JP2016035956A - 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム - Google Patents
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Abstract
Description
30 現像処理装置
31 下部反射防止膜形成装置
32 レジスト塗布装置
33 上部反射防止膜形成装置
40 熱処理装置
41 疎水化処理装置
42 周辺露光装置
43 紫外線照射装置
44 酸失活処理装置
45 改質処理装置
300 レジスト膜
301 露光部
302 酸
303 未露光部
310 レジストパターン
320 レジストパターン
W ウェハ
Claims (8)
- 基板を処理する基板処理方法であって、
基板上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
基板上のレジスト膜にパターンの露光を行う露光工程と、
前記露光工程後の基板を加熱し、前記レジスト膜中の酸により当該レジスト膜を脱保護させるPEB処理工程と、
前記PEB処理工程後の基板上のレジスト膜に対してアルカリ性のガスまたはアルカリ溶液のミストの少なくともいずれかを供給し、前記レジスト膜中の酸を失活させる酸失活工程と、
前記酸失活工程後に現像液を基板に対して供給し、前記レジスト膜の現像処理を行う現像処理工程と、を有することを特徴とする、基板処理方法。 - 前記酸失活工程後であって前記現像処理工程前に、前記レジスト膜を改質処理する改質処理工程をさらに有することを特徴とする、請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記改質処理では、前記レジスト膜をシリコン含有の化合物と反応させて当該レジスト膜をシリル化することを特徴とする、請求項2に記載の基板処理方法。
- 前記PEB処理工程後であって前記酸失活工程前に、前記PEB処理工程後のレジスト膜に対して波長193nm又は波長248nmの紫外線を照射して当該レジスト膜中の光酸発生剤を失活させる、紫外線照射工程をさらに有することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記レジスト膜は、EUVレジストの膜であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
- 請求項6に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
- 基板を処理する基板処理システムであって、
基板上にレジスト膜を塗布するレジスト塗布装置と、
前記基板処理システムの外部に設けられた露光装置により露光が行われた基板を加熱し、前記レジスト膜中の酸により当該レジスト膜を脱保護させるPEB処理装置と、
前記レジスト膜に対してアルカリ性のガスまたはアルカリ溶液のミストの少なくともいずれかを供給してレジスト膜中の酸を失活させる酸失活処理装置と、
基板上に現像液を供給して前記レジスト膜の現像処理を行う現像処理装置と、を有することを特徴とする、基板処理システム。
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