JP2015512959A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015512959A5 JP2015512959A5 JP2014555353A JP2014555353A JP2015512959A5 JP 2015512959 A5 JP2015512959 A5 JP 2015512959A5 JP 2014555353 A JP2014555353 A JP 2014555353A JP 2014555353 A JP2014555353 A JP 2014555353A JP 2015512959 A5 JP2015512959 A5 JP 2015512959A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- group
- composition according
- ruthenium
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 26
- 239000005092 Ruthenium Substances 0.000 claims 12
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 12
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 12
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 10
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims 10
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims 10
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 6
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims 5
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N Tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 125000004432 carbon atoms Chemical group C* 0.000 claims 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052803 cobalt Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 4
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 claims 4
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 4
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 4
- TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N nitride(3-) Chemical compound [N-3] TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 125000006353 oxyethylene group Chemical group 0.000 claims 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims 4
- -1 ruthenium tungsten Chemical compound 0.000 claims 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- UNXHWFMMPAWVPI-QWWZWVQMSA-N D-Threitol Natural products OC[C@@H](O)[C@H](O)CO UNXHWFMMPAWVPI-QWWZWVQMSA-N 0.000 claims 3
- 125000004948 alkyl aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims 3
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 claims 3
- 150000003573 thiols Chemical group 0.000 claims 3
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N (E)-but-2-enedioate;hydron Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 claims 2
- 229960004308 ACETYLCYSTEINE Drugs 0.000 claims 2
- 210000003229 CMP Anatomy 0.000 claims 2
- 229960002433 Cysteine Drugs 0.000 claims 2
- RWSXRVCMGQZWBV-WDSKDSINSA-N Glutathione Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(=O)N[C@@H](CS)C(=O)NCC(O)=O RWSXRVCMGQZWBV-WDSKDSINSA-N 0.000 claims 2
- 229960003180 Glutathione Drugs 0.000 claims 2
- 108010024636 Glutathione Proteins 0.000 claims 2
- PWKSKIMOESPYIA-BYPYZUCNSA-N L-N-acetyl-Cysteine Chemical compound CC(=O)N[C@@H](CS)C(O)=O PWKSKIMOESPYIA-BYPYZUCNSA-N 0.000 claims 2
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-cysteine Chemical compound SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 claims 2
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N Thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid Chemical compound OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 claims 2
- 125000005119 alkyl cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims 2
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 claims 2
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 claims 2
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims 2
- 125000001316 cycloalkyl alkyl group Chemical group 0.000 claims 2
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims 2
- 125000004367 cycloalkylaryl group Chemical group 0.000 claims 2
- 235000018417 cysteine Nutrition 0.000 claims 2
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 claims 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 2
- 125000005702 oxyalkylene group Chemical group 0.000 claims 2
- 125000001424 substituent group Chemical class 0.000 claims 2
- 125000002813 thiocarbonyl group Chemical group *C(*)=S 0.000 claims 2
- 239000001124 (E)-prop-1-ene-1,2,3-tricarboxylic acid Substances 0.000 claims 1
- PSZAEHPBBUYICS-UHFFFAOYSA-N 2-methylidenepropanedioic acid Chemical compound OC(=O)C(=C)C(O)=O PSZAEHPBBUYICS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229940091181 Aconitic Acid Drugs 0.000 claims 1
- GTZCVFVGUGFEME-UHFFFAOYSA-N Aconitic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)=CC(O)=O GTZCVFVGUGFEME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 claims 1
- HNEGQIOMVPPMNR-IHWYPQMZSA-N Citraconic acid Chemical compound OC(=O)C(/C)=C\C(O)=O HNEGQIOMVPPMNR-IHWYPQMZSA-N 0.000 claims 1
- 229960003067 Cystine Drugs 0.000 claims 1
- 229940009714 Erythritol Drugs 0.000 claims 1
- 239000004386 Erythritol Substances 0.000 claims 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N Itaconic acid Chemical compound OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- LEVWYRKDKASIDU-IMJSIDKUSA-N L-cystine zwitterion Chemical compound [O-]C(=O)[C@@H]([NH3+])CSSC[C@H]([NH3+])C([O-])=O LEVWYRKDKASIDU-IMJSIDKUSA-N 0.000 claims 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N Maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- HNEGQIOMVPPMNR-NSCUHMNNSA-N Mesaconic acid Chemical compound OC(=O)C(/C)=C/C(O)=O HNEGQIOMVPPMNR-NSCUHMNNSA-N 0.000 claims 1
- KQTIIICEAUMSDG-UHFFFAOYSA-N Propane-1,2,3-tricarboxylic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)CC(O)=O KQTIIICEAUMSDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QMKYBPDZANOJGF-UHFFFAOYSA-N Trimesic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=CC(C(O)=O)=C1 QMKYBPDZANOJGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims 1
- GGAUUQHSCNMCAU-UHFFFAOYSA-N butane-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)C(C(O)=O)CC(O)=O GGAUUQHSCNMCAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 claims 1
- 229940018557 citraconic acid Drugs 0.000 claims 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims 1
- 235000019414 erythritol Nutrition 0.000 claims 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N fumaric acid Chemical compound OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 claims 1
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 claims 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid group Chemical group C(\C=C/C(=O)O)(=O)O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 claims 1
- XYGGIQVMMDMTKB-UHFFFAOYSA-N pentane-1,2,3,4,5-pentacarboxylic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)C(C(O)=O)C(C(O)=O)CC(O)=O XYGGIQVMMDMTKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims 1
- CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N pyromellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=C1C(O)=O CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N trimellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Claims (31)
- (A)少なくとも1つのチオール(−SH)、チオエーテル(−SR1)またはチオカルボニル(>C=S)基(式中、R1は、アルキル、アリール、アルキルアリールまたはアリールアルキルである)を含む少なくとも1種の化合物、
(B)エリスリトール、トレイトール、もしくはその立体異性体、またはこれらの混合物、
(C)水性媒体
を含む、ポスト化学機械研磨(ポストCMP)洗浄組成物。 - 化合物(A)が、少なくとも1つのチオール(−SH)、チオエーテル(−SR1)、またはチオカルボニル(>C=S)基および少なくとも1つのアミノ(−NH2、−NHR2、または−NR3R4)基(式中、R1、R2、R3およびR4は、(互いに独立して)アルキル、アリール、アルキルアリールまたはアリールアルキルである)を含む化合物である、請求項1に記載の組成物。
- 化合物(A)が、チオウレアまたはその誘導体である、請求項2に記載の組成物。
- 化合物(A)が、少なくとも1つのチオール(−SH)もしくはチオエーテル(−SR1)基を含むアミノ酸、またはこのアミノ酸の誘導体(式中、R1は、アルキル、アリール、アルキルアリールまたはアリールアルキルである)である、請求項2に記載の組成物。
- 化合物(A)が、システイン、シスチン、グルタチオン、N−アセチルシステイン、またはその誘導体である、請求項4に記載の組成物。
- 少なくとも1種の金属キレート剤(D)をさらに含む、請求項1から5のいずれか一項に記載の組成物。
- プロパン−1,2,3−トリカルボン酸、クエン酸、ブタン−1,2,3,4−テトラカルボン酸、ペンタン−1,2,3,4,5−ペンタカルボン酸、トリメリト酸、トリメシン酸、ピロメリト酸、メリト酸ならびにオリゴマー性およびポリマー性ポリカルボン酸からなる群から選択される少なくとも1種の金属キレート剤(D)をさらに含む、請求項1から5のいずれか一項に記載の組成物。
- 少なくとも1種の界面活性剤(E)をさらに含む、請求項1から8のいずれか一項に記載の組成物。
- (E1)(e11)5〜20個の炭素原子を有する分枝のアルキル基からなる群から選択される少なくとも1つの疎水基、および
(e12)オキシエチレンモノマー単位からなる少なくとも1つの親水基
を有する、両親媒性非イオン性の水溶性または水分散性界面活性剤;
(E2)(e21)5〜20個の炭素原子を有する分枝のアルキル基からなる群から選択される少なくとも1つの疎水基、ならびに
(e22)(e221)オキシエチレンモノマー単位、および
(e222)少なくとも1種類の置換オキシアルキレンモノマー単位(この置換基は、アルキル、シクロアルキル、アリール、アルキル−シクロアルキル、アルキル−アリール、シクロアルキル−アリールおよびアルキル−シクロアルキル−アリール基からなる群から選択される)
を含むポリオキシアルキレン基からなる群から選択される少なくとも1つの親水基であって、
(e22)の前記ポリオキシアルキレン基が、ランダム、交互、勾配および/またはブロック状の分布でモノマー単位(e221)および(e222)を含有する親水基
を有する、両親媒性非イオン性の水溶性または水分散性界面活性剤;ならびに
(E3)両親媒性非イオン性の水溶性または水分散性アルキルポリグルコシド界面活性剤
からなる群から選択される少なくとも1種の界面活性剤(E)をさらに含む、請求項1から8のいずれか一項に記載の組成物。 - マイクロエレクトロニクスデバイスを製造するのに有用な半導体基板の表面から残留物および汚染物質を除去するために、請求項1から9のいずれか一項に記載のポストCMP洗浄組成物を使用する方法。
- ポストCMP洗浄組成物が、4〜8の範囲のpH値を有する、請求項10に記載の方法。
- 残留物および汚染物質が、ベンゾトリアゾールまたはその誘導体を含み、表面が銅含有表面である、請求項10に記載の方法。
- 化学機械研磨後、洗浄組成物が、
−銅を含有する、または銅からなる導電層、
−低kまたは超低k誘電体材料からなる電気絶縁性誘電層、および
−タンタル、窒化タンタル、窒化チタン、コバルト、ニッケル、マンガン、ルテニウム、窒化ルテニウム、炭化ルテニウム、または窒化ルテニウムタングステンを含有する、またはこれらからなるバリア層
を含む半導体基板の表面から、残留物および汚染物質を除去するために使用される、請求項10に記載の方法。 - 半導体基板を、請求項1から9のいずれか一項に記載のポストCMP洗浄組成物と少なくとも1回接触させることにより、半導体基板の表面から残留物および汚染物質を除去する工程を含む、半導体基板からマイクロエレクトロニクスデバイスを製造するための方法。
- 洗浄組成物が、4〜8の範囲のpH値を有する、請求項14に記載の方法。
- 残留物および汚染物質がベンゾトリアゾールまたはその誘導体を含み、表面が銅含有表面である、請求項14に記載の方法。
- 半導体基板が、
−銅を含有する、または銅からなる導電層、
−低kまたは超低k誘電体材料からなる電気絶縁性誘電層、および
−タンタル、窒化タンタル、窒化チタン、コバルト、ニッケル、マンガン、ルテニウム、窒化ルテニウム、炭化ルテニウム、または窒化ルテニウムタングステンを含有する、またはこれらからなるバリア層
を含む、請求項14に記載の方法。 - (A)システイン、グルタチオン、N−アセチルシステイン、チオウレアまたはその誘導体、
(L)少なくとも1種のオリゴマー性またはポリマー性ポリカルボン酸、および
(C)水性媒体
を含む、ポスト化学機械研磨(ポストCMP)洗浄組成物。 - (L)が、アクリル酸モノマー単位を含有するオリゴマー性またはポリマー性ポリカルボン酸である、請求項18に記載の組成物。
- (L)が、少なくとも20個のカルボン酸基を有する、オリゴマー性またはポリマー性ポリカルボン酸である、請求項18に記載の組成物。
- オリゴマー性またはポリマー性ポリカルボン酸(L)の質量平均分子量が、ゲル浸透クロマトグラフィーで求めた場合、2,000ダルトン超である、請求項18に記載の組成物。
- (L)が、
(i)アクリル酸モノマー単位、および
(ii)フマル酸、マレイン酸、イタコン酸、アコニット酸、メサコン酸、シトラコン酸、メチレンマロン酸または無水マレイン酸から誘導されるモノマー単位
を含有するコポリマーであるオリゴマー性またはポリマー性ポリカルボン酸である、請求項18に記載の組成物。 - (L)が、マレイン酸/アクリル酸コポリマーである、オリゴマー性またはポリマー性ポリカルボン酸である、請求項18に記載の組成物。
- 少なくとも1種の界面活性剤(E)をさらに含む、請求項18から23のいずれか一項に記載の組成物。
- (E1)(e11)5〜20個の炭素原子を有する分枝のアルキル基からなる群から選択される少なくとも1つの疎水基、および
(e12)オキシエチレンモノマー単位からなる少なくとも1つの親水基
を有する両親媒性非イオン性の水溶性または水分散性界面活性剤;
(E2)(e21)5〜20個の炭素原子を有する分枝のアルキル基からなる群から選択される少なくとも1つの疎水基、ならびに
(e22)(e221)オキシエチレンモノマー単位、および
(e222)少なくとも1種類の置換オキシアルキレンモノマー単位(この置換基は、アルキル、シクロアルキル、アリール、アルキル−シクロアルキル、アルキル−アリール、シクロアルキル−アリールおよびアルキル−シクロアルキル−アリール基からなる群から選択される)
を含むポリオキシアルキレン基からなる群から選択される少なくとも1つの親水基であって、
(e22)の前記ポリオキシアルキレン基が、ランダム、交互、勾配および/またはブロック状の分布でモノマー単位(e221)および(e222)を含有する親水基
を有する、両親媒性非イオン性の水溶性または水分散性界面活性剤;ならびに
(E3)両親媒性非イオン性の水溶性または水分散性アルキルポリグルコシド界面活性剤
からなる群から選択される少なくとも1種の界面活性剤(E)をさらに含む、請求項18から23のいずれか一項に記載の組成物。 - マイクロエレクトロニクスデバイスを製造するのに有用な半導体基板の表面から残留物および汚染物質を除去するために、請求項18から25のいずれか一項に記載のポストCMP洗浄組成物を使用する方法。
- 残留物および汚染物質が、ベンゾトリアゾールまたはその誘導体を含み、表面が銅含有表面である、請求項26に記載の方法。
- 化学機械研磨後に、洗浄組成物が、
−銅を含有する、または銅からなる導電層、
−低kまたは超低k誘電体材料からなる電気絶縁性誘電層、および
−タンタル、窒化タンタル、窒化チタン、コバルト、ニッケル、マンガン、ルテニウム、窒化ルテニウム、炭化ルテニウム、または窒化ルテニウムタングステンを含有する、またはこれらからなるバリア層
を含む半導体基板の表面から残留物および汚染物質を除去するために使用される、請求項26に記載の方法。 - 半導体基板を、請求項18から25のいずれか一項に記載のポストCMP洗浄組成物に少なくとも1回接触させることにより、半導体基板の表面から残留物および汚染物質を除去する工程を含む、半導体基板からマイクロエレクトロニクスデバイスを製造するための方法。
- 残留物および汚染物質が、ベンゾトリアゾールまたはその誘導体を含み、表面が銅含有表面である、請求項29に記載の方法。
- 半導体基板が、
−銅を含有する、または銅からなる導電層、
−低kまたは超低k誘電体材料からなる電気絶縁性誘電層、および
−タンタル、窒化タンタル、窒化チタン、コバルト、ニッケル、マンガン、ルテニウム、窒化ルテニウム、炭化ルテニウム、または窒化ルテニウムタングステンを含有するまたはこれらからなるバリア層
を含む、請求項29に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261595180P | 2012-02-06 | 2012-02-06 | |
US61/595,180 | 2012-02-06 | ||
PCT/IB2013/050625 WO2013118013A1 (en) | 2012-02-06 | 2013-01-24 | A post chemical-mechanical-polishing (post-cmp) cleaning composition comprising a specific sulfur-containing compound and a sugar alcohol or a polycarboxylic acid |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017117450A Division JP6577526B2 (ja) | 2012-02-06 | 2017-06-15 | 特定の硫黄含有化合物および糖アルコールまたはポリカルボン酸を含む、ポスト化学機械研磨(ポストcmp)洗浄組成物 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015512959A JP2015512959A (ja) | 2015-04-30 |
JP2015512959A5 true JP2015512959A5 (ja) | 2016-03-03 |
JP6231017B2 JP6231017B2 (ja) | 2017-11-15 |
Family
ID=48946959
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014555353A Active JP6231017B2 (ja) | 2012-02-06 | 2013-01-24 | 特定の硫黄含有化合物および糖アルコールまたはポリカルボン酸を含む、ポスト化学機械研磨(ポストcmp)洗浄組成物 |
JP2017117450A Active JP6577526B2 (ja) | 2012-02-06 | 2017-06-15 | 特定の硫黄含有化合物および糖アルコールまたはポリカルボン酸を含む、ポスト化学機械研磨(ポストcmp)洗浄組成物 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017117450A Active JP6577526B2 (ja) | 2012-02-06 | 2017-06-15 | 特定の硫黄含有化合物および糖アルコールまたはポリカルボン酸を含む、ポスト化学機械研磨(ポストcmp)洗浄組成物 |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9458415B2 (ja) |
EP (2) | EP2812422B1 (ja) |
JP (2) | JP6231017B2 (ja) |
KR (1) | KR102050704B1 (ja) |
CN (1) | CN104093824B (ja) |
IL (1) | IL233665B (ja) |
MY (1) | MY171165A (ja) |
RU (1) | RU2631870C2 (ja) |
SG (1) | SG11201404613VA (ja) |
TW (2) | TWI580775B (ja) |
WO (1) | WO2013118013A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10926201B2 (en) * | 2012-02-12 | 2021-02-23 | Ide Technologies Ltd. | Integrated unit for intake and pretreatment with local backwashing |
SG11201804636YA (en) | 2015-12-22 | 2018-07-30 | Basf Se | Composition for post chemical-mechanical-polishing cleaning |
TWI673357B (zh) * | 2016-12-14 | 2019-10-01 | 美商卡博特微電子公司 | 自化學機械平坦化基板移除殘留物之組合物及方法 |
CN110234719A (zh) * | 2017-01-18 | 2019-09-13 | 恩特格里斯公司 | 用于从表面去除氧化铈粒子的组合物和方法 |
KR20200058428A (ko) | 2017-10-10 | 2020-05-27 | 미쯔비시 케미컬 주식회사 | 세정액, 세정 방법 및 반도체 웨이퍼의 제조 방법 |
US11446708B2 (en) * | 2017-12-04 | 2022-09-20 | Entegris, Inc. | Compositions and methods for reducing interaction between abrasive particles and a cleaning brush |
JP7211298B2 (ja) * | 2019-07-24 | 2023-01-24 | Jsr株式会社 | 洗浄用組成物及びその製造方法 |
JP7467188B2 (ja) | 2020-03-24 | 2024-04-15 | キオクシア株式会社 | Cmp方法及びcmp用洗浄剤 |
KR20220061628A (ko) * | 2020-11-06 | 2022-05-13 | 주식회사 케이씨텍 | 연마 입자 용해용 조성물 및 이를 이용한 세정 방법 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MY114292A (en) * | 1989-10-26 | 2002-09-30 | Momentive Performance Mat Jp | Method for removing residual liquid cleaning agent using a rinsing composition containing a polyorganosiloxane |
JP2003013266A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-15 | Wako Pure Chem Ind Ltd | 基板洗浄剤 |
JP4221191B2 (ja) | 2002-05-16 | 2009-02-12 | 関東化学株式会社 | Cmp後洗浄液組成物 |
KR20060014388A (ko) * | 2003-05-02 | 2006-02-15 | 이케이씨 테크놀로지, 인코포레이티드 | 반도체 공정에서의 에칭후 잔류물의 제거 방법 |
US7087564B2 (en) | 2004-03-05 | 2006-08-08 | Air Liquide America, L.P. | Acidic chemistry for post-CMP cleaning |
JP5600376B2 (ja) | 2005-01-27 | 2014-10-01 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 半導体基材の処理のための組成物 |
KR101088568B1 (ko) * | 2005-04-19 | 2011-12-05 | 아반토르 퍼포먼스 머티리얼스, 인크. | 갈바닉 부식을 억제하는 비수성 포토레지스트 스트립퍼 |
JP4667147B2 (ja) * | 2005-07-15 | 2011-04-06 | 株式会社トクヤマ | 基板洗浄液 |
TW200734448A (en) | 2006-02-03 | 2007-09-16 | Advanced Tech Materials | Low pH post-CMP residue removal composition and method of use |
JP4732948B2 (ja) | 2006-05-01 | 2011-07-27 | 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ | 送信装置および受信装置並びにランダムアクセス制御方法 |
CN101130876B (zh) * | 2006-08-25 | 2012-02-29 | 安集微电子(上海)有限公司 | 用于半导体制程中的金属防腐蚀清洗液 |
US20080139436A1 (en) * | 2006-09-18 | 2008-06-12 | Chris Reid | Two step cleaning process to remove resist, etch residue, and copper oxide from substrates having copper and low-K dielectric material |
JP2010535422A (ja) * | 2007-08-02 | 2010-11-18 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | マイクロ電子デバイスから残渣を除去するための非フッ化物含有組成物 |
JP2009071165A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体デバイス用基板洗浄液 |
JP2009099945A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-05-07 | Fujifilm Corp | 半導体デバイス用洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法 |
US20090130849A1 (en) * | 2007-10-29 | 2009-05-21 | Wai Mun Lee | Chemical mechanical polishing and wafer cleaning composition comprising amidoxime compounds and associated method for use |
WO2009058273A1 (en) * | 2007-10-29 | 2009-05-07 | Ekc Technology, Inc. | Stabilization of hydroxylamine containing solutions and method for their preparation |
JP2011507236A (ja) * | 2007-12-07 | 2011-03-03 | フォンタナ・テクノロジー | ウェーハを洗浄するための方法および組成物 |
JP2009194049A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Sanyo Chem Ind Ltd | 銅配線半導体用洗浄剤 |
JP5412661B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2014-02-12 | 富士フイルム株式会社 | 半導体デバイス用洗浄剤及びそれを用いた半導体デバイスの洗浄方法 |
JP5561914B2 (ja) * | 2008-05-16 | 2014-07-30 | 関東化学株式会社 | 半導体基板洗浄液組成物 |
US20090291873A1 (en) | 2008-05-22 | 2009-11-26 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method and Composition for Post-CMP Cleaning of Copper Interconnects Comprising Noble Metal Barrier Layers |
CN101685272A (zh) | 2008-09-26 | 2010-03-31 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种光刻胶清洗剂 |
KR101752684B1 (ko) | 2008-10-21 | 2017-07-04 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 구리 세척 및 보호 조성물 |
JP2010153790A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-07-08 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびそれを用いた化学機械研磨方法、ならびに化学機械研磨用水系分散体の製造方法 |
WO2011000694A1 (en) | 2009-06-30 | 2011-01-06 | Basf Se | Aqueous alkaline cleaning compositions and methods of their use |
EP2449076B1 (en) | 2009-06-30 | 2016-09-21 | Basf Se | Aqueous alkaline cleaning compositions and methods of their use |
US8765653B2 (en) * | 2009-07-07 | 2014-07-01 | Air Products And Chemicals, Inc. | Formulations and method for post-CMP cleaning |
US8101561B2 (en) * | 2009-11-17 | 2012-01-24 | Wai Mun Lee | Composition and method for treating semiconductor substrate surface |
US8894774B2 (en) * | 2011-04-27 | 2014-11-25 | Intermolecular, Inc. | Composition and method to remove excess material during manufacturing of semiconductor devices |
-
2013
- 2013-01-24 JP JP2014555353A patent/JP6231017B2/ja active Active
- 2013-01-24 SG SG11201404613VA patent/SG11201404613VA/en unknown
- 2013-01-24 EP EP13746032.5A patent/EP2812422B1/en active Active
- 2013-01-24 WO PCT/IB2013/050625 patent/WO2013118013A1/en active Application Filing
- 2013-01-24 RU RU2014136176A patent/RU2631870C2/ru active
- 2013-01-24 EP EP18169062.9A patent/EP3385363B1/en active Active
- 2013-01-24 CN CN201380007434.8A patent/CN104093824B/zh active Active
- 2013-01-24 US US14/376,978 patent/US9458415B2/en active Active
- 2013-01-24 KR KR1020147025096A patent/KR102050704B1/ko active IP Right Grant
- 2013-01-24 MY MYPI2014002274A patent/MY171165A/en unknown
- 2013-02-05 TW TW102104464A patent/TWI580775B/zh active
- 2013-02-05 TW TW106101052A patent/TWI624542B/zh active
-
2014
- 2014-07-16 IL IL233665A patent/IL233665B/en active IP Right Grant
-
2017
- 2017-06-15 JP JP2017117450A patent/JP6577526B2/ja active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2015512959A5 (ja) | ||
JP6117866B2 (ja) | 銅腐食抑制系 | |
Venkatesh et al. | Characterization of TMAH based cleaning solution for post Cu-CMP application | |
JP6577526B2 (ja) | 特定の硫黄含有化合物および糖アルコールまたはポリカルボン酸を含む、ポスト化学機械研磨(ポストcmp)洗浄組成物 | |
US11149235B2 (en) | Cleaning composition with corrosion inhibitor | |
US9920287B2 (en) | Cleaning composition and cleaning method | |
KR20020035152A (ko) | 화학-기계적 연마후의 반도체 표면용 세정액 | |
TW201615820A (zh) | 供附有金屬佈線之半導體用清洗劑 | |
JP2003536258A (ja) | 化学的機械的平坦化(cmp)後の清浄化組成物 | |
JPWO2012073909A1 (ja) | 銅配線用基板洗浄剤及び銅配線半導体基板の洗浄方法 | |
JP2010171362A (ja) | 半導体デバイス用洗浄剤及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
TW201631645A (zh) | 基板處理方法及半導體元件的製造方法 | |
JP2008210990A (ja) | 半導体デバイス用洗浄剤及びそれを用いた半導体デバイスの洗浄方法 | |
WO2014156616A1 (ja) | 複合体の製造方法及び組成物 | |
EP3774647A1 (en) | Bulk ruthenium chemical mechanical polishing composition | |
KR20070107242A (ko) | 구리 몰리브덴 배선용 세정제 | |
JP2015536039A (ja) | 化学機械研磨後に半導体デバイス基板を洗浄するための洗浄組成物および方法 | |
TWI647305B (zh) | 化學機械研磨後洗滌用組合物 | |
TW202346643A (zh) | 蝕刻組成物 | |
JP6378271B2 (ja) | タングステン膜エッチング液組成物、これを用いた電子デバイスの製造方法および電子デバイス | |
KR101101378B1 (ko) | Tft-lcd용 세정액 조성물 | |
US8067352B2 (en) | Aqueous cleaning composition for semiconductor copper processing | |
JP7504081B2 (ja) | エッチング組成物 | |
JP5412661B2 (ja) | 半導体デバイス用洗浄剤及びそれを用いた半導体デバイスの洗浄方法 | |
TW201339299A (zh) | 包含特定含硫化合物及包含非有效量之特定含氮化合物之化學機械拋光後之清洗組合物 |