JP2017050285A - 分散型マルチゾーンプラズマ源システム、方法、および、装置 - Google Patents
分散型マルチゾーンプラズマ源システム、方法、および、装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017050285A JP2017050285A JP2016196073A JP2016196073A JP2017050285A JP 2017050285 A JP2017050285 A JP 2017050285A JP 2016196073 A JP2016196073 A JP 2016196073A JP 2016196073 A JP2016196073 A JP 2016196073A JP 2017050285 A JP2017050285 A JP 2017050285A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- chamber
- plasma chamber
- process gas
- ring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
- H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32422—Arrangement for selecting ions or species in the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
- H01J37/32669—Particular magnets or magnet arrangements for controlling the discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
- H05H1/4645—Radiofrequency discharges
- H05H1/4652—Radiofrequency discharges using inductive coupling means, e.g. coils
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H2242/00—Auxiliary systems
- H05H2242/20—Power circuits
- H05H2242/26—Matching networks
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
[適用例1]プラズマ源であって、
リングプラズマチャンバと、
前記リングプラズマチャンバの外側に巻かれた一次巻線と、
複数のフェライトと、を備え、
前記リングプラズマチャンバは、前記複数のフェライトの各々を貫通している、プラズマ源。
[適用例2]適用例1に記載のプラズマチャンバであって、さらに、
前記プラズマチャンバを処理チャンバに結合する複数のプラズマチャンバ流出口を備える、プラズマチャンバ。
[適用例3]適用例1に記載のプラズマチャンバであって、
前記プラズマチャンバは、処理チャンバ上部に含まれ、さらに、前記処理チャンバ上部に複数の流出口を備える、プラズマチャンバ。
[適用例4]適用例3に記載のプラズマチャンバであって、
前記複数の流出口の少なくとも1つは、前記処理チャンバ上部の実質的に中心の位置に配置される、プラズマチャンバ。
[適用例5]適用例1に記載のプラズマチャンバであって、さらに、
処理ガス源を前記プラズマチャンバに結合する少なくとも1つの処理ガス流入口を備える、プラズマチャンバ。
[適用例6]適用例1に記載のプラズマチャンバであって、さらに、
処理ガスプレナムを備え、
前記処理ガスプレナムは、
処理ガス源に結合された少なくとも1つの処理ガス流入口と、
前記処理ガスプレナムおよび前記プラズマチャンバの間に結合された複数の流入口と、を含む、プラズマチャンバ。
[適用例7]適用例6に記載のプラズマチャンバであって、
前記複数の流入口は、前記リングプラズマチャンバの周囲に分散されている、プラズマチャンバ。
[適用例8]適用例1に記載のプラズマチャンバであって、
前記フェライトは、前記リングプラズマチャンバの周囲に実質的に均等に分散されている、プラズマチャンバ。
[適用例9]適用例1に記載のプラズマチャンバであって、
前記フェライトは、前記リングプラズマチャンバの周囲に複数のグループに分けて配置される、プラズマチャンバ。
[適用例10]適用例1に記載のプラズマチャンバであって、
前記リングプラズマチャンバは、略円形、略三角形、略長方形、または、略多角形からなる一群の形状の内の1つである、プラズマチャンバ。
[適用例11]プラズマを生成する方法であって、
処理ガスをリングプラズマチャンバ内に供給する工程と、
前記リングプラズマチャンバの外側に巻かれた一次巻線に一次電流を印加する工程と、
前記一次巻線内に磁界を生成する工程と、
複数のフェライトによって前記磁界を集中させる工程であって、前記リングプラズマチャンバは、前記複数のフェライトの各々を貫通している、工程と、
前記リングプラズマチャンバ内の前記処理ガスに二次電流を誘導する工程と、
前記二次電流で前記リングプラズマチャンバの前記処理ガス内にプラズマを生成する工程と、を備える、方法。
[適用例12]適用例11に記載の方法であって、さらに、
前記プラズマチャンバを処理チャンバに結合する複数の流出口を通して前記処理チャンバに中性種およびラジカル種の少なくとも一方を供給する工程を備える、方法。
[適用例13]適用例11に記載の方法であって、さらに、
処理チャンバ上部の複数の流出口を通して前記処理チャンバからプラズマ副生成物および再結合生成物の少なくとも一方を除去する工程を備え、
前記複数の流出口の少なくとも1つは、前記処理チャンバ上部の実質的に中心の位置に配置される、方法。
[適用例14]適用例11に記載の方法であって、
前記処理ガスを前記リングプラズマチャンバ内に供給する工程は、前記リングプラズマチャンバへの少なくとも1つの処理ガス流入口に前記処理ガスを入力する工程を含む、方法。
[適用例15]適用例11に記載の方法であって、
前記処理ガスを前記リングプラズマチャンバ内に供給する工程は、前記処理ガスを処理ガスプレナムに入力する工程を含み、
前記処理ガスを前記処理ガスプレナムに入力する工程は、前記処理ガスプレナムおよび前記プラズマチャンバの間の複数の流入口に前記処理ガスを分配する工程を含む、方法。
[適用例16]適用例15に記載の方法であって、
前記複数の流入口は、前記リングプラズマチャンバの周囲に分散されている、方法。
[適用例17]適用例11に記載の方法であって、
前記フェライトは、前記リングプラズマチャンバの周囲に実質的に均等に分散されている、方法。
[適用例18]適用例11に記載の方法であって、さらに、
少なくとも1つの処理監視センサから処理フィードバック信号を受信する工程と、
少なくとも1つの設定値を調整する工程と、を備える、方法。
[適用例19]プラズマ処理システムであって、
リングプラズマチャンバと、
前記リングプラズマチャンバの外側に巻かれた一次巻線と、
複数のフェライトであって、前記リングプラズマチャンバが前記複数のフェライトの各々を貫通している、複数のフェライトと、
前記プラズマチャンバを処理チャンバに結合する複数のプラズマチャンバ流出口と、
少なくとも1つの処理監視センサと、
コントローラと、を備え、
前記コントローラは、
処理ガスを前記リングプラズマチャンバ内に供給するためのロジックと、
前記リングプラズマチャンバの外側に巻かれた一次巻線に一次電流を印加するためのロジックと、
前記一次巻線内に磁界を生成するためのロジックと、
前記リングプラズマチャンバが前記複数のフェライトの各々を貫通している前記複数のフェライトによって前記磁界を集中させるためのロジックと、
前記リングプラズマチャンバ内の前記処理ガスに二次電流を誘導するためのロジックと、
前記二次電流で前記リングプラズマチャンバの前記処理ガス内にプラズマを生成するためのロジックと、
前記少なくとも1つの処理監視センサから処理フィードバック信号を受信するためのロジックと、
少なくとも1つの設定値を調整するためのロジックと、を含む、プラズマ処理システム。
[適用例20]基板を処理するためのプラズマシステムであって、
処理チャンバであって、
底部と、
複数の側壁と、
前記底部に近接する基板支持体と、
前記処理チャンバを囲むように前記側壁と結合されたチャンバ上部と、を有する、処理チャンバと、
前記基板支持体の複数の領域に分散されるように前記チャンバ上部の上に配置された複数のフェライトと、を備え、
前記領域は、前記基板支持体の外部と前記基板支持体の中心部との間に少なくとも伸びる、プラズマシステム。
[適用例21]適用例21に記載のプラズマシステムであって、さらに
前記複数のフェライトに電流を供給する電源を備え、
前記複数のフェライトは、前記基板支持体の前記領域に前記電流を集中させる、プラズマシステム。
[適用例22]適用例21に記載のプラズマシステムであって、
前記チャンバ上部は、複数の処理ガス流入口および複数の処理ガス流出口を含み、
前記複数の処理ガス流入口および前記複数の処理ガス流出口は、前記チャンバ上部において分散されている、プラズマシステム。
Claims (22)
- プラズマ源であって、
リングプラズマチャンバと、
前記リングプラズマチャンバの外側に巻かれた一次巻線と、
複数のフェライトと、を備え、
前記リングプラズマチャンバは、前記複数のフェライトの各々を貫通している、プラズマ源。 - 請求項1に記載のプラズマチャンバであって、さらに、
前記プラズマチャンバを処理チャンバに結合する複数のプラズマチャンバ流出口を備える、プラズマチャンバ。 - 請求項1に記載のプラズマチャンバであって、
前記プラズマチャンバは、処理チャンバ上部に含まれ、さらに、前記処理チャンバ上部に複数の流出口を備える、プラズマチャンバ。 - 請求項3に記載のプラズマチャンバであって、
前記複数の流出口の少なくとも1つは、前記処理チャンバ上部の実質的に中心の位置に配置される、プラズマチャンバ。 - 請求項1に記載のプラズマチャンバであって、さらに、
処理ガス源を前記プラズマチャンバに結合する少なくとも1つの処理ガス流入口を備える、プラズマチャンバ。 - 請求項1に記載のプラズマチャンバであって、さらに、
処理ガスプレナムを備え、
前記処理ガスプレナムは、
処理ガス源に結合された少なくとも1つの処理ガス流入口と、
前記処理ガスプレナムおよび前記プラズマチャンバの間に結合された複数の流入口と、を含む、プラズマチャンバ。 - 請求項6に記載のプラズマチャンバであって、
前記複数の流入口は、前記リングプラズマチャンバの周囲に分散されている、プラズマチャンバ。 - 請求項1に記載のプラズマチャンバであって、
前記フェライトは、前記リングプラズマチャンバの周囲に実質的に均等に分散されている、プラズマチャンバ。 - 請求項1に記載のプラズマチャンバであって、
前記フェライトは、前記リングプラズマチャンバの周囲に複数のグループに分けて配置される、プラズマチャンバ。 - 請求項1に記載のプラズマチャンバであって、
前記リングプラズマチャンバは、略円形、略三角形、略長方形、または、略多角形からなる一群の形状の内の1つである、プラズマチャンバ。 - プラズマを生成する方法であって、
処理ガスをリングプラズマチャンバ内に供給する工程と、
前記リングプラズマチャンバの外側に巻かれた一次巻線に一次電流を印加する工程と、
前記一次巻線内に磁界を生成する工程と、
複数のフェライトによって前記磁界を集中させる工程であって、前記リングプラズマチャンバは、前記複数のフェライトの各々を貫通している、工程と、
前記リングプラズマチャンバ内の前記処理ガスに二次電流を誘導する工程と、
前記二次電流で前記リングプラズマチャンバの前記処理ガス内にプラズマを生成する工程と、を備える、方法。 - 請求項11に記載の方法であって、さらに、
前記プラズマチャンバを処理チャンバに結合する複数の流出口を通して前記処理チャンバに中性種およびラジカル種の少なくとも一方を供給する工程を備える、方法。 - 請求項11に記載の方法であって、さらに、
処理チャンバ上部の複数の流出口を通して前記処理チャンバからプラズマ副生成物および再結合生成物の少なくとも一方を除去する工程を備え、
前記複数の流出口の少なくとも1つは、前記処理チャンバ上部の実質的に中心の位置に配置される、方法。 - 請求項11に記載の方法であって、
前記処理ガスを前記リングプラズマチャンバ内に供給する工程は、前記リングプラズマチャンバへの少なくとも1つの処理ガス流入口に前記処理ガスを入力する工程を含む、方法。 - 請求項11に記載の方法であって、
前記処理ガスを前記リングプラズマチャンバ内に供給する工程は、前記処理ガスを処理ガスプレナムに入力する工程を含み、
前記処理ガスを前記処理ガスプレナムに入力する工程は、前記処理ガスプレナムおよび前記プラズマチャンバの間の複数の流入口に前記処理ガスを分配する工程を含む、方法。 - 請求項15に記載の方法であって、
前記複数の流入口は、前記リングプラズマチャンバの周囲に分散されている、方法。 - 請求項11に記載の方法であって、
前記フェライトは、前記リングプラズマチャンバの周囲に実質的に均等に分散されている、方法。 - 請求項11に記載の方法であって、さらに、
少なくとも1つの処理監視センサから処理フィードバック信号を受信する工程と、
少なくとも1つの設定値を調整する工程と、を備える、方法。 - プラズマ処理システムであって、
リングプラズマチャンバと、
前記リングプラズマチャンバの外側に巻かれた一次巻線と、
複数のフェライトであって、前記リングプラズマチャンバが前記複数のフェライトの各々を貫通している、複数のフェライトと、
前記プラズマチャンバを処理チャンバに結合する複数のプラズマチャンバ流出口と、
少なくとも1つの処理監視センサと、
コントローラと、を備え、
前記コントローラは、
処理ガスを前記リングプラズマチャンバ内に供給するためのロジックと、
前記リングプラズマチャンバの外側に巻かれた一次巻線に一次電流を印加するためのロジックと、
前記一次巻線内に磁界を生成するためのロジックと、
前記リングプラズマチャンバが前記複数のフェライトの各々を貫通している前記複数のフェライトによって前記磁界を集中させるためのロジックと、
前記リングプラズマチャンバ内の前記処理ガスに二次電流を誘導するためのロジックと、
前記二次電流で前記リングプラズマチャンバの前記処理ガス内にプラズマを生成するためのロジックと、
前記少なくとも1つの処理監視センサから処理フィードバック信号を受信するためのロジックと、
少なくとも1つの設定値を調整するためのロジックと、を含む、プラズマ処理システム。 - 基板を処理するためのプラズマシステムであって、
処理チャンバであって、
底部と、
複数の側壁と、
前記底部に近接する基板支持体と、
前記処理チャンバを囲むように前記側壁と結合されたチャンバ上部と、を有する、処理チャンバと、
前記基板支持体の複数の領域に分散されるように前記チャンバ上部の上に配置された複数のフェライトと、を備え、
前記領域は、前記基板支持体の外部と前記基板支持体の中心部との間に少なくとも伸びる、プラズマシステム。 - 請求項21に記載のプラズマシステムであって、さらに
前記複数のフェライトに電流を供給する電源を備え、
前記複数のフェライトは、前記基板支持体の前記領域に前記電流を集中させる、プラズマシステム。 - 請求項21に記載のプラズマシステムであって、
前記チャンバ上部は、複数の処理ガス流入口および複数の処理ガス流出口を含み、
前記複数の処理ガス流入口および前記複数の処理ガス流出口は、前記チャンバ上部において分散されている、プラズマシステム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/852,352 | 2010-08-06 | ||
US12/852,352 US9155181B2 (en) | 2010-08-06 | 2010-08-06 | Distributed multi-zone plasma source systems, methods and apparatus |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013523145A Division JP6021809B2 (ja) | 2010-08-06 | 2011-06-30 | マルチゾーンプラズマ源、プラズマ生成方法、プラズマ処理システム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017050285A true JP2017050285A (ja) | 2017-03-09 |
Family
ID=45556357
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013523145A Active JP6021809B2 (ja) | 2010-08-06 | 2011-06-30 | マルチゾーンプラズマ源、プラズマ生成方法、プラズマ処理システム |
JP2016196073A Pending JP2017050285A (ja) | 2010-08-06 | 2016-10-04 | 分散型マルチゾーンプラズマ源システム、方法、および、装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013523145A Active JP6021809B2 (ja) | 2010-08-06 | 2011-06-30 | マルチゾーンプラズマ源、プラズマ生成方法、プラズマ処理システム |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9155181B2 (ja) |
JP (2) | JP6021809B2 (ja) |
KR (2) | KR102008639B1 (ja) |
TW (2) | TWI555442B (ja) |
WO (1) | WO2012018367A2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9967965B2 (en) * | 2010-08-06 | 2018-05-08 | Lam Research Corporation | Distributed, concentric multi-zone plasma source systems, methods and apparatus |
FR2993576B1 (fr) * | 2012-07-20 | 2018-05-18 | Nanoplas | Dispositif de traitement d'un objet par plasma |
US20140062285A1 (en) * | 2012-08-29 | 2014-03-06 | Mks Instruments, Inc. | Method and Apparatus for a Large Area Inductive Plasma Source |
WO2014152908A1 (en) | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Mks Instruments, Inc. | Toroidal plasma abatement apparatus and method |
US9070538B2 (en) * | 2013-10-25 | 2015-06-30 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Pinched plasma bridge flood gun for substrate charge neutralization |
AU2019239776A1 (en) * | 2018-03-17 | 2020-10-29 | Pyrogenesis Canada Inc. | Method and apparatus for the production of high purity spherical metallic powders from a molten feedstock |
US11177067B2 (en) * | 2018-07-25 | 2021-11-16 | Lam Research Corporation | Magnetic shielding for plasma sources |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11149998A (ja) * | 1997-11-14 | 1999-06-02 | Foi:Kk | プラズマ処理装置 |
JP2000123996A (ja) * | 1998-10-16 | 2000-04-28 | Toshio Goto | 原子状ラジカル測定方法及び装置 |
JP2003506888A (ja) * | 1999-08-06 | 2003-02-18 | アドバンスト・エナジー・インダストリーズ・インコーポレイテッド | ガスおよび材料を処理する誘導結合環状プラズマ源装置およびその方法 |
JP2004342612A (ja) * | 2003-05-07 | 2004-12-02 | New Power Plasma Co Ltd | 多重放電管ブリッジを備えた誘導プラズマチャンバ |
JP2006332075A (ja) * | 2006-08-18 | 2006-12-07 | Foi:Kk | プラズマ発生装置 |
JP2007504630A (ja) * | 2003-09-05 | 2007-03-01 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 取り替え可能なプレート熱膨張されたプラズマ装置及び方法 |
KR20070079870A (ko) * | 2006-02-04 | 2007-08-08 | 위순임 | 다중 출력 원격 플라즈마 발생기 및 이를 구비한 기판 처리시스템 |
JP2008287999A (ja) * | 2007-05-16 | 2008-11-27 | Panasonic Corp | プラズマ処理装置およびその制御方法 |
Family Cites Families (151)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4276557A (en) | 1978-12-29 | 1981-06-30 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Integrated semiconductor circuit structure and method for making it |
US4209357A (en) | 1979-05-18 | 1980-06-24 | Tegal Corporation | Plasma reactor apparatus |
US4340462A (en) | 1981-02-13 | 1982-07-20 | Lam Research Corporation | Adjustable electrode plasma processing chamber |
JPS61189642A (ja) | 1985-02-18 | 1986-08-23 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ反応装置 |
KR960016218B1 (ko) | 1987-06-05 | 1996-12-07 | 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 표면처리방법 및 그 장치 |
RU2094961C1 (ru) | 1989-07-20 | 1997-10-27 | Уланов Игорь Максимович | Трансформаторный плазмотрон |
RU2022917C1 (ru) | 1989-09-27 | 1994-11-15 | Уланов Игорь Максимович | Способ получения окиси азота |
JPH07110991B2 (ja) | 1989-10-02 | 1995-11-29 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
RU2056702C1 (ru) | 1990-07-09 | 1996-03-20 | Уланов Игорь Максимович | Трансформаторный плазмотрон |
US6444137B1 (en) | 1990-07-31 | 2002-09-03 | Applied Materials, Inc. | Method for processing substrates using gaseous silicon scavenger |
US5183990A (en) | 1991-04-12 | 1993-02-02 | The Lincoln Electric Company | Method and circuit for protecting plasma nozzle |
US5353314A (en) | 1991-09-30 | 1994-10-04 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Electric field divertor plasma pump |
US5302237A (en) | 1992-02-13 | 1994-04-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Localized plasma processing |
US5505780A (en) | 1992-03-18 | 1996-04-09 | International Business Machines Corporation | High-density plasma-processing tool with toroidal magnetic field |
US5349271A (en) | 1993-03-24 | 1994-09-20 | Diablo Research Corporation | Electrodeless discharge lamp with spiral induction coil |
US5620524A (en) | 1995-02-27 | 1997-04-15 | Fan; Chiko | Apparatus for fluid delivery in chemical vapor deposition systems |
US5630880A (en) * | 1996-03-07 | 1997-05-20 | Eastlund; Bernard J. | Method and apparatus for a large volume plasma processor that can utilize any feedstock material |
DE69719108D1 (de) * | 1996-05-02 | 2003-03-27 | Tokyo Electron Ltd | Plasmabehandlungsgerät |
US5846883A (en) | 1996-07-10 | 1998-12-08 | Cvc, Inc. | Method for multi-zone high-density inductively-coupled plasma generation |
AUPO281896A0 (en) | 1996-10-04 | 1996-10-31 | Unisearch Limited | Reactive ion etching of silica structures for integrated optics applications |
US6190236B1 (en) | 1996-10-16 | 2001-02-20 | Vlsi Technology, Inc. | Method and system for vacuum removal of chemical mechanical polishing by-products |
JP4043089B2 (ja) * | 1997-02-24 | 2008-02-06 | 株式会社エフオーアイ | プラズマ処理装置 |
US6388226B1 (en) * | 1997-06-26 | 2002-05-14 | Applied Science And Technology, Inc. | Toroidal low-field reactive gas source |
US6150628A (en) | 1997-06-26 | 2000-11-21 | Applied Science And Technology, Inc. | Toroidal low-field reactive gas source |
US6924455B1 (en) | 1997-06-26 | 2005-08-02 | Applied Science & Technology, Inc. | Integrated plasma chamber and inductively-coupled toroidal plasma source |
US6273022B1 (en) * | 1998-03-14 | 2001-08-14 | Applied Materials, Inc. | Distributed inductively-coupled plasma source |
US6203657B1 (en) * | 1998-03-31 | 2001-03-20 | Lam Research Corporation | Inductively coupled plasma downstream strip module |
US5998933A (en) | 1998-04-06 | 1999-12-07 | Shun'ko; Evgeny V. | RF plasma inductor with closed ferrite core |
US6335293B1 (en) | 1998-07-13 | 2002-01-01 | Mattson Technology, Inc. | Systems and methods for two-sided etch of a semiconductor substrate |
US6300643B1 (en) | 1998-08-03 | 2001-10-09 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Dose monitor for plasma doping system |
US6178919B1 (en) | 1998-12-28 | 2001-01-30 | Lam Research Corporation | Perforated plasma confinement ring in plasma reactors |
US6579805B1 (en) | 1999-01-05 | 2003-06-17 | Ronal Systems Corp. | In situ chemical generator and method |
US6392351B1 (en) | 1999-05-03 | 2002-05-21 | Evgeny V. Shun'ko | Inductive RF plasma source with external discharge bridge |
TW477009B (en) | 1999-05-26 | 2002-02-21 | Tadahiro Ohmi | Plasma process device |
US6206972B1 (en) | 1999-07-08 | 2001-03-27 | Genus, Inc. | Method and apparatus for providing uniform gas delivery to substrates in CVD and PECVD processes |
US6318384B1 (en) | 1999-09-24 | 2001-11-20 | Applied Materials, Inc. | Self cleaning method of forming deep trenches in silicon substrates |
US6399489B1 (en) * | 1999-11-01 | 2002-06-04 | Applied Materials, Inc. | Barrier layer deposition using HDP-CVD |
CN1460130A (zh) | 1999-11-19 | 2003-12-03 | 纳米表面***公司 | 无机/有机介电薄膜的沉积***及方法 |
JP4212210B2 (ja) | 1999-12-07 | 2009-01-21 | 株式会社小松製作所 | 表面処理装置 |
DE10060002B4 (de) | 1999-12-07 | 2016-01-28 | Komatsu Ltd. | Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung |
TW514996B (en) * | 1999-12-10 | 2002-12-21 | Tokyo Electron Ltd | Processing apparatus with a chamber having therein a high-corrosion-resistant sprayed film |
US6337460B2 (en) | 2000-02-08 | 2002-01-08 | Thermal Dynamics Corporation | Plasma arc torch and method for cutting a workpiece |
JP2001237226A (ja) | 2000-02-23 | 2001-08-31 | Kobe Steel Ltd | プラズマ処理装置 |
AU2001247685A1 (en) | 2000-03-30 | 2001-10-15 | Tokyo Electron Limited | Method of and apparatus for tunable gas injection in a plasma processing system |
JP4371543B2 (ja) | 2000-06-29 | 2009-11-25 | 日本電気株式会社 | リモートプラズマcvd装置及び膜形成方法 |
US7234477B2 (en) | 2000-06-30 | 2007-06-26 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for drying semiconductor wafer surfaces using a plurality of inlets and outlets held in close proximity to the wafer surfaces |
JP4559595B2 (ja) | 2000-07-17 | 2010-10-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の載置装置及びプラズマ処理装置 |
TW445540B (en) | 2000-08-07 | 2001-07-11 | Nano Architect Res Corp | Bundle concentrating type multi-chamber plasma reacting system |
US20020101167A1 (en) | 2000-12-22 | 2002-08-01 | Applied Materials, Inc. | Capacitively coupled reactive ion etch plasma reactor with overhead high density plasma source for chamber dry cleaning |
US6461972B1 (en) | 2000-12-22 | 2002-10-08 | Lsi Logic Corporation | Integrated circuit fabrication dual plasma process with separate introduction of different gases into gas flow |
JP3912993B2 (ja) * | 2001-03-26 | 2007-05-09 | 株式会社荏原製作所 | 中性粒子ビーム処理装置 |
US6755150B2 (en) * | 2001-04-20 | 2004-06-29 | Applied Materials Inc. | Multi-core transformer plasma source |
US6527911B1 (en) | 2001-06-29 | 2003-03-04 | Lam Research Corporation | Configurable plasma volume etch chamber |
TWI234417B (en) | 2001-07-10 | 2005-06-11 | Tokyo Electron Ltd | Plasma procesor and plasma processing method |
EP1421606A4 (en) * | 2001-08-06 | 2008-03-05 | Genitech Co Ltd | PLASMA ACTIVE ATOMIC LAYER (PEALD) DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF FORMING THIN FILM USING SAID APPARATUS |
US20030045098A1 (en) | 2001-08-31 | 2003-03-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for processing a wafer |
US6855906B2 (en) | 2001-10-16 | 2005-02-15 | Adam Alexander Brailove | Induction plasma reactor |
US6761804B2 (en) | 2002-02-11 | 2004-07-13 | Applied Materials, Inc. | Inverted magnetron |
US7056416B2 (en) | 2002-02-15 | 2006-06-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Atmospheric pressure plasma processing method and apparatus |
US6962644B2 (en) | 2002-03-18 | 2005-11-08 | Applied Materials, Inc. | Tandem etch chamber plasma processing system |
FR2838020B1 (fr) | 2002-03-28 | 2004-07-02 | Centre Nat Rech Scient | Dispositif de confinement de plasma |
US20030188685A1 (en) | 2002-04-08 | 2003-10-09 | Applied Materials, Inc. | Laser drilled surfaces for substrate processing chambers |
US7013834B2 (en) * | 2002-04-19 | 2006-03-21 | Nordson Corporation | Plasma treatment system |
US6936546B2 (en) | 2002-04-26 | 2005-08-30 | Accretech Usa, Inc. | Apparatus for shaping thin films in the near-edge regions of in-process semiconductor substrates |
US20030213560A1 (en) | 2002-05-16 | 2003-11-20 | Yaxin Wang | Tandem wafer processing system and process |
JP2004014904A (ja) | 2002-06-10 | 2004-01-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 同時放電化装置 |
TWI283899B (en) | 2002-07-09 | 2007-07-11 | Applied Materials Inc | Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control |
US6902774B2 (en) | 2002-07-25 | 2005-06-07 | Inficon Gmbh | Method of manufacturing a device |
US7256132B2 (en) | 2002-07-31 | 2007-08-14 | Applied Materials, Inc. | Substrate centering apparatus and method |
US20040027781A1 (en) | 2002-08-12 | 2004-02-12 | Hiroji Hanawa | Low loss RF bias electrode for a plasma reactor with enhanced wafer edge RF coupling and highly efficient wafer cooling |
US20030015965A1 (en) | 2002-08-15 | 2003-01-23 | Valery Godyak | Inductively coupled plasma reactor |
KR20040020585A (ko) * | 2002-08-31 | 2004-03-09 | 최대규 | 플라즈마 반응기를 이용한 극자외선 발생 장치 및 방법 |
US6887317B2 (en) | 2002-09-10 | 2005-05-03 | Applied Materials, Inc. | Reduced friction lift pin |
US7411352B2 (en) | 2002-09-19 | 2008-08-12 | Applied Process Technologies, Inc. | Dual plasma beam sources and method |
US7252738B2 (en) | 2002-09-20 | 2007-08-07 | Lam Research Corporation | Apparatus for reducing polymer deposition on a substrate and substrate support |
US7513262B2 (en) | 2002-09-30 | 2009-04-07 | Lam Research Corporation | Substrate meniscus interface and methods for operation |
US7069937B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-07-04 | Lam Research Corporation | Vertical proximity processor |
US6988327B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-01-24 | Lam Research Corporation | Methods and systems for processing a substrate using a dynamic liquid meniscus |
US7240679B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-07-10 | Lam Research Corporation | System for substrate processing with meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold |
KR100488348B1 (ko) | 2002-11-14 | 2005-05-10 | 최대규 | 플라즈마 프로세스 챔버 및 시스템 |
JP4087234B2 (ja) | 2002-12-05 | 2008-05-21 | 株式会社アルバック | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
NL1022155C2 (nl) | 2002-12-12 | 2004-06-22 | Otb Group Bv | Werkwijze, alsmede inrichting voor het behandelen van een oppervlak van ten minste één substraat. |
US7163602B2 (en) | 2003-03-07 | 2007-01-16 | Ogle John S | Apparatus for generating planar plasma using concentric coils and ferromagnetic cores |
US7824520B2 (en) | 2003-03-26 | 2010-11-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma treatment apparatus |
JP2004296729A (ja) | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
US8580076B2 (en) | 2003-05-22 | 2013-11-12 | Lam Research Corporation | Plasma apparatus, gas distribution assembly for a plasma apparatus and processes therewith |
US7632379B2 (en) | 2003-05-30 | 2009-12-15 | Toshio Goto | Plasma source and plasma processing apparatus |
JP4607517B2 (ja) | 2003-09-03 | 2011-01-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US20050103620A1 (en) | 2003-11-19 | 2005-05-19 | Zond, Inc. | Plasma source with segmented magnetron cathode |
US9771648B2 (en) | 2004-08-13 | 2017-09-26 | Zond, Inc. | Method of ionized physical vapor deposition sputter coating high aspect-ratio structures |
US7464662B2 (en) | 2004-01-28 | 2008-12-16 | Tokyo Electron Limited | Compact, distributed inductive element for large scale inductively-coupled plasma sources |
US7785672B2 (en) | 2004-04-20 | 2010-08-31 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling the film properties of PECVD-deposited thin films |
JP2006114884A (ja) | 2004-09-17 | 2006-04-27 | Ebara Corp | 基板洗浄処理装置及び基板処理ユニット |
US7323116B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-01-29 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for monitoring a process in a plasma processing system by measuring self-bias voltage |
US20060236931A1 (en) | 2005-04-25 | 2006-10-26 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Tilted Plasma Doping |
ATE543199T1 (de) | 2005-05-23 | 2012-02-15 | New Power Plasma Co Ltd | Plasmakammer mit entladung induzierender brücke |
KR100720989B1 (ko) * | 2005-07-15 | 2007-05-28 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 멀티 챔버 플라즈마 프로세스 시스템 |
KR100689848B1 (ko) * | 2005-07-22 | 2007-03-08 | 삼성전자주식회사 | 기판처리장치 |
US20070032081A1 (en) | 2005-08-08 | 2007-02-08 | Jeremy Chang | Edge ring assembly with dielectric spacer ring |
US7641762B2 (en) * | 2005-09-02 | 2010-01-05 | Applied Materials, Inc. | Gas sealing skirt for suspended showerhead in process chamber |
TWI391518B (zh) | 2005-09-09 | 2013-04-01 | 愛發科股份有限公司 | 離子源及電漿處理裝置 |
US7895970B2 (en) | 2005-09-29 | 2011-03-01 | Tokyo Electron Limited | Structure for plasma processing chamber, plasma processing chamber, plasma processing apparatus, and plasma processing chamber component |
US8092638B2 (en) | 2005-10-11 | 2012-01-10 | Applied Materials Inc. | Capacitively coupled plasma reactor having a cooled/heated wafer support with uniform temperature distribution |
US7397232B2 (en) | 2005-10-21 | 2008-07-08 | The University Of Akron | Coulter counter having a plurality of channels |
JP2007191792A (ja) | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Atto Co Ltd | ガス分離型シャワーヘッド |
US7740705B2 (en) | 2006-03-08 | 2010-06-22 | Tokyo Electron Limited | Exhaust apparatus configured to reduce particle contamination in a deposition system |
KR100799175B1 (ko) * | 2006-04-21 | 2008-02-01 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 플라즈마 프로세싱 시스템 및 그 제어 방법 |
WO2007123378A1 (en) * | 2006-04-25 | 2007-11-01 | New Power Plasma Co., Ltd. | Plasma reactor having plasma chamber coupled with magnetic flux channel |
US8231799B2 (en) | 2006-04-28 | 2012-07-31 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor apparatus with multiple gas injection zones having time-changing separate configurable gas compositions for each zone |
JP5069427B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-11-07 | 北陸成型工業株式会社 | シャワープレート、並びにそれを用いたプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法 |
US7879184B2 (en) | 2006-06-20 | 2011-02-01 | Lam Research Corporation | Apparatuses, systems and methods for rapid cleaning of plasma confinement rings with minimal erosion of other chamber parts |
US7837826B2 (en) | 2006-07-18 | 2010-11-23 | Lam Research Corporation | Hybrid RF capacitively and inductively coupled plasma source using multifrequency RF powers and methods of use thereof |
DE102006048816A1 (de) | 2006-10-16 | 2008-04-17 | Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur lokalen Erzeugung von Mikrowellenplasmen |
US7780866B2 (en) | 2006-11-15 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Method of plasma confinement for enhancing magnetic control of plasma radial distribution |
KR100978754B1 (ko) | 2008-04-03 | 2010-08-30 | 주식회사 테스 | 플라즈마 처리 장치 |
CN101583736A (zh) | 2007-01-19 | 2009-11-18 | 应用材料股份有限公司 | 浸没式等离子体室 |
US20080178913A1 (en) | 2007-01-30 | 2008-07-31 | Collins Kenneth S | Process for wafer backside polymer removal with a ring of plasma under the wafer |
KR100868019B1 (ko) | 2007-01-30 | 2008-11-10 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 쉬쓰 제어기를 갖는 이온 빔 장치 |
US7897213B2 (en) | 2007-02-08 | 2011-03-01 | Lam Research Corporation | Methods for contained chemical surface treatment |
US7824519B2 (en) | 2007-05-18 | 2010-11-02 | Lam Research Corporation | Variable volume plasma processing chamber and associated methods |
WO2008154222A1 (en) | 2007-06-06 | 2008-12-18 | Mks Instruments, Inc. | Particle reduction through gas and plasma source control |
KR101418438B1 (ko) | 2007-07-10 | 2014-07-14 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 발생장치 |
US20090025879A1 (en) | 2007-07-26 | 2009-01-29 | Shahid Rauf | Plasma reactor with reduced electrical skew using a conductive baffle |
US8343305B2 (en) | 2007-09-04 | 2013-01-01 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for diagnosing status of parts in real time in plasma processing equipment |
US8771483B2 (en) | 2007-09-05 | 2014-07-08 | Intermolecular, Inc. | Combinatorial process system |
US8039052B2 (en) | 2007-09-06 | 2011-10-18 | Intermolecular, Inc. | Multi-region processing system and heads |
US20090109595A1 (en) | 2007-10-31 | 2009-04-30 | Sokudo Co., Ltd. | Method and system for performing electrostatic chuck clamping in track lithography tools |
US20090197015A1 (en) | 2007-12-25 | 2009-08-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling plasma uniformity |
US8129288B2 (en) | 2008-05-02 | 2012-03-06 | Intermolecular, Inc. | Combinatorial plasma enhanced deposition techniques |
JP5759177B2 (ja) | 2008-02-08 | 2015-08-05 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | プラズマ処理装置、半導体基板を処理する方法、および軸直角変位ベローズユニット |
KR101625516B1 (ko) | 2008-02-08 | 2016-05-30 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 프로세싱 장치 및 플라즈마 프로세싱 장치에서 반도체 기판을 처리하는 방법 |
US8409459B2 (en) | 2008-02-28 | 2013-04-02 | Tokyo Electron Limited | Hollow cathode device and method for using the device to control the uniformity of a plasma process |
US7713757B2 (en) | 2008-03-14 | 2010-05-11 | Applied Materials, Inc. | Method for measuring dopant concentration during plasma ion implantation |
US7558045B1 (en) | 2008-03-20 | 2009-07-07 | Novellus Systems, Inc. | Electrostatic chuck assembly with capacitive sense feature, and related operating method |
JP5294669B2 (ja) | 2008-03-25 | 2013-09-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US8236133B2 (en) | 2008-05-05 | 2012-08-07 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with center-fed multiple zone gas distribution for improved uniformity of critical dimension bias |
JP5524453B2 (ja) | 2008-05-15 | 2014-06-18 | Sumco Techxiv株式会社 | シリコンウェーハのエッチング方法及びエッチング装置 |
US8679288B2 (en) | 2008-06-09 | 2014-03-25 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode assemblies for plasma processing apparatuses |
KR101496841B1 (ko) * | 2008-06-17 | 2015-02-27 | 위순임 | 혼합형 플라즈마 반응기 |
US8206552B2 (en) | 2008-06-25 | 2012-06-26 | Applied Materials, Inc. | RF power delivery system in a semiconductor apparatus |
JP5144594B2 (ja) | 2008-06-30 | 2013-02-13 | ヤフー株式会社 | サーバ装置、サーバ装置における予測方法及びプログラム |
KR101046335B1 (ko) | 2008-07-29 | 2011-07-05 | 피에스케이 주식회사 | 할로우 캐소드 플라즈마 발생방법 및 할로우 캐소드플라즈마를 이용한 대면적 기판 처리방법 |
JP4727000B2 (ja) | 2008-07-30 | 2011-07-20 | 京セラ株式会社 | 堆積膜形成装置および堆積膜形成方法 |
US20100024729A1 (en) | 2008-08-04 | 2010-02-04 | Xinmin Cao | Methods and apparatuses for uniform plasma generation and uniform thin film deposition |
KR20100031960A (ko) | 2008-09-17 | 2010-03-25 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 발생장치 |
JP5295833B2 (ja) | 2008-09-24 | 2013-09-18 | 株式会社東芝 | 基板処理装置および基板処理方法 |
US20100116788A1 (en) | 2008-11-12 | 2010-05-13 | Lam Research Corporation | Substrate temperature control by using liquid controlled multizone substrate support |
US8099995B2 (en) | 2008-12-16 | 2012-01-24 | Agilent Technologies, Inc. | Choked flow isolator for noise reduction in analytical systems |
US8503151B2 (en) | 2009-09-30 | 2013-08-06 | Lam Research Corporation | Plasma arrestor insert |
JP2013503494A (ja) | 2009-08-31 | 2013-01-31 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ閉じ込めを実施するためのマルチペリフェラルリング構成 |
JP5166595B2 (ja) | 2011-12-16 | 2013-03-21 | 株式会社藤商事 | 遊技機 |
-
2010
- 2010-08-06 US US12/852,352 patent/US9155181B2/en active Active
-
2011
- 2011-06-30 JP JP2013523145A patent/JP6021809B2/ja active Active
- 2011-06-30 WO PCT/US2011/001176 patent/WO2012018367A2/en active Application Filing
- 2011-06-30 KR KR1020187023083A patent/KR102008639B1/ko active IP Right Grant
- 2011-06-30 KR KR1020137003084A patent/KR101889568B1/ko active IP Right Grant
- 2011-07-14 TW TW100125012A patent/TWI555442B/zh active
- 2011-07-28 TW TW105117114A patent/TW201630069A/zh unknown
-
2016
- 2016-10-04 JP JP2016196073A patent/JP2017050285A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11149998A (ja) * | 1997-11-14 | 1999-06-02 | Foi:Kk | プラズマ処理装置 |
JP2000123996A (ja) * | 1998-10-16 | 2000-04-28 | Toshio Goto | 原子状ラジカル測定方法及び装置 |
JP2003506888A (ja) * | 1999-08-06 | 2003-02-18 | アドバンスト・エナジー・インダストリーズ・インコーポレイテッド | ガスおよび材料を処理する誘導結合環状プラズマ源装置およびその方法 |
JP2004342612A (ja) * | 2003-05-07 | 2004-12-02 | New Power Plasma Co Ltd | 多重放電管ブリッジを備えた誘導プラズマチャンバ |
JP2007504630A (ja) * | 2003-09-05 | 2007-03-01 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 取り替え可能なプレート熱膨張されたプラズマ装置及び方法 |
KR20070079870A (ko) * | 2006-02-04 | 2007-08-08 | 위순임 | 다중 출력 원격 플라즈마 발생기 및 이를 구비한 기판 처리시스템 |
JP2006332075A (ja) * | 2006-08-18 | 2006-12-07 | Foi:Kk | プラズマ発生装置 |
JP2008287999A (ja) * | 2007-05-16 | 2008-11-27 | Panasonic Corp | プラズマ処理装置およびその制御方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20130137588A (ko) | 2013-12-17 |
JP6021809B2 (ja) | 2016-11-09 |
US9155181B2 (en) | 2015-10-06 |
US20120034394A1 (en) | 2012-02-09 |
TWI555442B (zh) | 2016-10-21 |
KR101889568B1 (ko) | 2018-09-20 |
WO2012018367A2 (en) | 2012-02-09 |
TW201630069A (zh) | 2016-08-16 |
KR20180095103A (ko) | 2018-08-24 |
TW201223340A (en) | 2012-06-01 |
WO2012018367A3 (en) | 2012-03-29 |
JP2013539164A (ja) | 2013-10-17 |
KR102008639B1 (ko) | 2019-08-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6412902B2 (ja) | プラズマシステム | |
JP2017050285A (ja) | 分散型マルチゾーンプラズマ源システム、方法、および、装置 | |
JP6019023B2 (ja) | プラズマ源、プラズマ生成方法、プラズマ処理システム | |
US20180228015A1 (en) | Distributed, Non-Concentric Multi-Zone Plasma Source Systems, Methods and Apparatus | |
TWI519215B (zh) | 分散式多區電漿源系統、方法及設備 | |
US10283325B2 (en) | Distributed multi-zone plasma source systems, methods and apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170725 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170801 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171101 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180306 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20180601 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180905 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20190226 |