JP2015506343A5 - - Google Patents

Claims (38)

1. 式（Ｉ）
   

   

   のトラボプロストの調製方法であって、
   式（ＩＩ）
   

   

   の化合物を立体選択的に還元し、
   得られた、式（ＩＩＩ）
   

   

   の化合物を所望ならば結晶化し、当該式（ＩＩＩ）の化合物のラクトン基を還元し、このようにして得られた、式（ＩＶ）
   

   

   の化合物のｐ−フェニルベンゾイル保護基を除去し、得られた、式（Ｖ）
   

   

   のトリオールを、所望ならば結晶化した後、ウィッティヒ反応によって式（ＶＩ）
   

   

   の酸に変換し、続いてエステル化する、方法。
2. 式（ＩＩ）の化合物の選択的還元はボラン系還元剤を用いて行う、請求項１に記載の方法。
3. ボラン系還元剤としてカテコールボランを適用する、請求項２に記載の方法。
4. 式（ＩＩ）の化合物の還元はキラル触媒の存在下で行う、請求項２に記載の方法。
5. 触媒としてＣＢＳ−オキサザボロリジンを使用する、請求項４に記載の方法。
6. 還元は炭化水素系溶媒またはエーテル系溶媒中で行う、請求項２から５のいずれか一項に記載の方法。
7. 還元は、トルエン、ヘキサン、ヘプタン、ペンタン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、シクロペンチルメチルエーテル、ジメトキシエタン、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジエチルエーテル、またはこれらの混合物中で行う、請求項６に記載の方法。
8. 還元はトルエン−テトラヒドロフラン混合物中で行う、請求項７に記載の方法。
9. 還元は（−）１０から（−）９０℃の温度にて行う、請求項２から７のいずれか一項に記載の方法。
10. 還元は（−）１０から（−）２０℃の温度にて行う、請求項９に記載の方法。
11. 得られた式（ＩＩＩ）の化合物を結晶化によって精製する、請求項２から１０のいずれか一項に記載の方法。
12. 結晶化は、炭化水素系溶媒、塩素化炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒もしくはアルコール系溶媒、またはこれらの混合物中で行う、請求項１１に記載の方法。
13. 結晶化は、複数の異なる溶媒中またはこれらの混合物中で、繰り返し行う、請求項１２に記載の方法。
14. 結晶化は、ヘキサン：アセトン混合物中および／またはメタノール中で行う、請求項１３に記載の方法。
15. 結晶化は、（−２０）から７０℃の温度にて行って、物質を還流温度にてアルコールに溶解させ徐々に冷却することにより結晶化するようにし、結晶を濾しとり、洗浄して乾燥させる、請求項１１から１４のいずれか一項に記載の方法。
16. 式（ＩＩＩ）の化合物の還元は水素化ジイソブチルアルミニウムを用いて行う、請求項１に記載の方法。
17. 式（ＩＶ）の化合物のｐ−フェニルベンゾイル保護基は、塩基性条件下、メタノリシスによって除去する、請求項１に記載の方法。
18. 保護基は、炭酸カリウムの存在下で除去する、請求項１７に記載の方法。
19. 式（Ｖ）の中間体を結晶化によって精製する、請求項１に記載の方法。
20. 結晶化は、極性溶媒と非極性溶媒との混合物中で行う、請求項１９に記載の方法。
21. 結晶化は、エチルアセテート−ヘキサン混合物中で行う、請求項２０に記載の方法。
22. 結晶化工程を適切に繰り返すことにより、所望されない異性体の量を、無視できる限度（０，０５％）以下に減少させる、請求項２０または２１に記載の方法。
23. 式（ＶＩ）の化合物のエステル化をヨウ化イソプロピルを用いて行う、請求項１に記載の方法。
24. エステル化を環状三級アミド系溶媒中で行う、請求項２３に記載の方法。
25. 環状三級アミド系溶媒としてＮ−メチルピロリドンまたは１，３−ジメチルイミダゾリジノンを適用する、請求項２４に記載の方法。
26. エステル化を２０から９０℃の温度範囲内で行う、請求項２３から２５のいずれか一項に記載の方法。
27. エステル化を４０から５０℃の温度範囲内で行う、請求項２６に記載の方法。
28. 式（Ｉ）の生成物をクロマトグラフィによって精製する、請求項１に記載の方法。
29. 生成物を、重量測定シリカゲルクロマトグラフィによって精製する、請求項２８に記載の方法。
30. クロマトグラフィによる精製は、炭化水素系溶媒、塩素化炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒および酸系溶媒またはこれらの混合物を溶離液として用いて行う、請求項２９に記載の方法。
31. 式（ＩＶ）
    

    

    の化合物。
32. 請求項３１に記載の式（ＩＶ）の化合物の、式（Ｉ）のトラボプロストを調製するための使用。
33. 式（ＩＶ）の化合物の調製方法であって、式（ＩＩ）
    

    

    の化合物を立体選択的に還元し、得られた、式（ＩＩＩ）
    

    

    の化合物のラクトン基を還元する、方法。
34. 式（ＩＩＩ）
    

    

    の結晶化合物であって、融点１２９．５から１３４．５℃を有する、結晶化合物。
35. 請求項３４に記載の式（ＩＩＩ）の結晶化合物の、式（Ｉ）のトラボプロストを調製するための使用。
36. 式（Ｖ）
    

    

    の結晶化合物であって、融点８５．４から８６．６℃を有する、結晶化合物。
37. 所望されない異性体の量が０，０５％未満である、請求項３６に記載の式（Ｖ）の結晶化合物。
38. 請求項３６に記載の式（Ｖ）の結晶化合物の、式（Ｉ）のトラボプロストを調製するための使用。