JP2017005241A - 積層された端子を有する半導体デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体デバイスは、ハウジングと、ハウジング内部の基板と、基板上の第1および第2の半導体回路と、第1および第2の半導体回路へ各々電気的に接続される第1および第2の平坦な端子と、を含み、第1および第2の平坦な端子は、互いに上下に積層され、第1および第2の平坦な端子は各々、ハウジングから離れて延びる。
【選択図】図1
Description
多くの伝統的な半導体デバイスは、本質的に、ハウジングから薄いリード線が延びているという似たような形を有する。ハウジングは、内部の回路を包囲して保護する働きをする堅い矩形の形状であることが可能である。ハウジングからは、デバイスを他の構成要素または回路に電気接続するために使用されるリード線が突き出している。例えば、この形状因子は、一部のタイプの絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)に使用される。
Claims (19)
- 半導体デバイスであって、
ハウジングと、
前記ハウジング内部の基板と、
前記基板上の第1および第2の半導体回路と、
各々前記第1および第2の半導体回路へ電気的に接続される第1および第2の平坦な端子と、を備えており、前記第1および第2の平坦な端子は、互いに上下に積層され、前記第1および第2の平坦な端子は各々前記ハウジングから離れて延びていることを特徴とする、
半導体デバイス。 - 前記第1および第2の半導体回路は、前記基板上部の共通平面に位置合わせされ、前記第1の平坦な端子は、前記第1の半導体回路に接し、前記第2の平坦な端子は、前記第1の平坦な端子の、前記第1および第2の半導体回路とは反対側に位置合わせされ、前記第2の平坦な端子は、その主要部分からオフセット部分だけオフセットされる接触部分を含み、かつ前記接触部分は、前記第2の半導体回路に接することを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記ハウジングは、前記第1および第2の平坦な端子が通って前記ハウジングから離れて延びる共通開口を有することを特徴とする請求項2に記載の半導体デバイス。
- 前記第1の平坦な端子と前記第2の平坦な端子の少なくとも前記主要部分との間に電気絶縁層をさらに備えることを特徴とする請求項2に記載の半導体デバイス。
- 前記第1および第2の半導体回路は、前記基板上部の共通平面に位置合わせされ、前記半導体デバイスは、さらに、
前記第1の半導体回路に接する第1のバスバーであって、前記第1の平坦な端子は前記第1のバスバーに接する、第1のバスバーと、
前記第2の半導体回路に接する第2のバスバーであって、前記第2の平坦な端子は前記第2のバスバーに接する、第2のバスバーと、
を備えていることを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。 - 前記第1のバスバーは、平坦であって、前記ハウジングを通って外部へ延び、かつ前記第1の平坦な端子は、前記ハウジングの外部で前記第1のバスバーに接することを特徴とする請求項5に記載の半導体デバイス。
- 前記第2のバスバーは、平坦であって、前記ハウジング内の開口を介して露出される部分を有することを特徴とする請求項5に記載の半導体デバイス。
- 前記第2の平坦な端子は、前記第1の平坦な端子の、前記第1および第2のバスバーとは反対側に位置合わせされ、前記第2の平坦な端子は、その主要部分からオフセット部分だけオフセットされる接触部分を含み、かつ前記接触部分は、前記第2のバスバーの前記部分に接することを特徴とする請求項7に記載の半導体デバイス。
- 前記第1および第2の平坦な端子は、各々の表面積の大部分に渡って互いに重なり合うことを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記第1および第2の平坦な端子は各々、前記半導体デバイスの幅の少なくとも70%である幅を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。
- 装置であって、
各々が基板、前記基板上の第1および第2の半導体回路および各々前記第1および第2の半導体回路に接する第1および第2のバスバーを備える複数の半導体デバイスと、
コンデンサと、
前記コンデンサへ電気的に接続される第1および第2の平坦な端子と、を備えており、前記第1および第2の平坦な端子は、互いに上下に積層され、前記第1の平坦な端子は、前記複数の半導体デバイスの各々の第1のバスバーに接し、かつ前記第2の平坦な端子は、前記複数の半導体デバイスの各々の第2のバスバーに接することを特徴とする、第1および第2の平坦な端子と、
を備えている装置。 - 複数のコンデンサをさらに備え、前記第1および第2の平坦な端子は、前記複数のコンデンサの各々へ電気的に接続されていることを特徴とする請求項11に記載の装置。
- 前記第1および第2の平坦な端子は各々、前記コンデンサと前記複数の半導体デバイスとの間に延びる個々のシートを備えていることを特徴とする請求項11に記載の装置。
- 前記シートのうちの少なくとも一方は、階段状の形状を有し、前記コンデンサの向こう側に第1の接触平面が設けられていることを特徴とする請求項13に記載の装置。
- 前記シートのうちのもう一方も、階段状の形状を有し、前記コンデンサの手前側に第2の接触平面が設けられていることを特徴とする請求項14に記載の装置。
- 方法であって、
半導体デバイスを一列に位置合わせする工程であって、前記半導体デバイスが各々、基板と、前記基板上の第1および第2の半導体回路と、各々前記第1および第2の半導体回路に接する第1および第2のバスバーとを備えており、それぞれ、
第1の平坦な端子を前記複数の半導体デバイスの各々の前記第1のバスバーに接触させて、かつ第2の平坦な端子を前記複数の半導体デバイスの各々の前記第2のバスバーに接触させて置くことによりアセンブリを形成する工程であって、前記第1および第2の平坦な端子は互いに上下に積層されている、アセンブリを形成する工程と、
前記第1の平坦な端子を前記複数の半導体デバイスの各々の前記第1のバスバーへ溶接する工程であって、前記溶接は、前記アセンブリの片側から実行されている、前記第1の平坦な端子を溶接する工程と、
前記第2の平坦な端子を前記複数の半導体デバイスの各々の前記第2のバスバーへ溶接する工程であって、前記溶接は、前記アセンブリの反対側で実行されている、前記第2の平坦な端子を溶接する工程と、
を備えている方法。 - 前記第1および第2の平坦な端子間に電気絶縁層を包含する工程をさらに備えている請求項16に記載の方法。
- 前記第1および第2の平坦な端子を各々複数のコンデンサへ電気的に接続する工程をさらに備えている請求項16に記載の方法。
- 前記溶接にはレーザ溶接が含まれることを特徴とする請求項16に記載の方法。
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