JP4403004B2 - ボンディング用フィルムを用いた半導体チップの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、半導体チップの裏面に貼着するボンディング用フィルムを用いた半導体チップの製造方法に関する。
例えば、半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成されたストリート（切断予定ライン）によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等の回路を形成し、該回路が形成された各領域をストリートに沿って分割することにより個々の半導体チップを製造している。半導体ウエーハを分割する分割装置としては一般にダイシング装置が用いられており、このダイシング装置は厚さが２０μｍ程度の切削ブレードによって半導体ウエーハをストリートに沿って切削する。このようにして分割された半導体チップは、パッケージングされて携帯電話やパソコン等の電気機器に広く利用されている。
個々に分割された半導体チップは、その裏面にエポキシ樹脂等で形成された厚さ２０〜４０μｍのダイアタッチフィルムと称するダイボンディング用の接着フィルムが装着され、この接着フィルムを介して半導体チップを支持するダイボンディングフレームに加熱することによりボンディングされる。半導体チップの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する方法としては、半導体ウエーハの裏面に接着フィルムを貼着し、この接着フィルムを介して半導体ウエーハをダイシングテープに貼着した後、半導体ウエーハの表面に形成されたストリートに沿って切削ブレードにより接着フィルムと共に切削することにより、裏面に接着フィルムが装着された半導体チップを形成している。（例えば、特許文献１参照。）
特開２０００−１８２９９５号公報
しかるに、特開２０００−１８２９９５号公報に開示された方法によると、切削ブレードにより半導体ウエーハとともに接着フィルムを切断して個々の半導体チップに分割する際に、半導体チップの裏面に欠けが生じたり、接着フィルムに髭状のバリが発生してワイヤボンディングの際に断線の原因になるという問題がある。
近年、携帯電話やパソコン等の電気機器はより軽量化、小型化が求められており、より薄い半導体チップが要求されている。より薄く半導体チップを分割する技術として所謂先ダイシング法と称する分割技術が実用化されている。この先ダイシング法は、半導体ウエーハの表面からストリートに沿って所定の深さ（半導体チップの仕上がり厚さに相当する深さ）の分割溝を形成し、その後、表面に分割溝が形成された半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に分割溝を表出させ個々の半導体チップに分離する技術であり、半導体チップの厚さを５０μｍ以下に加工することが可能である。
しかるに、先ダイシング法によって半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割する場合には、半導体ウエーハの表面からストリートに沿って所定の深さの分割溝を形成した後に半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に分割溝を表出させるので、ダイボンディング用の接着フィルムを前もって半導体ウエーハの裏面に装着することができない。従って、先ダイシング法によって半導体チップを支持するダイボンディングフレームにボンディングする際には、半導体チップとダイボンディングフレームとの間にボンド剤を挿入しながら行わなければならず、ボンディング作業を円滑に実施することができないという問題がある。
このような問題を解消するために、先ダイシングによって個々半導体チップに分割された半導体ウエーの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを貼着し、この接着フィルムを介して半導体ウエーハをダイシングテープに貼着した後、各半導体チップ間の間隙に露出された接着フィルムの部分を化学的にエッチングして除去し、その後半導体チップをピックアップすることにより裏面に接着フィルムが貼着された半導体チップを得るようにした半導体チップの製造方法が提案されている。（例えば、特許文献２参照。）
特開２００２−１１８０８１号公報
而して、特開２００２−１１８０８１号公報に開示された技術は、個々の半導体チップに分割された半導体ウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを貼着した後に、各半導体チップ間の間隙に露出された接着フィルムの部分を化学的にエッチングして除去する工程が必要であり、生産性が悪いという問題がある。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、個々に分割された半導体チップの裏面に効率よく粘着層を貼着することができるダイボンディング用フィルムを用いた半導体チップの製造方法を提供することにある。
上記主たる技術的課題を解決するために、本発明によれば、サポートフィルムと、該サポートフィルムの表面に粒径が２０〜５０μｍの微粒子に形成された接着剤を半導体ウエーハに対応した大きさに噴射することで敷設された粘着層とからなるボンディング用フィルムを用いた半導体チップの製造方法であって、
表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域に回路が形成された半導体ウエーハを該複数のストリートに沿って分割し個々の半導体チップに分離するウエーハ分割工程と、
個々の半導体チップに分離された半導体ウエーハの裏面に該ボンディング用フィルムの該粘着層側を貼着する粘着層貼着工程と、
該ボンディング用フィルムを貼着した半導体ウエーハの個々に分離された半導体チップをピックアップすることにより、該粘着層を半導体ウエーハの裏面に貼着した状態で該サポートフィルムから剥離する粘着層剥離工程と、を含む、
ことを特徴とするボンディング用フィルムを用いた半導体チップの製造方法が提供される。
表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域に回路が形成された半導体ウエーハを該複数のストリートに沿って分割し個々の半導体チップに分離するウエーハ分割工程と、
個々の半導体チップに分離された半導体ウエーハの裏面に該ボンディング用フィルムの該粘着層側を貼着する粘着層貼着工程と、
該ボンディング用フィルムを貼着した半導体ウエーハの個々に分離された半導体チップをピックアップすることにより、該粘着層を半導体ウエーハの裏面に貼着した状態で該サポートフィルムから剥離する粘着層剥離工程と、を含む、
ことを特徴とするボンディング用フィルムを用いた半導体チップの製造方法が提供される。
上記ウエーハ分割工程は、半導体ウエーハの表面から複数のストリートに沿って所定の深さの分割溝を形成する分割溝形成工程と、該分割溝が形成された半導体ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に該分割溝を表出させ個々の半導体チップに分離する分割溝表出工程と、を含んでいる。
また、本発明によれば、サポートフィルムと、該サポートフィルムの表面に微粒子に形成された接着剤が敷設された粘着層とからなるボンディング用フィルムを用いた半導体チップの製造方法であって、
表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域に回路が形成された半導体ウエーハを該複数のストリートに沿って個々の半導体チップに分離するウエーハ分割工程と、
個々に分離された該半導体チップの裏面に該ボンディング用フィルムの該粘着層側を貼着する粘着層貼着工程と、
該半導体チップの裏面に貼着された該粘着層を半導体チップの裏面に貼着した状態で該サポートフィルムから剥離する粘着層剥離工程と、を含む、
ことを特徴とするボンディング用フィルムを用いた半導体チップの製造方法が提供される。
表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域に回路が形成された半導体ウエーハを該複数のストリートに沿って個々の半導体チップに分離するウエーハ分割工程と、
個々に分離された該半導体チップの裏面に該ボンディング用フィルムの該粘着層側を貼着する粘着層貼着工程と、
該半導体チップの裏面に貼着された該粘着層を半導体チップの裏面に貼着した状態で該サポートフィルムから剥離する粘着層剥離工程と、を含む、
ことを特徴とするボンディング用フィルムを用いた半導体チップの製造方法が提供される。
本発明によるボンディング用フィルムを用いた半導体チップの製造方法においては、ボンディング用フィルムはサポートフィルムの表面に粒径が２０〜５０μｍの微粒子に形成された接着剤を半導体ウエーハに対応した大きさに噴射することで敷設された粘着層によって形成されているので、粘着層は切断やエッチング等の処理を施すことなく、半導体チップの裏面に貼着された部分だけをサポートフィルムから剥離することができるので、半導体チップの裏面に粘着層を効率よく貼着することができる。
以下、本発明に従って構成されたダイボンディング用フィルムを用いた半導体チップの製造方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１には本発明で使用されるダイボンディグ用フィルムの一実施形態の斜視図が示されており、図2には図1に示すダイボンディング用フィルム２の断面図が示されている。図１および図２に示すダイボンディング用フィルム２は、サポートフィルム２１と、該サポートフィルム２１の表面に所定の間隔を置いて連続して敷設された円形状の粘着層２２と、該粘着層２２を覆う接着防止用のカバーフィルム２３とからなっており、ロール状に巻かれている。サポートフィルム２１は、厚さが５０μm程度の塩化ビニールやポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルムからなっている。粘着層２２は、粒径が２０〜５０μmの微粒子に形成された接着剤がサポートフィルム２１の表面に敷設されて形成されている。粘着層２２を形成する接着剤としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等を微粒子に形成した粉粒体２２１を用いることができる。このような粉粒体を適宜の噴霧装置によってサポートフィルム２１の表面に噴霧することによって粘着層２２を形成することができる。なお、粘着層２２は図示の実施形態においては、後述する半導体ウエーハに対応した大きさに形成されている。上記カバーフィルム２３は、厚さが５０μm程度の塩化ビニールやポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルムからなっている。また、図3には、粘着層２２を形成する粉粒体の他の実施形態が示されている。図3に示す粘着層２２を形成する粉粒体２２２は、一辺が２０〜５０μmの立方体からなっている。
次に、本発明で使用されるダイボンディグ用フィルムの他の実施形態について、
図4を参照して説明する。
図4に示すダイボンディグ用フィルム２は、サポートフィルム２１の表面全面に粘着層２２を敷設したものであり、粘着層２２の上面に接着防止用のカバーフィルム２３が配設されている。なお、サポートフィルム２１と粘着層２２およびカバーフィルム２３の材質は、上記図1乃至図3に示すダイボンディグ用フィルム２と同一のものでよい。
図4を参照して説明する。
図4に示すダイボンディグ用フィルム２は、サポートフィルム２１の表面全面に粘着層２２を敷設したものであり、粘着層２２の上面に接着防止用のカバーフィルム２３が配設されている。なお、サポートフィルム２１と粘着層２２およびカバーフィルム２３の材質は、上記図1乃至図3に示すダイボンディグ用フィルム２と同一のものでよい。
次に、上述したダイボンディング用フィルム２を用いて、半導体チップの裏面に粘着層を貼着する半導体チップの製造方法の第1の実施形態について説明する。
図５には、ここの分割された半導体チップを製造するための半導体ウエーハの斜視図が示されている。図５に示す半導体ウエーハ３は、例えば厚さが６００μｍのシリコンウエーハからなっており、表面３ａに複数のストリート３１が格子状に形成されているとともに該複数のストリート３１によって区画された複数の領域に回路３２が形成されている。この半導体ウエーハ３を個々の半導体チップに分割してその裏面に粘着層を貼着する半導体チップの製造方法の第１の実施形態について、図６乃至図１２を参照して説明する。
図５には、ここの分割された半導体チップを製造するための半導体ウエーハの斜視図が示されている。図５に示す半導体ウエーハ３は、例えば厚さが６００μｍのシリコンウエーハからなっており、表面３ａに複数のストリート３１が格子状に形成されているとともに該複数のストリート３１によって区画された複数の領域に回路３２が形成されている。この半導体ウエーハ３を個々の半導体チップに分割してその裏面に粘着層を貼着する半導体チップの製造方法の第１の実施形態について、図６乃至図１２を参照して説明する。
半導体ウエーハ３を個々の半導体チップに分割するには、先ず半導体ウエーハ３の表面３ａに形成されたストリート３１に沿って所定深さ（各半導体チップの仕上がり厚さに相当する深さ）の分割溝を形成する（分割溝形成工程）。この分割溝形成工程は、図６の（ａ）に示すようにダイシング装置として一般に用いられている切削装置４を用いることができる。即ち、切削装置４は、吸引保持手段を備えたチャックテーブル４１と、切削ブレード４２１を備えた切削手段４２を具備している。この切削装置４のチャックテーブル４１上に半導体ウエーハ３を表面３ａを上にして保持し、切削手段４２の切削ブレード４２１を回転しつつチャックテーブル４１を矢印Ｘで示す方向に切削送りすることによって、所定方向に延在するストリート３１に沿って分割溝３３を形成する。この分割溝３３は、図６の（ｂ）に示すように分割される各半導体チップの仕上がり厚さに相当する深さ（例えば、１１０μｍ）に設定されている。このように所定方向に延在するストリート３１に沿って分割溝３３を形成したら、切削手段４２を矢印Ｙで示す方向にストリート３１の間隔だけ割り出し送りして、再度上記切削送りを遂行する。そして、所定方向に延在する全てのストリートについて上記切削送りと上記割り出し送りを遂行したならば、チャックテーブル４１を９０度回動せしめて、上記所定方向に対して直角に延びる各ストリートに沿って上記切削送りと上記割り出し送りを実行することにより、半導体ウエーハ３に形成された全てのストリートに沿って分割溝３３が形成される。
上述した分割溝形成工程により半導体ウエーハ３の表面３ａにストリート３１に沿って所定深さの分割溝３３を形成したら、図７の（ａ）、図７の（ｂ）に示すように半導体ウエーハ３の表面３ａ（回路３２が形成されている面）に研削用の保護部材５を貼着する（保護部材貼着工程）。なお、保護部材５は、図示の実施形態においては厚さが１５０μｍのポリオレフィンシートが用いられている。
次に、表面に保護部材５を貼着した半導体ウエーハ３の裏面３ｂを研削し、分割溝３３を裏面３ｂに表出させて個々の半導体チップに分割する（分割溝表出工程）。この分割溝表出工程は、図８の（ａ）に示すようにチャックテーブル６１と研削砥石６２１を備えた研削手段６２を具備する研削装置６によって行われる。即ち、チャックテーブル６１上に半導体ウエーハ３を裏面３ｂを上にして吸着保持し、例えば、チャックテーブル６１を３００ｒｐｍで回転しつつ、研削手段６２の研削砥石６２を６０００ｒｐｍで回転せしめて半導体ウエーハ３の裏面３ｂに接触することにより研削し、図８の（ｂ）に示すように分割溝３３が裏面３ｂに表出するまで研削する。このように分割溝３３が表出するまで研削することによって、図８の（ｃ）に示すように半導体ウエーハ３は個々の半導体チップ３０に分離される。なお、分離された複数の半導体チップ３０は、その表面に保護部材５が貼着されているので、バラバラにはならず半導体ウエーハ３の形態が維持されている。
上述した分割溝表出工程を実施して半導体ウエーハ3を個々の半導体チップ３０に分離したならば、半導体ウエーハ３の裏面に上記ボンディング用フィルム２の粘着層２２を貼着する粘着層貼着工程を実施する。なお、この粘着層貼着工程を実施するに際し、ボンディング用フィルム２は図９に示すように環状のフレーム７に装着されている。即ち、 上記図1および図2に示すボンディング用フィルム２を構成するサポートフィルム２１を環状のフレーム７の下面に内側開口部を覆うように装着し、その外周部を図9において破線で示すように切断する。そして、粘着層２２を覆っているカバーフィルム２３を剥離する。このボンディング用フィルム２を構成するサポートフィルム２１は、表面に敷設された粘着層２２が環状のフレーム７の中央に位置するように装着される。粘着層貼着工程は、図１０に示すように環状のフレーム７に装着されたボンディング用フィルム２の粘着層２２を半導体ウエーハ３の裏面３ｂに貼着する。このとき、３０〜２００°Ｃ（エポキシ樹脂は３０°Ｃ前後、アクリル樹脂は８０〜１５０°Ｃ、ポリイミド樹脂は１００〜２００°Ｃ）の温度で加熱しつつボンディング用フィルム２を半導体ウエーハ３の裏面３ｂに押圧して貼着する。なお、半導体ウエーハ３の裏面３ｂは上記分割溝表出工程において研削され活性化されているので、ボンディング用フィルム２の粘着層２２は容易に貼着される。そして、半導体ウエーハ３の表面３ａに貼着されている保護テープ5を剥離する。
次に、ボンディング用フィルム２を貼着した半導体ウエーハ３の個々に分離された半導体チップ３０をピックアップすることにより、粘着層２２を半導体チップ３０の裏面に貼着した状態でサポートフィルム２から剥離する粘着層剥離工程を実施する。この粘着層剥離工程は、図１１に示すピックアップ装置８によって実施される。ここで、ピックアップ装置８について説明する。図示のピックアップ装置８は、上記環状のフレーム７ を載置する載置面８１１が形成された円筒状のベース８１と、該ベース８１の上部外周に沿って配設された複数（図示の実施形態においては4個）のクランプ８２と、ベース81の上方に配設されたピックアップコレット８３とを具備している。このように構成されたピックアップ装置８を用いて粘着層剥離工程を実施するには、先ず図１１に示すようにベース８１の載置面８１１上に環状のフレーム７（半導体ウエーハ３に貼着されたボンディング用フィルム２が装着されている）を載置し、該環状のフレーム７をクランプ８２によって固定する。次に、ピックアップコレット８３を作動して個々に分離された半導体チップ３０をピックアップする。ピックアップコレット８３によって半導体チップ３０をピックアップすると、粘着層２２は微粒子に形成した粉粒体２２１によって形成されているので、図１２に示すように半導体チップ３０の裏面に貼着された部分がサポートフィルム２１から剥離される。このようにしてピックアップコレット８３によってピックアップされ裏面に粘着層２２が装着され半導体チップ３０は、図示しないトレーまたはボンディング工程に搬送される。以上のように上記ダイボンディグ用フィルム２aを用いることにより、サポートフィルム２１に敷設された粘着層２２は、切断やエッチング等の処理を施すことなく、半導体チップ３０の裏面に貼着された部分だけをサポートフィルム２１から剥離することができるので、半導体チップ３０の裏面に粘着層２２を効率よく貼着することができる。
次に、上述した図4に示すダイボンディング用フィルム２を用いて、半導体チップの裏面に粘着層を貼着する半導体チップの製造方法の第２の実施形態について、図１３乃至図１７を参照して説明する。
図１３乃至図１７に示す実施形態においては、先ず上記図5に示す半導体ウエーハ３をストリート３１に沿って個々の半導体チップに分離するウエーハ分割工程を実施する。なお、ウエーハ分割工程を実施するに際し、半導体ウエーハ３は裏面が所定の厚さに研削された後、図１３に示すように環状のフレーム９に装着されたダイシングテープ９０の表面に貼着される（ウエーハ支持工程）。このように環状のフレーム９にダイシングテープ９０を介して支持された半導体ウエーハ３を個々の半導体チップに分離するウエーハ分割工程は、図１４に示す切削装置４によって実施する。なお、図１４に示す切削装置４は、上記図６の（ａ）に示す切削装置４と同一のものでよく、従って同一部材には同一符号を付してその説明は省略する。
図１３乃至図１７に示す実施形態においては、先ず上記図5に示す半導体ウエーハ３をストリート３１に沿って個々の半導体チップに分離するウエーハ分割工程を実施する。なお、ウエーハ分割工程を実施するに際し、半導体ウエーハ３は裏面が所定の厚さに研削された後、図１３に示すように環状のフレーム９に装着されたダイシングテープ９０の表面に貼着される（ウエーハ支持工程）。このように環状のフレーム９にダイシングテープ９０を介して支持された半導体ウエーハ３を個々の半導体チップに分離するウエーハ分割工程は、図１４に示す切削装置４によって実施する。なお、図１４に示す切削装置４は、上記図６の（ａ）に示す切削装置４と同一のものでよく、従って同一部材には同一符号を付してその説明は省略する。
上記切削装置４を用いてウエーハ分割工程を実施するには、先ず図１４に示すようにチャックテーブル４１上に半導体ウエーハ３を表面３ａを上にして吸着保持する。なお、図１４においてはダイシングテープ９が装着された環状のフレーム９が省略して示しているが、環状のフレーム９０はチャックテーブル４１に配設された適宜のフレーム保持手段によって保持されている。このようにして、チャックテーブル４１上に半導体ウエーハ３を保持したならば、切削手段４２の切削ブレード４２１の切り込み量をダイシングテープ９０に達するまでに調整し、該切削ブレード４２１を回転しつつチャックテーブル４１を矢印Ｘで示す方向に切削送りすることによって、所定方向に延在するストリート３１に沿って切断溝３４を形成する。このように所定方向に延在するストリート３１に沿って切断溝３４を形成したら、切削手段４２を矢印Ｙで示す方向にストリート３１の間隔だけ割り出し送りして、再度上記切削送りを遂行する。そして、所定方向に延在する全てのストリートについて上記切削送りと上記割り出し送りを遂行したならば、チャックテーブル４１を９０度回動せしめて、上記所定方向に対して直角に延びる各ストリートに沿って上記切削送りと上記割り出し送りを実行することにより、図１５に示すように半導体ウエーハ３に形成された全てのストリートに沿って切断溝３４が形成される。この結果、半導体ウエーハ３は、ストリート３１に沿って個々の半導体チップ３０に分離される。
上述したウエーハ分割工程を実施して半導体ウエーハ3を個々の半導体チップ３０に分離したならば、半導体チップ３０の裏面に上記ボンディング用フィルム２の粘着層２２を貼着する粘着層貼着工程を実施する。この粘着層貼着工程は、図１６に示すピックアップ装置８と粘着層貼着装置１０によって実施する。なお、図１６に示すピックアップ装置８は、上記図１１に示すピックアップ装置８と同一のものでよく、従って同一部材には同一符号を付してその説明は省略する。このピックアップ装置８を構成するベース８１の載置面８１１上に上記図１５に示す環状のフレーム９（個々に分離された半導体チップ３０を貼着しているダイシングテープ９０が装着されている）を載置し、該環状のフレーム９をクランプ８２によって固定する。一方、図１６に示す粘着層貼着装置１０は、基台１０１と、該基台１０１の図１６において右端側に配設された送りロール１０２と、該送りロール１０２の上方に配設された第1の巻き取りロール１０３と、基台１０１の図１６において左端側に配設された押さえロール１０４と、該押さえロール１０４の上方に配設された第２の巻き取りロール１０５とからなっている。このように構成された粘着層貼着装置１０は、送りロール１０２に上記図４に示すダイボンディグ用フィルム２を装着する。そして、カバーフィルム２３の先端部を第1の巻き取りロール１０３に巻き掛けるとともに、サポートフィルム２１を上記押さえロール１０４の下側を通し、その先端部を上記 第２の巻き取りロール１０５に巻き掛ける。このようにして粘着層貼着装置１０にセットされたダイボンディグ用フィルム２は、基台１０１上において粘着層２２が上側に位置付けられる。
以上のようにして粘着層貼着工程の準備が完了したならば、ピックアップコレット８３を作動して個々に分離された半導体チップ３０をピックアップする。次に、半導体チップ３０を保持した状態でピックアップコレット８３を図１６において２点鎖線で示すように粘着層貼着装置１０の上側に移動する。そして、ピックアップコレット８３を図１６において実線で示すように降下させて半導体チップ３０の裏面をダイボンディグ用フィルム２の粘着層２２に押圧する。このとき、３０〜２００°Ｃ（エポキシ樹脂は３０°Ｃ前後、アクリル樹脂は８０〜１５０°Ｃ、ポリイミド樹脂は１００〜２００°Ｃ）の温度で加熱することにより、粘着層２２は半導体チップ３０の裏面に貼着される。次に、図１７に示すようにピックアップコレット８３を上昇し半導体チップ３０を引き上げると、粘着層２２は微粒子に形成した粉粒体２２１によって形成されているので、半導体チップ３０の裏面に貼着された部分がサポートフィルム２１から剥離される（粘着層剥離工程）。このようにしてピックアップコレット８３によって保持され裏面に粘着層２２が装着され半導体チップ３０は、図示しないトレーまたはボンディング工程に搬送される。
２：ダイボンディング用フィルム
２１：サポートフィルム
２２：粘着層
２３：カバーフィルム
３：半導体ウエーハ
３０：半導体チップ
３１：ストリート
３２：回路
３３：分割溝
４：切削装置
４１：切削装置のチャックテーブル
４２：切削手段
５：保護部材
６：研削装置
６１：研削装置のチャックテーブル
６２：研削手段
６２１：研削砥石
７：環状のフレーム
８：ピックアップ装置
８１：円筒状のベース
８２：クランプ
８３：ピックアップコレット
９：環状のフレーム
９０：ダイシングテープ
１０：粘着層貼着装置
１０１：粘着層貼着巣地の基台
１０２：送りロール
１０３：第1の巻き取りロール
１０４：押さえロール
１０５：第2の巻き取りロール
２１：サポートフィルム
２２：粘着層
２３：カバーフィルム
３：半導体ウエーハ
３０：半導体チップ
３１：ストリート
３２：回路
３３：分割溝
４：切削装置
４１：切削装置のチャックテーブル
４２：切削手段
５：保護部材
６：研削装置
６１：研削装置のチャックテーブル
６２：研削手段
６２１：研削砥石
７：環状のフレーム
８：ピックアップ装置
８１：円筒状のベース
８２：クランプ
８３：ピックアップコレット
９：環状のフレーム
９０：ダイシングテープ
１０：粘着層貼着装置
１０１：粘着層貼着巣地の基台
１０２：送りロール
１０３：第1の巻き取りロール
１０４：押さえロール
１０５：第2の巻き取りロール
Claims (2)
- サポートフィルムと、該サポートフィルムの表面に粒径が２０〜５０μｍの微粒子に形成された接着剤を半導体ウエーハに対応した大きさに噴射することで敷設された粘着層とからなるボンディング用フィルムを用いた半導体チップの製造方法であって、
表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域に回路が形成された半導体ウエーハを該複数のストリートに沿って分割し個々の半導体チップに分離するウエーハ分割工程と、
個々の半導体チップに分離された半導体ウエーハの裏面に該ボンディング用フィルムの該粘着層側を貼着する粘着層貼着工程と、
該ボンディング用フィルムを貼着した半導体ウエーハの個々に分離された半導体チップをピックアップすることにより、該粘着層を半導体ウエーハの裏面に貼着した状態で該サポートフィルムから剥離する粘着層剥離工程と、を含む、
ことを特徴とするボンディング用フィルムを用いた半導体チップの製造方法。 - 該ウエーハ分割工程は、半導体ウエーハの表面から該複数のストリートに沿って所定の深さの分割溝を形成する分割溝形成工程と、該分割溝が形成された半導体ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に該分割溝を表出させ個々の半導体チップに分離する分割溝表出工程と、を含んでいる請求項１記載のボンディング用フィルムを用いた半導体チップの製造方法。
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2004
- 2004-04-07 JP JP2004112729A patent/JP4403004B2/ja not_active Expired - Lifetime
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