CN112259473B - 贴附daf的小基板生成方法、装置、存储介质及电子设备 - Google Patents

贴附daf的小基板生成方法、装置、存储介质及电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN112259473B
CN112259473B CN202011107786.9A CN202011107786A CN112259473B CN 112259473 B CN112259473 B CN 112259473B CN 202011107786 A CN202011107786 A CN 202011107786A CN 112259473 B CN112259473 B CN 112259473B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
daf
cutting
attached
cut
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011107786.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112259473A (zh
Inventor
孙成思
孙日欣
朱茂林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Biwin Storage Technology Co Ltd
Original Assignee
Biwin Storage Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Biwin Storage Technology Co Ltd filed Critical Biwin Storage Technology Co Ltd
Priority to CN202011107786.9A priority Critical patent/CN112259473B/zh
Publication of CN112259473A publication Critical patent/CN112259473A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112259473B publication Critical patent/CN112259473B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B26HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
    • B26DCUTTING; DETAILS COMMON TO MACHINES FOR PERFORATING, PUNCHING, CUTTING-OUT, STAMPING-OUT OR SEVERING
    • B26D1/00Cutting through work characterised by the nature or movement of the cutting member or particular materials not otherwise provided for; Apparatus or machines therefor; Cutting members therefor
    • B26D1/0006Cutting members therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B26HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
    • B26DCUTTING; DETAILS COMMON TO MACHINES FOR PERFORATING, PUNCHING, CUTTING-OUT, STAMPING-OUT OR SEVERING
    • B26D1/00Cutting through work characterised by the nature or movement of the cutting member or particular materials not otherwise provided for; Apparatus or machines therefor; Cutting members therefor
    • B26D1/0006Cutting members therefor
    • B26D2001/002Materials or surface treatments therefor, e.g. composite materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Forests & Forestry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

本发明公开了一种贴附DAF的小基板生成方法、装置、存储介质及电子设备,该贴附DAF的小基板生成方法包括:将DAF贴附于初始封装基板上未布设线路的反面,得到待切割封装基板;使用软刀刀片从待切割封装基板的正面进行切割,得到贴附DAF的小基板,其中,软刀刀片采用颗粒大小为800至1200之间和颗粒密度为40至60之间的人造金刚石制成。本发明将DAF贴附于初始封装基板上未布设线路的反面之后,采用颗粒大小为800至1200之间和颗粒密度为40至60之间的人造金刚石制成的软刀刀片进行切割,可有效减少拉丝问题的出现,同时无需如现有技术一样需要两次切割,降低了工艺复杂程度,节约人力成本和基板成本,从而节约制造成本。

Description

贴附DAF的小基板生成方法、装置、存储介质及电子设备
技术领域
本发明涉及存储芯片制造技术领域,特别涉及一种贴附DAF的小基板生成方法、装置、存储介质及电子设备。
背景技术
DAF(Die Attach Film)为芯片黏结薄膜,用途是在镭射切割时,芯片可一起切割与分离,进行剥离(扩膜),使切割完后的芯片,都还可黏着在薄膜上,不会因切割而造成散乱排列。
在现有生产工艺中,如图2所示,晶圆6通过DAF贴附于大基板7上,通过DAF的粘性与大基板7结合为一体,并执行后续的走线。因为客户需求不同,因此wafer PAD(晶圆6引脚)位置各不相同,需要小基板进行桥接8,以达到将好几款不同型号的wafer(晶圆6)做在一款大基板7上,使一款大基板7实现不同晶圆6都适用的作用。
现有技术对封装基板(该封装基板上设计有多个独立的小基板)切割得到小基板,将小基板贴附在DAF上再对DAF进行切割,再将该具有DAF的小基板贴附在大基板7上。在生产过程中,先切割成小基板再贴附在DAF上,进行切割后贴附在大基板7上,工艺复杂繁琐,耗时费力,若直接将封装基板贴附在DAF上进行切割则出现拉丝问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:提供一种贴附DAF的小基板生成方法、装置、存储介质及电子设备,能降低工艺复杂程度且减少拉丝问题的出现。
为了解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为:
一种贴附DAF的小基板生成方法,包括步骤:
将DAF贴附于初始封装基板上未布设线路的反面,得到待切割封装基板;
使用软刀刀片从所述待切割封装基板的正面进行切割,得到贴附DAF的小基板,所述软刀刀片采用颗粒大小为800至1200之间和颗粒密度为40至60之间的人造金刚石制成。
为了解决上述技术问题,本发明采用的另一种技术方案为:
一种贴附DAF的小基板生成装置,包括:
贴附模块,将DAF贴附于初始封装基板上未布设线路的反面,得到待切割封装基板;
切割模块,使用软刀刀片从所述待切割封装基板的正面进行切割,得到贴附DAF的小基板,所述软刀刀片采用颗粒大小为800至1200之间和颗粒密度为40至60之间的人造金刚石制成。
为了解决上述技术问题,本发明采用的另一种技术方案为:
一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,所述计算机程序存储有上述所示的贴附DAF的小基板生成方法。
为了解决上述技术问题,本发明采用的另一种技术方案为:
一种电子设备,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时实现上述所示的贴附DAF的小基板生成方法。
本发明的有益效果在于:一种贴附DAF的小基板生成方法、装置、存储介质及电子设备,将DAF贴附于初始封装基板上未布设线路的反面之后,采用颗粒大小为800至1200之间和颗粒密度为40至60之间的人造金刚石制成的软刀刀片进行切割,可有效减少拉丝问题的出现,同时无需如现有技术一样需要两次切割,降低了工艺复杂程度,节约人力成本和基板成本,从而节约制造成本。
附图说明
图1为本发明实施例的贴附DAF的小基板生成方法的流程示意图;
图2为本发明背景技术中的需要小基板进行桥接的示意图;
图3为本发明背景技术中的拉丝问题的示意图;
图4为本发明实施例涉及的软刀刀片的结构示意图;
图5为本发明实施例涉及的软刀刀片进行切割时的示意图;
图6为本发明实施例涉及的切割深度的示意图;
图7为本发明实施例的贴附DAF的小基板生成装置的模块连接示意图;
图8为本发明实施例的电子设备的结构示意图。
标号说明:
1、贴附DAF的小基板生成装置;2、电子设备;11、贴附模块;12、切割模块;21、处理器;22、存储器;3、初始封装基板;4、DAF;41、粘膜;42、基材;5、软刀刀片;
6、晶圆;7、大基板;8、桥接。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果,以下结合实施方式并配合附图予以说明。
请参照图1至图6,本发明实施例提供了一种贴附DAF的小基板生成方法,包括步骤:
将DAF4贴附于初始封装基板3上未布设线路的反面,得到待切割封装基板;
使用软刀刀片5从所述待切割封装基板的正面进行切割,得到贴附DAF4的小基板,所述软刀刀片5采用颗粒大小为800至1200之间和颗粒密度为40至60之间的人造金刚石制成。
从上述描述可知,本发明的有益效果在于:将DAF4贴附于初始封装基板3上未布设线路的反面之后,采用颗粒大小为800至1200之间和颗粒密度为40至60之间的人造金刚石制成的软刀刀片5进行切割,可有效减少拉丝问题的出现,同时无需如现有技术一样需要两次切割,降低了工艺复杂程度,节约人力成本和基板成本,从而节约制造成本。
进一步地,使用软刀刀片5从所述待切割封装基板的正面进行切割的切割参数具体为:刀轴转速为35000-40000r/min,切割速度为5-7mm/s,水流量为1.2-1.4L/min。
从上述描述可知,将刀轴转速由原先的30000r/min调整为35000-40000r/min,切割速度由20mm/s调整为5-7mm/s,水流量由1.0L/min调整为1.2-1.4L/min,从而适配于软刀刀片5以完成切割,可进一步减少拉丝问题的出现。
进一步地,所述软刀刀片5的外径在56mm至60mm之间、厚度在0.30mm至0.34mm之间、内径在38mm至42mm之间且长度在300m-450m之间。
从上述描述可知,通过对软刀刀片5的尺寸作上述的进一步限定,可进一步减少拉丝问题的出现。
进一步地,在所述使用软刀刀片5从所述待切割封装基板的正面进行切割之前还包括:
确定所述初始封装基板3的基板厚度,根据所述初始封装基板3的基板厚度确定切割深度,所述切割深度大于所述初始封装基板3加上所述DAF4的粘膜41的厚度且小于所述初始封装基板3加上所述DAF4的厚度。
从上述描述可知,根据初始封装基板3的基板厚度来确定切割深度,从而保证能切割过粘膜41而不切割过DAF4的基材42,使得后续能将小基板贴附在目标位置。
进一步地,使用软刀刀片5从所述待切割封装基板的正面进行切割具体包括以下步骤:
获取内部存储中贴附DAF4的初始封装基板3的目标图像和放置在切割台上的所述待切割封装基板的实际图像,判断所述目标图像和所述实际图像是否一致;
若一致,则判断放置在切割台上的所述待切割封装基板是否摆放正确,若摆放不正确,则调整所述待切割封装基板至正确位置后或调整所述软刀刀片5至预设的起切位置后,使用软刀刀片5从所述待切割封装基板的正面进行切割。
从上述描述可知,对放置在切割台上的待切割封装基板进行确认并对其摆放位置进行二次确认,以保证切割的准确性。
进一步地,所述将DAF4贴附于初始封装基板3上未布设线路的反面具体包括以下步骤:
将所述初始封装基板3上未布设线路的反面朝上,将所述DAF4贴附于所述初始封装基板3的反面,并使用滚轮对所述DAF4上远离所述初始封装基板3的一侧进行辊压,以使所述DAF4完全贴附于所述初始封装基板3上。
从上述描述可知,通过滚轮进行辊压,以保证DAF4完全贴附于初始封装基板3上。
进一步地,所述得到贴附DAF4的小基板之后还包括以下步骤:
使用移动机构吸附贴附DAF4的所述小基板,使得所述DAF4上的粘膜41从基材42分离,将贴附粘膜41的所述小基板贴附在目标位置。
从上述描述可知,在上述的切割深度下,吸附小基板,带动粘膜41从基材42分离,然后通过粘膜41粘附在目标位置。
请参照图7,本发明另一实施例提供了一种贴附DAF4的小基板生成装置1,包括:
贴附模块11,将DAF4贴附于初始封装基板3上未布设线路的反面,得到待切割封装基板;
切割模块12,使用软刀刀片5从所述待切割封装基板的正面进行切割,得到贴附DAF4的小基板,所述软刀刀片5采用颗粒大小为800至1200之间和颗粒密度为40至60之间的人造金刚石制成。
其中,关于贴附模块11和切割模块12所实现的具体过程和对应的效果,可以参照上述实施例的贴附DAF的小基板生成方法中的相关描述。
本发明另一实施例提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,所述计算机程序存储有上述实施例的贴附DAF的小基板生成方法。
其中,关于本实施例中的计算机程序中包含的贴附DAF的小基板生成方法的具体实现过程和对应效果,可以参照上述实施例的贴附DAF的小基板生成方法中的相关描述。
请参照图8,本发明另一实施例提供了一种电子设备2,包括存储器22、处理器21及存储在存储器22上并可在处理器21上运行的计算机程序,所述处理器21执行所述计算机程序时实现上述实施例的贴附DAF的小基板生成方法。
其中,关于本实施例中处理器21所实现的贴附DAF的小基板生成方法的具体实现过程和对应效果,可以参照上述的实施例的贴附DAF的小基板生成方法中的相关描述。
本申请的贴附DAF的小基板生成方法和对应的装置、存储介质及电子设备主要应用于在需要制造贴附DAF4的小基板的应用场景,以下结合具体的应用场景进行说明:
根据以上,并结合图1至图6,本发明的实施例一为:
一种贴附DAF的小基板生成方法,包括步骤:
S1、将DAF4贴附于初始封装基板3上未布设线路的反面,得到待切割封装基板;
在本实施例中,初始封装基板3根据是否布设有线路来区分正反面,其中,布设有线路的一面为正面,未布设有线路的一面为反面,因此,在进行切割时,将初始封装基板3上未布设线路的反面朝上,将DAF4贴附于初始封装基板3的反面,并使用滚轮对DAF4上远离初始封装基板3的一侧进行辊压,以使DAF4完全贴附于初始封装基板3上。
S2、确定初始封装基板3的基板厚度,根据初始封装基板3的基板厚度确定切割深度,切割深度大于初始封装基板3加上DAF4的粘膜41的厚度且小于初始封装基板3加上DAF4的厚度。
在本实施例中,在进行切割操作前,操作人员通过操作台执行待进行切割的初始封装基板3的选择操作,小基板生成装置根据该操作人员的选择操作确定该选择操作中选择的初始封装基板的型号,根据该型号从内部存储中获取该初始封装基板的基板厚度,并根据该基板厚度和当前DAF4的厚度确定本次切割操作的切割深度。可选的切割深度为初始封装基板3的厚度加上DAF4的粘膜41的厚度加上二分之一基材42的厚度。在本实施例中,DAF4的厚度为固定厚度,在实际应用中,当使用的DAF4具有不同的厚度时,操作人员可以通过操作台执行DAF4的选择操作,小基板生成装置将根据操作人员的选择操作确定该DAF4的厚度,以方便在后续步骤确定切割厚度。
S3、使用软刀刀片5从待切割封装基板的正面进行切割,得到贴附DAF4的小基板,
在本实施例中,软刀刀片5的型号为SD1000N50M42,其中SD为人造金刚石,1000为金刚石颗粒大小,50为金刚石颗粒密度,又称集中度或结合度,M42为粘合剂。在其他实施例中,人造金刚石的颗粒大小在800至1200之间,且颗粒密度为40至60之间即可,比如人造金刚石的颗粒大小为800且颗粒密度为40或者人造金刚石的颗粒大小为1200且颗粒密度为60等等。
在本实施例中,使用软刀刀片5从待切割封装基板的正面进行切割的切割参数具体为:刀轴转速为35000r/min,切割速度为5mm/s,水流量为1.2L/min,软刀刀片5外圆距离工作台之间的高度为0.058mm。
如图4所示,软刀刀片5的外径在56mm至60mm之间、厚度在0.30mm至0.34mm之间、内径在38mm至42mm之间且长度在300m-450m之间,在本实施例中,软刀刀片5的外径*厚度*内径的尺寸为58mm*0.31mm*40mm。
其中,在本实施例中,步骤S3具体为以下步骤:
S31、获取内部存储中贴附DAF4的初始封装基板3的目标图像和放置在切割台上的待切割封装基板的实际图像,判断目标图像和实际图像是否一致;
在本实施例中,内部存储中保存有不同的初始封装基板3的目标图像,该目标图像对应一个初始封装基板3,操作者在进行切割操作前,通过操作平台从内部存储中调用待进行切割的初始封装基板3的目标图像,并通过操作台执行开始切割操作后,相关的图像设备将自动获取放置在切割台上的该待切割封装基板的实际图像,小基板生成装置将比较该目标图像和实际图像的一致性。
S32、若一致,则判断放置在切割台上的待切割封装基板是否摆放正确,若摆放不正确,则调整待切割封装基板至正确位置后或调整软刀刀片5至预设的起切位置后,使用软刀刀片5从待切割封装基板的正面进行切割,得到贴附DAF4的小基板;
在本步骤中,若该目标图像和该实际图像一致,则将按照预定的步骤执行后续的操作,若不一致,在发出提示信息,该提示信息用于提示相关的操作人员当前的目标图像和实际图像不一致,待相关的操作人员进行确定,提示信息可以是在操作平台上显示相关的信息,也可以是在相关操作台或者操作设备的预设位置通过声光报警的方式提醒相关的操作人员。进一步地,若目标图像和实际图像一致,则通过图像设备采集相关的图像,判断当前放置在切割台上的该待切割封装基板是否放置在预设摆放位置,若该待切割封装基板未放置在预设摆放位置,则判断该待切割封装基板未摆放正确,此时小基板生成装置将根据当前机械手或者软刀刀片5的工作情况进行相应的操作,在当前机械手处于空闲状态时,小基板生成装置将控制机械手,通过机械手调整该待切割封装基板至正确的预设放置位置,或者小基板生成装置根据该待切割封装基板的当前摆放位置调整该软刀刀片5,使得该软刀刀片5按照该待切割封装基板的当前摆放位置确定下刀位置,以保证该软刀刀片5能够从预设的起切位置开始工作。
S33、通过图像识别判断贴附DAF4的小基板是否出现拉丝现象,若是,则按照预设报警机制进行报警。
其中,使用软刀刀片5从待切割封装基板的正面进行切割可以参照图5,拉丝现象可参照图3。
其中,若软刀刀片5只能从固定位置起切,则调整待切割封装基板至正确位置后进行切割,若软刀刀片5可以随意位置起切,则调整软刀刀片5至预设的起切位置后进行切割。
其中,预设报警机制也包括不报警,即出现拉丝现象会显示,但不一定会进行报警,可根据用户的需求进行选择。
S4、使用移动机构吸附贴附DAF4的小基板,使得DAF4上的粘膜41从基材42分离,将贴附粘膜41的小基板贴附在目标位置。
在本实施例中,移动机构为机器手。
参照图7可知,切割过DAF4的粘膜41而未切割过基材42,则当机器手吸附贴附DAF4的小基板,由于DAF4上的粘膜41与其他位置的粘膜41被切割开来,可随DAF4起来,而基材42与其他位置的基材42则依旧连在一起,无法随DAF4起来,从而使得DAF4上的粘膜41从基材42分离。
根据以上,并结合图1至图6,本发明的实施例二为:
一种贴附DAF的小基板生成方法,在上述实施例一的基础上,本实施例的切割参数具体为:刀轴转速为37500r/min,切割速度为6mm/s,水流量为1.3L/min,软刀刀片5外圆距离工作台之间的高度为0.065mm。
根据以上,并结合图1至图6,本发明的实施例三为:
一种贴附DAF的小基板生成方法,在上述实施例一的基础上,本实施例的切割参数具体为:刀轴转速为40000r/min,切割速度为7mm/s,水流量为1.4L/min,软刀刀片5外圆距离工作台之间的高度为0.072mm。
由此可知,在其他实施例中,只要刀轴转速为35000-40000r/min,切割速度为5-7mm/s,水流量为1.2-1.4L/min,软刀刀片5外圆距离工作台之间的高度为0.058-0.072mm即可。
请参照图7,本发明的实施例四为与上述实施例一或二或三中的贴附DAF的小基板生成方法相对应的一种贴附DAF4的小基板生成装置1,包括:
贴附模块11,将DAF4贴附于初始封装基板3上未布设线路的反面,得到待切割封装基板;
切割模块12,使用软刀刀片5从所述待切割封装基板的正面进行切割,得到贴附DAF4的小基板,所述软刀刀片5采用颗粒大小为800至1200之间和颗粒密度为40至60之间的人造金刚石制成。
本发明的实施例五为与上述实施例一或二或三中的贴附DAF的小基板生成方法对应的一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,计算机程序存储有如上实施例一或二或三中的贴附DAF的小基板生成方法。
请参照图8,本发明的实施例六为与上述实施例一或二或三中的贴附DAF的小基板生成方法相对应的一种电子设备2,包括存储器22、处理器21及存储在存储器22上并可在处理器21上运行的计算机程序,其中,处理器21执行计算机程序时实现上述实施例一或二或三中的贴附DAF的小基板生成方法。
在本申请所提供的六个实施例中,应该理解到,所揭露的方法、装置、存储介质以及电子设备,可以通过其它的方式实现。例如,以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如,所述模块的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,例如多个模块可以结合或者可以集成到另一个装置,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口,装置或模块的间接耦合或通信连接,可以是电性,机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的模块可以是或者也可以不是物理上分开的,作为模块显示的部件可以是或者也可以不是物理模块,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络模块上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。
另外,在本发明各个实施例中的各功能模块可以集成在一个处理模块中,也可以是各个模块单独物理存在,也可以两个或两个以上模块集成在一个模块中。上述集成的模块既可以采用硬件的形式实现,也可以采用软件功能模块的形式实现。
所述集成的模块如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解,本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质中,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机,服务器,或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括:U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM,Read-OnlyMemory)、随机存取存储器(RAM,Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
需要说明的是,对于前述的各方法实施例,为了简便描述,故将其都表述为一系列的动作组合,但是本领域技术人员应该知悉,本发明并不受所描述的动作顺序的限制,因为依据本发明,某些步骤可以采用其它顺序或者同时进行。其次,本领域技术人员也应该知悉,说明书中所描述的实施例均属于优选实施例,所涉及的动作和模块并不一定都是本发明所必须的。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其它实施例的相关描述。
综上所述,本发明提供的一种贴附DAF的小基板生成方法、装置、存储介质及电子设备,将DAF贴附于初始封装基板上未布设线路的反面之后,采用颗粒大小为800至1200之间和颗粒密度为40至60之间的人造金刚石制成的软刀刀片进行切割,且对软刀刀片的尺寸和切割参数作进一步的限定,可有效减少拉丝问题的出现,同时无需如现有技术一样需要两次切割,降低了工艺复杂程度,节约人力成本和基板成本,从而节约制造成本。
以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换,或直接或间接运用在相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (8)

1.一种贴附DAF的小基板生成方法,其特征在于,包括步骤:
将DAF贴附于初始封装基板上未布设线路的反面,得到待切割封装基板;
使用软刀刀片从所述待切割封装基板的正面进行切割,得到贴附DAF的小基板,所述软刀刀片采用颗粒大小为800至1200之间和颗粒密度为40至60之间的人造金刚石制成;
使用软刀刀片从所述待切割封装基板的正面进行切割的切割参数具体为:刀轴转速为35000-40000r/min,切割速度为5-7mm/s,水流量为1.2-1.4L/min;
所述软刀刀片的外径在56mm至60mm之间、厚度在0.30mm至0.34mm之间、内径在38mm至42mm之间且长度在300m-450m之间。
2.根据权利要求1所述的贴附DAF的小基板生成方法,其特征在于,在所述使用软刀刀片从所述待切割封装基板的正面进行切割之前还包括:
确定所述初始封装基板的基板厚度,根据所述初始封装基板的基板厚度确定切割深度,所述切割深度大于所述初始封装基板加上所述DAF的粘膜的厚度且小于所述初始封装基板加上所述DAF的厚度。
3.根据权利要求1至2任一所述的贴附DAF的小基板生成方法,其特征在于,使用软刀刀片从所述待切割封装基板的正面进行切割具体包括以下步骤:
获取内部存储中贴附DAF的初始封装基板的目标图像和放置在切割台上的所述待切割封装基板的实际图像,判断所述目标图像和所述实际图像是否一致;
若一致,则判断放置在切割台上的所述待切割封装基板是否摆放正确,若摆放不正确,则调整所述待切割封装基板至正确位置后或调整所述软刀刀片至预设的起切位置后,使用软刀刀片从所述待切割封装基板的正面进行切割。
4.根据权利要求1至2任一所述的贴附DAF的小基板生成方法,其特征在于,所述将DAF贴附于初始封装基板上未布设线路的反面具体包括以下步骤:
将所述初始封装基板上未布设线路的反面朝上,将所述DAF贴附于所述初始封装基板的反面,并使用滚轮对所述DAF上远离所述初始封装基板的一侧进行辊压,以使所述DAF完全贴附于所述初始封装基板上。
5.根据权利要求1至2任一所述的贴附DAF的小基板生成方法,其特征在于,所述得到贴附DAF的小基板之后还包括以下步骤:
使用移动机构吸附贴附DAF的所述小基板,使得所述DAF上的粘膜从基材分离,将贴附粘膜的所述小基板贴附在目标位置。
6.一种贴附DAF的小基板生成装置,其特征在于,包括:
贴附模块,将DAF贴附于初始封装基板上未布设线路的反面,得到待切割封装基板;
切割模块,使用软刀刀片从所述待切割封装基板的正面进行切割,得到贴附DAF的小基板,所述软刀刀片采用颗粒大小为800至1200之间和颗粒密度为40至60之间的人造金刚石制成;
使用软刀刀片从所述待切割封装基板的正面进行切割的切割参数具体为:刀轴转速为35000-40000r/min,切割速度为5-7mm/s,水流量为1.2-1.4L/min;
所述软刀刀片的外径在56mm至60mm之间、厚度在0.30mm至0.34mm之间、内径在38mm至42mm之间且长度在300m-450m之间。
7.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于:所述计算机程序存储有如权利要求1-5任意一项所述的贴附DAF的小基板生成方法。
8.一种电子设备,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1-5任意一项所述的贴附DAF的小基板生成方法。
CN202011107786.9A 2020-10-16 2020-10-16 贴附daf的小基板生成方法、装置、存储介质及电子设备 Active CN112259473B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011107786.9A CN112259473B (zh) 2020-10-16 2020-10-16 贴附daf的小基板生成方法、装置、存储介质及电子设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011107786.9A CN112259473B (zh) 2020-10-16 2020-10-16 贴附daf的小基板生成方法、装置、存储介质及电子设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112259473A CN112259473A (zh) 2021-01-22
CN112259473B true CN112259473B (zh) 2023-02-03

Family

ID=74244201

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011107786.9A Active CN112259473B (zh) 2020-10-16 2020-10-16 贴附daf的小基板生成方法、装置、存储介质及电子设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112259473B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114851275B (zh) * 2022-04-22 2024-04-05 浙江陶特容器科技股份有限公司 基于贴膜机的切割膜片控制方法、装置及存储介质

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016201412A (ja) * 2015-04-08 2016-12-01 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005129742A (ja) * 2003-10-24 2005-05-19 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシングブレード及びダイシング方法
CN102104021B (zh) * 2009-12-16 2013-07-31 南茂科技股份有限公司 晶片切割方法
US8975162B2 (en) * 2012-12-20 2015-03-10 Applied Materials, Inc. Wafer dicing from wafer backside
CN103219296B (zh) * 2013-03-29 2016-04-13 三星半导体(中国)研究开发有限公司 用于半导体封装的多功能膜及其制造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016201412A (ja) * 2015-04-08 2016-12-01 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN112259473A (zh) 2021-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112259473B (zh) 贴附daf的小基板生成方法、装置、存储介质及电子设备
JP2010225976A (ja) 積層ウェーハの分割方法
CN110105883B (zh) 一种保护膜卷材的制备方法
JP2014183310A (ja) ウェハー製造工程の切断方法
JP2009021375A (ja) チッピング検出方法およびチッピング検出装置
CN111230934A (zh) 一种屏幕保护膜切割方法及切割装置
US11712747B2 (en) Wafer processing method
CN108022876A (zh) 晶片的加工方法
JP2015138857A (ja) ウェーハの加工方法
JP5881504B2 (ja) ウエーハの加工方法
CN110364471A (zh) 保护片配设方法
CN107219604A (zh) 一种镜片结构及其加工方法
CN103692762B (zh) 一种设有贴胶装置的膜切机
CN212519541U (zh) 一种可提高去工艺边精度的cob印刷线路板
KR102091577B1 (ko) 자동화용 롤테이프의 제조 방법
CN109246927B (zh) 成品pcb的v割方法
JP2005142399A (ja) ダイシング方法
CN108091605B (zh) 一种降低晶圆误剥离的方法
JP2007005366A (ja) 半導体装置の製造方法
KR20190094794A (ko) 피나클 금형을 이용한 감열형 접착필름 가공방법
CN210745669U (zh) 一种柔性线路板分板模具
CN215988667U (zh) 一种晶圆贴膜机的贴膜台
KR102061330B1 (ko) 종이 캐리어 테이프 제조방법
KR102061328B1 (ko) 종이 캐리어 테이프 제조장치
JPH11176772A (ja) プリカット方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: 518000 floors 1-3 and 4 of buildings 4 and 8, zone 2, Zhongguan honghualing Industrial South Zone, No. 1213 Liuxian Avenue, Pingshan community, Taoyuan Street, Nanshan District, Shenzhen, Guangdong

Applicant after: BIWIN STORAGE TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Address before: 518000 1st, 2nd, 4th and 5th floors of No.4 factory building, tongfuyu industrial town, Taoyuan Street, Nanshan District, Shenzhen City, Guangdong Province

Applicant before: BIWIN STORAGE TECHNOLOGY Co.,Ltd.

CB02 Change of applicant information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant