JP6524553B2 - 素子チップの製造方法 - Google Patents
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- H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
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- H01L2224/13147—Copper [Cu] as principal constituent
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Description
バンプがプラズマに曝されると、バンプを構成する金属材料が飛散する場合がある。プラズマ処理装置が誘導結合型のプラズマ源を備え、プラズマ生成用の磁場を透過させるための誘電体部材を有する場合、この誘電体部材に、バンプに起因する反応性に乏しい金属材料(金、銅、ニッケル等)が付着すると、プラズマ生成用の磁場の透過が阻害される。これにより、プラズマの発生が不安定となり、エッチングの再現性や安定性が低下する。しかし、本実施形態によれば、プラズマ処理装置が上記誘電体部材を備える場合であっても、この誘電体部材への上記金属材料の付着が抑制されるため、プラズマの発生が安定し、エッチングの再現性や安定性が向上する。
バンプを構成していた金属材料が基板に再付着すると、プラズマダイシングの際にマイクロマスクとなり、素子チップの側面が荒れる等、素子チップの形状にマイナスの影響を与える。このような素子チップの形状へのマイナスの影響は、素子チップの抗折強度の低下や、素子チップをパッケージングする際のモールド不良の原因となり得る。しかし、本実施形態によれば、プラズマダイシング時に、上記金属材料によるマイクロマスクが形成され難いため、側面の平滑性に優れる素子チップが得られる。したがって、得られる素子チップは抗折強度に優れるとともに、パッケージングする際のモールド不良が生じ難い。
バンプを構成していた金属材料が飛散し、基板の分割領域に再付着すると、分割領域にエッチング残渣が発生する。このようなエッチング残渣は、パーティクルの原因となったり、プラズマダイシング後のピックアップ工程における認識不良およびピックアップミスを誘発する。そのため、生産の歩留まりが低下する。さらに、分割領域に発生するエッチング残渣が多いと、分割領域でエッチングストップが発生し、基板が個片化できないという不具合を生じる。しかし、本実施形態によれば、プラズマダイシング時に、上記金属材料の基板への再付着が生じ難いため、分割領域におけるエッチング残渣の発生が抑制される。よって、パーティクルが低減するとともに、プラズマダイシング後のピックアップ工程における認識性やピックアップ性が高まり、生産の歩留まりも向上する。また、プラズマダイシング時に、分割領域でエッチングストップが発生し難く、歩留まりが向上する。
バンプを構成していた金属材料が飛散し、素子チップのバンプ以外の部分(例えば、回路層表面の樹脂保護層の表面、半導体層の側面)に再付着すると、素子チップの金属汚染が生じる。素子チップが金属汚染されると、デバイス特性が低下する。しかし、本実施形態によれば、上記金属材料の素子チップのバンプ以外の部分への再付着が抑制されるため、素子チップの金属汚染は生じ難く、素子チップのデバイス特性が向上する。
バンプの一部がエッチングされると、素子チップの電気的特性が変化し得る。しかし、本実施形態によれば、バンプのエッチングが防止されるため、素子チップの電気的特性の変化は生じ難い。
バンプがプラズマに曝されると、バンプが変質(劣化)して、不具合を生じる場合がある。例えば、バンプが銅を含む場合、六フッ化硫黄(SF6)を含むガスを用いたプラズマ処理を行うと、プラズマ照射により銅が硫化されて、信頼性が低下する。プロセスガスあるいはアッシングガスがフッ素または酸素を含む場合、バンプ表面のフッ化あるいは酸化により、接触抵抗の上昇および接合強度の低下が生じて、信頼性が低下する。また、プロセスガスがC4F8などのフルオロカーボンを含む場合、バンプ表面に炭素を含有する反応生成物が付着し、接触抵抗の上昇および接合強度の低下が生じて、信頼性が低下する。しかし、本実施形態によれば、プラズマダイシング時のバンプの劣化が起こり難い。したがって、どのような種類のガスを使用する場合であっても、信頼性は損なわれ難い。
本実施形態によれば、プラズマダイシング時に、基板のバンプを備える第1の面を、保持テープを介してステージに載置する。そのため、バンプのステージとの接触による損傷が抑制される。また、基板を第2の面からプラズマダイシングするため、素子領域を被覆するマスクは、第2の面に形成される。そのため、第1の面に露出するバンプは、マスク形成に用いられる現像液等の影響を受け難い。よって、マスク形成工程においても、バンプの損傷が抑制される。
バンプ保護のために、上記のように基板に厚いレジストマスクを形成する場合、プラズマダイシング後に、レジストマスクを除去するための長時間のプラズマアッシングが必要となる。そのため、処理時間が増大したり、バンプの頭頂部がアッシングプラズマに曝されることにより酸化され、電気的接続を行った際に接触抵抗が増加する等のデバイス特性の不具合が生じやすくなる。しかし、本実施形態では、プラズマダイシングが回路層とは反対側の面から行われるため、上記のような厚いレジストマスクが不要となり、製造コストの上昇を抑制することができる。さらに、レジストマスク除去のための長時間のアッシングが省略されるため、上記のような処理時間の増大やデバイス特性の不具合が生じ難い。
本実施形態では、薄化工程とともに、マスク形成工程、保持工程および個片化工程が、第1の面に保護テープが貼着された状態で行われる。本実施形態に係る製造方法を、図1A〜図5を参照しながら説明する。図1A(a)〜(h)は、本実施形態に係る製造方法を基板の断面で示す概念図である。図1Bは、本実施形態で用いられる基板の他の例を示す断面図である。図1Cは、本実施形態で実施されるバンプ露出工程の他の例を、基板の断面で示す概念図である。図2は、本実施形態に係る基板(薄化工程前)の構成を模式的に示す断面図である。図3Aは、本実施形態の埋め込み工程における基板と保護テープとの積層体を模式的に示す断面図である。図3Bは、本実施形態の埋め込み工程における基板と保護テープとの他の積層体を模式的に示す断面図である。図4は、本実施形態に係る搬送キャリアを概略的に示す上面図(a)およびそのB−B線での断面図(b)である。図5は、本実施形態に係るプラズマ処理装置の概略構造を断面で示す概念図である。図示例では、便宜上、同じ機能を備える部材に同じ符号を付している。
まず、個片化の対象となる基板10を準備する(図1A(a))。基板10は、第1の面10Xおよび第2の面10Yを備えるとともに、半導体層11と、半導体層11の第1の面10X側に積層された回路層12と、回路層12に配置された複数のバンプ13と、を備える。また、基板10は、分割領域R1と、分割領域R1によって画定される複数の素子領域R2とに区画されている。基板10の分割領域R1をエッチングすることにより、半導体層11、回路層12およびバンプ13を備える素子チップ100が得られる。
半導体層11は、例えば、シリコン(Si)、ガリウム砒素(GaAs)、窒化ガリウム(GaN)、炭化ケイ素(SiC)等を含む。後述する薄化工程後の半導体層11の厚みは特に限定されず、例えば、20〜1000μmであり、100〜300μmであってもよい。
回路層12は、例えば、絶縁膜、金属層、樹脂保護層(例えば、ポリイミド)、レジスト層等を含んでおり、半導体回路、電子部品素子、MEMS等を構成している。回路層12の厚みは特に限定されず、例えば、10〜100μmである。
バンプ13は、例えば、電極パッド、半田ボール等の金属材料を含む突起である。バンプ13に含まれる金属は特に限定されず、例えば、銅、銅と錫と銀との合金、銀と錫との合金、鉛と錫との合金、金、アルミニウム、アルミニウム合金等が挙げられる。後述するように、パンプ13はプラズマに直接曝されないため、金属の劣化や化学変化等を気にすることなく、目的に応じて種々の金属を使用することができる。バンプ13の形状も特に限定されず、角柱、円柱、山型、ボール型等であってもよい。バンプ13の高さHb(図2参照)も、目的に応じて適宜設定すればよく、例えば、20〜200μmである。バンプ13の高さHbは、半導体層11の法線方向における、バンプ13の最大の高さである。バンプの配置および個数も特に限定されず、目的に応じて適宜設定される。
次に、バンプ13の少なくとも頭頂部131を、第1粘着層22に埋め込む(図1A(b))。これにより、続いて行われる薄化工程におけるバンプ13の損傷が抑制される。バンプ13の頭頂部131は、第1粘着層22を備える保護テープ20を第1の面10Xに貼着することにより、第1粘着層22に埋め込まれる。保護テープ20を第1の面10Xに貼着した後、加圧してもよい。特に、保護テープ20を真空中で加圧、加熱しながらバンプ13に貼着することにより、バンプ13は第1粘着層22に埋め込まれ易くなる。
保護テープ20は、例えば、基材21および第1粘着層22を備える。基材21は、第1粘着層22の支持体である。基材21の材質としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリイミド等が挙げられる。基材21の厚みは特に限定されないが、支持体としての機能およびハンドリング性の点で、30〜150μmであることが好ましい。
次に、半導体層11の一部を研磨して、半導体層11を薄くする薄化工程(図1A(c))が行われる。半導体層11に回路層12を形成する際、半導体層11にはある程度の厚みが必要とされる一方、個片化工程における処理時間の短縮や、素子チップの小型化等の観点から、個片化工程に供される半導体層11の厚みは小さいことが求められるためである。薄化工程は、第1の面10Xに保護テープ20が貼着された状態で行われる。
本工程では、第1の面10Xに保護テープ20が貼着された状態で、素子領域R2を被覆するとともに分割領域R1を露出させるマスク30を形成する(図1A(d))。マスク30は、バンプ13が配置されていない第2の面10Yに形成される。そのため、バンプ13は、マスク30の形成に用いられる現像液の影響を受け難い。よって、マスク形成工程におけるバンプ13の損傷や変質が抑制される。加えて、バンプ13の少なくとも頭頂部131が第1粘着層22に埋め込まれているため、バンプ13の劣化や損傷はさらに抑制される。また、薄化された基板10が保護テープ20によって支持されるため、基板10自体の損傷や反りが抑制される。保護テープ20によって支持された基板10は、後述するナノインプリント法に好適に用いられる。
本工程では、第1の面10Xがフレーム42で支持された保持テープ41に対向するように、基板10を保持テープ41に貼着し、保持させる(図1A(e))。基板10を保持テープ41に保持させることにより、後の個片化工程およびバンプ露出工程におけるハンドリング性が向上する。このとき、保護テープ20は剥離されず、基板10は保護テープ20を介して保持テープ41に貼着される。そのため、保護テープ20の剥離に伴うバンプ13への負荷が低減されるとともに、回路層12およびバンプ13の外的要因による損傷や汚染が低減される。さらに、保護テープ20の剥離工程がないため、生産性の向上が期待できる。以下、フレーム42およびフレーム42に固定された保持テープ41を、併せて搬送キャリア40と称する場合がある。
保持テープ41は特に限定されない。保持テープ41は、例えば、支持体411および第2粘着層412を備える。支持体411の材質は特に限定されず、例えば、ポリエチレンおよびポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル等の熱可塑性樹脂を含むフィルム(樹脂フィルム)が挙げられる。樹脂フィルムには、伸縮性を付加するためのゴム成分(例えば、エチレン−プロピレンゴム(EPM)、エチレン−プロピレン−ジエンゴム(EPDM)等)、可塑剤、軟化剤、酸化防止剤、導電性材料等の各種添加剤が配合されていても良い。また、上記熱可塑性樹脂は、アクリル基等の光重合反応を示す官能基を有していてもよい。支持体411の厚みは特に限定されず、例えば、50〜300μmであり、好ましくは50〜150μmである。
フレーム42は、図4(a)に示すように、基板10の全体と同じかそれ以上の面積の開口を有した枠体であり、所定の幅および略一定の薄い厚みを有している。フレーム42は、保持テープ41および基板10を保持した状態で搬送できる程度の剛性を有している。保持テープ41は、図4(b)に示すように、第2粘着層412をフレーム42に対向させて、第2粘着層412の外周縁をフレーム42の一方の面に貼着することにより、フレーム42に固定される。フレーム42の開口の形状は特に限定されず、例えば、円形や、矩形、六角形など多角形であってもよい。フレーム42には、位置決めのためのノッチ42aやコーナーカット42bが設けられていてもよい。フレーム42の材質としては、例えば、アルミニウム、ステンレス鋼等の金属や、樹脂等が挙げられる。基板10は、第2粘着層412のフレーム42の開口から露出した部分に第1の面10Xが対向するように、保護テープ20を介して貼着される。
マスク形成工程および保持工程の後、基板10を、保護テープ20および保持テープ41を介してプラズマ処理装置内に設けられたステージ211に載置する。
載置工程の後、基板10をステージ211に載置した状態で、基板10の分割領域R1を第2の面10Yから第1の面10Xまでプラズマエッチングして、基板10から複数の素子チップ100を形成する(図1A(g))。
個片化工程の後、第1粘着層22を剥離して、バンプ13を再び露出させる。このバンプ露出工程は、素子チップ100のピックアップ工程(図1A(h))の一部であり得る。
本実施形態は、マスク形成工程が第1の面に保護テープ20が貼着された状態で行われるとともに、保持工程の前に第1の面から保護テープ20が剥離されること以外、第1実施形態と同様である。図6に、本実施形態の素子チップの製造方法を示す((a)〜(h))。図6(a)〜(d)および(h)は、図1A(a)〜(d)および図1Cにそれぞれ対応している。
10X:第1の面
10Y:第2の面
11:半導体層
12:回路層
13:バンプ
131:頭頂部
132:基部
133:接触部
20:保護テープ
21:基材
22:第1粘着層
30:マスク
40:搬送キャリア
42:フレーム
42a:ノッチ
42b:コーナーカット
41:保持テープ
411:支持体
412:第2粘着層
51:ピックアップフレーム
52:ピックアップテープ
60:突き上げピン
100:素子チップ
200:プラズマ処理装置
203:真空チャンバ
203a:ガス導入口
203b:排気口
208:誘電体部材
209:アンテナ
210A:第1高周波電源
210B:第2高周波電源
211:ステージ
212:プロセスガス源
213:アッシングガス源
214:減圧機構
215:電極層
216:金属層
217:基台
218:外周部
219:ESC電極
220:高周波電極部
221:昇降ロッド
222:支持部
223A、223B:昇降機構
224:カバー
224W:窓部
225:冷媒循環装置
226:直流電源
227:冷媒流路
228:制御装置
229:外周リング
Claims (6)
- 露出したバンプを備える第1の面および前記第1の面の反対側の第2の面を備えるとともに、分割領域で画定される複数の素子領域を備える基板を準備する準備工程と、
前記第1の面に粘着層を有する保護テープを貼着するとともに、少なくとも前記バンプの頭頂部を前記粘着層に埋め込むバンプ埋め込み工程と、
前記バンプ埋め込み工程の後、前記第1の面に前記保護テープが貼着された状態で、前記第2の面を研削して、前記基板を薄化する薄化工程と、
前記薄化工程の後、前記第2の面に、前記素子領域を被覆するとともに前記分割領域を露出させるマスクを形成するマスク形成工程と、
前記第1の面をフレームで支持された保持テープに対向させて、前記基板を前記保持テープに保持させる保持工程と、
前記マスク形成工程および前記保持工程の後、前記基板を、前記保持テープを介してプラズマ処理装置内に設けられたステージに載置する載置工程と、
前記載置工程の後、前記分割領域を前記第2の面から前記第1の面までプラズマエッチングして、前記基板から複数の素子チップを形成する個片化工程と、
を備え、
前記バンプ埋め込み工程において、隣接する2つの前記バンプと、前記粘着層と、前記第1の面とにより囲まれた空隙が形成される、素子チップの製造方法。 - 前記マスク形成工程が、前記第1の面に前記保護テープが貼着された状態で行われる、請求項1に記載の素子チップの製造方法。
- 前記粘着層の厚みが前記バンプの高さよりも大きい、請求項1または2に記載の素子チップの製造方法。
- 前記保持工程では、前記第1の面を前記保護テープを介して前記保持テープに対向させて、前記基板を前記保持テープに保持させる、請求項1に記載の素子チップの製造方法。
- 前記薄化工程の後、前記保持工程の前に、前記第1の面から前記保護テープを剥離して、前記バンプを露出させるバンプ露出工程を備える、請求項1〜4のいずれか一項に記載の素子チップの製造方法。
- 前記基板が、半導体層と、前記半導体層の前記第1の面側に積層され、前記バンプを備える回路層と、を備え、
前記準備工程において、前記分割領域において前記半導体層が露出した前記基板を準備する、請求項1〜5のいずれか一項に記載の素子チップの製造方法。
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