JP2016015485A5 - 撮像装置及び電子機器 - Google Patents
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Claims (6)
- トランジスタと、フォトダイオードと、容量素子を有する撮像装置であって、
前記トランジスタは、第1の電極と、前記第1の電極と接する第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜と接する第1の半導体層と、前記第1の半導体層と接する第2の電極および第3の電極を有し、
前記フォトダイオードは第4の電極と、第5の電極と、前記第4の電極と前記第5の電極との間に第2の半導体層を有し、
前記第1の半導体層は第2の絶縁層と接する領域を有し、
前記第2の電極は前記第2の絶縁層と接する領域を有し、
前記第3の電極は前記第2の絶縁層と接する領域を有し、
前記第2の絶縁層は第3の絶縁層と接する領域を有し、
前記第3の絶縁層は第4の絶縁層と接する領域を有し、
前記第4の絶縁層は前記第4の電極と接する領域を有し、
前記第1の電極と重なる領域において、前記第3の絶縁層は前記第4の電極と接する領域を有し、
前記第5の電極は前記第2の電極と電気的に接続され、
前記容量素子は、前記第3の電極が延在した領域と、前記第2の絶縁層と、前記第3の絶縁層と、前記第4の電極を含んで構成され、
前記フォトダイオードは、前記第4の電極と接する第3の半導体層と、前記第5の電極と接する第4の半導体層とをさらに有し、
前記第2の半導体層は前記第3の半導体層と前記第4の半導体層に接して挟まれ、
前記第3の半導体層の導電型はp型であり、
前記第4の半導体層の導電型はn型であり、
前記第2の半導体層の導電型はi型であることを特徴とする撮像装置。 - 請求項1において、
前記第1の電極層と重なる領域において、前記フォトダイオードは前記第4の半導体層が欠損している領域を有することを特徴とする撮像装置。 - 請求項2において、
前記第1の電極層と重なる領域において、前記フォトダイオードは前記第2の半導体層および前記第4の半導体層が欠損している領域を有することを特徴とする撮像装置。 - 請求項3において、
前記第1の電極層と重なる領域において、前記フォトダイオードは前記第2の半導体層、前記第3の半導体層および前記第4の半導体層が欠損している領域を有することを特徴とする撮像装置。 - 請求項1乃至4のいずれか一項において、
前記第1の半導体層は酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層は、InとZnとM(MはAl、Ti、Sn、Ga、Y、Zr、La、Ce、NdまたはHf)を有することを特徴とする撮像装置。 - 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の撮像装置と、
表示装置と、
を有することを特徴とする電子機器。
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