JP2016174328A - ウェーハの製造方法及びウェーハ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のウェーハの製造方法は、ウェーハとしての水晶基板10をエッチングして、薄肉部に対応する領域である第1領域20を形成すると共に、振動素子12の外形に対応する領域を薄肉部の深さ分だけ同時にハーフエッチングする第1エッチング工程と、ハーフエッチングされた外形に対応する領域をエッチングして個片の振動素子12の外形を形成する第2エッチング工程と、を含む。
【選択図】図7
Description
本発明の一実施形態に係るウェーハの一例として、逆メサ構造の振動素子12を形成した水晶基板を挙げ、その概略構成について、図1〜図5を参照して説明する。なお、以降の水晶基板10や振動素子12の概略構成を説明する図では、説明の便宜上、互いに直交する3つの軸として、X軸、Y’軸及びZ’軸を図示しており、その図示した矢印の先端側を「+側」、基端側を「−側」としている。また、X軸に平行な方向を「X軸方向」と言い、Y’軸に平行な方向を「Y’軸方向」と言い、Z’軸に平行な方向を「Z’軸方向」と言う。
図1は、本発明の一実施形態に係る振動素子が形成されたウェーハの概略平面図である。図2は、ATカット水晶基板と水晶の結晶軸との関係を説明する図である。図3は、図1中のA部を拡大したウェーハの概略平面図である。図4は、図3中のB−B線の概略断面図である。図5は、図3中のC−C線の概略断面図である。
振動素子12は、厚み滑り振動で振動する振動領域を含む第1領域20と、第1領域20の外縁に一体化され、第1領域20よりも厚さが厚い第2領域22と、を含んでいる。矩形状の第1領域20の外縁は、振動方向(X軸方向)と直交し、振動方向に離間して配置される一方の第1外縁24a及び他方の第1外縁24bと、振動方向に沿って、振動方向と直交する方向(Z’軸方向)に離間して配置される一方の第2外縁26a及び他方の第2外縁26bと、を含んでいる。第2領域22は、一方の第1外縁24aに連接している第1厚肉部28と、一方の第2外縁26aに連接している第2厚肉部30と、第1厚肉部28及び第2厚肉部30に連接している第3厚肉部32と、を含んでいる。
図6は、間隔の長さWと振動素子分割の良否との関係を示す図である。
振動素子12間の間隔の長さWと水晶基板10の厚さtとの最適値を見出すために、以下の実験を行った。振動素子12間の間隔の長さWを180μm〜210μmの範囲で設計した第1エッチング工程用のマスクを用い、後述するウェーハの製造方法により、厚さ80μmの水晶基板10をエッチング加工して振動素子12を水晶基板10に形成した。その後、水晶基板10の枠部16(外周枠部18)から振動素子12が折り取れるか又は水晶のエッチング異方性に起因した結晶面(r面)が生じることによって発生するエッチング残渣E1(図8(e)参照)が残っていないかを評価した。図6中の良否とは、エッチング残渣E1が残り振動素子12が折り取れない場合を「×」とし、エッチング残渣が無く振動素子12が折り取れた場合を「○」として示している。
従って、(W/t2)が0.029<(W/t2)<0.033の関係を満たしていると、隣り合う振動素子12において、水晶のエッチング異方性に起因した結晶面(r面)が生じることによって発生するエッチング残渣E1による個片化不良を低減し且つウェーハからの取り数を増やし低コストの振動素子12を得ることができる。
次に、本発明の一実施形態に係るウェーハの製造方法の一例として、逆メサ構造の振動素子12を形成した水晶基板の製造方法を挙げ、図7〜図11を参照して説明する。
図7は、本発明の一実施形態に係るウェーハの製造方法を示す工程図である。図8(a)〜図8(f)は、図7に示す主要な工程毎の図3におけるD−D線での概略断面図である。図9(g)〜図9(l)は、図7に示す主要な工程毎の図3におけるD−D線での概略断面図である。図10は、本発明の一実施形態に係るマスクの概略平面図である。図11は、振動素子の外形を形成するマスクの概略平面図である。
準備工程(Step1)では、ウェーハとしての水晶基板10を準備する。
次に、金属層形成工程(Step2)では、水晶基板10の表裏の両主面に、第1エッチング工程(Step6)において保護マスクとなる金属層50を形成する。図8(a)は、水晶基板10に金属層50を形成した後の概略断面図である。金属層50は、真空蒸着法やスパッタリング法などで成膜できる。金属層50の材料としては、例えば、フッ酸系のエッチング溶液に耐性の強い金(Au)、白金(Pt)などを使用することができる。なお、水晶基板10と金属層50との密着性を高めるための密着層(図示せず)が設けられていてもよい。密着層としては、クロム(Cr)、ニッケルクロム(NiCr)合金、ニッケル(Ni)などを使用することができる。
保護膜塗布工程(Step3)では、保護膜としてのレジスト52を例えばコーター装置などを使用して金属層50が形成された水晶基板10の表裏の両主面に均一に塗布する。図8(b)は、水晶基板10の金属層50上にレジスト52を塗布した後の概略断面図である。なお、本実施形態では、ポジ型のレジスト52を一例として挙げ説明する。
次に、露光工程(Step4)では、振動素子12の第1領域20を形成するための露光を行う。図8(c)は、マスク60を介してレジスト52を露光している概略断面図である。水晶基板10に塗布されたレジスト52に、例えば、コンタクトアライナー、プロキシミティアライナーなどの露光装置を用いマスク60を介して、水晶基板10の一方の主面側から露光する。
図10は、マスク60に設けられた開口部62パターンと共に、後述する第2エッチング工程(Step12)において、形成される振動素子12の外形を破線で示している。マスク60は、振動方向に直交する方向(Z’軸方向)に沿った長さがW、振動方向(X軸方向)に沿った長さが振動素子12の振動方向に沿った長さ以上である第1の開口64と、振動素子12の第1領域20に対応する第2の開口66と、を含む開口部62のパターンが振動方向に直交する方向に沿って複数並んでいる。なお、本実施形態では、ポジ型のレジスト52を用いているため、レジスト52を残す領域は、光が透過しないように、光を遮断するパターンが設けられている。
次に、金属層エッチング工程(Step5)では、光が照射された領域のレジスト52を現像した後に、金属層50をエッチングし、マスク60に示す開口部62パターン(図10参照)を水晶基板10の一方の主面に形成する。図8(d)は、レジスト52及び金属層50を形成した後の概略断面図である。レジスト52及び金属層50によって、エッチングを施さない領域を保護することができる。
第1エッチング工程(Step6)では、パターニングされたレジスト52と金属層50を保護用マスクとして、レジスト52と金属層50から露出した水晶基板10をフッ酸系のエッチング溶液を用いてウェットエッチングする。図8(e)は、エッチング後の概略断面図である。振動素子12の主振動である厚み滑り振動は、周波数が振動領域の板厚に対して反比例し、板厚が薄くなればなるほど、周波数が高くなる。例えば、図2で示す角度θが35°15’であるAtカット水晶基板の場合には、板厚が10μmの場合に、周波数が167MHzとなり、板厚が5μmの場合に、周波数が334MHzとなる。そのため、所望の周波数を得るためには、振動領域となる部分を所望の板厚になるまでエッチングし薄くする。なお、事前にエッチング速度を測定しておき、算出した所定の時間エッチングすることにより、所望の周波数を有する振動素子12を得ることができる。
金属層剥離工程(Step7)では、所望の周波数となる板厚までエッチングした後に、レジスト52と金属層50とを剥離する。図8(f)は、レジスト52及び金属層50を剥離した後の概略断面図である。なお、レジスト52の剥離方法としては、レジスト剥離剤を用いたウェットエッチング法や、オゾンやプラズマを用いたドライエッチング法などを用いることができる。また、金属層50の剥離方法としては、金属層50に用いた材料に反応する反応性ガスなどを用いたドライエッチング法や、金属層50に用いた材料を腐食溶解する液体に浸漬させるウェットエッチング法などを用いる。
金属層形成工程(Step8)では、マスク60に設けられた開口部62パターンをエッチングした水晶基板10の表裏の両主面に、第2エッチング工程(Step12)において保護マスクとなる金属層50を形成する。図9(g)は、水晶基板10に金属層50を形成した後の概略断面図である。金属層50は、真空蒸着法やスパッタリング法などで成膜できる。金属層形成工程(Step1)と同様に、金属層50の材料としては、例えば、フッ酸系のエッチング溶液に耐性の強い金(Au)、白金(Pt)などを使用することができる。なお、水晶基板10と金属層50との密着性を高めるための密着層(図示せず)が設けられていてもよい。密着層としては、クロム(Cr)、ニッケルクロム(NiCr)合金、ニッケル(Ni)などを使用することができる。
保護膜塗布工程(Step9)では、保護膜としてのレジスト52を例えばコーター装置などを使用して金属層50が形成された水晶基板10の表裏の両主面に均一に塗布する。図9(h)は、水晶基板10の金属層50上にレジスト52を塗布した後の概略断面図である。なお、本実施形態では、レジスト塗布工程(Step3)と同様に、ポジ型のレジスト52を一例として挙げ説明する。
次に、露光工程(Step10)では、振動素子12の外形形状を形成するための露光を行う。図9(i)は、マスク70を介してレジスト52を露光している概略断面図である。水晶基板10に塗布されたレジスト52に、例えば、コンタクトアライナー、プロキシミティアライナーなどの両面露光装置を用いマスク70を介して、水晶基板10の表裏の両主面側から同時に露光する。
ここで、振動素子12の外形形状を形成するためのフォトマスクであるマスク70について、図11を参照して説明する。
図11は、振動素子12の外形形状を形成するための外形パターンが振動方向に直交する方向(Z’軸方向)に沿って複数並んでいる。なお、本実施形態では、レジスト塗布工程(Step8)で用いたポジ型のレジスト52と同様に、ポジ型のレジスト52を用いているため、レジスト52を残す領域は、光が透過しないように、光を遮断するパターンが設けられている。
次に、金属層エッチング工程(Step11)では、光が照射された領域のレジスト52を現像した後に、金属層50をエッチングし、マスク70に示す外形パターンを水晶基板10の両主面に形成する。図9(j)は、レジスト52及び金属層50による外形パターンを形成した後の概略断面図である。レジスト52及び金属層50によって、エッチングを施さない領域を保護することができる。
第2エッチング工程(Step12)では、外形をパターニングされたレジスト52と金属層50を保護用マスクとして、レジスト52と金属層50から露出した水晶基板10をフッ酸系のエッチング溶液を用いてウェットエッチングする。図9(k)は、エッチング後の概略断面図である。エッチングは振動素子12の外形が貫通するまで行う。また、エッチング残渣E1が生じていた領域も水晶基板10の両主面側からエッチングすることにより貫通し、振動素子12の個片化を容易に行うことができる。また、水晶基板10の厚さをtとし、隣り合う振動素子12間の間隔の長さをWとしたとき、0.029<(W/t2)<0.033を満足する関係としてあるため、水晶のエッチング異方性に起因した結晶面(r面)によるエッチング残渣E1の発生を低減し、振動素子12を容易に個片化することができる。
金属層剥離工程(Step13)では、レジスト52を剥離した後に、金属層50を剥離する。図9(l)は、レジスト52及び金属層50を剥離した後の概略断面図である。なお、レジスト52の剥離方法としては、レジスト剥離剤を用いたウェットエッチング法や、オゾンやプラズマを用いたドライエッチング法などを用いることができる。また、金属層50の剥離方法としては、金属層50に用いた材料に反応する反応性ガスなどを用いたドライエッチング法や、金属層50に用いた材料を腐食溶解する液体に浸漬させるウェットエッチング法などを用いる。
Claims (5)
- 薄肉部と、前記薄肉部の外縁の一部を除いて前記外縁に一体化され、前記薄肉部よりも厚さが厚い厚肉部と、を含む複数の振動素子が、フレームに連結されているウェーハの製造方法であって、
ウェーハをエッチングして、前記薄肉部に対応する領域を形成すると共に、前記振動素子の外形に対応する領域を前記薄肉部の深さ分だけ同時にハーフエッチングする第1エッチング工程と、
前記ハーフエッチングされた外形に対応する領域をエッチングして個片の前記振動素子の外形を形成する第2エッチング工程と、
を含むことを特徴とするウェーハの製造方法。 - 厚み滑り振動で振動する振動領域を含む第1領域と、
前記第1領域の外縁に一体化され、前記第1領域よりも厚さが厚い第2領域と、
を含み、
前記第1領域の前記外縁は、
前記厚み滑り振動の振動方向と直交する一方の第1外縁及び他方の第1外縁と、
前記振動方向に沿った一方の第2外縁及び他方の第2外縁と、
を含み、
前記一方の第1外縁は、前記他方の第1外縁と前記振動方向に離間し、
前記一方の第2外縁は、前記他方の第2外縁と前記振動方向に直交する方向に離間し、
前記第2領域は、
前記一方の第1外縁に連接している第1厚肉部と、
前記一方の第2外縁に連接している第2厚肉部と、
前記第1厚肉部及び前記第2厚肉部に連接している第3厚肉部と
を含む振動素子が、
前記振動方向に直交する方向に沿って複数並んでおり、
第1の振動素子の前記第2厚肉部の前記一方の第2外縁側とは反対側の前記一方の第2外縁側と並行する外縁及び第3厚肉部が、隣に並んでいる第2の振動素子の前記第1領域の前記他方の第2外縁及び第1厚肉部と、長さWの間隔で離間しているウェーハの製造方法であって、
ウェーハを準備する準備工程と、
前記ウェーハの表面に保護膜を塗布する保護膜塗布工程と、
前記振動方向に直交する方向に沿った長さがW、前記振動方向に沿った長さが前記振動素子の前記振動方向に沿った長さ以上である第1の開口と、前記第1領域に対応する第2の開口と、を含む開口部が、前記振動方向に直交する方向に沿って複数並んでいるマスクを用いて前記保護膜を露光する露光工程と、を含み、
前記ウェーハの厚さをtとしたとき、
0.029<(W/t2)<0.033
の関係を満たすことを特徴とするウェーハの製造方法。 - 請求項2に記載のウェーハの製造方法において、
前記ウェーハは、
水晶の結晶軸である、電気軸としてのX軸と、機械軸としてのY軸と、光学軸としてのZ軸と、からなる直交座標系の前記X軸を回転軸として、前記Z軸を前記Y軸の−Y方向へ+Z側が回転するように傾けた軸をZ’軸とし、前記Y軸を前記Z軸の+Z方向へ+Y側が回転するように傾けた軸をY’軸とし、前記X軸及び前記Z’軸を含む面を主面とし、前記Y’軸に沿った方向を厚さとする水晶基板であることを特徴とするウェーハの製造方法。 - 厚み滑り振動で振動する振動領域を含む第1領域と、
前記第1領域の外縁に一体化され、前記第1領域よりも厚さが厚い第2領域と、
を含み、
前記第1領域の前記外縁は、
前記厚み滑り振動の振動方向と直交する一方の第1外縁及び他方の第1外縁と、
前記振動方向に沿った一方の第2外縁及び他方の第2外縁と、
を含み、
前記一方の第1外縁は、前記他方の第1外縁と前記振動方向に離間し、
前記一方の第2外縁は、前記他方の第2外縁と前記振動方向に直交する方向に離間し、
前記第2領域は、
前記一方の第1外縁に連接している第1厚肉部と、
前記一方の第2外縁に連接している第2厚肉部と、
前記第1厚肉部及び前記第2厚肉部に連接している第3厚肉部と
を含む振動素子が、
前記振動方向に直交する方向に沿って複数並んでいるウェーハであって、
第1の振動素子の前記第2厚肉部の前記一方の第2外縁側とは反対側の前記一方の第2外縁側と並行する外縁及び第3厚肉部と、隣に並んでいる第2の振動素子の前記第1領域の前記他方の第2外縁及び第1厚肉部と、の間隔の長さをW、
前記ウェーハの厚さをt、
としたとき、
0.029<(W/t2)<0.033
の関係を満たすことを特徴とするウェーハ。 - 請求項4に記載のウェーハにおいて、
前記ウェーハは、
水晶の結晶軸である、電気軸としてのX軸と、機械軸としてのY軸と、光学軸としてのZ軸と、からなる直交座標系の前記X軸を回転軸として、前記Z軸を前記Y軸の−Y方向へ+Z側が回転するように傾けた軸をZ’軸とし、前記Y軸を前記Z軸の+Z方向へ+Y側が回転するように傾けた軸をY’軸とし、前記X軸及び前記Z’軸を含む面を主面とし、前記Y’軸に沿った方向を厚さとする水晶基板であることを特徴とするウェーハ。
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