JP2016201412A - ウエーハの分割方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 54
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 22
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 24
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】ウエーハ(1)の裏面(1b)にDAFテープ(5)を貼着した後、ウエーハの表面(1a)側から分割予定ライン(2)に沿って先端が鋭角に尖った切削ブレード(13)を切込ませ、ウエーハの表面にV溝(15)を形成する。その後、ウエーハの表面側からプラズマエッチングしてV溝を裏面に向かって進行させ、V溝の先端がウエーハの裏面に達するまでプラズマエッチングする。このプラズマエッチングの後、V溝の先端を起点にDAFテープを分割する。
【選択図】図7
Description
1a 表面
1b 裏面
2 分割予定ライン
3 デバイス
5 DAFテープ
8 保護テープ
9 レジスト膜
11 チャックテーブル
13 切削ブレード
15 V溝
17 チップ
Claims (2)
- 表面に配線層を備え複数の分割予定ラインで区画してデバイスを形成するウエーハの裏面を研削して所定の厚みに薄化し、該裏面にDAFテープを貼着し、該分割予定ラインに沿って該DAFテープと共に分割するウエーハの分割方法であって、
所定の厚みに薄化されたウエーハの裏面にDAFテープを貼着するDAFテープ貼着工程と、
該DAFテープ貼着工程で貼着された該DAFテープの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
チャックテーブルが該保護テープを介してウエーハを保持する保持工程と、
該保持工程で保持されたウエーハの表面側から該分割予定ラインに沿って先端が鋭角に尖った切削ブレードを切込ませ、ウエーハ表面にV溝を形成するV溝形成工程と、
該V溝形成工程の後、ウエーハの表面側からプラズマエッチングして該V溝を裏面に向かって進行させ、該V溝の先端が該裏面に達するまでプラズマエッチングするプラズマエッチング工程と、
該プラズマエッチング工程の後、該V溝の先端を起点に該DAFテープを分割させる分割工程と、
からなるウエーハの分割方法。 - 該V溝形成工程の前に、ウエーハ表面にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程を含み、
該V溝形成工程では該レジスト膜に該切削ブレードを切込ませ該レジスト膜を切削しウエーハの表面に該V溝を形成して、
該プラズマエッチング工程と該分割工程との間に、ウエーハ表面の該レジスト膜を除去するレジスト膜除去工程を含む請求項1記載のウエーハの分割方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2015079128A JP6509614B2 (ja) | 2015-04-08 | 2015-04-08 | ウエーハの分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015079128A JP6509614B2 (ja) | 2015-04-08 | 2015-04-08 | ウエーハの分割方法 |
Publications (2)
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JP2016201412A true JP2016201412A (ja) | 2016-12-01 |
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Family
ID=57424549
Family Applications (1)
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JP2015079128A Active JP6509614B2 (ja) | 2015-04-08 | 2015-04-08 | ウエーハの分割方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP6509614B2 (ja) |
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