JP2015164159A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】矩形状のメインセル領域に均一に配置される、複数の半導体素子と、前記メインセル領域の辺に沿って一定の間隔で配置され、閾値電圧の温度依存性を利用して前記半導体素子の温度を検知する、複数のMOSFETと、前記MOSFETのオンオフに基づいて、所定温度を超えて発熱する前記半導体素子の位置を推定する推定手段と、を有する、半導体装置。
【選択図】図1
Description
矩形状のメインセル領域に均一に配置される、複数の半導体素子と、
前記メインセル領域の辺に沿って一定の間隔で配置され、閾値電圧の温度依存性を利用して前記半導体素子の温度を検知する、複数のMOSFETと、
前記MOSFETのオンオフに基づいて、所定温度を超えて発熱する前記半導体素子の位置を推定する推定手段と、
を有する、半導体装置が提供される。
図1は、半導体装置100の構成の一例を示す上面図である。紙面左右方向をX軸、紙面上下方向をY軸と定義する。半導体装置100は、例えば、自動車等の車両に搭載される。このような車両の具体例として、ハイブリッド車、プラグインハイブリッド車、電気自動車、燃料電池自動車等が挙げられる。
Vth=Vg−(Tja×α)
・・・式1
で表される。
図6は、MOSFET10及びIGBT20の構成の一例を示す図1のA−A'線における断面図である。図6に示すように、温度検知用MOSFET10と縦型のトレンチ型IGBT20とが、同一の半導体基板(Si基板)上に設けられる。MOSFET10は、周辺耐圧保持領域1に設けられ、IGBT20は、メインセル領域2に設けられる。
10 MOSFET
20 IGBT(半導体素子)
30 熱源位置推定手段(推定手段)
40 MOSFET(半導体素子)
100 半導体装置
Claims (1)
- 矩形状のメインセル領域に均一に配置される、複数の半導体素子と、
前記メインセル領域の辺に沿って一定の間隔で配置され、閾値電圧の温度依存性を利用して前記半導体素子の温度を検知する、複数のMOSFETと、
前記MOSFETのオンオフに基づいて、所定温度を超えて発熱する前記半導体素子の位置を推定する推定手段と、を有する、半導体装置。
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