006313936A (ja) * | 2000-09-01 | 2006-11-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理システム |
JP2003332228A (ja) * | 2002-03-07 | 2003-11-21 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法 |
JP2003332192A (ja) * | 2002-05-10 | 2003-11-21 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法及び処理装置 |
JP2004207750A (ja) * | 2004-02-12 | 2004-07-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2006310376A (ja) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2007115831A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置及びその方法 |
WO2009008265A1 (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-15 | Az Electronic Materials (Japan) K.K. | 微細パターン形成用組成物およびそれを用いた微細パターン形成方法 |
JP2010118446A (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送処理装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014053540A (ja) * | 2012-09-10 | 2014-03-20 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置 |
JP2014075575A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-04-24 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理装置 |
US9304398B2 (en) | 2012-09-13 | 2016-04-05 | Tokyo Electron Limited | Developing treatment apparatus and developing treatment method |
US9470979B2 (en) | 2012-09-13 | 2016-10-18 | Tokyo Electron Limited | Developing treatment apparatus and developing treatment method |
US9685357B2 (en) | 2013-10-31 | 2017-06-20 | Semes Co., Ltd. | Apparatus for treating substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101667433B1 (ko) | 2016-10-18 |
KR20120025393A (ko) | 2012-03-15 |
JP5338777B2 (ja) | 2013-11-13 |
US20120057861A1 (en) | 2012-03-08 |
US8419299B2 (en) | 2013-04-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5338777B2 (ja) | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | |
KR101134225B1 (ko) | 도포, 현상장치 및 도포, 현상방법 | |
JP5348083B2 (ja) | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | |
US7871211B2 (en) | Coating and developing system, coating and developing method and storage medium | |
JP2013236097A (ja) | 塗布、現像装置及びその方法 | |
US9082800B2 (en) | Substrate treatment system, substrate transfer method and non-transitory computer-readable storage medium | |
JP2009010287A (ja) | 基板の処理システム | |
US10201824B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP4687682B2 (ja) | 塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体 | |
JP6292155B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
JP5223897B2 (ja) | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | |
JP5212443B2 (ja) | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | |
JP5644915B2 (ja) | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | |
KR102037900B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR20200026563A (ko) | 기판 반송 로봇 및 기판 처리 설비 | |
JP2010192559A (ja) | 基板処理システム | |
CN102103988B (zh) | 基板的处理方法 | |
JP7300935B2 (ja) | 塗布、現像装置 | |
JP5661584B2 (ja) | 基板処理システム、基板搬送方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP2010232241A (ja) | レジストパターン形成方法および基板処理装置 | |
JP2010161408A (ja) | 基板処理システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120824 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130131 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130415 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130709 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130722 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5338777 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |