JP2013021152A - レジストパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明のレジストパターン形成方法は、被エッチング材の上にレジストとしての感応性樹脂膜を形成する感応性樹脂膜形成工程と、感応性樹脂膜に対してエネルギーを照射する部分を制御して選択的にエネルギー照射する露光工程と、選択的にエネルギー照射された感応性樹脂膜を現像する現像工程と、を有し、該レジストパターン形成方法は、現像によって形成されるレジスト凸部とレジスト凸部の間の凹部にレジスト残膜を存在させるレジスト残膜形成手法を備えるように構成される。
【選択図】 図1
Description
本発明のレジストパターン形成方法の第1の実施形態について、図1および図2を参照しつつ説明する。図1(A)〜(E)は、それぞれ、本発明のレジストパターン形成方法の一実施形態を経時的に示す概略断面図であり、図2(F)〜(G)は、それぞれ、図1(E)に続く工程であって、本発明のレジストパターン形成方法の一実施形態を経時的に示す概略断面図である。
図1(A)に示されるように、エッチングの対象となる被エッチング材10を準備する工程が行なわれる。
次いで、図1(B)に示されるように、被エッチング材10の上に塩基性の官能基を有する化合物を配置する工程が行なわれる。配置される塩基性の官能基を有する化合物は、図1(B)において、便宜上、被エッチング材10の上に形成された太線で示される膜状物として表わされ、符号15が付されているが、必ずしも当該化合物の配置形態は膜状物に限定されるものではない。本発明の作用効果が発現できる程度に、被エッチング材10の上に塩基性の官能基を有する化合物が存在していればよい。また、以下に、符号15を処理面と称す場合もある。
次いで、図1(C)に示されるように、シランカップリング処理された表面(処理面15)の上にレジストとしての感応性樹脂膜20を形成する感応性樹脂膜形成工程が行なわれる。レジストとしての感応性樹脂膜20を形成するには、通常、回転塗布法が用いられるが、必ずしもこの手法に限定されるわけではない。
次いで、上記のごとく被エッチング材10の上の処理面15上に形成されたレジストとしての感応性樹脂膜20を加熱して、レジストを固化するためのプリベーク工程が行なわれる。プリベーク工程における加熱温度や加熱時間は、レジストそのものが持つ物性等を考慮して適宜選定するようにすればよい。
次いで、図1(D)に示されるように、プリベークされた感応性樹脂膜20に対してエネルギーを照射する部分を制御して選択的にエネルギー照射する露光工程が行なわれる。
次いで、露光後、現像前の加熱工程であるPEB(Post Exposure Bake)工程が行なわれる。PEB工程における加熱温度や加熱時間は、レジストそのものが持つ物性等を考慮して適宜選定するようにすればよい。
次いで、図1(E)に示されるように、露光した部分を現像液に浸して余分な部分のレジストを除去する現像工程が行なわれる。この工程において、レジストの凸パターンが被エッチング材10の上に現われる。
次いで、現像液の供給をとめ、現像反応を停止させ、レジストパターンの周辺に存在する不要部分を除去するためのリンス工程が行なわれる。不要部分としては、例えば、レジスト現像液や現像後の残余の不要レジスト等が挙げられる。リンス液としては、主として超純水が用いられるが、必ずしもこれに限定されるわけではなく、種々の洗浄用の液体を使用することが可能である。溶剤や界面活性剤を含む溶液を用いてもよい。
次いで、レジスト凸部21とレジスト凸部21の間の谷間である凹部に形成されたレジスト残膜25をエッチングやアッシング等によって除去する残膜除去工程が行なわれる。これによって、谷間である凹部に形成されたレジスト残膜25が除去され、被エッチング材の一部が露出する。レジスト凸部21は残存した状態にある。
次いで、図2(F)に示されるように、被エッチング材の露出部分をエッチング加工することによって、所望の凹部10aを形成する加工が行なわれる。このような被エッチング材の加工工程は、上述の残膜除去工程と連続的に行なうこともできる。
次いで、図2(G)に示されるように、被エッチング材の上に残存するレジストをアッシングや溶剤等で除去するレジスト除去工程が行なわれ、被エッチング材10の凹凸加工パターンが形成される。
本発明のレジストパターン形成方法の第2の実施形態について、図4および図5を参照しつつ説明する。図4(A)〜(E)は、それぞれ、本発明のレジストパターン形成方法の他の一実施形態を経時的に示す概略断面図であり、図5(F)〜(G)は、それぞれ、図4(E)に続く工程であって、本発明のレジストパターン形成方法の他の一実施形態を経時的に示す概略断面図である。
図4(A)に示されるように、エッチングの対象となる被エッチング材10を準備する工程が行なわれる。図4(A)は、基本的に前述の図1(A)と同様の図面であり、被エッチング材10の構成は、前述したとおりである。
次いで、図4(B)に示されるように、被エッチング材10の上にレジストとしての感応性樹脂膜30を形成する感応性樹脂膜形成工程が行なわれる。レジストとしての感応性樹脂膜30を形成するには、通常、回転塗布法が用いられるが、必ずしもこの手法に限定されるわけではない。
次いで、被エッチング材10の上に形成されたレジストとしての感応性樹脂膜30を加熱して、レジストを固化するためのプリベーク工程が行なわれる。プリベーク工程における加熱温度や加熱時間は、レジストそのものが持つ物性等を考慮して適宜選定するようにすればよい。
次いで、図4(C)に示されるように、プリベークされた感応性樹脂膜30に対してエネルギーを照射する部分を制御して選択的にエネルギー照射する第1の露光工程が行なわれる。
0.1〜0.25程度とされる。
ネガ型レジストとして、化学増幅型レジストを用いる場合には、露光後、現像前の加熱工程であるPEB(Post Exposure Bake)工程が行なわれる。その場合のPEB工程における加熱温度や加熱時間は、レジストそのものが持つ物性等を考慮して適宜選定するようにすればよい。
次いで、図4(E)に示されるように、露光した部分を現像液に浸して余分な部分のレジストを除去する現像工程が行なわれる。この工程において、レジストの凸パターンが被エッチング材10の上に現われる。
次いで、現像反応を止め、レジストパターンの周辺に存在する不要部分を除去するためのリンス工程が行なわれる。不要部分としては、例えば、レジス現像液や現像後の残余の不要レジスト等が挙げられる。リンス液としては、主として超純水が用いられるが、必ずしもこれに限定されるわけではなく、種々の洗浄用の液体を使用することが可能である。溶剤を含む溶液を用いてもよい。
なお、リンス工程後に、必要に応じて、現像液やリンス液などの水分を除去するとともに、レジストの密着性と次工程のエッチング耐性を向上させるためにポストベーク工程を設けるようにしてもよい。
次いで、レジスト凸部31とレジスト凸部31の間の谷間である凹部に形成されたレジスト残膜35をエッチング、アッシング等によって除去する残膜除去工程が行なわれる。これによって、谷間である凹部に形成されたレジスト残膜35が除去され、被エッチング材の一部が露出する。レジスト凸部31は残存した状態にある。
次いで、図5(F)に示されるように、被エッチング材の露出部分をエッチング加工することによって、所望の凹部10aを形成する加工が行なわれる。このような被エッチング材の加工工程は、上述の残膜除去工程と連続的に行なうこともできる。
次いで、図5(G)に示されるように、被エッチング材の上に残存するレジストをアッシングや溶剤等で除去するレジスト除去工程が行なわれ、被エッチング材10の凹凸加工パターンが形成される。
(実施例1)
被エッチング材として6インチのシリコンウエハ基板を準備し、この基板の表面を、シランカップリング処理した。
上記実施例1において、シリコンウエハ基板表面のシランカップリング処理を行なわなかった。その代わりに、基板に対して、従来より一般的に行なわれているHMDS(Hexamethyldisilazane)による処理を行い、当該表面処理層をレジストと基材との間に介在させた。それ以外は、上記実施例1と同じ要領で、レジスト凸部のパターンを形成した。
被エッチング材として石英ガラス基板を準備し、この基板の表面にハードマスク形成用のCr層を厚さ20nmにスパッタ成膜した。
本実施例では、感応性樹脂膜をネガ型レジストとし、露光工程を上記のごとく重ね露光を含む2ステップの露光とするレジスト残膜形成手法を備えているので、図4(E)に示されるごとく現像、次いで超純水を用いて60秒間のリンス処理を行なうことによって形成されるレジスト凸部とレジスト凸部の間の凹部にレジスト残膜が存在することが、レジスト凸部の倒れ、滑りは発生しておらず、また基板面から垂直に切り立ったレジスト凸部が定ピッチで、シャープなライン群を形成しているのがレジスト断面をSEM像観察することによって確認できた。ちなみに、図4(E)に示される図面の状態に当てはめると、レジスト残膜35の厚さは、レジスト残膜35の厚さをHr、レジスト凸部31の厚さをHpとした場合、Hr/Hp比は、約0.03程度であった。また、レジスト凸部の底部幅Wと高さHpとの比であるアスペクト比は、約3.0であった。
上記実施例2において、重ね露光(図4(D)に示される第2の露光工程)を行なわなかった。それ以外は、上記実施例2と同じ要領で、同じ形態のレジスト凸部のパターンを形成した。
特に、本発明においては、現像後、レジストがパターンとして被エッチング材と接するのではなく、膜として被エッチング材上に形成され、接する面積が大きくなるため、特にレジストパターンの滑りが抑制でき、アスペクトも若干小さくすることができ、倒れも軽減できる。レジスト残膜はその後のエッチングプロセスにおいて容易に取り除くことができる。
10a…凹部
15…処理面
20、30…感応性樹脂膜
21、31…レジスト凸部
25、35…レジスト残膜
Claims (7)
- 被エッチング材の上にレジストとしての感応性樹脂膜を形成する感応性樹脂膜形成工程と、感応性樹脂膜に対してエネルギーを照射する部分を制御して選択的にエネルギー照射する露光工程と、選択的にエネルギー照射された感応性樹脂膜を現像する現像工程と、を有するレジストパターン形成方法であって、
該レジストパターン形成方法は、現像によって形成されるレジスト凸部とレジスト凸部の間の凹部にレジスト残膜を存在させるレジスト残膜形成手法を備えることを特徴とするレジストパターン形成方法。 - 前記レジスト残膜形成手法は、被エッチング材の上に塩基性の官能基を有する化合物を配置するとともに、感応性樹脂膜をポジ型化学増幅型レジストとし、感応性樹脂膜に対するエネルギー照射によって被エッチング材の表面に発生した酸を失活させることによって前記レジスト残膜を存在させる手法である請求項1に記載のレジストパターン形成方法。
- 前記塩基性の官能基を有する化合物がシランカップリング剤である請求項2に記載のレジストパターン形成方法。
- 前記塩基性の官能基がアミノ基であり、末端に配置されている請求項2または請求項3に記載のレジストパターン形成方法。
- 前記レジスト残膜形成手法は、感応性樹脂膜をネガ型レジストとし、前記露光工程を第1の露光工程とし、当該第1の露光工程に加えて、さらに少なくともエネルギー照射されていない箇所の感応性樹脂膜に対してエネルギーを照射する第2の露光工程を行なうことによって前記レジスト残膜を存在させる手法である請求項1に記載のレジストパターン形成方法。
- 前記第2の露光工程で用いられる照射エネルギーは、前記第1の露光工程で用いられる照射エネルギーよりも低いエネルギーである請求項5に記載のレジストパターン形成方法。
- 前記第2の露光工程は、感応性樹脂膜の全域または必要な部分に亘り行なわれる請求項6に記載のレジストパターン形成方法。
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