CN219371020U - 功率模块和设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种功率模块和设备，功率模块包括上桥基板、下桥基板、上桥功率芯片和下桥功率芯片，上桥基板包括上桥顶部基板和上桥底部基板，上桥顶部基板和上桥底部基板相对设置；下桥基板包括下桥顶部基板和下桥底部基板，下桥顶部基板和下桥底部基板相对设置；上桥功率芯片包括设置在上桥顶部基板朝向上桥底部基板的一面的第一芯片和设置在上桥底部基板朝向上桥顶部基板的一面的第二芯片；下桥功率芯片包括设置在下桥顶部基板朝向下桥底部基板的一面的第三芯片和设置在下桥底部基板朝向下桥顶部基板的一面的第四芯片。

Description

功率模块和设备

技术领域

本实用新型涉及功率模块技术领域，尤其是涉及一种功率模块和设备。

背景技术

在现有技术中，单一平面型结构的功率模块在导通时，容易引起较大的过冲电压，还存在芯片开关损耗增大等问题，导致功率模块可靠性比较低，容易影响功率模块的使用寿命。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型的一个目的在于提出一种功率模块，能够减小功率电流回路电感，不容易引起大的过充电压、减小芯片开关损耗，提升功率模块的可靠性和使用寿命。

本实用新型的另一个目的在于提出一种设备。

为了达到上述目的，本实用新型第一方面实施例提出的功率模块，包括：上桥基板，所述上桥基板包括上桥顶部基板和上桥底部基板，所述上桥顶部基板和所述上桥底部基板相对设置；下桥基板，所述下桥基板包括下桥顶部基板和下桥底部基板，所述下桥顶部基板和所述下桥底部基板相对设置；上桥功率芯片，所述上桥功率芯片包括相互连接的第一芯片和第二芯片，所述第一芯片设置在所述上桥顶部基板朝向所述上桥底部基板的一面，所述第二芯片设置在所述上桥底部基板朝向所述上桥顶部基板的一面；下桥功率芯片，所述下桥功率芯片包括相互连接的第三芯片和第四芯片，所述第三芯片设置在所述下桥顶部基板朝向所述下桥底部基板的一面，所述第四芯片设置在所述下桥底部基板朝向所述下桥顶部基板的一面。

根据本实用新型实施例提出的功率模块，分别在上桥基板的上桥顶部基板和上桥底部基板上分别设置第一芯片和第二芯片，以及，在下桥基板的下桥顶部基板和下桥底部基板上分别设置第三芯片和第四芯片，并通过将上桥顶部基板和上桥底部基板相对设置，以及将下桥顶部基板和下桥底部基板相对设置，当芯片导通时，在上桥基板中，电流先后流过第一芯片和第二芯片，在下桥基板中，电流先后流过第三芯片和第四芯片，由此上桥基板和下桥基板中均存在反向电流，则功率模块中会存在两个反向电流，而反向电流产生的磁场会相互耦合，进而能够减小功率电流回路电感，不容易引起大的过充电压、减小芯片开关损耗，提升功率模块的可靠性和使用寿命。

在本实用新型的一些实施例中，所述上桥基板位于所述下桥基板的一侧，所述上桥顶部基板与所述下桥顶部基板左右平齐设置，所述上桥底部基板与所述下桥底部基板左右平齐设置。

在本实用新型的一些实施例中，所述上桥顶部基板、所述上桥底部基板、所述下桥顶部基板和所述下桥底部基板均包括底板、绝缘层和金属层，所述底板、所述绝缘层和所述金属层叠层设置。

在本实用新型的一些实施例中，所述功率模块还包括：前壳体，所述前壳***于所述上桥基板和所述下桥基板的前侧，所述前壳体的上端连接所述上桥顶部基板和所述下桥顶部基板，所述前壳体的下端连接所述上桥底部基板和所述下桥底部基板；后壳体，所述后壳***于所述上桥基板和所述下桥基板的后侧，所述后壳体的上端连接所述上桥顶部基板和所述下桥顶部基板，所述后壳体的下端连接所述上桥底部基板和所述下桥底部基板。

在本实用新型的一些实施例中，所述上桥顶部基板的底板的边缘长出所述上桥顶部基板的绝缘层的边缘以形成第一台阶，所述下桥顶部基板的底板的边缘长出所述下桥顶部基板的绝缘层的边缘以形成第二台阶；所述上桥底部基板的底板的边缘长出所述上桥底部基板的边缘层的边缘以形成第三台阶，所述下桥底部基板的底板的边缘长出所述下桥底部基板的边缘层的边缘以形成第四台阶；所述前壳体的上端搭设在所述第一台阶和所述第二台阶上，所述前壳体的下端搭设在所述第三台阶和所述第四台阶上，所述后壳体的上端搭设在所述第一台阶和所述第二台阶上，所述后壳体的下端搭设在所述第三台阶和所述第四台阶上。

在本实用新型的一些实施例中，所述第一芯片的漏极搭设在所述上桥顶部基板的金属层上，所述第二芯片的漏极搭设在所述上桥底部基板的金属层上，所述第三芯片的漏极搭设在所述下桥顶部基板的金属层上，所述第四芯片的漏极搭设在所述下桥底部基板的金属层上。

在本实用新型的一些实施例中，所述下桥顶部基板的绝缘层上还设置有与所述下桥顶部基板的金属层相隔开的第一桥接金属层，并且所述第一桥接金属层位于所述下桥顶部基板靠近所述上桥顶部基板的一侧，所述第一桥接金属层与所述第三芯片的源极连接。

在本实用新型的一些实施例中，所述功率模块还包括：DC功率端子和AC功率端子，所述DC功率端子与所述第一芯片和所述第三芯片连接，所述AC功率端子与所述第二芯片和所述第四芯片连接。

在本实用新型的一些实施例中，所述DC功率端子包括：DC正极端子，所述DC正极端子的一端与所述上桥顶部基板的金属层连接；DC负极端子，所述DC负极端子的一端与所述第一桥接金属层连接。

在本实用新型的一些实施例中，所述DC正极端子的另一端和所述DC负极端子的另一端均弯折，所述DC正极端子的另一端和所述DC负极端子的另一端从所述上桥顶部基板与所述下桥顶部基板之间引出。

在本实用新型的一些实施例中，所述功率模块还包括：第一中间壳体，所述第一中间壳体设置在所述上桥顶部基板与所述下桥顶部基板之间，所述第一中间壳体上具有第一DC端子引出孔和第二DC端子引出孔，所述DC正极端子的另一端从所述第一DC端子引出孔引出，所述DC负极端子的另一端从所述第二DC端子引出孔引出。

在本实用新型的一些实施例中，所述上桥底部基板的绝缘层上设置有与所述上桥底部基板的金属层相隔开的第二桥接金属层，所述第二桥接金属层位于所述上桥底部基板靠近所述下桥底部基板的一侧，所述第二桥接金属层与所述第二芯片的源极连接。

在本实用新型的一些实施例中，所述AC功率端子包括：第一AC端子，所述第一AC端子的一端与所述第二桥接金属层连接；第二AC端子，所述第二AC端子的一端与所述下桥底部基板的金属层连接。

在本实用新型的一些实施例中，所述第一AC端子的另一端和所述第二AC端子的另一端均弯折，所述第一AC端子的另一端和所述第二AC端子的另一端从所述上桥底部基板与所述下桥底部基板之间的下方引出。

在本实用新型的一些实施例中，所述功率模块还包括：第二中间壳体，所述第二中间壳体设置在所述上桥底部基板与所述下桥底部基板之间，所述第二中间壳体上具有第一AC端子引出孔和第二AC端子引出孔，所述第一AC端子的另一端从所述第一AC端子引出孔引出，所述第二AC端子的另一端从所述第二AC端子引出孔引出。

在本实用新型的一些实施例中，所述上桥顶部基板的金属层、所述上桥底部基板的金属层、所述下桥顶部基板的金属层和所述下桥底部基板的金属层均包括隔开的芯片导电区和信号传输区，功率芯片分别设置在对应的芯片导电区；所述功率模块还包括分别设置在所述上桥顶部基板、所述上桥底部基板、所述下桥顶部基板和所述下桥底部基板的信号端子，所述信号端子的一端与对应的信号传输区连接，所述信号端子的另一端从对应的基板引出。

在本实用新型的一些实施例中，每个基板上均设置有栅极信号引出孔和源极信号引出孔；所述信号传输区包括栅极信号传输区和源极信号传输区，所述栅极信号传输区与设置在相同基板的功率芯片的栅极连接，所述源极信号传输区与设置在相同基板的功率芯片的源极连接；所述信号端子包括栅极信号端子和源极信号端子，所述栅极信号端子的一端与对应的所述栅极信号传输区连接，所述栅极信号端子的另一端从所述栅极信号引出孔引出，所述源极信号端子的一端与对应的所述源极信号传输区连接，所述源极信号端子的另一端从所述源极信号引出孔引出。

在本实用新型的一些实施例中，所述第一芯片、所述第二芯片、所述第三芯片和所述第四芯片均包括多个功率芯片，多个功率芯片分布于对应基板的芯片导电区；所述信号传输区位于对应基板的中央位置，所述芯片导电区包围所述信号传输区。

在本实用新型的一些实施例中，所述功率模块还包括：上桥连接金属块，所述上桥连接金属块位于所述上桥基板远离所述下桥基板的一边，所述上桥连接金属块的一端与所述第一芯片的源极连接，所述上桥连接金属块的另一端与所述第二芯片的源极连接。

在本实用新型的一些实施例中，所述上桥基板还包括：上桥侧面基板，所述上桥侧面基板设置在所述上桥基板远离所述下桥基板的一侧并与所述上桥顶部基板和所述上桥底部基板连接，所述上桥侧面基板包括绝缘层和金属层，所述绝缘层和所述金属层叠层设置，所述上桥侧面基板的金属层与所述上桥顶部基板的金属层和所述上桥底部基板的金属层连接；所述上桥侧面基板位于所述上桥连接金属块的外侧，并且所述上桥侧面基板的金属层与所述上桥连接金属块之间具有间距。

在本实用新型的一些实施例中，所述功率模块还包括：左壳体，所述左壳体设置在所述上桥侧面基板的外侧，所述左壳体与所述前壳体、所述后壳体分别连接。

在本实用新型的一些实施例中，所述功率模块还包括：下桥连接金属块，所述下桥连接金属块位于所述下桥基板远离所述上桥基板的一边，所述下桥连接金属块的一端与所述第三芯片的源极连接，所述下桥连接金属块的另一端与所述第四芯片的源极连接。

在本实用新型的一些实施例中，所述下桥基板还包括：下桥侧面基板，所述下桥侧面基板设置在所述下桥基板远离上桥基板的一侧并与所述下桥顶部基板和所述下桥底部基板连接，所述下桥侧面基板包括绝缘层和金属层，所述绝缘层和所述金属层叠层设置，所述下桥侧面基板的金属层与所述下桥顶部基板的金属层和所述下桥底部基板的金属层连接；所述下桥侧面基板位于所述下桥连接金属块的外侧，并且所述下桥侧面基板的金属层与所述下桥连接金属块之间具有间距。

在本实用新型的一些实施例中，所述功率模块还包括：右壳体，所述右壳体设置在所述下桥侧面基板的外侧，所述右壳体与所述前壳体、所述后壳体分别连接。

在本实用新型的一些实施例中，所述功率模块内部的间隙中灌封有绝缘胶体。

为了达到上述目的，本实用新型第二方面实施例提出一种设备，包括上面任一项所述的功率模块。

根据本实用新型实施例提出的设备，通过采用上面实施例的功率模块，能够减小功率电流回路电感，不容易引起大的过充电压、减小芯片开关损耗，提升设备的可靠性和使用寿命。

本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从的下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

附图说明

本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合的下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为根据本实用新型一个实施例的功率模块的框图；

图2为根据本实用新型一个实施例的功率模块的示意图；

图3为根据本实用新型一个实施例的功率模块的部分的示意图；

图4为根据本实用新型另一个实施例的功率模块的部分的示意图；

图5为根据本实用新型又一个实施例的功率模块的部分的示意图；

图6为根据本实用新型另一个实施例的功率模块的示意图；

图7为根据本实用新型另一个实施例的功率模块的框图；

图8为根据本实用新型又一个实施例的功率模块的示意图；

图9为根据本实用新型一个实施例的设备的框图。

附图标记：

设备100；

功率模块10；

上桥基板1、下桥基板2、上桥功率芯片3、下桥功率芯片4、DC功率端子5、AC功率端子6、上桥连接金属块7、下桥连接金属块8、前壳体91、第一中间壳体93、第二中间壳体94、左壳体95、右壳体96；

上桥顶部基板11、上桥底部基板12、上桥侧面基板13、下桥顶部基板21、下桥底部基板22、下桥侧面基板23、第一芯片31、第二芯片32、第三芯片41、第四芯片42、DC正极端子51、DC负极端子52、第一AC端子61、第二AC端子62；

底板A、绝缘层B、金属层C、第一金属块E、第二金属块F、第一桥接金属层C1、第二桥接金属层C2、芯片导电区M、信号传输区N、栅极信号传输区N1、源极信号传输区N2、栅极信号引出孔n1、源极信号引出孔n2、信号端子P、栅极信号端子P1、源极信号端子P2。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，参考附图描述的实施例是示例性的，下面参考图1-图8详细描述本实用新型实施例的功率模块。

在本实用新型的一些实施例中，如图1所示，为根据本实用新型一个实施例的功率模块的框图，其中，功率模块10包括上桥基板1、下桥基板2、上桥功率芯片3和下桥功率芯片4。

以下，可结合图2-5理解本实用新型实施例的功率模块10中各个部分的结构。图2为根据本实用新型一个实施例的功率模块的示意图；图3为根据本实用新型一个实施例的功率模块的部分的示意图；图4为根据本实用新型另一个实施例的功率模块的部分的示意图；图5为根据本实用新型又一个实施例的功率模块的部分的示意图。

如图2所示，上桥基板1包括上桥顶部基板11和上桥底部基板12，上桥顶部基板11和上桥底部基板12相对设置。下桥基板2包括下桥顶部基板21和下桥底部基板22，下桥顶部基板21和下桥底部基板22相对设置。

上桥基板1与下桥基板2不设置在一块基板上，上桥顶部基板11和上桥底部基板12被分为两个基板，以及下桥顶部基板21和下桥底部基板22也被分为两个基板且相对设置，也就是将上桥顶部基板11和上桥底部基板12叠层放置，以及将下桥顶部基板21和下桥底部基板22叠层放置，上桥回路和下桥回路在电路导通时，电流从上桥顶部基板11流至上桥底部基板12，即上桥顶部基板11中的电流方向与上桥底部基板12中的电流方向是相反的，以及，电流从下桥底部基板22流至下桥顶部基板21时，下桥底部基板22中的电流方向和至下桥顶部基板21中的电流方向也是相反的。采用这种设计结构，能够使得整个功率模块10中的电路在工作过程，上桥基板1和下桥基板2中均有反向电流结构，而反向电流产生的磁场会相互耦合，使得该功率模块10具有互感抵消作用，进而能够减小整个功率模块10电感。

在本实用新型的一些实施例中，上桥基板1位于下桥基板2的一侧，并且上桥顶部基板11与下桥顶部基板21左右平齐设置，上桥底部基板12与下桥底部基板22左右平齐设置。

进一步地，上桥顶部基板11、上桥底部基板12、下桥顶部基板21和下桥底部基板22均包括底板A、绝缘层B和金属层C，其中，底板A、绝缘层B和金属层C叠层设置。其中，底板A位于最外层可以为具有一定厚度的铜底板，其表面积尺寸与绝缘层B相同，可用于散热；绝缘层B位于中间层，可用于将底板A和金属层C隔离；金属层C位于最内层，可用于导电和散热。

如图1和图2所示，上桥功率芯片3包括相互连接的第一芯片31和第二芯片32，第一芯片31设置在上桥顶部基板11朝向上桥底部基板12的一面，第二芯片32设置在上桥底部基板12朝向上桥顶部基板11的一面。也就是说，上桥基板1与下桥基板2上均设置有芯片，且上桥功率芯片3和下桥功率芯片4分别设置在上桥基板1与下桥基板2的相对表面。

具体地，如图2所示，第一芯片31的漏极搭设在上桥顶部基板11的金属层C上，第二芯片32的漏极搭设在上桥底部基板12的金属层C上，则第一芯片31和第二芯片32与金属层C接触的一面为芯片的漏极，与漏极相对的一面为芯片的源极。下桥功率芯片4包括相互连接的第三芯片41和第四芯片42，第三芯片41设置在下桥顶部基板21朝向下桥底部基板22的一面，第四芯片42设置在下桥底部基板22朝向下桥顶部基板21的一面。第三芯片41的漏极搭设在下桥顶部基板21的金属层C上，第四芯片42的漏极搭设在下桥底部基板22的金属层C上。与第一芯片31和第二芯片32同理，第三芯片41和第四芯片42与金属层C接触的一面为芯片的漏极，与漏极相对的一面为芯片的源极，功率模块10导通时，电流从芯片的漏极流入并从芯片的源极流出。此外，在进行芯片固定时，可直接将芯片烧结在金属层C上。

根据本实用新型实施例提出的功率模块10，分别在上桥基板1的上桥顶部基板11和上桥底部基板12上分别设置第一芯片31和第二芯片32，以及，在下桥基板2的下桥顶部基板21和下桥底部基板22上分别设置第三芯片41和第四芯片42，并通过将上桥顶部基板11和上桥底部基板12相对设置，以及将下桥顶部基板21和下桥底部基板22相对设置，当芯片导通时，在上桥基板1中，电流先后流过第一芯片31和第二芯片32，在下桥基板2中，电流先后流过第三芯片41和第四芯片42，由此上桥基板1和下桥基板2中均存在反向电流，则功率模块10中会存在两个反向电流，而反向电流产生的磁场会相互耦合，进而能够减小功率电流回路电感，不容易引起大的过充电压、减小芯片开关损耗，提升功率模块10的可靠性和使用寿命。

在本实用新型的一些实施例中，如图6所示，为根据本实用新型另一个实施例的功率模块的示意图。其中，功率模块10还包括前壳体91和后壳体，其中后壳体未在图示出。

前壳体91位于上桥基板1和下桥基板2的前侧，前壳体91的上端连接上桥顶部基板11和下桥顶部基板21，前壳体91的下端连接上桥底部基板12和下桥底部基板22。进一步地，可结合图6中示出的前壳体91理解后壳体的设置位置，具体地，后壳***于上桥基板1和下桥基板2的后侧，后壳体的上端连接上桥顶部基板和11下桥顶部基板21，后壳体的下端连接上桥底部基板12和下桥底部基板22。

更进一步地，在设置前壳体91和后壳体时，上桥顶部基板11的底板A的边缘长出上桥顶部基板11的绝缘层B的边缘以形成第一台阶，下桥顶部基板21的底板A的边缘长出下桥顶部基板21的绝缘层B的边缘以形成第二台阶；上桥底部基板12的底板A的边缘长出上桥底部基板12的边缘层B的边缘以形成第三台阶，下桥底部基板22的底板A的边缘长出下桥底部基板22的边缘层B的边缘以形成第四台阶；前壳体91的上端搭设在第一台阶和第二台阶上，前壳体91的下端搭设在第三台阶和第四台阶上，后壳体的上端搭设在第一台阶和第二台阶上，后壳体的下端搭设在第三台阶和第四台阶上。由此，通过设置前壳体91和后壳体，能够将上桥基板1和下桥基板2连成一个整体的结构。且上桥基板1与下桥基板2不直接通电。

在本实用新型的一些实施例中，如图7所示，为根据本发明另一个实施例的功率模块的框图，其中，功率模块10还包括DC功率端子5和AC功率端子6。

DC功率端子5与第一芯片31和第三芯片41连接，具体地，可结合图2-7理解本实用新型实施例的DC功率端子5，以及DC功率端子5与第一芯片31和第三芯片41的连接情况。

如图2和图3所示，DC功率端子5包括DC正极端子51和DC负极端子52。第一芯片31与DC正极端子51连接，第三芯片41与DC负极端子52连接，具体地，DC正极端子51和DC负极端子52可直接焊接在对应的上桥顶部基板11和下桥顶部基板21上。

如图4所示，DC正极端子51和DC负极端子52均位于上桥顶部基板11和下桥顶部基板21相互靠近的一端。DC正极端子51的一端与上桥顶部基板11的金属层C连接，具体地，DC正极端子51的一端直接搭接在上桥顶部基板11的金属层C上，第一芯片31与金属层C接触的一面为第一芯片31的漏极，DC正极端子51经上桥顶部基板11的金属层C直接与第一芯片31的漏极导通，当功率模块10导通时，电流从DC正极端子51经上桥顶部基板11的金属层C流至第一芯片31的漏极。

如图4所示，下桥顶部基板21的绝缘层B上还设置有与下桥顶部基板21的金属层C相隔开的第一桥接金属层C1，并且第一桥接金属层C1位于下桥顶部基板21靠近上桥顶部基板11的一侧，第三芯片41与金属层C接触的一面为第三芯片41的漏极，通过将下桥顶部基板21的金属层C与第一桥接金属层C1相隔开，避免DC负极端子52与第三芯片41的漏极接触，便于实现将第一桥接金属层C1与第三芯片41的源极连接。以及，如图4所示，可设置第二金属块F的两端分别搭接在第三芯片41的源极和第一桥接金属层C1上，以将第三芯片41的源极和第一桥接金属层C1连接导通。设置DC负极端子52的一端与第一桥接金属层C1连接，使得第三芯片41的源极经第一桥接金属层C1与DC负极端子52的一端连接导通，当功率模块10导通时，电流从第三芯片41的源极经第二金属块F、第一桥接金属层C1流至DC负极端子52。

在另一些实施例中，如图2或图3所示，DC正极端子51的另一端和DC负极端子52的另一端均弯折，上桥顶部基板11与下桥顶部基板21之间引出。

在一些实施例中，如图2-4所示，述功率模块10还包括第一中间壳体93，第一中间壳体93设置在上桥顶部基板11与下桥顶部基板21之间，第一中间壳体93上具有第一DC端子引出孔和第二DC端子引出孔，DC正极端子51的另一端从第一DC端子引出孔引出，DC负极端子的另一端52从第二DC端子引出孔引出。其中，第一中间壳体93用于将上桥顶部基板11与下桥顶部基板21连成一个整体的结构。且上桥顶部基板11与下桥顶部基板21不直接通电。

可在上桥顶部基板11与下桥顶部基板21之间开出两个用于引出DC正极端子51和DC负极端子52的孔，也就是第一DC端子引出孔和第二DC端子引出孔。

进一步地，可设置第一DC端子引出孔和第二DC端子引出孔为同轴孔且尺寸一致，且DC正极端子51和DC负极端子52的长度一致，也就是说，DC正极端子51和DC负极端子52呈叠层放置，且第一DC端子引出孔和第二DC端子引出孔的内部设置有塑封材料，或者该两个引出孔的尺寸也可不一致，或者还可以设置DC正极端子51和DC负极端子52的形状大小也可以不一致，方便安装即可。此外，当DC正极端子51和DC负极端子52的另一端从上桥顶部基板11与下桥顶部基板21之间引出后，可在DC功率端子5、DC负极端子52与第一DC端子引出孔和第二DC端子引出孔之间的缝隙中进行绝缘胶的填充，以防止DC正极端子51和DC负极端子52位于功率模块10的部分发生短路。

基于以上，将DC正极端子51和DC负极端子52分别烧结在上桥顶部基板11的金属层C上和下桥顶部基板21的第一桥接金属层C1两个金属层9上，并设置第一DC端子引出孔和第二DC端子引出孔为同轴孔，使得DC正极端子51和DC负极端子52呈叠层设置，能够尽量减小功率模块的换流回路，进而有效降低上桥顶部基板11和下桥顶部基板21的寄生电感。

在一些实施例中，AC功率端子6与第二芯片32和第四芯片42连接。具体地，可结合图2、图5和图6理解本实用新型实施例的AC功率端子6，以及AC功率端子6与第二芯片32和第四芯片42的连接情况。

其中，如图2所示，AC功率端子6包括第一AC端子61和第二AC端子62，具体地，第二芯片32与第一AC端子61连接，第四芯片42与第二AC端子62连接，第一AC端子61和第二AC端子62均位于上桥底部基板12和下桥底部基板221相互靠近的一端，具体地，第一AC端子61和第二AC端子62可直接焊接在上桥底部基板12和下桥底部基板22上。

其中，如图4所示，上桥底部基板12的绝缘层B上设置有与上桥底部基板12的金属层C相隔开的第二桥接金属层C2，并且第二桥接金属层C2位于上桥底部基板12靠近下桥底部基板22的一侧，第二芯片32与金属层C接触的一面为第二芯片32的漏极，通过将上桥底部基板12的金属层C与第二桥接金属层C2相隔开，避免第一AC端子61与第二芯片32的漏极接触，便于实现将第二桥接金属层C2与第二芯片32的源极连接。以及，如图5所示，可设置第二金属块F的两端分别搭接在第二芯片32的源极和第二桥接金属层C2上，以将第二芯片32的源极和第二桥接金属层C2连接导通。设置DC负极端子52的一端与第一桥接金属层C1连接，使得第三芯片41的源极经第一桥接金属层C1与DC负极端子52的一端连接导通，设置第一AC端子61的一端与第二桥接金属层C2连接，使得第二芯片32的源极经第二桥接金属层C2与第一AC端子61的一端连接导通。当功率模块10导通时，电流从第二芯片32的源极经第二金属块F、第二桥接金属层C2流至第一AC端子61。

如图4所示，第二AC端子62的一端与下桥底部基板22的金属层C连接。具体地，第二AC端子62的一端直接搭接在下桥底部基板22的金属层C上，第四芯片42与金属层C接触的一面为第四芯片42的漏极，第二AC端子62经下桥底部基板22的金属层C直接与第四芯片42的漏极导通，当功率模块10导通时，电流从第二AC端子62经下桥底部基板22的金属层C流至第四芯片42的漏极。

在另一些实施例中，如图2所示，第一AC端子61的另一端和第二AC端子62的另一端均弯折，上桥底部基板12与下桥底部基板22之间的引出。

在一些实施例中，如图2和图5所示，功率模块10还包括第二中间壳体94，第二中间壳体94设置在上桥底部基板12与下桥底部基板22之间，第二中间壳体94上具有第一AC端子引出孔和第二AC端子引出孔，第一AC端子61的另一端从第一AC端子引出孔引出，第二AC端子62的另一端从第二AC端子引出孔引出。其中，第二中间壳体94用于将上桥底部基板12与下桥底部基板22连成一个整体的结构。且上桥底部基板12与下桥底部基板22不直接通电。

可在上桥底部基板12与下桥底部基板22之间开出两个用于引出第一AC端子61和第二AC端子62的孔，也就是第一AC端子引出孔和第二AC端子引出孔。

进一步地，可设置第一AC端子引出孔和第二AC端子引出孔为同轴孔且尺寸一致，以及，第一AC端子61和第二AC端子62的长度一致，也就是说，第一AC端子61和第二AC端子62呈叠层放置，且第一AC端子引出孔和第二AC端子引出孔的内部设置有塑封材料。或者该两个引出孔的尺寸也可不一致，或者还可以设置第一AC端子61和第二AC端子62的形状大小也可以不一致，方便安装即可。此外，当第一AC端子61和第二AC端子62的另一端从上桥底部基板12与下桥底部基板22之间引出后，可在第一AC端子引出孔和第二AC端子引出孔之间的缝隙中进行绝缘胶的填充，以防止第一AC端子61和第二AC端子62位于在功率模块10内部的部分发生短路。

基于以上，将第一AC端子引出孔和第二AC端子引出孔设置为同轴孔，使得第一AC端子61和第二AC端子62叠层设置，便于第一AC端子61和第二AC端子62与外接电机端相连。

进一步地，以上，DC正极端子51、DC负极端子52、第一AC端子61和第二AC端子62可直接焊接在对应的上桥顶部基板11、下桥顶部基板21、上桥底部基板12和下桥底部基板22上。以及，如图2-5所示，当第一芯片31、第二芯片32、第三芯片41和第四芯片42的个数为多个时，设置在同一块金属层C上的芯片的漏极能直接与对应的端子连接导通，而可以通过在芯片表面搭接第一金属块E以将同一块金属层C上的芯片的源极连接导通。

此外，AC功率端子6也可设置为1个，只需要设计可以连接上桥底部基板12与下桥底部基板22的端子即可。

根据本实用新型实施例提出的功率模块10，分别在上桥基板1的上桥顶部基板11和上桥底部基板12上分别设置第一芯片31和第二芯片32，以及，在下桥基板2的下桥顶部基板21和下桥底部基板22上分别设置第三芯片41和第四芯片42，通过将上桥顶部基板11和上桥底部基板12相对设置，以及将下桥顶部基板21和下桥底部基板22相对设置，当芯片导通时，电流从DC功率端子5流入第一芯片31，并经第二芯片32从AC功率端子6流出，以及电流从AC功率端子6流入第三芯片41并经第四芯片42从DC功率端子5流出，功率模块10中的功率回路电流方向为双向。而上桥基板1和下桥基板2中均存在反向电流，则功率模块10中会存在两个反向电流，反向电流产生的磁场会相互耦合，进而能够减小功率电流回路电感，不容易引起大的过充电压、减小芯片开关损耗，提升功率模块10的可靠性和使用寿命。

在本实用新型的一些实施例中，如图4和图5所示，上桥顶部基板11的金属层C、上桥底部基板12的金属层C、下桥顶部基板21的金属层C和下桥底部基板22的金属层C均包括隔开的芯片导电区M和信号传输区N，功率芯片分别设置在对应的芯片导电区M。

其中，在一些实施例中，第一芯片31、第二芯片32、第三芯片41和第四芯片42均包括多个功率芯片，多个功率芯片分布于对应基板的芯片导电区M。也就是说，第一芯片31、第二芯片32、第三芯片41和第四芯片42的数量均可以为多个，例如可以为2个或者3个或者4个或者6个等，此处不做具体限定。芯片在基板上的排列情况也可以为多种，例如，可以沿基板的边缘均匀排布，采用此种设计方式，能够尽可能地保证芯片导电区M中的各个芯片到信号传输区N的距离相等，便于设置和布线，且能够使得各个基板的散热均匀。

具体地，以图4和图5示出的第一芯片31、第二芯片32、第三芯片41和第四芯片42均为2*2排布的四个芯片为例，其中，位于相同行的两个芯片的源极相连接。其中，对于每一行相同行的两个芯片，可以通过在芯片表面搭接第一金属块E以将同一块金属层C上相同行的两个芯片的源极连接导通。

芯片所在的区域即为芯片导电区M，在远离芯片导电区M的部分设置信号传输区N。具体地，信号传输区N位于设置于对应基板的中央位置，芯片导电区M包围信号传输区N。

以及，在一些实施例中，功率模块10还包括分别设置在上桥顶部基板11、上桥底部基板12、下桥顶部基板21和下桥底部基板22的信号端子P，可结合图3-图8理解本实用新型实施例的信号端子P和信号传输区N。图8为根据本实用新型又一个实施例的功率模块的示意图。其中，图3、图6和图8中仅标出设置在上桥顶部基板11的信号端子P。

具体地，信号端子P的一端与对应的信号传输区N连接，信号端子P的另一端从对应的基板引出，信号端子P的另一端可外接驱动电路或者驱动板。信号端子P穿过绝缘层B和底板A引出，绝缘层B和底板A上都应预留相应孔隙，并在连接完成后对孔隙进行绝缘灌封，信号端子P与驱动板相连之外部分，均做外层绝缘处理，采用这种连接方式可以减小驱动回路长度，从而减小驱动回路电感。

具体地，在一些实施例中，如图6所示，每个基板上均设置有栅极信号引出孔n1和源极信号引出孔n2；信号传输区N包括栅极信号传输区N1和源极信号传输区N2，栅极信号传输区N1位于栅极信号引出孔n1处，源极信号传输区N2位于源极信号引出孔n2处。

如图4或者图5所示，栅极信号传输区N1与设置在相同基板的功率芯片的栅极连接，源极信号传输区N2与设置在相同基板的功率芯片的源极连接。其中，在设置第一芯片31、第二芯片32、第三芯片41和第四芯片42时，可设置在同一金属层C上的芯片的排列方式为栅极端相对排列，能够使得同一金属层C上的每个芯片的栅极与栅极信号传输区N1之间的距离大致相同。

举例而言，可直接在制备好的基板的中央位置上进行裁切，裁切完成后，在基板的中央位置形成两个孔或者一个大的孔，将裁切下来的两部分作为栅极信号传输区N1和源极信号传输区N2，则栅极信号传输区N1和源极信号传输区N2的组成部分与基板相同，均包括层叠设置的底板A、绝缘层B和金属层C。将栅极信号传输区N1和源极信号传输区N2放置在两个孔或者一个大的孔中，栅极信号传输区N1、源极信号传输区N2与基板三者之间均不接触，栅极信号传输区N1上设置有栅极信号引出孔n1，源极信号传输区N2上设置有源极信号引出孔n2。

更具体地，如图3所示，信号端子P包括栅极信号端子P1和源极信号端子P2，在功率器件10内部，如图4或图5所示，栅极与栅极信号传输区N1通过栅极引线连接，栅极信号端子P1的一端与对应的栅极信号传输区N1连接，栅极信号端子P1的另一端从如图6中示出的栅极信号引出孔n1引出。如图4或图5所示，源极与源极信号传输区N2通过源极引线连接，源极信号端子P2的一端与对应的源极信号传输区N2连接，源极信号端子P2的另一端从如图6中示出的源极信号引出孔n2引出，栅极信号端子P1和源极信号端子P2的引出方向为基板未烧结芯片的方向。

在一些实施例中，功率模块10还包括上桥连接金属块7和下桥连接金属块8，以及，上桥基板1还包括上桥侧面基板13，下桥基板2还包括下桥侧面基板23。

其中可结合图2-图5、图8理解本实用新型实施例的上桥连接金属块7、下桥连接金属块8、上桥侧面基板13和下桥侧面基板23。

如图2所示，上桥连接金属块7位于上桥基板1远离下桥基板2的一边，上桥连接金属块7的一端与第一芯片31的源极连接，上桥连接金属块7的另一端与第二芯片32的源极连接。由上述内容可知，上桥功率芯片3包括相互连接的第一芯片31和第二芯片32，则需要将第一芯片31和第二芯片32源极和漏极均相互连接。

具体地，对于均设置成2*2排布的四个第一芯片31和四个第二芯片32来说，可将上桥连接金属块7的一端烧结在上桥顶部基板11的第一芯片31源极，将上桥连接金属块7的另一端烧结与上桥底部基板12相对位置的第二芯片32的源极上，以实现将位于上桥顶部基板11不同行的两个第一芯片31与位于上桥底部基板12相对位置的两个第二芯片32的源极连接。

上桥侧面基板13设置在上桥基板1远离下桥基板2的一侧并与上桥顶部基板11和上桥底部基板12连接，上桥侧面基板13包括叠层设置的绝缘层B和金属层C，上桥侧面基板13的金属层C与上桥顶部基板11的金属层C和上桥底部基板12的金属层C连接。由于第一芯片31的漏极与上桥顶部基板11的金属层C导通连接，由于第二芯片32的漏极上桥底部基板12的金属层C连接，采用上桥侧面基板13的金属层C将上下两层基板的金属层C连接后，使得第一芯片31的漏极能与第二芯片32的漏极导通。

以及，如图3和图4所示，上桥侧面基板13位于上桥连接金属块7的外侧，并且上桥侧面基板13的金属层C与上桥连接金属块7之间具有间距，进一步地，可在塑封后，在整个塑封区域内进行绝缘灌胶，以保证第一芯片31与第二芯片32的漏极和源极之间为绝缘状态。

在一些实施例中，如图2-图5和图6所示，功率模块10还包括左壳体95，左壳体95设置在上桥侧面基板13的外侧，左壳体95与前壳体91、后壳体、上桥顶部基板11以及上桥底部基板12分别连接。

以及，如图2所示，下桥连接金属块8位于下桥基板2远离上桥基板1的一边，下桥连接金属块8的一端与第三芯片41的源极连接，下桥连接金属块8的另一端与第四芯片42的源极连接。由上述内容可知，下桥功率芯片4包括相互连接的第三芯片41和第四芯片42，则需要将第三芯片41和第四芯片42源极和漏极均相互连接。

具体地，对于均设置成2*2排布的四个第三芯片41和四个第四芯片42来说，可将下桥连接金属块7的一端烧结在下桥顶部基板21的第三芯片41源极，将下桥连接金属块7的另一端烧结与下桥底部基板22相对位置的第四芯片42的源极上，以实现将位于下桥顶部基板21不同行的两个第三芯片41与位于下桥底部基板22相对位置的两个第四芯片42的源极连接。

下桥侧面基板23设置在下桥基板2远离上桥基板1的一侧并与下桥顶部基板21和下桥底部基板22连接，下桥侧面基板23包括叠层设置的绝缘层B和金属层C，下桥侧面基板23的金属层C与下桥顶部基板21的金属层C和下桥底部基板22的金属层C连接。由于第三芯片41的漏极与下桥顶部基板21的金属层C导通连接，由于第四芯片42的漏极下桥底部基板22的金属层C连接，则采用下桥侧面基板23的金属层C将上下两层基板的金属层C连接后，使得第三芯片41的漏极能与第四芯片42的漏极导通。

在一些实施例中，如图2-图5和图6所示，功率模块10还包括右壳体96，右壳96设置在下桥侧面基板23的外侧，右壳体96与前壳体91、后壳体、下桥顶部基板21以及下桥底部基板22分别连接。

基于以上，本实用新型实施例的上桥基板1、下桥基板2、上桥侧面基板13以及下桥侧面基板23均设置在由前壳体91、后壳体、第一中间壳体93、第二中间壳体94、左壳体95和右壳体9组成的绝缘外壳内，并且上桥基板1的底板A和下桥基板2的底板A裸露在壳体外，也就是说，整个外壳可以为半塑封结构，至少包裹功率模块10的除了上桥顶部基板11、上桥底部基板12、下桥顶部基板21和下桥底部基板22的侧面。前壳体91、后壳体、第一中间壳体93、第二中间壳体94、左壳体95和右壳体9将除底板A外的所有元件塑封在一起，底板A不在塑封区域内，则底板A裸露能够更好地发挥其散热功能。

以及，如图3和图5所示，下桥侧面基板23位于下桥连接金属块8的外侧，并且下桥侧面基板23的金属层C与下桥连接金属块8之间具有间距，进一步地，可在塑封后，在整个塑封区域内进行绝缘灌胶，以保证第三芯片41与第四芯片42的漏极和源极之间为绝缘状态。

基于以上，本实用新型实施例的功率模块10在导通时，有电流流入和流出，电流从DC正极端子51流入，经上桥顶部基板11的金属层C流至第一芯片31的漏极，以及经上桥顶部基板11的金属层C、上桥侧面基板13的金属层C和下桥顶部基板21的金属层流至第二芯片32的漏极，第一芯片31中的电流从第一芯片31的漏极流至第一芯片31的源极，经上桥连接金属块7与第二芯片32源极流出的电流经第一桥接金属层C1从第一AC端子61流出。以及，电流从第二AC端子62流入，经下桥底部基板22的金属层C流至第四芯片4的漏极，以及经下桥底部基板22的金属层C、下桥侧面基板23的金属层C和下桥顶部基板21的金属层C流至第三芯片41的漏极。第四芯片4中的电流从第三芯片41的漏极流至第三芯片41的源极，经下桥连接金属块8与第三芯片41源极流出的电流经第二桥接金属层C2从DC负极端子52流出。其中，上桥顶部基板11和上桥底部基板12中流过的电流为反向电流，下桥顶部基板21和下桥底部基板22中流过的电流为反向电流，则将该功率模块10的上桥基板1和下桥基板2均设置为折叠结构后，在导通情况下，功率模块中会存在两个反向电流，反向电流产生的磁场会相互耦合，进而能够减小整个功率模块10总的电感，能够有效降低功率模块10的过冲电压、减小芯片开关损耗，提升低模块可靠性和寿命。

在本实用新型的一些实施例中，功率模块10内部的间隙中灌封有绝缘胶体，即在塑封区域内进行绝缘灌胶。例如，对于下桥顶部基板21的金属层C与第一桥接金属C1之间的缝隙、上桥底部基板12的金属层C与第二桥接金属层C2之间缝隙等进行绝缘灌胶。对金属绝缘层B、底板A上为栅极信号传输区N1和源极信号传输区N2开出的空隙，进行绝缘胶的填充。以及，对于设置在壳体9上的端子穿孔，将各端子从端子穿孔引出后，还需要对端子穿孔与端子之间的缝隙进行绝缘灌胶，进而能够防止距离较近但不接触的结构之间发生短路，提升整个功率模块10的稳定性。

在本实用新型的一些实施例中，还提出一种设备，如图9所示，为根据本实用新型一个实施例的设备的框图，其中，设备100包括如上面任一项实施例的功率模块10。

根据本实用新型实施例提出设备100，通过采用上面实施例的功率模块10，能够减小功率电流回路电感，不容易引起大的过充电压、减小芯片开关损耗，提升设备100的可靠性和使用寿命。

根据本实用新型实施例的设备100和功率模块10的其他构成以及操作对于本领域普通技术人员而言都是已知的，这里不再详细描述。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (26)

1.一种功率模块，其特征在于，包括：

上桥基板，所述上桥基板包括上桥顶部基板和上桥底部基板，所述上桥顶部基板和所述上桥底部基板相对设置；

下桥基板，所述下桥基板包括下桥顶部基板和下桥底部基板，所述下桥顶部基板和所述下桥底部基板相对设置；

上桥功率芯片，所述上桥功率芯片包括相互连接的第一芯片和第二芯片，所述第一芯片设置在所述上桥顶部基板朝向所述上桥底部基板的一面，所述第二芯片设置在所述上桥底部基板朝向所述上桥顶部基板的一面；

下桥功率芯片，所述下桥功率芯片包括相互连接的第三芯片和第四芯片，所述第三芯片设置在所述下桥顶部基板朝向所述下桥底部基板的一面，所述第四芯片设置在所述下桥底部基板朝向所述下桥顶部基板的一面。

2.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，

所述上桥基板设于所述下桥基板的一侧，所述上桥顶部基板与所述下桥顶部基板左右平齐设置，所述上桥底部基板与所述下桥底部基板左右平齐设置。

3.根据权利要求2所述的功率模块，其特征在于，所述功率模块还包括：

前壳体，所述前壳***于所述上桥基板和所述下桥基板的前侧，所述前壳体的上端连接所述上桥顶部基板和所述下桥顶部基板，所述前壳体的下端连接所述上桥底部基板和所述下桥底部基板；

后壳体，所述后壳***于所述上桥基板和所述下桥基板的后侧，所述后壳体的上端连接所述上桥顶部基板和所述下桥顶部基板，所述后壳体的下端连接所述上桥底部基板和所述下桥底部基板。

4.根据权利要求3所述的功率模块，其特征在于，所述上桥顶部基板、所述上桥底部基板、所述下桥顶部基板和所述下桥底部基板均包括底板、绝缘层和金属层，所述底板、所述绝缘层和所述金属层叠层设置。

5.根据权利要求4所述的功率模块，其特征在于，

所述上桥顶部基板的底板的边缘长出所述上桥顶部基板的绝缘层的边缘以形成第一台阶，所述下桥顶部基板的底板的边缘长出所述下桥顶部基板的绝缘层的边缘以形成第二台阶；

所述上桥底部基板的底板的边缘长出所述上桥底部基板的边缘层的边缘以形成第三台阶，所述下桥底部基板的底板的边缘长出所述下桥底部基板的边缘层的边缘以形成第四台阶；

所述前壳体的上端搭设在所述第一台阶和所述第二台阶上，所述前壳体的下端搭设在所述第三台阶和所述第四台阶上，所述后壳体的上端搭设在所述第一台阶和所述第二台阶上，所述后壳体的下端搭设在所述第三台阶和所述第四台阶上。

6.根据权利要求4所述的功率模块，其特征在于，所述第一芯片的漏极搭设在所述上桥顶部基板的金属层上，所述第二芯片的漏极搭设在所述上桥底部基板的金属层上，所述第三芯片的漏极搭设在所述下桥顶部基板的金属层上，所述第四芯片的漏极搭设在所述下桥底部基板的金属层上。

7.根据权利要求6所述的功率模块，其特征在于，

所述下桥顶部基板的绝缘层上还设置有与所述下桥顶部基板的金属层相隔开的第一桥接金属层，并且所述第一桥接金属层位于所述下桥顶部基板靠近所述上桥顶部基板的一侧，所述第一桥接金属层与所述第三芯片的源极连接。

8.根据权利要求7所述的功率模块，其特征在于，所述功率模块还包括：

DC功率端子和AC功率端子，所述DC功率端子与所述第一芯片和所述第三芯片连接，所述AC功率端子与所述第二芯片和所述第四芯片连接。

9.根据权利要求8所述的功率模块，其特征在于，所述DC功率端子包括：

DC正极端子，所述DC正极端子的一端与所述上桥顶部基板的金属层连接；

DC负极端子，所述DC负极端子的一端与所述第一桥接金属层连接。

10.根据权利要求9所述的功率模块，其特征在于，所述DC正极端子的另一端和所述DC负极端子的另一端均弯折，所述DC正极端子的另一端和所述DC负极端子的另一端从所述上桥顶部基板与所述下桥顶部基板之间引出。

11.根据权利要求10所述的功率模块，其特征在于，所述功率模块还包括：

第一中间壳体，所述第一中间壳体设置在所述上桥顶部基板与所述下桥顶部基板之间，所述第一中间壳体上具有第一DC端子引出孔和第二DC端子引出孔，所述DC正极端子的另一端从所述第一DC端子引出孔引出，所述DC负极端子的另一端从所述第二DC端子引出孔引出。

12.根据权利要求8所述的功率模块，其特征在于，

所述上桥底部基板的绝缘层上设置有与所述上桥底部基板的金属层相隔开的第二桥接金属层，所述第二桥接金属层位于所述上桥底部基板靠近所述下桥底部基板的一侧，所述第二桥接金属层与所述第二芯片的源极连接。

13.根据权利要求12所述的功率模块，其特征在于，所述AC功率端子包括：

第一AC端子，所述第一AC端子的一端与所述第二桥接金属层连接；

第二AC端子，所述第二AC端子的一端与所述下桥底部基板的金属层连接。

14.根据权利要求13所述的功率模块，其特征在于，所述第一AC端子的另一端和所述第二AC端子的另一端均弯折，所述第一AC端子的另一端和所述第二AC端子的另一端从所述上桥底部基板与所述下桥底部基板之间的下方引出。

15.根据权利要求14所述的功率模块，其特征在于，所述功率模块还包括：

第二中间壳体，所述第二中间壳体设置在所述上桥底部基板与所述下桥底部基板之间，所述第二中间壳体上具有第一AC端子引出孔和第二AC端子引出孔，所述第一AC端子的另一端从所述第一AC端子引出孔引出，所述第二AC端子的另一端从所述第二AC端子引出孔引出。

16.根据权利要求6所述的功率模块，其特征在于，

所述上桥顶部基板的金属层、所述上桥底部基板的金属层、所述下桥顶部基板的金属层和所述下桥底部基板的金属层均包括隔开的芯片导电区和信号传输区，功率芯片分别设置在对应的芯片导电区；

所述功率模块还包括分别设置在所述上桥顶部基板、所述上桥底部基板、所述下桥顶部基板和所述下桥底部基板的信号端子，所述信号端子的一端与对应的信号传输区连接，所述信号端子的另一端从对应的基板引出。

17.根据权利要求16所述的功率模块，其特征在于，

每个基板上均设置有栅极信号引出孔和源极信号引出孔；

所述信号传输区包括栅极信号传输区和源极信号传输区，所述栅极信号传输区与设置在相同基板的功率芯片的栅极连接，所述源极信号传输区与设置在相同基板的功率芯片的源极连接；

所述信号端子包括栅极信号端子和源极信号端子，所述栅极信号端子的一端与对应的所述栅极信号传输区连接，所述栅极信号端子的另一端从所述栅极信号引出孔引出，所述源极信号端子的一端与对应的所述源极信号传输区连接，所述源极信号端子的另一端从所述源极信号引出孔引出。

18.根据权利要求17所述的功率模块，其特征在于，

所述第一芯片、所述第二芯片、所述第三芯片和所述第四芯片均包括多个功率芯片，多个功率芯片分布于对应基板的芯片导电区；

所述信号传输区位于对应基板的中央位置，所述芯片导电区包围所述信号传输区。

19.根据权利要求6所述的功率模块，其特征在于，所述功率模块还包括：

上桥连接金属块，所述上桥连接金属块位于所述上桥基板远离所述下桥基板的一边，所述上桥连接金属块的一端与所述第一芯片的源极连接，所述上桥连接金属块的另一端与所述第二芯片的源极连接。

20.根据权利要求19所述的功率模块，其特征在于，所述上桥基板还包括：

上桥侧面基板，所述上桥侧面基板设置在所述上桥基板远离所述下桥基板的一侧并与所述上桥顶部基板和所述上桥底部基板连接，所述上桥侧面基板包括绝缘层和金属层，所述绝缘层和所述金属层叠层设置，所述上桥侧面基板的金属层与所述上桥顶部基板的金属层和所述上桥底部基板的金属层连接；

所述上桥侧面基板位于所述上桥连接金属块的外侧，并且所述上桥侧面基板的金属层与所述上桥连接金属块之间具有间距。

21.根据权利要求20所述的功率模块，其特征在于，所述功率模块还包括：

左壳体，所述左壳体设置在所述上桥侧面基板的外侧，所述左壳体分别与所述前壳体、所述后壳体连接。

22.根据权利要求6所述的功率模块，其特征在于，所述功率模块还包括：

下桥连接金属块，所述下桥连接金属块位于所述下桥基板远离所述上桥基板的一边，所述下桥连接金属块的一端与所述第三芯片的源极连接，所述下桥连接金属块的另一端与所述第四芯片的源极连接。

23.根据权利要求22所述的功率模块，其特征在于，所述下桥基板还包括：

下桥侧面基板，所述下桥侧面基板设置在所述下桥基板远离上桥基板的一侧并与所述下桥顶部基板和所述下桥底部基板连接，所述下桥侧面基板包括绝缘层和金属层，所述绝缘层和所述金属层叠层设置，所述下桥侧面基板的金属层与所述下桥顶部基板的金属层和所述下桥底部基板的金属层连接；

所述下桥侧面基板位于所述下桥连接金属块的外侧，并且所述下桥侧面基板的金属层与所述下桥连接金属块之间具有间距。

24.根据权利要求23所述的功率模块，其特征在于，所述功率模块还包括：

右壳体，所述右壳体设置在所述下桥侧面基板的外侧，所述右壳体分别与所述前壳体、所述后壳体连接。

25.根据权利要求4-24任一项所述的功率模块，其特征在于，所述功率模块内部的间隙中灌封有绝缘胶体。

26.一种设备，其特征在于，包括权利要求1-25任一项所述的功率模块。