KR100799175B1 - 플라즈마 프로세싱 시스템 및 그 제어 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 입력 가스를 받아들여 플라즈마를 발생하는 플라즈마 반응기;플라즈마 반응기로 플라즈마 발생을 위한 무선 주파수 전력을 제공하되, 플라즈마 반응기의 동작 중에 발생 되는 순간 전원 차단에 대응하여 전원 복귀 후 플라즈마 반응기의 동작 중단 없이 무선 주파수 전력을 다시 공급하는 무선 주파수 발생기를 포함하는 플라즈마 프로세싱 시스템.
- 제1항에 있어서, 무선 주파수 발생기는 1sec를 초과하는 전원 차단에 대응하여 전원 복귀 후 무선 주파수 전력을 플라즈마 반응기로 출력하지 않는 플라즈마 프로세싱 시스템.
- 제1항에 있어서, 플라즈마 프로세싱 시스템의 제어를 수행하는 시스템 제어부를 포함하고,무선 주파수 발생기는 1sec를 초과하는 전원 차단에 대응하여 전원 실패 신호를 시스템 제어부로 통지하며, 시스템 제어부는 전원 실패 신호의 통지에 응답하여 플라즈마 프로세싱을 중단하기 위한 시스템 제어를 수행하는 단계를 포함하는 플라즈마 프로세싱 시스템.
- 제1항에 있어서, 플라즈마 반응기에서 발생된 활성 가스를 수용하여 플라즈마 처리를 수행하는 프로세스 챔버를 포함하는 플라즈마 프로세싱 시스템.
- 제1항에 있어서, 무선 주파수 발생기는 무선 주파수 전력을 발생하기 위한 무선 주파수 발생 회로와 무선 주파수 발생기를 제어하는 제어부 및 외부 통신을 위한 입출력 포트를 포함하고, 제어부는:플라즈마 반응기의 동작 중에 순간 전원 차단이 발생 되면;1sec 이내의 전원 차단에 대하여 전원 실패 신호를 발생하지 않고 전원 복귀 후 플라즈마 반응기의 동작 중단 없이 무선 주파수 전력을 다시 공급하며;1sec를 초과하는 전원 차단에 대하여 전원 실패 신호를 발생하고, 이 후 재시작 신호의 입력에 응답하여 무선 주파수 출력을 재개하도록 제어하는 단계를 포함하는 플라즈마 프로세싱 시스템.
- 제5항에 있어서, 무선 주파수 발생 회로는 하나 이상의 스위칭 반도체 장치를 포함하는 플라즈마 프로세싱 시스템.
- 제5항에 있어서, 무선 주파수 발생 회로는 하나 이상의 하프 브리지 회로를 포함하는 플라즈마 프로세싱 시스템.
- 제1항에 있어서, 플라즈마 반응기는:플라즈마 방전실을 갖는 반응기 몸체;플라즈마 방전실에 플라즈마 발생을 위한 기전력이 전달되도록 반응기 몸체에 장착되는 마그네틱 코어 및 일차 권선을 갖는 변압기; 및일차 권선에 전기적으로 연결되며, 무선 주파수 발생기로부터 공급되는 무선 주파수를 받아들이기 위한 무선 주파수 입력단을 포함하고,일차 권선의 구동 전류는 변압기의 이차 회로를 완성하는 유도 결합된 플라즈마를 형성하는 플라즈마 방전실의 내측의 AC 전위(AC potential)를 유도하는 플라즈마 프로세싱 시스템.
- 제8항에 있어서, 반응기 몸체는 금속 물질을 포함하고, 에디 전류를 최소화하기 위하여 전기적 불연속성을 갖도록 하는 하나 이상의 전기적 절연 영역을 포함하는 플라즈마 프로세싱 시스템.
- 제8항에 있어서, 플라즈마 방전실 내부의 플라즈마 점화를 돕는 자유 전하를 발생시키는 점화 전극과 점화 전극으로 점화 전력을 공급하는 점화 전원 회로를 포함하는 플라즈마 프로세싱 시스템.
- 제8항에 있어서, 반응기 몸체는:반응기 몸체의 온도를 제어하기 위한 냉각 유체가 흐르는 냉각 채널;냉각 채널의 냉각 유체 흐름의 비정상 상태를 감지하기 위한 냉각 오류 발생 감지부;반응기 몸체의 온도를 감지하기 위한 온도 감지 센서를 포함하는 플라즈마 프로세싱 시스템.
- 제11항에 있어서, 플라즈마 프로세싱 시스템의 제어를 수행하는 시스템 제어부를 포함하고,시스템 제어부는 냉각 오류 발생 감지부 또는 온도 감지 센서를 통해서 입력되는 감지 데이터에 기초하여 반응기의 온도를 제어하는 단계를 포함하는 플라즈마 프로세싱 시스템.
- 제2항에 있어서, 플라즈마 반응기는 프로세스 챔버에 장착 가능한 고정형으로 구성되고, 무선 주파수 발생기는 플라즈마 반응기와 분리 가능한 분리형으로 구성되며,무선 주파수 발생기의 출력단과 플라즈마 반응기의 무선 주파수 입력단은 무선 주파수 케이블에 의해 상호 원격으로 연결되는 플라즈마 프로세싱 시스템.
- 제1항에 있어서, 플라즈마 반응기로 유입되는 가스는 불활성 가스, 반응 가스, 불활성 가스와 반응 가스의 혼합 가스를 포함하는 그룹으로부터 선택되는 플라즈마 프로세싱 시스템.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060036282A KR100799175B1 (ko) | 2006-04-21 | 2006-04-21 | 플라즈마 프로세싱 시스템 및 그 제어 방법 |
US11/679,790 US7862681B2 (en) | 2006-04-21 | 2007-02-27 | Plasma processing system and method of contolling the same |
TW096110623A TWI428974B (zh) | 2006-04-21 | 2007-03-27 | 電漿處理系統 |
PCT/KR2007/001956 WO2007123347A1 (en) | 2006-04-21 | 2007-04-21 | Plasma processing system and a method of controlling the same |
JP2007113495A JP2007305580A (ja) | 2006-04-21 | 2007-04-23 | プラズマ処理システム及びその制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060036282A KR100799175B1 (ko) | 2006-04-21 | 2006-04-21 | 플라즈마 프로세싱 시스템 및 그 제어 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070104103A KR20070104103A (ko) | 2007-10-25 |
KR100799175B1 true KR100799175B1 (ko) | 2008-02-01 |
Family
ID=38618262
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060036282A KR100799175B1 (ko) | 2006-04-21 | 2006-04-21 | 플라즈마 프로세싱 시스템 및 그 제어 방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7862681B2 (ko) |
JP (1) | JP2007305580A (ko) |
KR (1) | KR100799175B1 (ko) |
TW (1) | TWI428974B (ko) |
WO (1) | WO2007123347A1 (ko) |
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- 2007-02-27 US US11/679,790 patent/US7862681B2/en active Active
- 2007-03-27 TW TW096110623A patent/TWI428974B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-04-21 WO PCT/KR2007/001956 patent/WO2007123347A1/en active Application Filing
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
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