JP2015122150A - プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
11 チャンバ
12 サセプタ
14,32 上部電極
15,35 マッチャー
16,36 VF電源
17,23,26,29,37,41 補助回路
28 側壁電極
33 下部電極
Claims (14)
- 高周波電源が接続された第1の電極と、該第1の電極に対向して配置される第2の電極との間においてプラズマを発生させ、該プラズマによって基板へプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、
前記プラズマの着火前における前記高周波電源から見た接地までの負荷インピーダンスと、前記プラズマの着火後における前記高周波電源から見た接地までの負荷インピーダンスとの差を調整する補助回路を設ける第1のステップと、
前記プラズマを着火する第2のステップと、
前記プラズマを維持する第3のステップとを有することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 前記補助回路は、前記プラズマの着火前に前記高周波電源から発せられる高周波電流が流れる第1の経路の反射最小周波数と、前記プラズマの着火後に前記高周波電源から発せられる高周波電流が流れる第2の経路の反射最小周波数との差を調整することを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理方法。
- 前記高周波電源は周波数可変電源であり、
前記周波数可変電源が変化させる周波数の範囲は、前記第1の経路の反射最小周波数及び前記第2の経路の反射最小周波数を含むことを特徴とする請求項2記載のプラズマ処理方法。 - 前記第1の経路の反射最小周波数及び前記第2の経路の反射最小周波数の差は2MHz以内であることを特徴とする請求項3記載のプラズマ処理方法。
- 前記プラズマの着火後に、前記補助回路を前記第1の経路から切り離すことを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記プラズマの着火後に、前記補助回路の容量を調整することを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記高周波電源及び前記第1の電極の間には容量を変化させる整合回路が配置され、
前記整合回路は、前記第1の経路の反射最小周波数と、前記第2の経路の反射最小周波数との差を調整することを特徴とする請求項2乃至6のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。 - 高周波電源が接続された第1の電極と、該第1の電極に対向して配置される第2の電極との間においてプラズマを発生させ、該プラズマによって基板へプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記プラズマの着火前における前記高周波電源から見た接地までの負荷インピーダンスと、前記プラズマの着火後における前記高周波電源から見た接地までの負荷インピーダンスとの差を調整する補助回路を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記補助回路は、前記プラズマの着火前に前記高周波電源から発せられる高周波電流が流れる第1の経路の反射最小周波数と、前記プラズマの着火後に前記高周波電源から発せられる高周波電流が流れる第2の経路の反射最小周波数との差を調整することを特徴とする請求項8記載のプラズマ処理装置。
- 前記補助回路は前記第1の電極へ接続されることを特徴とする請求項8又は9記載のプラズマ処理装置。
- 前記補助回路は前記第2の電極へ接続されることを特徴とする請求項8又は9記載のプラズマ処理装置。
- 前記基板を収容する処理室をさらに備え、
前記第1の電極及び前記第2の電極は前記処理室内において対向し、
前記補助回路は、前記第1の電極及び前記第2の電極以外の前記処理室の壁部へ配置されて前記プラズマに面する第3の電極に接続されることを特徴とする請求項8又は9記載のプラズマ処理装置。 - 前記補助回路は、前記プラズマの着火前における前記高周波電源から見た接地までの負荷インピーダンスと、前記プラズマの着火後における前記高周波電源から見た接地までの負荷インピーダンスとの差を減少させるように前記補助回路の容量を調整する請求項1乃至7のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記補助回路は、前記プラズマの着火前における前記高周波電源から見た接地までの負荷インピーダンスと、前記プラズマの着火後における前記高周波電源から見た接地までの負荷インピーダンスとの差を減少させるように前記補助回路の容量を調整する請求項8乃至12のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。
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