JP2015082660A - チップ電子部品及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】薄膜型インダクタ100は、磁性体本体50と、磁性体本体50の内部に埋め込まれたコイル導体パターン部42、44と、磁性体本体50の外側に形成されて上記コイル導体パターン部42、44と連結される外部電極80と、を含む。絶縁基板23の中央部は貫通されてホールを形成し、ホールはフェライト又は金属系軟磁性材料等の磁性体で充填されてコア部を形成する。
【選択図】図4
Description
以下、本発明の一実施形態によるチップ電子部品を説明するにあたり、特に、薄膜型インダクタを例に挙げて説明するが、これに限定されない。
図10は、本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造工程を示す工程図である。
32 高分子絶縁膜
50 磁性体本体
42、44 コイル導体パターン部
23 絶縁基板
46 ビア電極
31 酸化絶縁膜
80 外部電極
31' 上部表面酸化絶縁膜
31'' 側部表面酸化絶縁膜
Claims (29)
- コイル導体パターン部が埋め込まれた磁性体本体と、
前記コイル導体パターン部の表面に形成された酸化絶縁膜と、
を含む、チップ電子部品。 - 前記酸化絶縁膜を被覆する高分子絶縁膜をさらに含む、請求項1に記載のチップ電子部品。
- 前記酸化絶縁膜は、前記コイル導体パターン部を形成する少なくとも一つの金属の酸化物で形成される、請求項1または2に記載のチップ電子部品。
- 前記酸化絶縁膜の表面粗度(Ra)は0.6μm〜0.8μmである、請求項1から3の何れか1項に記載のチップ電子部品。
- 前記コイル導体パターン部の上部表面に形成された酸化絶縁膜の表面粗度(Ra)は、前記コイル導体パターン部の側部表面に形成された酸化絶縁膜の表面粗度(Ra)より大きい、請求項1から4の何れか1項に記載のチップ電子部品。
- 前記酸化絶縁膜は、0.5μm〜2.5μmの厚さで形成される、請求項1から5の何れか1項に記載のチップ電子部品。
- 前記コイル導体パターン部の上部表面に形成された酸化絶縁膜の平均厚さは、前記コイル導体パターン部の側部表面に形成された酸化絶縁膜の平均厚さより厚い、請求項1から6の何れか1項に記載のチップ電子部品。
- 前記コイル導体パターン部の上部表面に形成された酸化絶縁膜の厚さは1.8μm〜2.5μmである、請求項1から7の何れか1項に記載のチップ電子部品。
- 前記コイル導体パターン部の側部表面に形成された酸化絶縁膜の厚さは0.8μm〜2μmである、請求項1から8の何れか1項に記載のチップ電子部品。
- 前記高分子絶縁膜の表面は、前記コイル導体パターン部の表面の形状に沿って形成される、請求項2に記載のチップ電子部品。
- 前記高分子絶縁膜は、1μm〜3μmの厚さで形成される、請求項2に記載のチップ電子部品。
- 前記酸化絶縁膜及び高分子絶縁膜の平均厚さ比は1:1.2〜1:3である、請求項2から11の何れか1項に記載のチップ電子部品。
- 前記コイル導体パターン部の隣接したパターン間の領域に磁性体が充填される、請求項1から12の何れか1項に記載のチップ電子部品。
- 絶縁基板を含む磁性体本体と、
前記絶縁基板の少なくとも一面に形成されたコイル導体パターン部と、
前記コイル導体パターン部の表面に形成された第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜を被覆する第2の絶縁膜と、
を含む、チップ電子部品。 - 前記第1の絶縁膜は、前記コイル導体パターン部に含まれた少なくとも一つの金属の酸化物で形成される、請求項14に記載のチップ電子部品。
- 前記第2の絶縁膜は高分子を含み、前記第2の絶縁膜の表面は前記コイル導体パターン部の表面の形状に沿って形成される、請求項14または15に記載のチップ電子部品。
- 前記第1の絶縁膜の表面粗度(Ra)は0.6μm〜0.8μmである、請求項14から16の何れか1項に記載のチップ電子部品。
- 前記コイル導体パターン部の上部表面に形成された酸化絶縁膜の表面粗度(Ra)は、前記コイル導体パターン部の側部表面に形成された酸化絶縁膜の表面粗度(Ra)より大きい、請求項14から17の何れか1項に記載のチップ電子部品。
- 前記コイル導体パターン部の上部表面に形成された前記第1の絶縁膜の平均厚さは、前記コイル導体パターン部の側部表面に形成された前記第1の絶縁膜の平均厚さより厚い、請求項14から18の何れか1項に記載のチップ電子部品。
- 前記コイル導体パターン部の隣接したパターン間の領域に磁性体が充填される、請求項14から19の何れか1項に記載のチップ電子部品。
- 絶縁基板の少なくとも一面にコイル導体パターン部を形成する段階と、
前記コイル導体パターン部の表面に酸化絶縁膜を形成する段階と、
前記コイル導体パターン部が形成された絶縁基板の上部及び下部に磁性体層を積層して磁性体本体を形成する段階と、
を含む、チップ電子部品の製造方法。 - 前記酸化絶縁膜を被覆する高分子絶縁膜を形成する段階をさらに含む、請求項21に記載のチップ電子部品の製造方法。
- 前記酸化絶縁膜は、前記コイル導体パターン部の表面を酸化して形成される、請求項21または22に記載のチップ電子部品の製造方法。
- 前記酸化絶縁膜は、表面粗度(Ra)が0.6μm〜0.8μmを満たすように形成される、請求項21から23の何れか1項に記載のチップ電子部品の製造方法。
- 前記コイル導体パターン部の上部表面には、前記コイル導体パターン部の側部表面に比べて酸化絶縁膜を厚く形成する、請求項21から24の何れか1項に記載のチップ電子部品の製造方法。
- 前記酸化絶縁膜は、コイルの外部層を酸化して形成する段階を含む方法により製造される、請求項1から13の何れか1項に記載のチップ電子部品。
- 前記酸化絶縁膜は、コイルを高温又は高湿の環境に露出させるか又は化学的エッチング(etching)により酸化して形成する段階を含む方法により製造される、請求項26に記載のチップ電子部品。
- 前記第1の絶縁膜は、コイルの外部層を酸化して形成する段階を含む方法により製造される、請求項14から20の何れか1項に記載のチップ電子部品。
- 前記第1の絶縁膜は、コイルを高温又は高湿の環境に露出させるか又は化学的エッチング(etching)により酸化して形成する段階を含む方法により製造される、請求項28に記載のチップ電子部品。
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