JP2016004659A - 導電性樹脂ペーストおよびセラミック電子部品 - Google Patents
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Abstract
【課題】高温環境下で使用した場合にも、導電成分のマイグレーションを引き起こすことがなく、経時的な比抵抗の変化率の小さい樹脂電極層を形成が可能な導電性樹脂ペースト、及び、それを用いて樹脂電極層が形成された信頼性の高いセラミック電子部品の提供。
【解決手段】導電成分と、樹脂成分を含み、導電成分は少なくともＡｇと、Ｃｕとを含み、導電成分に含まれるＡｇとＣｕの合計量に対するＡｇの割合が１１．６〜２８．８質量％の範囲にある構成とし、導電成分として、Ｃｕ粉末の表面の少なくとも一部がＡｇによりコートされたＡｇコートＣｕ粉末からなるものを用い、ＡｇコートＣｕ粉末が、形状が異なるものを含むようにし、ＡｇコートＣｕ粉末が、球状とフレーク状のＡｇコートＣｕ粉末を含むようにする。ＡｇコートＣｕ粉末が、ＡｇとＣｕ比率の異なる２種類以上のＡｇコートＣｕ粉末を含むようにする導電性樹脂ペースト。
【選択図】図１
【解決手段】導電成分と、樹脂成分を含み、導電成分は少なくともＡｇと、Ｃｕとを含み、導電成分に含まれるＡｇとＣｕの合計量に対するＡｇの割合が１１．６〜２８．８質量％の範囲にある構成とし、導電成分として、Ｃｕ粉末の表面の少なくとも一部がＡｇによりコートされたＡｇコートＣｕ粉末からなるものを用い、ＡｇコートＣｕ粉末が、形状が異なるものを含むようにし、ＡｇコートＣｕ粉末が、球状とフレーク状のＡｇコートＣｕ粉末を含むようにする。ＡｇコートＣｕ粉末が、ＡｇとＣｕ比率の異なる２種類以上のＡｇコートＣｕ粉末を含むようにする導電性樹脂ペースト。
【選択図】図１
Description
本発明は、内部電極を有するセラミック素体に、該内部電極と電気的に導通するように外部電極を設けたセラミック電子部品を製造する際に用いられる樹脂電極層形成用の導電性樹脂ペーストおよびそれを用いて外部電極を形成したセラミック電子部品に関する。
セラミック素体の内部に配設された内部電極と接続する外部電極を備えたセラミック電子部品の中には、導電性ペーストを塗布して焼き付けることにより形成され、内部電極と直接導通する第１導体層（例えば下地電極）と、第１導体層の上に配設された第２導体層（例えば樹脂電極層）を有する外部電極を備えたセラミック電子部品がある。
そして、そのような外部電極の上記第２導体層を形成するのに用いられる導電性ペーストとして、（Ａ）金属粒子と、（Ｂ）熱硬化性樹脂と、（Ｃ）シリコーンゴム粒子およびフッ素ゴム粒子からなる群より選択されるゴム粒子とを含み、上記（Ｂ）の全熱硬化性樹脂の少なくとも７０質量％がエポキシ当量２００〜１５００の２官能エポキシ樹脂である導電性ペースト（導電性樹脂ペースト）が提案されている（特許文献１）。
また、特許文献１には、上記（Ｃ）成分の平均粒子径を１〜６μｍとすることや、上記（Ａ）成分として銀粒子を用いること、さらには、上記（Ａ）成分として、球状銀粒子とフレーク状銀粒子を用い、球状銀粒子とフレーク状銀粒子の比率を３０：７０〜７０：３０とすること、などが開示されている。
しかしながら、上記従来の導電性樹脂ペーストを用いて樹脂電極層（第２導体層）を形成するようにしたセラミック電子部品（例えば積層セラミックコンデンサなど）においては、高温負荷環境で使用した場合に、銀のマイグレーションが発生し、電極間の絶縁抵抗値が低下して、場合によっては短絡を引き起こすおそれがある。
そのため、さらに信頼性の高い樹脂電極層を形成することが可能な導電性樹脂ペーストが望まれているのが実情である。
本発明は、上記課題を解決するものであり、高温環境下で使用された場合にも、導電成分のマイグレーションを引き起こすことがなく、かつ、経時的な比抵抗変化率の小さい樹脂電極層を形成することが可能な導電性樹脂ペースト、および、それを用いて形成した樹脂電極層を備えた、信頼性の高いセラミック電子部品を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明の導電性樹脂ペーストは、
内部電極を備えたセラミック素体に導電性ペーストを塗布して焼き付けることにより形成され、前記内部電極と直接導通する下地電極と、前記下地電極上に形成された樹脂電極層とを備える外部電極の、前記樹脂電極層を形成するために用いられる導電性樹脂ペーストであって、
導電成分と、樹脂成分とを含み、
前記導電成分は少なくともＡｇと、Ｃｕとを含み、かつ、
前記導電成分に含まれる前記Ａｇと前記Ｃｕの合計量に対する前記Ａｇの割合が１１．６〜２８．８質量％の範囲にあること
を特徴としている。
内部電極を備えたセラミック素体に導電性ペーストを塗布して焼き付けることにより形成され、前記内部電極と直接導通する下地電極と、前記下地電極上に形成された樹脂電極層とを備える外部電極の、前記樹脂電極層を形成するために用いられる導電性樹脂ペーストであって、
導電成分と、樹脂成分とを含み、
前記導電成分は少なくともＡｇと、Ｃｕとを含み、かつ、
前記導電成分に含まれる前記Ａｇと前記Ｃｕの合計量に対する前記Ａｇの割合が１１．６〜２８．８質量％の範囲にあること
を特徴としている。
本発明の導電性樹脂ペーストにおいて、前記導電成分は、Ｃｕ粉末の表面の少なくとも一部がＡｇによりコートされたＡｇコートＣｕ粉末からなるものであることが好ましい。
導電成分として、Ｃｕ粉末の表面の少なくとも一部がＡｇによりコートされたＡｇコートＣｕ粉末からなるものを用いることにより、形成される樹脂電極層に含まれる導電成分の耐酸化性を向上させることが可能になり、本発明をより実効あらしめることができる。
また、前記ＡｇコートＣｕ粉末は、形状が異なるＡｇコートＣｕ粉末を含むことが好ましい。
ＡｇコートＣｕ粉末として、例えば、球状や、フレーク状、柱状などの形状が異なるものを用いることにより、形成される樹脂電極層に含まれる導電成分の耐酸化性や導電性を向上させることが可能になる。
また、前記ＡｇコートＣｕ粉末は、球状のＡｇコートＣｕ粉末とフレーク状のＡｇコートＣｕ粉末とを含むことが好ましい。
ＡｇコートＣｕ粉末として、球状のＡｇコートＣｕ粉末とフレーク状のＡｇコートＣｕ粉末を含むものを用いることにより、形成される樹脂電極層に含まれる導電成分の耐酸化性や導電性を向上させることが可能になるとともに、形成される樹脂電極層のめっき付き性を向上させることができる。
また、前記ＡｇコートＣｕ粉末は、ＡｇとＣｕの比率の異なる２種類以上のＡｇコートＣｕ粉末を含むことが好ましい。
ＡｇコートＣｕ粉末として、ＡｇとＣｕの比率の異なる２種類以上のＡｇコートＣｕ粉末を含むものを用いることにより、形成される樹脂電極層に含まれる導電成分の耐酸化性や導電性を向上させることが可能になる。
また、本発明のセラミック電子部品は、
内部電極を備えたセラミック素体と、導電性ペーストを前記セラミック素体に塗布して焼き付けることにより形成され、前記内部電極と直接導通する下地電極と、前記下地電極上に形成された樹脂電極層とを有する外部電極とを備えたセラミック電子部品であって、
前記樹脂電極層が、上記本発明の導電性樹脂ペーストを用いて形成されたものであること
を特徴としている。
内部電極を備えたセラミック素体と、導電性ペーストを前記セラミック素体に塗布して焼き付けることにより形成され、前記内部電極と直接導通する下地電極と、前記下地電極上に形成された樹脂電極層とを有する外部電極とを備えたセラミック電子部品であって、
前記樹脂電極層が、上記本発明の導電性樹脂ペーストを用いて形成されたものであること
を特徴としている。
本発明の導電性樹脂ペーストは、導電成分と、樹脂成分を含み、導電成分は少なくともＡｇと、Ｃｕとを含み、かつ、導電成分に含まれるＡｇとＣｕの合計量に対するＡｇの割合が１１．６〜２８．８質量％の範囲とされているので、この導電性樹脂ペーストを用いて樹脂電極層を形成することにより、Ａｇのマイグレーションを抑制しつつ、高温での経時的な比抵抗変化率の小さい樹脂電極層を形成することが可能になる。
すなわち、導電成分に含まれるＡｇとＣｕの合計量に対するＡｇの割合を２８．８質量％以下にすることで、Ａｇのマイグレーションの発生（目視で確認できるレベル）を抑えることが可能になり、また、導電成分に含まれるＡｇとＣｕの合計量に対するＡｇの割合を１１．６質量％以上にすることで、高温での経時的な比抵抗変化率の上昇を抑えることが可能になる。
また、本発明のセラミック電子部品は、内部電極を備えたセラミック素体と、導電性ペーストをセラミック素体に塗布して焼き付けることにより形成され、内部電極と直接導通する下地電極と、下地電極上に形成された樹脂電極層とを有する外部電極とを備えたセラミック電子部品において、樹脂電極層を、上述の本発明の導電性樹脂ペーストを用いて形成するようにしていることから、Ａｇのマイグレーションが少なく、高温での経時的な比抵抗変化率の小さい樹脂電極層を備えた信頼性の高いセラミック電子部品を提供することが可能になる。
以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
［実施形態１］
図１は、本発明の導電性樹脂ペーストを用いて形成した樹脂電極層を有するセラミック電子部品（この実施形態１では積層セラミックコンデンサ）の構成を模式的に示す断面図である。
図１は、本発明の導電性樹脂ペーストを用いて形成した樹脂電極層を有するセラミック電子部品（この実施形態１では積層セラミックコンデンサ）の構成を模式的に示す断面図である。
この積層セラミックコンデンサは、セラミック素体１０と、セラミック素体１０の内部にセラミック層２を介して積層、配設され、セラミック素体１０の対向する端面１０ａ，１０ｂに交互に引き出された内部電極３ａ，３ｂと、内部電極３ａ，３ｂと導通する一対の外部電極１ａ，１ｂを備えている。
そして、外部電極１ａ，１ｂは、
(ａ)セラミック素体１０の端面１０ａ，１０ｂに形成された下地電極１１ａ，１１ｂと、
(ｂ)下地電極１１ａ，１１ｂ上に形成された樹脂電極層１２ａ，１２ｂと、
(ｃ)樹脂電極層１２ａ，１２ｂを被覆するように形成されためっき金属層１３ａ，１３ｂと、を備えている。
(ａ)セラミック素体１０の端面１０ａ，１０ｂに形成された下地電極１１ａ，１１ｂと、
(ｂ)下地電極１１ａ，１１ｂ上に形成された樹脂電極層１２ａ，１２ｂと、
(ｃ)樹脂電極層１２ａ，１２ｂを被覆するように形成されためっき金属層１３ａ，１３ｂと、を備えている。
なお、上記下地電極１１ａ，１１ｂは、導電成分とバインダーを含む導電性ペーストを塗布して焼き付けることにより形成された電極であり、セラミック素体１０の対向する端面１０ａ，１０ｂに交互に引き出された内部電極３ａ，３ｂと、他の電極などを介さず、直接に導通している。
また、上記樹脂電極層１２ａ，１２ｂは、上述の導電性樹脂ペーストを塗布して硬化させることにより形成された導電成分と樹脂成分とを含む電極層であり、下地電極１１ａ，１１ｂを被覆するように形成されている。
また、樹脂電極層１２ａ，１２ｂ上に形成されためっき金属層１３ａ，１３ｂは、導通性を確保し、かつ、外部電極１ａ，１ｂにはんだ濡れ性（はんだ付き性）を付与する目的で形成されたものであり、この実施形態１では，下地層としてＮｉめっき金属層１４ａ，１４ｂが形成され、その上に，Ｓｎめっき金属層１５ａ，１５ｂが形成されている。
次に、この実施形態１にかかるセラミック電子部品（積層セラミックコンデンサ）を製造する方法について説明する。
[１]セラミック電子部品の作製
(１)まず、内部電極３ａ，３ｂを備えたセラミック素体１０を用意した。セラミック素体１０は，例えば、内部電極パターンが印刷されたセラミックグリーンシートを積層、圧着することにより形成される積層体を、所定の条件で脱脂、焼成することにより作製することができる。ただし、セラミック素体１０の形成方法に特別の制約はない。
(１)まず、内部電極３ａ，３ｂを備えたセラミック素体１０を用意した。セラミック素体１０は，例えば、内部電極パターンが印刷されたセラミックグリーンシートを積層、圧着することにより形成される積層体を、所定の条件で脱脂、焼成することにより作製することができる。ただし、セラミック素体１０の形成方法に特別の制約はない。
この実施形態１では、セラミック素体１０として、以下の条件を備えた、定格電圧が高くＡｇのマイグレーションが発生しやすいセラミック素体を用意した。
（ａ）寸法 ：長さ１．６ｍｍ、幅０．８ｍｍ、厚さ０．８ｍｍ、
（ｂ）定格電圧：５０Ｖ、
（ｃ）静電容量：０．１μＦ、
（ａ）寸法 ：長さ１．６ｍｍ、幅０．８ｍｍ、厚さ０．８ｍｍ、
（ｂ）定格電圧：５０Ｖ、
（ｃ）静電容量：０．１μＦ、
(２)それから、セラミック素体１０の端面１０ａ，１０ｂに、Ｃｕ粉末を導電成分とし、これにバインダーなどを配合して混練することにより調製された導電性ペースト（Ｃｕ電極ペースト）を塗布して焼き付けることにより、下地電極１１ａ，１１ｂを形成した。
(３)次に、下地電極１１ａ，１１ｂ上に、下記の導電性樹脂ペーストを塗布し、１８０〜２３０℃、１０〜６０ｍｉｎの条件で導電性樹脂ペーストを硬化させ、樹脂電極層１２ａ，１２ｂを形成した。
ここで、導電性樹脂ペーストとしては、
（ａ）エポキシ樹脂：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂 ：１０質量％
（ｂ）フェノール系硬化剤：ノボラック型フェノール樹脂 ：１質量％
（ｃ）導電成分（ＡｇコートＣｕ粉末＋Ａｇ粉末） ：６９質量％
（ｄ）硬化促進剤（イミダゾール化合物） ：適量
（ｅ）カップリング剤（シラン系カップリング剤） ：適量
（ｆ）溶剤：ジエチレングリコールモノブチルエーテル ：残
を配合して混練したものを用いた。
（ａ）エポキシ樹脂：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂 ：１０質量％
（ｂ）フェノール系硬化剤：ノボラック型フェノール樹脂 ：１質量％
（ｃ）導電成分（ＡｇコートＣｕ粉末＋Ａｇ粉末） ：６９質量％
（ｄ）硬化促進剤（イミダゾール化合物） ：適量
（ｅ）カップリング剤（シラン系カップリング剤） ：適量
（ｆ）溶剤：ジエチレングリコールモノブチルエーテル ：残
を配合して混練したものを用いた。
ただし、導電成分としては、下記のＡｇコートＣｕ粉末と、Ａｇ粉末を、表１に示すような割合で配合して用いた。
＜ＡｇコートＣｕ粉末＞
球状で、平均粒径Ｄ50が３〜４μｍであり、ＡｇとＣｕの合計量に対するＡｇの割合が２０．９質量％であるＡｇコートＣｕ粉末を用いた。
＜Ａｇ粉末＞
フレーク状で、平均粒径Ｄ50が２．６μｍのＡｇ粉末を用いた。
＜ＡｇコートＣｕ粉末＞
球状で、平均粒径Ｄ50が３〜４μｍであり、ＡｇとＣｕの合計量に対するＡｇの割合が２０．９質量％であるＡｇコートＣｕ粉末を用いた。
＜Ａｇ粉末＞
フレーク状で、平均粒径Ｄ50が２．６μｍのＡｇ粉末を用いた。
(４)上述のようにして下地電極１１ａ，１１ｂと、樹脂電極層１２ａ，１２ｂとを形成したセラミック素体１０に、ＮｉめっきおよびＳｎめっきを行い、樹脂電極層１２ａ，１２ｂの表面に、Ｎｉめっき金属層１４ａ，１４ｂおよびＳｎめっき金属層１５ａ，１５ｂを備えためっき金属層１３ａ，１３ｂを形成した。これにより、図１に示すような構造を有する、表１の試料番号１〜５の積層セラミックコンデンサ（セラミック電子部品）を得た。
なお、表１において試料番号に＊を付した試料（試料番号３，４，５）は本発明の要件を満たさない試料である。
なお、表１において試料番号に＊を付した試料（試料番号３，４，５）は本発明の要件を満たさない試料である。
[２]特性の評価
上述のようにして作製した、表１の試料番号１〜５の試料（下地電極、樹脂電極層、およびめっき金属層の形成を行った、図１に示すような構成を有する積層セラミックコンデンサ）について、以下の方法でＡｇのマイグレーションの発生状態を調べた。
上述のようにして作製した、表１の試料番号１〜５の試料（下地電極、樹脂電極層、およびめっき金属層の形成を行った、図１に示すような構成を有する積層セラミックコンデンサ）について、以下の方法でＡｇのマイグレーションの発生状態を調べた。
マイグレーションの発生状態を評価するにあたっては、試料（積層セラミックコンデンサ）を基板に実装した後、１７５℃で外部電極間に７０Ｖの電圧を印加し、５００ｈまたは１０００ｈ保持する処理を施した後、試料の表面のマイグレーションの発生状態をデジタルマイクロスコープで観察し、Ａｇのマイグレーションの発生が認められた試料の数と、評価に供した試料の数の関係から、下記の式（１）より、マイグレーションの発生率を求めた。その結果を、表１に併せて示す。
マイグレーションの発生率（％）＝（Ａｇのマイグレーションの発生が認められた試料数／評価に供した試料数）×１００ ……（１）
マイグレーションの発生率（％）＝（Ａｇのマイグレーションの発生が認められた試料数／評価に供した試料数）×１００ ……（１）
また、外部電極を断面研磨し、樹脂電極中のＡｇおよびＣｕを定量分析し、導電成分に含まれるＡｇとＣｕの合計量に対するＡｇの割合を求めた。その結果を、表１に併せて示す。
さらに、表１の試料番号１〜５の試料を作製するのに用いた各導電性樹脂ペーストについて、以下の方法で、比抵抗変化率を求めた。
比抵抗変化率を求めるにあたっては、スライドガラス板上に、長さ約２０ｃｍ、幅約０．１ｃｍ、高さ約５０μｍとなるように上述の導電性樹脂ペースト（表１の試料番号１〜５の試料を作製するのに用いた導電性樹脂ペースト）を塗布して塗膜を形成し、約２００℃の温度で硬化させた。
そして、硬化した塗膜（硬化物）の抵抗を測定し比抵抗を求めた。この比抵抗を初期比抵抗とした。
それから、上記の硬化した塗膜（硬化物）を１７５℃、７日間の条件で放置（高温放置）した後、同様にして硬化物の比抵抗を求めた。これを高温放置後比抵抗とした。
比抵抗変化率を求めるにあたっては、スライドガラス板上に、長さ約２０ｃｍ、幅約０．１ｃｍ、高さ約５０μｍとなるように上述の導電性樹脂ペースト（表１の試料番号１〜５の試料を作製するのに用いた導電性樹脂ペースト）を塗布して塗膜を形成し、約２００℃の温度で硬化させた。
そして、硬化した塗膜（硬化物）の抵抗を測定し比抵抗を求めた。この比抵抗を初期比抵抗とした。
それから、上記の硬化した塗膜（硬化物）を１７５℃、７日間の条件で放置（高温放置）した後、同様にして硬化物の比抵抗を求めた。これを高温放置後比抵抗とした。
初期比抵抗と高温放置後比抵抗から、下記の式（２）により、比抵抗変化率を求めた。
比抵抗変化率（％）＝｛（高温放置後比抵抗−初期比抵抗）／初期比抵抗｝×１００ ……（２）
なお、この比抵抗変化率は、例えば、その値が９００％以下である場合は、合格と判定されるような特性である。
比抵抗変化率（％）＝｛（高温放置後比抵抗−初期比抵抗）／初期比抵抗｝×１００ ……（２）
なお、この比抵抗変化率は、例えば、その値が９００％以下である場合は、合格と判定されるような特性である。
各導電性樹脂ペーストについて、上述のようにして調べた比抵抗変化率の値を表１に併せて示す。
表１に示すように、導電成分に含まれるＡｇとＣｕの合計量に対するＡｇの割合が３６．７質量％以上である、試料番号３，４および５の試料（すなわち、Ａｇの割合が２８．８質量％を超えた、本発明の要件を備えていない試料）においてはＡｇのマイグレーションが発生することが確認された。
これに対し、導電成分に含まれるＡｇとＣｕの合計量に対するＡｇの割合が２８．８質量％以下である、試料番号１および２の試料（本発明の要件を備えている試料）においては、５００時間経過後はもちろん、１０００時間経過後もＡｇのマイグレーションは発生しないことが確認された。
これに対し、導電成分に含まれるＡｇとＣｕの合計量に対するＡｇの割合が２８．８質量％以下である、試料番号１および２の試料（本発明の要件を備えている試料）においては、５００時間経過後はもちろん、１０００時間経過後もＡｇのマイグレーションは発生しないことが確認された。
また、試料番号１〜５の試料で用いたいずれの導電性樹脂ペーストの場合も、比抵抗変化率は９００％以下で、特に問題がないことが確認された。
［実施形態２］
この実施形態２では、以下に説明する導電性樹脂ペーストを用いたことを除いて、上述の実施形態１の場合と同じ方法および条件で、表２の試料番号１１〜１６の試料（実施形態１と同じ構成を有する積層セラミックコンデンサ）を作製した。
なお、表２において試料番号に＊を付した試料（試料番号１１，１２）は本発明の要件を満たさない試料である。
この実施形態２では、以下に説明する導電性樹脂ペーストを用いたことを除いて、上述の実施形態１の場合と同じ方法および条件で、表２の試料番号１１〜１６の試料（実施形態１と同じ構成を有する積層セラミックコンデンサ）を作製した。
なお、表２において試料番号に＊を付した試料（試料番号１１，１２）は本発明の要件を満たさない試料である。
＜導電性樹脂ペーストの組成＞
（ａ）エポキシ樹脂：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂 ：１０質量％
（ｂ）フェノール系硬化剤：ノボラック型フェノール樹脂 ：１質量％
（ｃ）導電成分（ＡｇコートＣｕ粉末） ：６９質量％
（ｄ）硬化促進剤（イミダゾール化合物） ：適量
（ｅ）カップリング剤（シラン系カップリング剤） ：適量
（ｆ）溶剤：ジエチレングリコールモノブチルエーテル ：残
を配合して混練したものを用いた。
（ａ）エポキシ樹脂：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂 ：１０質量％
（ｂ）フェノール系硬化剤：ノボラック型フェノール樹脂 ：１質量％
（ｃ）導電成分（ＡｇコートＣｕ粉末） ：６９質量％
（ｄ）硬化促進剤（イミダゾール化合物） ：適量
（ｅ）カップリング剤（シラン系カップリング剤） ：適量
（ｆ）溶剤：ジエチレングリコールモノブチルエーテル ：残
を配合して混練したものを用いた。
ただし、上記導電成分としては、球状で、平均粒径Ｄ50が１．１μｍであり、ＡｇとＣｕの合計量に対するＡｇの割合を、１０．０質量％（試料番号１１）、１０．９質量％（試料番号１２）、１１．６質量％（試料番号１３）、１３．３質量％（試料番号１４）、１５．０質量％（試料番号１５）、１９．７質量％（試料番号１６）と異ならせた６種類のＡｇコートＣｕ粉末を用いた。
そして、実施形態１の場合と同じ方法で、Ａｇのマイグレーションの発生状態を調べた。その結果を表２に併せて示す。
また、この実施形態２で用いた各導電性樹脂ペーストを、実施形態１の場合と同じ方法で、スライドガラス板上に塗布して硬化させた硬化物について、実施形態１の場合と同じ方法で、比抵抗変化率を調べた。その結果を表２に併せて示す。
表２に示すように、導電成分に含まれるＡｇとＣｕの合計量に対するＡｇの割合が１０．０および１０．９質量％である、本発明の要件を満たさない試料（試料番号１１，１２の試料）を含めて、試料番号１１〜１６のいずれの試料においても、５００時間経過後はもちろん、１０００時間経過後もＡｇのマイグレーションは発生しないことが確認された。
また、表２の試料番号１３〜１６の試料で用いた導電性樹脂ペースト（本発明の要件を満たす導電性樹脂ペースト）の場合、比抵抗変化率が３１０〜８８０％の範囲にあり、特に問題がないことが確認された。
しかし、導電成分に含まれるＡｇとＣｕの合計量に対するＡｇの割合が１０．０質量％である試料番号１１で用いた導電性樹脂ペースト、および、ＡｇとＣｕの合計量に対するＡｇの割合が１０．９質量％である試料番号１２で用いた導電性樹脂ペースト（本発明の要件を満たさない導電性樹脂ペースト）の場合、比抵抗変化率が１１３８％、９８２％と大きくなるため、好ましくないことが確認された。
［実施形態３］
この実施形態３では、以下に説明する導電性樹脂ペーストを用いたことを除いて、上述の実施形態１の場合と同じ方法および条件で、表３の試料番号２１〜２４の試料（実施形態１と同じ構成を有する積層セラミックコンデンサ）を作製した。
この実施形態３では、以下に説明する導電性樹脂ペーストを用いたことを除いて、上述の実施形態１の場合と同じ方法および条件で、表３の試料番号２１〜２４の試料（実施形態１と同じ構成を有する積層セラミックコンデンサ）を作製した。
＜導電性樹脂ペーストの組成＞
（ａ）エポキシ樹脂：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂 ：１０質量％
（ｂ）フェノール系硬化剤：ノボラック型フェノール樹脂 ：１質量％
（ｃ）導電成分(ＡｇコートＣｕ粉末２種類を配合して使用)：６９質量％
（ｄ）硬化促進剤（イミダゾール化合物） ：適量
（ｅ）カップリング剤（シラン系カップリング剤） ：適量
（ｆ）溶剤：ジエチレングリコールモノブチルエーテル ：残
を配合して混練したものを用いた。
（ａ）エポキシ樹脂：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂 ：１０質量％
（ｂ）フェノール系硬化剤：ノボラック型フェノール樹脂 ：１質量％
（ｃ）導電成分(ＡｇコートＣｕ粉末２種類を配合して使用)：６９質量％
（ｄ）硬化促進剤（イミダゾール化合物） ：適量
（ｅ）カップリング剤（シラン系カップリング剤） ：適量
（ｆ）溶剤：ジエチレングリコールモノブチルエーテル ：残
を配合して混練したものを用いた。
上記導電成分としては、以下の第１のＡｇコートＣｕ粉末と、第２のＡｇコートＣｕ粉末とを、表３に示すような割合で配合して用いた。
＜第１のＡｇコートＣｕ粉末＞
第１のＡｇコートＣｕ粉末として、球状で、平均粒径Ｄ50が１．２μｍ、ＡｇとＣｕの合計量に対するＡｇの割合（Ａｇコート率）が２０．６質量％のＡｇコートＣｕ粉末を用いた。
＜第２のＡｇコートＣｕ粉末＞
第２のＡｇコートＣｕ粉末として、フレーク状で、平均粒径Ｄ50が６．７μｍ、ＡｇとＣｕの合計量に対するＡｇの割合（Ａｇコート率）が１９．４質量％のＡｇコートＣｕ粉末を用いた。
＜第１のＡｇコートＣｕ粉末＞
第１のＡｇコートＣｕ粉末として、球状で、平均粒径Ｄ50が１．２μｍ、ＡｇとＣｕの合計量に対するＡｇの割合（Ａｇコート率）が２０．６質量％のＡｇコートＣｕ粉末を用いた。
＜第２のＡｇコートＣｕ粉末＞
第２のＡｇコートＣｕ粉末として、フレーク状で、平均粒径Ｄ50が６．７μｍ、ＡｇとＣｕの合計量に対するＡｇの割合（Ａｇコート率）が１９．４質量％のＡｇコートＣｕ粉末を用いた。
この実施形態３では、第１のＡｇコートＣｕ粉末と第２のＡｇコートＣｕ粉末を、質量比で１００：０（試料番号２１）、７０：３０（試料番号２２）、６０：４０（試料番号２３）、５０：５０（試料番号２４）の割合で配合して用いた。
この実施形態３の各試料（試料番号２１〜２４）は、ＡｇとＣｕの合計量に対するＡｇの割合が２０．０〜２０．６質量％の範囲にある、本発明の要件を備えた試料である。
試料番号２１〜２４の各試料について、実施形態１の場合と同じ方法で、Ａｇのマイグレーションの発生状態を調べた。その結果を表３に併せて示す。
また、実施形態３で用いた導電性樹脂ペーストを、実施形態１の場合と同じ方法で、スライドガラス板上に塗布して硬化させた硬化物について、実施形態１の場合と同じ方法で、比抵抗変化率を調べた。その結果を表３に併せて示す。
表３に示すように、第１のＡｇコートＣｕ粉末と、第２のＡｇコートＣｕ粉末とを所定の割合配合して用いた、表３の試料番号２２〜２４の試料の場合、５００時間経過後はもちろん、１０００時間経過後もＡｇのマイグレーションは発生しないことが確認された。
また、第１のＡｇコートＣｕ粉末のみを用いた表３の試料番号２１の試料の場合もＡｇのマイグレーションは発生しないことが確認された。
また、第１のＡｇコートＣｕ粉末のみを用いた表３の試料番号２１の試料の場合もＡｇのマイグレーションは発生しないことが確認された。
また、表３の試料番号２１〜２４の試料で用いた導電性樹脂ペーストの場合、比抵抗変化率が１５３〜２１５％の範囲にあり、特に問題がないことが確認された。
なお、上記実施形態では、積層セラミックコンデンサを例にとって説明したが，本発明は、積層セラミックコンデンサに限らず、下地電極と、樹脂電極層とを備えた外部電極を有する種々のセラミック電子部品に適用することが可能である。
本発明は、さらにその他の点においても上記実施形態に限定されるものではなく、下地電極を構成する電極材料やセラミック素体を構成するセラミック材料の種類などに関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
１ａ，１ｂ 外部電極
２ セラミック層
３ａ，３ｂ 内部電極
１０ セラミック素体
１０ａ，１０ｂ セラミック素体の端面
１１ａ，１１ｂ 下地電極
１２ａ，１２ｂ 樹脂電極層
１３ａ，１３ｂ めっき金属層
１４ａ，１４ｂ Ｎｉめっき金属層
１５ａ，１５ｂ Ｓｎめっき金属層
２ セラミック層
３ａ，３ｂ 内部電極
１０ セラミック素体
１０ａ，１０ｂ セラミック素体の端面
１１ａ，１１ｂ 下地電極
１２ａ，１２ｂ 樹脂電極層
１３ａ，１３ｂ めっき金属層
１４ａ，１４ｂ Ｎｉめっき金属層
１５ａ，１５ｂ Ｓｎめっき金属層
Claims (6)
- 内部電極を備えたセラミック素体に導電性ペーストを塗布して焼き付けることにより形成され、前記内部電極と直接導通する下地電極と、前記下地電極上に形成された樹脂電極層とを備える外部電極の、前記樹脂電極層を形成するために用いられる導電性樹脂ペーストであって、
導電成分と、樹脂成分とを含み、
前記導電成分は少なくともＡｇと、Ｃｕとを含み、かつ、
前記導電成分に含まれる前記Ａｇと前記Ｃｕの合計量に対する前記Ａｇの割合が１１．６〜２８．８質量％の範囲にあること
を特徴とする導電性樹脂ペースト。 - 前記導電成分は、Ｃｕ粉末の表面の少なくとも一部がＡｇによりコートされたＡｇコートＣｕ粉末からなるものであることを特徴とする請求項１記載の導電性樹脂ペースト。
- 前記ＡｇコートＣｕ粉末は、形状が異なるＡｇコートＣｕ粉末を含むことを特徴とする請求項２記載の導電性樹脂ペースト。
- 前記ＡｇコートＣｕ粉末は、球状のＡｇコートＣｕ粉末とフレーク状のＡｇコートＣｕ粉末とを含むことを特徴とする請求項２または３のいずれかに記載の導電性樹脂ペースト。
- 前記ＡｇコートＣｕ粉末は、ＡｇとＣｕの比率の異なる２種類以上のＡｇコートＣｕ粉末を含むことを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載の導電性樹脂ペースト。
- 内部電極を備えたセラミック素体と、導電性ペーストを前記セラミック素体に塗布して焼き付けることにより形成され、前記内部電極と直接導通する下地電極と、前記下地電極上に形成された樹脂電極層とを有する外部電極とを備えたセラミック電子部品であって、
前記樹脂電極層が、請求項１〜５のいずれかに記載の導電性樹脂ペーストを用いて形成されたものであること
を特徴とする特徴とするセラミック電子部品。
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