JP4857530B2 - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents

Description

この発明は、積層型のフィルタやトランスなどの電子部品及びその製造方法に関するものである。

従来、この種の電子部品は、基板上に磁性層を形成し、この磁性層上に絶縁層とコイルパターンとを積層して、最上位の磁性層で覆った構造になっている（例えば、特許文献１ないし特許文献４参）。
例えば、特許文献１では電子部品としての積層型トランスを開示している。すなわち、図１４に示すように、基板１００の上に磁性体ペーストによって形成した第１の磁性体層１０１を積層する。そして、第１の磁性体層１０１の上に、コイルを構成する第１の導電体層１０２と共に絶縁層１０３を積層する。しかる後、絶縁層１０３の上に、別のコイルを構成する第２の導電体層１０４と共に磁性体ペーストで形成した第２の磁性体層１０５を積層することで、積層型トランスを形成している。
このように、１対のコイルを構成する第１及び第２の導電体層１０２，１０４を、基板１００上の第１の磁性体層１０１と第２の磁性体層１０５とで挟んで、コイルの磁気特性の向上を図っている。

特開平０５−１３５９５１号公報 特開平１０−２８９８２２号公報 特開平０６−２０４０２２号公報 特開２００４−０３１５９１号公報

しかしながら、上記した従来の電子部品では、次のような問題がある。
すなわち、磁性体ペーストを基板１００上に必要厚さまで一度に塗布して焼結することにより、第１の磁性体層１０１を形成するので、この第１の磁性体層１０１の表面が粗くなり、大きな凹凸が第１の磁性体層１０１の表面に多発する。このため、この第１の磁性体層１０１上に形成した第１の導電体層１０２を現像すると、第１の導電体層１０２が第１の磁性体層１０１から剥がれ、第１の磁性体層１０１の高密度化・厚膜化が困難となる。このように、従来の電子部品では、基板１００上の第１の磁性体層１０１の表面粗さが大きいため、電子部品の小型化・高性能化の障害となっていた。
これに対して、特許文献２に開示の技術の如く、第１の磁性体層１０１の表面を研磨して凹凸を無くす方法も考えられるが、第１の磁性体層１０１に発生した大きな凹凸を平坦に研磨するには、長時間の研磨作業が必要となる。
このような問題は、特許文献３及び特許文献４に開示された技術についても生じ、解決技術の登場が期待されていた。

この発明は、上述した課題を解決するためになされたもので、基板上の磁性層表面の平坦化を図ることにより、その上層の電極パターンの解像性を向上させ、もって、電子部品設計の自由度の向上と高性能化とを可能にした電子部品及びその製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、請求項１の発明は、基板上に形成された所望厚さの磁性層と、この磁性層上に形成され且つ絶縁層に被覆された内部電極とを備える電子部品であって、磁性層は、基板上に、磁粉入りガラスペーストを塗布した後、このペーストを焼結して焼結体層を形成する過程を複数回繰り返すことにより形成された略同厚の磁粉入りガラスペーストの焼結体層が複数層積層された構造をなし、磁性層の最上位の焼結体層におけるガラス成分の磁粉に対する割合は、下位の焼結体層におけるガラス成分の磁粉に対する割合よりも大きく設定されている構成とした。
かかる構成により、磁性層の厚さよりも薄い複数の焼結体層を積層して、所望厚さの磁性層を形成した構造になっているので、１の焼結体層で所望厚さの磁性層を形成した場合の表面粗さ比べて、最上位の焼結体層の表面粗さ即ち磁性層の表面粗さは小さい。
また、最上位の焼結体層におけるガラス成分の磁粉に対する割合が、下位の焼結体層におけるガラス成分の磁粉に対する割合よりも大きいので、最上位の焼結体層の表面粗さが下位の焼結体層の表面粗さよりも小さくなっている。

ところで、最上位の焼結体層のガラス成分の磁粉に対する比が低過ぎると、当該焼結体層の表面粗さが大きくなり、所期の目的を十分に達成することができない。また、逆に、最上位の焼結体層のガラス成分の磁粉に対する比が高過ぎると、電子部品のインダクタ特性が低下してしまう。そこで、請求項２の発明は、最上位の焼結体層におけるガラス成分と磁粉との比が、９：１〜７：３の範囲内である構成とした。

請求項３の発明は、請求項１又は請求項２に記載の電子部品において、最上位の焼結体層の表面は、平坦に研磨されている構成とした。
かかる構成により、最上位の焼結体層の表面が平坦に研磨されているので、最上位の焼結体層の表面粗さが極めて小さくなっている。

また、磁性層の表面粗さは、磁粉の粒径などに依存すると考えられる。そこで、好例として、請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品において、焼結体層の磁粉は、粒径が１μｍ以上５μｍ以下のフェライト粒である構成とした。

請求項５の発明は、基板上に所望厚さの磁性層を形成する第１の工程と、この第１の工程で形成された磁性層上に、電極パターンと絶縁層とを交互に積層することにより、絶縁層に被覆された内部電極を形成する第２の工程とを備える電子部品製造方法であって、第１の工程は、基板上に、磁粉入りガラスペーストを塗布した後、このペーストを焼結して焼結体層を形成する過程を複数回繰り返すことにより、複数の焼結体層を基板上に積層することで、所望厚さの磁性層を形成するものであり、最上位の焼結体層を形成するための磁粉入りガラスペーストにおけるガラス成分の磁粉に対する割合を、下位の焼結体層を形成するための磁粉入りガラスペーストにおけるガラス成分の磁粉に対する割合よりも大きく設定した構成とする。
かかる構成によれば、第１の工程において、所望厚さの磁性層が基板上に形成され、第２の工程において、第１の工程で形成された磁性層上に、電極パターンと絶縁層とが交互に積層されて、絶縁層に被覆された内部電極が形成される。また、この第１の工程では、磁粉入りガラスペーストが基板上に塗布された後、このペーストを焼結して焼結体層を形成する過程が、複数回繰り返される。これにより、複数の焼結体層が基板上に積層されて、所望厚さの磁性層が形成される。ところで、磁粉入りガラスペーストを所望厚まで一度の塗布して焼結した場合には、塗布時の表面粗さが焼結時の収縮によって強調され、大きな凹凸が磁性層の表面に現れる。これに対して、この発明のように、薄いペーストを塗布して焼結した場合には、塗布時の表面粗さが焼結時の収縮によって殆ど強調されず、その表面はほぼ平坦である。したがって、磁性層を、このような平坦な薄い焼結体層を複数積層して形成することにより、磁性層の表面もほぼ平坦になる。
また、最上位に塗布するペーストにおけるガラス成分の磁粉に対する割合を、下位に塗布するペーストにおけるガラス成分の磁粉に対する割合よりも大きくしたので、最上位ペーストの塗布時に生じる表面粗さを小さくすることができる。

また、最上位の焼結体層のガラス成分の磁粉に対する比が低過ぎると、当該焼結体層の表面粗さが大きくなり、所期の目的を十分に達成することができない。しかし、逆に、最上位の焼結体層のガラス成分の磁粉に対する比が高過ぎると、電子部品のインダクタ特性が低下してしまう。このため、請求項６の発明は、請求項５に記載の電子部品製造方法において、最上位の焼結体層におけるガラス成分と磁粉との比を、９：１〜７：３の範囲内に設定した構成とする。

請求項７の発明は、請求項５又は請求項６に記載の電子部品製造方法において、最上位の焼結体層の表面を、研磨した構成とする。
かかる構成により、最上位の焼結体層の表面を平坦に研磨するので、最上位の焼結体層の表面粗さを極めて小さくすることができる。

また、磁性層の表面粗さは、磁粉の粒径などに依存すると考えられる。そこで、好例として、請求項８の発明は、請求項５ないし請求項７のいずれかに記載の電子部品製造方法において、焼結体層の磁粉として、粒径が１μｍ以上５μｍ以下のフェライト粒を用いた構成とする。

以上詳しく説明したように、請求項１〜請求項４の発明に係る電子部品によれば、基板上の磁性層の表面粗さが小さく、ほぼ平坦になっているので、この磁性層の表面上には、微細で解像度の高い内部電極が形成されている。したがって、部品の高密度化と小型化と高性能化とを図ることができる。また、最上位の焼結体層の表面粗さがさらに小さくなっており、磁性層表面に形成される内部電極のさらなる高解像度化が図られている。

さらに、請求項３の発明によれば、最上位の焼結体層が研磨されてその表面粗さが極めて小さくなっているので、この磁性層の表面上には、微細で解像度の極めて高い内部電極が形成されている。したがって、部品のさらなる高密度化と小型化と高性能化とを図ることができる。

請求項５の発明によれば、最上位の磁粉入りガラスペーストの塗布時に生じる表面粗さを小さくすることができるので、焼結時に生じる表面粗さも小さく抑えることができ、この結果、さらに高解像度の内部電極を形成することができる。
また、請求項５〜請求項８の発明に係る電子部品製造方法によれば、第１の工程において、磁粉入りの薄いガラスペーストの塗布及び焼成を複数回繰り返して、所望厚さの磁性層を形成するので、磁性層の表面粗さが小さく、表面はほぼ平坦になる。この結果、第２の工程において、高解像度の電極パターンを磁性層表面上に形成することができるので、高密度で小型の高性能な電子部品を製造することができる。

特に、請求項７の発明によれば、最上位の焼結体層の表面粗さをさらに小さくすることができるので、さらに高解像度の内部電極を磁性層表面に形成することができる。

この発明の第１実施例に係る電子部品製造方法で製造されるチップコイルを示す一部分解斜視図である。 チップコイルの外観図である。 図２の矢視Ａ−Ａ断面図である。 チップコイルの層構造を示す概略分解斜視図である。 製造方法の第１の工程を示す工程図である。 所望厚さの磁性層を１回のペースト塗布及び焼結で形成した場合の表面粗さを示す概略断面図である。 所望厚さの磁性層を３回のペースト塗布及び焼結で形成した場合の表面粗さを示す概略断面図である。 第２の工程において最下位の電極パターンを形成する過程を示す工程図である。 電極パターンを表面粗さの大きな磁性層上に形成する場合の状態を示す概略断面図である。 電極パターンを表面粗さの小さな磁性層上に形成する場合の状態を示す概略断面図である。 第２の工程の後過程を示す工程図である。 一定厚みの電極パターンにおいて、各種の線幅／線間隔に対する剥離状態を、従来法と実施例との比較において表した表図である。 一定線幅／線間隔の電極パターンにおいて、各種の厚みにおける剥離状態を、従来法と実施例との比較において表した表図である。 従来例に係る電子部品を示す断面図である。

以下、この発明の最良の形態について図面を参照して説明する。

（実施例１）
図１は、この発明の第１実施例に係る電子部品製造方法で製造されるチップコイルを示す一部分解斜視図であり、図２は、チップコイルの外観図であり、図３は、図２の矢視Ａ−Ａ断面図であり、図４は、チップコイルの層構造を示す概略分解斜視図である。
図１及び図２に示すように、チップコイル１は、積層体２と、積層体２の両側に取り付けられた外部電極３，４とを備えてなる。

積層体２は、基板５と、基板５上に形成された磁性層６と、この磁性層６上に形成され且つ絶縁層８，９及び磁性層１０とで被覆された内部電極としてのコイル７とで構成されている。
具体的には、図３及び図４に示すように、基板５上に磁性層６が形成されている。基板５は、アルミナ基板であり、略同厚の３枚の焼結体層６１〜６３をこの基板５の上に積層して、所望厚さＴの磁性層６を構成している。
焼結体層６１は、磁粉入りガラスペーストを基板５上に塗布して焼結したもので、焼結体層６２，６３は、磁粉入りガラスペーストを下層の焼結体層上に塗布し焼結して形成した層である。この実施例では、焼結体層６１〜６３の磁粉として、粒径が１μｍ以上５μｍ以下のフェライト粒を用いた。

コイル７は、銀を素材とする電極パターン７１〜７３で構成されている。
具体的には、電極パターン７１が、磁性層６の表面に形成され、その端部７１ａは外部電極３側に延出し外部電極３に接続している。そして、絶縁層８がこの電極パターン７１を覆っている。この絶縁層８は、ガラスを素材とする層体であり、電極パターン７１を覆うように磁性層６上に積層している。そして、絶縁層８は、電極パターン７１の端部７１ｂに対応する部位にビアホール８ａを有している。
電極パターン７２は、この絶縁層８上に形成されており、その端部７２ａがビアホール８ａを介して電極パターン７１の端部７１ｂに接続されている。そして、絶縁層９がこの電極パターン７２を覆っている。この絶縁層９も、ガラスを素材とする層体であり、電極パターン７２を覆うように絶縁層８上に積層している。そして、電極パターン７２の端部７２ｂに対応する部位にビアホール９ａを有している。
電極パターン７３は、この絶縁層９上に形成されており、その端部７３ａが、ビアホール９ａを介して電極パターン７２の端部７２ｂに接続されている。また、この電極パターン７３の他方端部は、外部電極４側に延出しており、その端面７３ｂが外部電極４に接続している。

磁性層１０は、下位の磁性層６と略同構造をなしている。すなわち、磁性層１０は、焼結体層６１〜６３と同材料の３枚の焼結体層１１〜１３で構成され、最下層の焼結体層１１がコイル７の電極パターン７３を覆っている。

次に、上記チップコイル１の製造方法について説明する。
チップコイル１の製造方法は、所望厚さＴの磁性層６を基板５上に形成する第１の工程と、内部電極としてのコイル７を形成する第２の工程とでなる。
図５は、製造方法の第１の工程を示す工程図であり、図６は、所望厚さの磁性層を１回のペースト塗布及び焼結で形成した場合の表面粗さを示す概略断面図であり、図７は、所望厚さの磁性層を３回のペースト塗布及び焼結で形成した場合の表面粗さを示す概略断面図である。

第１の工程では、図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、スキージ２００とスクリーン２０１とを用いて、粒径が１μｍ以上５μｍ以下のフェライト粒を磁粉とするガラスペースト６１′を基板５上にスクリーン印刷する。しかる後、磁粉入りガラスペースト６１′を乾燥して、図５（ｃ）に示すように、磁粉入りガラスペースト６１′を焼結させることで、磁性層６の最下層となる焼結体層６１を形成する。
そして、図５（ｄ）に示すように、磁粉入りガラスペースト６２′を、スキージ２００を用いて焼結体層６１上にスクリーン印刷した後、図５（ｅ）に示すように、乾燥した磁粉入りガラスペースト６２′を焼結して、二層目の焼結体層６２を形成する。以後同様にして、図５（ｆ）に示すように、磁性層６の最上層となる焼結体層６３を焼結体層６２上に形成することにより、所望厚さＴの磁性層６の形成が終了する。
ところで、この最上位の焼結体層６３において、そのガラス成分の磁粉に対する比が低過ぎると、この焼結体層６３の表面粗さが大きくなり、所期の目的を十分に達成することができず、逆に、ガラス成分の磁粉に対する比が高過ぎると、チップコイル１のインダクタ特性が低下してしまう。したがって、最上位の焼結体層６３においては、そのガラス成分と磁粉との比が、９：１〜７：３の範囲内に設定することが望ましい。そこで、この実施例では、「ガラス成分：磁粉」の比を「８：２」に設定した。

上記のように、この実施例における第１の工程では、基板５上に、磁粉入りガラスペースト６１′（６２′，６３′）を塗布した後、このペースト６１′（６２′，６３′）を焼結して焼結体層６１（６２，６３）を形成する過程を３回繰り返すことにより、３層の焼結体層６１〜６３を基板５上に積層することで、所望厚さＴの磁性層６を形成するものであるが、かかる繰り返し過程をとる理由は以下の通りである。

磁粉入りガラスペーストを平坦に塗布しても、その表面には僅かな凹凸が存在する。そして、焼結時における磁粉入りガラスペーストの厚さ方向の収縮率は、厚さが厚いほど大きくなる。したがって、図６（ａ）に示す従来法のように、一度に略所望厚さＴの磁粉入りガラスペースト６０′を基板５に塗布して、焼結すると、図６（ｂ）に示すように、凹凸ａ，ｂが強調されて顕在化し、出来上がった磁性層６０の表面粗さが大きくなってしまう。

これに対して、図７（ａ）に示すように、薄いの磁粉入りガラスペースト６１′を基板５に塗布して、焼結すると、図７（ｂ）に示すように、凹凸ａ，ｂが殆ど顕在化せず、出来上がった焼結体層６１の表面粗さは小さい。したがって、図７（ｃ）に示すように、薄い磁粉入りガラスペーストの塗布及び焼成の過程を繰り返すことにより、焼結体層６１〜６３を積層して、所望厚さＴの磁性層６を形成することにより、磁性層６の表面粗さを小さく抑えることができる。
発明者等は、所望厚さＴを３５μｍに設定して、上記従来法によって形成した磁性層６の表面粗さとこの実施例の方法によって形成した磁性層６の表面粗さを測定したところ、従来法による表面粗さが０．６７μｍであるのに対して、この実施例による表面粗さは０．１８μｍであった。

次に、第２の工程を実行する。
第２の工程は、第１の工程で形成された磁性層６上に、電極パターン７１〜７３と絶縁層８，９と磁性層１０とを交互に積層することにより、絶縁層８，９及び磁性層１０に被覆されたコイル７を形成する工程である。
図８は、第２の工程において最下位の電極パターンを形成する過程を示す工程図であり、図９は、電極パターン７１を表面粗さの大きな磁性層６上に形成する場合の状態を示す概略断面図であり、図１０は、電極パターン７１を表面粗さの小さな磁性層６上に形成する場合の状態を示す概略断面図である。

第２の工程では、図８（ａ）に示すように、銀の感光性導体ペースト７１′を磁性層６上にスクリーン印刷する。しかる後、フォトリソグラフィ法により、電極パターン７１を磁性層６上に形成する。
具体的には、図８（ｂ）に示すように、ネガ型感光性導体ペースト７１′の上にマスク２０２を配し、このマスク２０２を介して紫外線２０３をネガ型感光性導体ペースト７１′上に照射する。そして、現像後、焼成することで、図８（ｃ）に示すように、電極パターン７１を基板５上に形成する。

ところで、現像過程においては、ネガ型感光性導体ペースト７１′の非光硬化部分を現像液で残渣を残すことなく完全に溶解し、光硬化部分のみを残して、電極パターンとするが、現像液に曝されている光硬化部分も現像時間に対応してサイドエッチされることとなる。したがって、図９（ａ）に示すように、磁性層６の表面粗さが粗く、大きな凹凸ａ，ｂが磁性層６の表面に存在すると、ネガ型感光性導体ペースト７１′を長時間現像することとなり、図９（ｂ）に示すように、光硬化部分７１が所望の線幅になった時点においても、さらに、光硬化部分７１を現像し続けなければならない。この結果、図９（ｃ）に示すように、光硬化部分７１のサイドエッチが進み、残渣７１′を完全に取り去る前に、光硬化部分７１即ち電極パターン７１が磁性層６から剥離してしまう。
しかし、この実施例では、図１０（ａ）に示すように、第１の工程で得た磁性層６の表面粗さが小さく、表面の凹凸ａ，ｂも小さい。したがって、このような磁性層６上のネガ型感光性導体ペースト７１′を現像すると、非光硬化部が残渣を残すことなく短時間で溶解され、かかる溶解状態において、図１０（ｂ）に示すように、サイドエッチが少ない所望線幅の光硬化部分７１即ち電極パターン７１が磁性層６上に形成されることとなる。

そして、以後、第２の工程において、電極パターン７２，７３と絶縁層８，９と磁性層１０とを積層する過程を実行する。
図１１は、第２の工程の後過程を示す工程図である。
図１１（ａ）に示すように、ネガ型のガラスの感光性絶縁ペースト８′を電極パターン７１を覆うように磁性層６上にスクリーン印刷する。しかる後、図１１（ｂ）に示すように、マスク２０４を感光性絶縁ペースト８′の上に配し、このマスク２０４を介して紫外線２０３を感光性絶縁ペースト８′上に照射する。そして、現像後、焼成することで、図１１（ｃ）に示すように、電極パターン７１の端部７１ｂを覗くビアホール８ａを有した絶縁層８が電極パターン７１上に形成される。
次いで、図１１（ｄ）に示すように、銀のネガ型感光性導体ペースト７２′を絶縁層８上にスクリーン印刷し、図１１（ｅ）に示すように、マスク２０２を介して紫外線２０３を感光性導体ペースト７２′上に照射する。そして、現像後、焼成することで、図１１（ｆ）に示すように、端部７２がビアホール８ａを介して電極パターン７１の端部７１ｂと接続した電極パターン７２が、絶縁層８上に形成される。
その後も、かかるフォトリソグラフィ加工を繰り返すことにより、図１１（ｇ）に示すように、電極パターン７２の上に、絶縁層９、電極パターン７３、磁性層１０が積層され、電極パターン７１〜７３で構成されたコイル７が絶縁層８，９と磁性層１０内に形成される。

そして、最後に、上記コイル７が多数形成されている図示しないウエハを、レーザ等でダイシングして、図１に示すような積層体２のチップに分割する。しかる後、積層体２のチップをバレルに入れて、バリ取りを行った後、積層体２の両端面部に銀ペーストを塗布した状態で、銅，ニッケル，錫などのメッキを行うことにより、外部電極３，４を有したチップコイル１が製造される。

以上のように、この実施例のチップコイル１によれば、磁粉入りの薄いガラスペーストの塗布及び焼成を３回繰り返して形成した表面粗さが小さくほぼ平坦な磁性層６を用いるので、この磁性層６上に、高解像度の電極パターン７１〜７３を有した高特性のコイル７を形成することができ、この結果、高密度で小型の高性能なチップコイル１を提供することができる。

発明者等は、かかる効果を実証すべく、電極パターンの剥離比較実験を行った。
図１２は、一定厚みの電極パターンにおいて、各種の線幅／線間隔に対する剥離状態を、従来法と実施例との比較において表した表図であり、図１３は、一定線幅／線間隔の電極パターンにおいて、各種の厚みにおける剥離状態を、従来法と実施例との比較において表した表図である。

第1の比較実験として、一定厚みの電極パターンにおいて、各種の線幅／線間隔（Ｌ／Ｓ）に対する剥離の有無を調べた。
まず、従来法では、一度に所望厚さの磁粉入りガラスペーストを基板に塗布し、焼結して、磁性層を形成した。また、この実施例（実施例１）の方法では、薄い磁粉入りガラスペーストの塗布及び焼成の過程を繰り返すことにより、３層の焼結体層を積層して、所望厚さの磁性層を形成した。
そして、従来法による磁性層とこの実施例の方法による磁性層のそれぞれについて、ネガ型感光性導体ペーストを厚み１５μmになるよう印刷して乾燥した。次に、電極パターンとなる光硬化部の線幅／線間隔が、図１２に示すように、４０／１５（μｍ／μｍ），３０／１５（μｍ／μｍ），２０／１５（μｍ／μｍ），１５／１５（μｍ／μｍ），１０／１５（μｍ／μｍ）なるようにフォトマスクを用いて露光後、スプレー現像した。そして、ネガ型感光性導体ペーストの非光硬化部の残渣が無くなる前に、光硬化部即ち電極パターンの剥離が生じたか否かを調べた。図１２において、「○」は、剥離が生じなかったことを示し、「×」は、非光硬化部の残渣が無くなる前に、剥離が生じたことを示す。
かかる比較実験の結果、図１２に示すように、従来法では、線幅／線間隔が、４０／１５（μｍ／μｍ）までの解像度しかなく、３０／１５（μｍ／μｍ）以下の電極パターンではすべて剥離が発生した。これに対し、この実施例の方法では、線幅／線間隔が４０／１５〜２０／１５（μｍ／μｍ）までの解像度があり、高解像な電極パターンを形成することができた。

そして、第２の比較実験では、従来法による磁性層とこの実施例の方法による磁性層のそれぞれについて、厚みが５（μｍ），１０（μｍ），１５（μｍ），２０（μｍ），２５（μｍ）のネガ型感光性導体ペーストを印刷して乾燥した。次に、各厚みのペーストについて、電極パターンとなる光硬化部の線幅／線間隔が、２０／１５（μｍ／μｍ）なるようにフォトマスクを用いて露光後、スプレー現像した。そして、第１の比較実験と同様に、ネガ型感光性導体ペーストの非光硬化部の残渣が無くなる前に、光硬化部即ち電極パターンの剥離が生じたか否かを調べた。
かかる比較実験の結果、図１３に示すように、従来法では、厚みが、５（μｍ）までの解像度しかなく、１０（μｍ）以上の電極パターンではすべて剥離が発生した。これに対し、この実施例の方法では、厚みが１５（μｍ）までの解像度があり、高アスペクト比の高解像な電極パターンを形成することができた。

（実施例２）
次に、この発明の第２実施例について説明する。
この実施例のチップコイルでは、磁性層６の最上位焼結体層６３におけるガラス成分の磁粉に対する割合を、下位の焼結体層６１，６２におけるガラス成分の磁粉に対する割合よりも大きく設定した。ところで、基板５に密着させる最下位の焼結体層６１においても、ガラス成分の磁粉に対する比が低いほど、チップコイル１のインダクタ特性は向上するが、基板５に対する密着性が劣化してしまう。そこで、この実施例では、最上位の焼結体層６３については、そのガラス成分と磁粉との比を「８：２」に設定し、下位の焼結体層６１と焼結体層６２においては、基板５との密着性を考慮して、そのガラス成分の磁粉に対する比を「２：８」に設定した。

ガラス成分の割合が大きな磁粉入りガラスペーストの表面粗さは、ガラス成分の割合が小さな磁粉入りガラスペーストの表面粗さよりも小さいので、焼結で形成した焼結体層６３の表面粗さは、上記第１実施例の焼結体層６３の表面粗さよりも小さく、その分磁性層６の表面の平坦性が向上する。この結果、さらに高解像度のコイル７を磁性層６上に形成することができる。

かかる効果を実証する電極パターンの剥離比較実験の結果も、上記した図１２及び図１３に示してある。
図１２に示すように、この実施例（実施例２）の方法によれば、線幅／線間隔が４０／１５〜１５／１５（μｍ／μｍ）までの解像度があり、また、図１３に示すように、厚みが１５（μｍ）までの解像度がある。すなわち、この実施例の方法により、さらに高解像な電極パターンを形成することができることが明らかとなった。
その他の構成、作用及び効果は上記第１実施例と同様であるので、その記載は省略する。

（実施例３）
次に、この発明の第３実施例について説明する。
この実施例のチップコイルでは、磁性層６の最上位の焼結体層６３の表面を、平坦に研磨した。具体的には、上記第１の工程において形成した磁性層６の表面を、図示しない研磨装置で研磨することで、磁性層６の表面粗さを極小にすることができる。
その他の構成、作用及び効果は上記第１及び第２実施例と同様であるので、その記載は省略する。

なお、この発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の変形や変更が可能である。
例えば、上記実施例では、磁性層６が、３枚の焼結体層６１〜６３を積層した構造になっているが、４枚以上の焼結体層を積層して、所望厚さＴの磁性層６を形成するようにしても良い。このように、１枚の焼結体層の厚さを薄くすることで、磁性層６の表面粗さをさらに小さくすることができる。
また、上記実施例では、焼結体層６１〜６３の磁粉が、粒径１μｍ以上５μｍ以下のフェライト粒である例を示したが、かかる範囲外の粒径及び材料の磁粉を有した焼結体層を備える電子部品を、この発明の範囲から除外する意ではない。
また、上記実施例では、理解を容易にするため、３巻きのコイル７を有したチップコイルについて説明したが、コイル７の巻き数がこの発明の範囲を限定するものでないことは勿論である。

１…チップコイル、 ２…積層体、 ３，４…外部電極、 ５…基板、 ６，１０…磁性層、 ７…コイル、 ８…感光性絶縁ペースト、 ８，９…絶縁層、 ６１′〜６３′…磁粉入りガラスペースト、 ６１〜６３…焼結体層、 ７１′〜７３′…感光性導体ペースト、 ７１〜７３…電極パターン、 Ｔ…所望厚さ、 ａ，ｂ…凹凸。

Claims (8)

1. 基板上に形成された所望厚さの磁性層と、この磁性層上に形成され且つ絶縁層に被覆された内部電極とを備える電子部品であって、
   上記磁性層は、上記基板上に、磁粉入りガラスペーストを塗布した後、このペーストを焼結して焼結体層を形成する過程を複数回繰り返すことにより形成された略同厚の磁粉入りガラスペーストの焼結体層が複数層積層された構造をなし、
   上記磁性層の最上位の焼結体層におけるガラス成分の磁粉に対する割合は、下位の焼結体層におけるガラス成分の磁粉に対する割合よりも大きく設定されている、
   ことを特徴とする電子部品。
2. 請求項１に記載の電子部品において、
   上記最上位の焼結体層におけるガラス成分と磁粉との比が、９：１〜７：３の範囲内である、
   ことを特徴とする電子部品。
3. 請求項１又は請求項２に記載の電子部品において、
   上記最上位の焼結体層の表面は、平坦に研磨されている、
   ことを特徴とする電子部品。
4. 請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品において、
   上記焼結体層の磁粉は、粒径が１μｍ以上５μｍ以下のフェライト粒である、
   ことを特徴とする電子部品。
5. 基板上に所望厚さの磁性層を形成する第１の工程と、この第１の工程で形成された磁性層上に、電極パターンと絶縁層とを交互に積層することにより、絶縁層に被覆された内部電極を形成する第２の工程とを備える電子部品製造方法であって、
   上記第１の工程は、上記基板上に、磁粉入りガラスペーストを塗布した後、このペーストを焼結して焼結体層を形成する過程を複数回繰り返すことにより、複数の上記焼結体層を上記基板上に積層することで、所望厚さの上記磁性層を形成するものであり、
   上記最上位の焼結体層を形成するための磁粉入りガラスペーストにおけるガラス成分の磁粉に対する割合を、下位の焼結体層を形成するための磁粉入りガラスペーストにおけるガラス成分の磁粉に対する割合よりも大きく設定した、
   ことを特徴とする電子部品製造方法。
6. 請求項５に記載の電子部品製造方法において、
   上記最上位の焼結体層におけるガラス成分と磁粉との比を、９：１〜７：３の範囲内に設定した、
   ことを特徴とする電子部品製造方法。
7. 請求項５又は請求項６に記載の電子部品製造方法において、
   上記最上位の焼結体層の表面を、研磨した、
   ことを特徴とする電子部品製造方法。
8. 請求項５ないし請求項７のいずれかに記載の電子部品製造方法において、
   上記焼結体層の磁粉として、粒径が１μｍ以上５μｍ以下のフェライト粒を用いた、
   ことを特徴とする電子部品製造方法。

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