JP2015219913A - ストレージ装置と、その動作方法、及びそのアクセス方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の動作方法は、温度情報を獲得する段階と、獲得された温度情報を利用して現在の加重時間を計算する段階と、加重時間を利用して不揮発性メモリからデータを読み出す段階と、により構成される。現在の加重時間は、データを保存するメモリセルから温度により流出する電荷の量にしたがって決定される。
【選択図】図6
Description
[数1]
WTn=WTo+F1(ST)
[数2]
WTn=WTo+F2(ST,TI)
[数3]
WTn=WTo+F3(ST,PE)
インタラプト生成部223’はクロック信号出力部222からクロック信号CLKを受信する。受信したクロック信号CLKに応答してインタラプト生成部223’は第2インタラプト信号INT2を出力する。
[数4]
DIF2=F4(DIF1)
[数5]
WT2=WT1+F5(D)
110、310 不揮発性メモリ
111 メモリセルアレイ
113 アドレスデコーダー回路
115 ページバッファ回路
117 データ入出力回路
119 制御ロジック回路
120、320 メモリコントローラ
121 バス
122 プロセッサ
123、130 ランダムアクセスメモリ(RAM)
124 エラー訂正ブロック
125、230 ホストインターフェイス
126 バッファコントロール回路
127 メモリインターフェイス
140、140’、340 温度センサー
221、221’ 加重時間計算部
222 クロック信号出力部
223、223’ インタラプト生成部
224 感知温度制御部
225 計算部
1000、2000、3000 コンピューティング装置
1100、2100、3100 プロセッサ
1200、2200、3200 ランダムアクセスメモリ(RAM)
1300、2300、3300 ストレージ装置
1400、2400、3400 モデム
1500、2500、3500 使用者インターフェイス
Claims (21)
- 不揮発性メモリ及び前記不揮発性メモリを制御するように構成されるメモリコントローラを含むストレージ装置の動作方法において、
温度を検出する段階と、
前記検出された温度情報を利用して現在の加重時間を計算する段階と、
前記現在の加重時間に基づいて調節される読出し電圧レベルを利用して前記不揮発性メモリからデータを読み出す段階と、を含むことを特徴とするストレージ装置の動作方法。 - 前記温度は、第1周期により周期的に検出され、前記現在の加重時間の計算は、前記検出された温度に基づいて第2周期により周期的に遂行され、
前記現在の加重時間を計算する段階は、
前記検出された温度に基づいて前記第2周期の時間を調節することによって加重経過時間を計算する段階と、
前記加重経過時間を以前の加重時間に合算して前記現在の加重時間を計算する段階と、を含むことを特徴とする請求項1に記載のストレージ装置の動作方法。 - 前記検出された温度が増加するほど、前記加重経過時間が増加することを特徴とする請求項2に記載のストレージ装置の動作方法。
- 前記現在の加重時間が計算される第2周期の時間が増加するほど、前記加重経過時間が増加することを特徴とする請求項2に記載のストレージ装置の動作方法。
- 前記第2周期の前記時間は、前記ストレージ装置の消去回数を利用してさらに調節され、
前記消去回数が増加するほど、前記加重経過時間が増加することを特徴とする請求項2に記載のストレージ装置の動作方法。 - 前記消去回数は、前記不揮発性メモリの複数のメモリブロックにおいて各々遂行された消去回数の平均値であることを特徴とする請求項5に記載のストレージ装置の動作方法。
- 前記現在の加重時間が計算される前記第2周期は、前記温度が検出される前記第1周期より短いことを特徴とする請求項2に記載のストレージ装置の動作方法。
- 前記温度は、前記ストレージ装置の内部温度センサー又は前記ストレージ装置の外部温度センサーを利用して検出されることを特徴とする請求項1に記載のストレージ装置の動作方法。
- 前記データを前記不揮発性メモリに書き込む段階と、
前記不揮発性メモリに書き込まれた前記データと関連した加重時間を前記データの加重時間スタンプとして登録する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のストレージ装置の動作方法。 - 前記データの前記加重時間スタンプと前記データの前記現在の加重時間との差を計算する段階をさらに含み、
前記読出し電圧レベルは、前記計算された差に基づいて調節されることを特徴とする請求項9に記載のストレージ装置の動作方法。 - 電源が遮断された後、供給されれば、直近の加重時間スタンプから前記データを読み出すための最適の読出し電圧レベルを検出する段階と、前記最適の読出し電圧レベルと初期読出し電圧レベルとの差を計算する段階と、前記差を利用して加重時間を計算する段階と、を含み、
前記加重時間は、電源遮断時の加重時間として使用されることを特徴とする請求項9に記載のストレージ装置の動作方法。 - 前記加重時間スタンプは、前記データが書き込まれた前記不揮発性メモリの物理アドレス情報を含むことを特徴とする請求項9に記載のストレージ装置の動作方法。
- 温度センサーと、
不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリを制御するように構成されるメモリコントローラと、を含み、
前記メモリコントローラは、前記温度センサーを通じて検出される温度の変化を反映して現在の加重時間を計算し、前記現在の加重時間によって調節される読出し電圧レベルを利用して前記不揮発性メモリからデータを読み出すように構成されることを特徴とするストレージ装置。 - ランダムアクセスメモリをさらに含み、
前記メモリコントローラは、周期的に前記温度センサーにより温度を検出し、前記検出された温度を周期的に前記ランダムアクセスメモリに格納するように構成されることを特徴とする請求項13に記載のストレージ装置。 - 前記メモリコントローラは、前記不揮発性メモリに前記データを書き込み、前記ランダムアクセスメモリから加重時間を読み出し、そして前記加重時間を前記データの加重時間スタンプとして登録するように構成されることを特徴とする請求項14に記載のストレージ装置。
- 前記不揮発性メモリに書き込まれるデータの加重時間スタンプは、時間スタンプテーブルとして前記ランダムアクセスメモリにより管理されることを特徴とする請求項15に記載のストレージ装置。
- 前記時間スタンプテーブルは、前記不揮発性メモリにさらに格納されることを特徴とする請求項16に記載のストレージ装置。
- 前記メモリコントローラは、前記現在の加重時間を前記ランダムアクセスメモリから読み出し、前記加重時間スタンプと前記現在の加重時間との差を計算するように構成され、
前記読出し電圧レベルは、前記計算された差によって調節されることを特徴とする請求項15に記載のストレージ装置。 - 前記不揮発性メモリは、垂直に積層されたメモリセルを含むことを特徴とする請求項13に記載のストレージ装置。
- 各メモリセルは、電荷捕獲型であることを特徴とする請求項19に記載のストレージ装置。
- 不揮発性メモリを含むストレージ装置のアクセス方法において、
前記不揮発性メモリにデータを書き込む段階と、
加重時間を前記データの加重時間スタンプとして登録する段階と、を含み、
前記加重時間は、温度の変化を反映して反復的に更新される時間であることを特徴とするストレージ装置のアクセス方法。
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