JP2015053336A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015053336A JP2015053336A JP2013184259A JP2013184259A JP2015053336A JP 2015053336 A JP2015053336 A JP 2015053336A JP 2013184259 A JP2013184259 A JP 2013184259A JP 2013184259 A JP2013184259 A JP 2013184259A JP 2015053336 A JP2015053336 A JP 2015053336A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- sacrificial
- semiconductor
- channel
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 246
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 167
- 239000010408 film Substances 0.000 description 90
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical compound Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021476 group 6 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7827—Vertical transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66666—Vertical transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66833—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET with a charge trapping gate insulator, e.g. MNOS transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/792—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with charge trapping gate insulator, e.g. MNOS-memory transistors
- H01L29/7926—Vertical transistors, i.e. transistors having source and drain not in the same horizontal plane
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
- H10B43/20—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
- H10B43/23—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels
- H10B43/27—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels the channels comprising vertical portions, e.g. U-shaped channels
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
【課題】管状の形状を有する半導体層内にチャネルを有するトランジスタを簡単に形成可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】一の実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、半導体基板上に、前記半導体基板の主面に垂直な第1方向に延びる柱状の形状を有し、第1の半導体材料で形成された犠牲半導体層を形成する。さらに、前記方法は、前記犠牲半導体層の周囲に、前記第1方向に延びる管状の形状を有し、前記第1の半導体材料と異なる第2の半導体材料で形成されたチャネル半導体層を形成する。さらに、前記方法は、前記チャネル半導体層の形成後に前記犠牲半導体層を除去する。さらに、前記チャネル半導体層は、前記半導体基板上に形成された1つ以上の電極層に絶縁膜を介して隣接するように形成される。
【選択図】図1
【解決手段】一の実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、半導体基板上に、前記半導体基板の主面に垂直な第1方向に延びる柱状の形状を有し、第1の半導体材料で形成された犠牲半導体層を形成する。さらに、前記方法は、前記犠牲半導体層の周囲に、前記第1方向に延びる管状の形状を有し、前記第1の半導体材料と異なる第2の半導体材料で形成されたチャネル半導体層を形成する。さらに、前記方法は、前記チャネル半導体層の形成後に前記犠牲半導体層を除去する。さらに、前記チャネル半導体層は、前記半導体基板上に形成された1つ以上の電極層に絶縁膜を介して隣接するように形成される。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、半導体装置およびその製造方法に関する。
従来の半導体記憶装置のセルトランジスタは、半導体基板内にチャネルを有することが一般的である。一方、近年においては、半導体基板上に形成された半導体層内にチャネルを有するセルトランジスタも検討されている。例えば、BiCS(Bit Cost Scalable)フラッシュメモリのセルトランジスタは、上下方向に延びる管状の形状を有する半導体層内にチャネルを有している。
Katsuhiro Tomioka, Keitaro Ikejiri, Tomotaka Tanaka, Junichi Motohisa, Shinjiroh Hara, Kenji Hiruma and Takashi Fukui, "Selective-area growth of III-V nanowires and their applications" Journal of Materials Research, vol.26, p.2127 (2011)
管状の形状を有する半導体層内にチャネルを有するトランジスタを簡単に形成可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
一の実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、半導体基板上に、前記半導体基板の主面に垂直な第1方向に延びる柱状の形状を有し、第1の半導体材料で形成された犠牲半導体層を形成する。さらに、前記方法は、前記犠牲半導体層の周囲に、前記第1方向に延びる管状の形状を有し、前記第1の半導体材料と異なる第2の半導体材料で形成されたチャネル半導体層を形成する。さらに、前記方法は、前記チャネル半導体層の形成後に前記犠牲半導体層を除去する。さらに、前記チャネル半導体層は、前記半導体基板上に形成された1つ以上の電極層に絶縁膜を介して隣接するように形成される。
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態の半導体装置の構造を示す断面図である。図2は、第1実施形態の半導体装置の構造を概略的に示す平面図である。図2は、図1の平面Kに沿った断面図であり、図1に示す構成要素の一部を示している。本実施形態の半導体装置は、BiCSフラッシュメモリである。
図1は、第1実施形態の半導体装置の構造を示す断面図である。図2は、第1実施形態の半導体装置の構造を概略的に示す平面図である。図2は、図1の平面Kに沿った断面図であり、図1に示す構成要素の一部を示している。本実施形態の半導体装置は、BiCSフラッシュメモリである。
以下、本実施形態の半導体装置の構造を、主に図1を参照して説明する。この説明中において、適宜、図2も参照する。
本実施形態の半導体装置は、半導体基板1と、2層以上の絶縁層2と、1層以上の電極層3と、メモリ絶縁膜4と、チャネル半導体層5と、第1の絶縁膜6と、第2の絶縁膜7と、層間絶縁膜8とを備えている。
半導体基板1は、例えば、シリコン基板である。図1は、半導体基板1の主面Sに平行で、互いに垂直なX方向およびY方向と、半導体基板1の主面Sに垂直なZ方向とを示している。Z方向は、本開示の第1方向の例である。半導体基板1の主面Sは、(111)面である。
本明細書においては、+Z方向を上方向として取り扱い、−Z方向を下方向として取り扱う。例えば、半導体基板1と層間絶縁膜8との位置関係は、層間絶縁膜8が半導体基板1の上方に位置していると表現される。
絶縁層2と電極層3は、半導体基板1上に交互に積層されている。絶縁層2は、例えばシリコン酸化膜である。電極層3は例えば、P(リン)やB(ボロン)などのドーパント不純物が高濃度に添加され、電極として機能するポリシリコン層である。絶縁層2と電極層3は、メモリ絶縁膜4を介してチャネル半導体層5に隣接している。電極層3は、BiCSフラッシュメモリのワード線や選択ゲートとして機能する。
メモリ絶縁膜4は、図2に示すように、Z方向に延びる管状(パイプ状)の形状を有している。メモリ絶縁膜4の外周面および内周面のZ方向に垂直な断面の形状は、円形である。符号D1、D2はそれぞれ、メモリ絶縁膜4の外周面と内周面の直径を示す。メモリ絶縁膜4は例えば、第1のシリコン酸化膜とシリコン窒化膜と第2のシリコン酸化膜とを含むONO積層膜である。メモリ絶縁膜4の外周面は、絶縁層2および電極層3により包囲されている。
チャネル半導体層5は、図2に示すように、Z方向に延びる管状の形状を有している。チャネル半導体層5の外壁面および内壁面のZ方向に垂直な断面の形状は、六角形、より詳細には、おおむね正六角形である。符号L1、L2はそれぞれ、チャネル半導体層5の外壁面と内壁面の六角形の辺の長さを示す。長さL1は例えば15nmであり、長さL2は例えば5nmである。チャネル半導体層5は、例えば単結晶半導体層であり、より詳細には単結晶シリコン層である。この単結晶シリコン層は、n型不純物、p型不純物、窒素などを含有していてもよい。チャネル半導体層5の外壁面は、メモリ絶縁膜4を介して絶縁層2および電極層3により包囲されている。チャネル半導体層5は、セルトランジスタや選択トランジスタのチャネルとして機能する。
なお、チャネル半導体層5の外壁面や内壁面の断面の形状に関し、六角形とは、6本の辺がすべて直線である形状だけでなく、例えば、6本の辺のいずれかが緩やかな曲線である形状や、6本の辺のいずれかが小さな凹凸を有する形状も含むものとする。また、上記の六角形とは、6つの角のいずれかが丸まっている形状も含むものとする。これは、後述する他の構成要素の形状が六角形であるとする記載においても同様である。
第1の絶縁膜6は、チャネル半導体層5の内壁面と半導体基板1の主面Sに形成されている。第1の絶縁膜6は、図2に示すように、Z方向に延びる管状の形状を有している。第1の絶縁膜6の外周面および内周面のZ方向に垂直な断面の形状は、六角形、より詳細には、おおむね正六角形である。第1の絶縁膜6は、例えばシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜である。
第2の絶縁膜7は、チャネル半導体層5の内壁面の内側に第1の絶縁膜6を介して形成されている。第2の絶縁膜7は、図2に示すように、Z方向に延びる柱状(ピラー状)の形状を有している。第2の絶縁膜7のZ方向に垂直な断面の形状は、六角形、より詳細には、おおむね正六角形である。第2の絶縁膜7は、例えばシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜である。なお、本実施形態の第2の絶縁膜7は、図2に示すように、メモリ絶縁膜4とチャネル半導体層5との間にも形成されている。
層間絶縁膜8は、半導体基板1上の全面に、絶縁層2、電極層3、メモリ絶縁膜4、チャネル半導体層5、第1の絶縁膜6、第2の絶縁膜7を覆うように形成されている。層間絶縁膜8は、例えばシリコン酸化膜である。
図3〜図5は、第1実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
まず、図3(a)に示すように、半導体基板1上に、絶縁層2と電極層3とを交互に積層する。
次に、図3(b)に示すように、リソグラフィおよびエッチングにより、絶縁層2および電極層3を貫通して半導体基板1の主面Sに達する穴H1を形成する。穴H1の断面形状は、直径D1(図2参照)を有する円形である。
次に、図3(c)に示すように、半導体基板1上の全面に、メモリ絶縁膜4と犠牲膜11とを順に形成する。その結果、穴H1の側面および底面に、メモリ絶縁膜4と犠牲膜11とが順に形成される。犠牲膜11は、例えば酸化アルミニウム膜(Al2O3膜)である。犠牲膜11は、内周面の断面形状が図2に示す円Cとなるように形成される。円Cの直径は、2L2である。
次に、図4(a)に示すように、リソグラフィおよびエッチングにより、穴H1の底面のメモリ絶縁膜4と犠牲膜11とを除去する。その結果、穴H1の底面に半導体基板1の主面Sが露出する。
次に、図4(b)に示すように、(111)面である半導体基板1の主面Sから、犠牲半導体層12を成長させる。その結果、犠牲半導体層12が矢印A1のようにZ方向に成長してゆき、穴H1の内部にメモリ絶縁膜4と犠牲膜11とを介して犠牲半導体層12が形成される。犠牲半導体層12は、Z方向に延びる柱状の形状を有する。なお、犠牲半導体層12のZ方向の長さは、犠牲半導体層12の成長時間を調整することで制御可能である。
犠牲半導体層12は例えば、GaAs(ガリウムヒ素)層などのIII-V族化合物半導体層である。GaAsなどのIII-V族化合物半導体は、本開示の第1の半導体材料の例である。本実施形態の犠牲半導体層12は、GaAsなどのIII-V族化合物半導体で形成された単結晶半導体層となっている。この単結晶半導体は、本開示の第1の単結晶半導体材料の例である。犠牲半導体層12がGaAs層の場合、犠牲半導体層12の成膜温度は例えば500℃に設定され、ガスとして例えばトリメチルガリウム(TMGa)およびアンモニア(NH3)を使用したCVDにより犠牲半導体層12を成長させることが可能である。この際、犠牲半導体層12の成長条件の調整により、上下方向(Z方向)への成長速度を水平方向(X方向、Y方向)への成長速度よりも速くすることで、上下方向(Z方向)に細長い単結晶柱を形成することができる。
犠牲半導体層12は、GaAs層の代わりに、GaP(ガリウムリン)層、InP(インジウムリン)層、InAs(インジウムヒ素)層、またはGa、In、As、Pのうちの3つ以上を含む三元材料層や四元材料層でもよい。また、犠牲半導体層12は、その他のIII族元素およびV族元素を含む化合物半導体層や、II族元素およびVI族元素を含む化合物材料層でもよい。
犠牲半導体層12のZ方向に垂直な断面の形状は、(111)面である半導体基板1の主面Sの作用により、六角形(より詳細には、おおむね正六角形)になる。また、犠牲半導体層12は、犠牲膜11の直径2L2の内周面の内側で成長するため、犠牲半導体層12の外壁面の六角形の辺の長さはL2となる。図4(b)の工程において、犠牲膜11の円形断面の内周面と犠牲半導体層12の六角形断面の外壁面との間には、隙間が残存することとなる。すなわち、本実施形態の穴H1は、犠牲半導体層12により完全には埋められず、上記隙間が残存する形で犠牲半導体層12により埋められる。
次に、図4(c)に示すように、犠牲半導体層12の形成後に、選択的エッチングにより犠牲膜11を除去する。その結果、メモリ絶縁膜4と犠牲半導体層12との間に穴H2が形成される。穴H2は、Z方向に延びる管状の形状を有する。
次に、図5(a)に示すように、犠牲半導体層12の外壁面から、チャネル半導体層5を成長させる。その結果、穴H2の内部においてチャネル半導体層5が矢印A2のように放射状に成長してゆき、犠牲半導体層12の周囲にチャネル半導体層5が形成される。犠牲半導体層12は、チャネル半導体層5がエピタキシャル成長するシードとして作用する。チャネル半導体層5は、Z方向に延びる管状の形状を有する。
チャネル半導体層5は、例えば単結晶シリコン層である。単結晶シリコンは、第1の半導体材料と異なる第2の半導体材料の例であり、かつ、第1の単結晶半導体材料と異なる第2の単結晶半導体材料の例である。チャネル半導体層5が単結晶シリコン層の場合、チャネル半導体層5は例えば、水素(H2)で希釈したジクロルシラン(SiH2Cl2)ガスを流しつつアニールを行うことで形成される。この際、成膜温度と成膜圧力を例えば800℃と10Torrに設定することで、チャネル半導体層5は、単結晶半導体層である犠牲半導体層12の表面上のみに選択的に成長し、それ以外の絶縁膜上には成長しない。
なお、半導体基板1の主面Sが(111)面である場合、穴H2の底面の半導体基板1上に単結晶シリコン層はほとんど成長しない。よって、チャネル半導体層5が単結晶シリコン層の場合、図5(a)の工程において、チャネル半導体層5は、ほぼ犠牲半導体層12の外壁面のみから成長する。
チャネル半導体層5は、犠牲半導体層12の外壁面から成長するため、チャネル半導体層5の内壁面および外壁面のZ方向に垂直な断面の形状は、六角形(より詳細には、おおむね正六角形)となり、チャネル半導体層5の内壁面の六角形の辺の長さはL2となる。また、チャネル半導体層5は、メモリ絶縁膜4の直径D2(=2L1)の内周面の内側で成長するため、チャネル半導体層5の外壁面の六角形の辺の長さはL1となる。図5(a)の工程において、メモリ絶縁膜4の円形断面の内周面とチャネル半導体層5の六角形断面の外壁面との間には、隙間が残存することとなる。すなわち、本実施形態の穴H2は、チャネル半導体層5により完全には埋められず、上記隙間が残存する形でチャネル半導体層5により埋められる。
図5(a)の工程により、チャネル半導体層5は、絶縁層2および電極層3にメモリ絶縁膜4を介して隣接する位置に形成される。
なお、チャネル半導体層5の平面形状を図6に示す。図6は、第1実施形態の半導体装置の製造方法を概略的に示す平面図である。図6は、平面K(図1参照)に沿った断面図であり、図5(a)に示す構成要素の一部を示している。図5(a)の工程において、チャネル半導体層5は、矢印A2のように放射状に成長してゆく。
次に、図5(b)に示すように、チャネル半導体層5の形成後に、選択的エッチングにより犠牲半導体層12を除去する。その結果、チャネル半導体層5の内壁面の内側に穴H3が形成される。穴H3の断面形状は、長さL2(図2参照)の辺を有する六角形であり、より詳細には、おおむね正六角形である。
次に、図5(c)に示すように、チャネル半導体層5の内壁面および半導体基板1の主面Sに、第1の絶縁膜6を形成する。第1の絶縁膜6は、例えばシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜である。第1の絶縁膜6は例えば、チャネル半導体層5の表面を窒化または酸化することにより形成される。第1の絶縁膜6は、窒素または酸素を含有するその他の絶縁膜でもよい。
次に、図5(c)に示すように、チャネル半導体層5の内壁面の内側に、第1の絶縁膜6を介して第2の絶縁膜7を形成する。第2の絶縁膜7は、例えばシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜である。なお、図5(c)に示す形状の第1、第2の絶縁膜6、7は例えば、第1、第2の絶縁膜6、7の形成後にCMP(Chemical Mechanical Polishing)を行うことにより得られる。
その後、本実施形態においては、半導体基板1上に層間絶縁膜8などが形成される。このようにして、本実施形態の半導体装置が製造される。
なお、犠牲半導体層12内のヒ素の一部は、図5(a)および図5(b)の工程中に、チャネル半導体層5内に拡散されてもよい。また、第1の絶縁膜6内の窒素の一部は、チャネル半導体層5内に拡散されてもよい。これらの場合、チャネル半導体層5は、ヒ素や窒素を含有することとなる。これらヒ素や窒素の拡散は例えば、セルトランジスタや選択トランジスタの閾値電圧の調整用に利用可能である。
また、図5(a)の工程において、メモリ絶縁膜4の内周面とチャネル半導体層5の外壁面との間に形成された隙間は、第2の絶縁膜7や層間絶縁膜8により埋め込まれてもよいし、少なくともその一部がエアギャップとして残存してもよい。また、第1の絶縁膜6を形成する際に、第1の絶縁膜6内の一部の原子を、チャネル半導体層5内に拡散させて、チャネル半導体層5とメモリ絶縁膜4との間の隙間または界面に析出させてもよい。図2は、この隙間に第2の絶縁膜7が埋め込まれた例を示している。
本実施形態の犠牲半導体層12は、例えばGaAs(ガリウムヒ素)層であり、本実施形態のチャネル半導体層5は、例えば単結晶シリコン層である。単結晶シリコンの格子定数が0.543nmであるのに対し、GaとAsとの組成比が1対1の通常のGaAsの格子定数は0.565nmである。GaAsの格子定数は、単結晶シリコンの格子定数の約1.041倍であり、単結晶シリコンの格子定数の値と近い値である。
犠牲半導体層12とチャネル半導体層5の格子定数が近い場合は、チャネル半導体層5内に結晶欠陥が発生しにくい。よって、本実施形態の犠牲半導体層12の格子定数は、単結晶シリコンの格子定数の0.95倍〜1.05倍であることが望ましい。これにより、本実施形態によれば、チャネル半導体層5内の結晶欠陥の個数を、犠牲半導体層12とチャネル半導体層5がそれぞれGaAs層、単結晶シリコン層の場合の結晶欠陥の個数と同程度以下に抑制することが可能となる。
犠牲半導体層12の格子定数は、チャネル半導体層5の格子定数の0.98倍〜1.02倍に設定することがさらに望ましい。これは例えば、犠牲半導体層12、チャネル半導体層5がそれぞれGaAs層、単結晶シリコン層である場合に、GaAs層内のAs原子の一部をP(リン)原子に置き換えることにより実現可能である。
以上のように、本実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体基板1上に、Z方向に延びる柱状の形状を有する犠牲半導体層12を形成し、犠牲半導体層12の周囲に、Z方向に延びる管状の形状を有するチャネル半導体層5を形成する。
一般に、Z方向に延びる管状の形状を有する半導体層は、VLS(Vapor-Liquid-Solid)成長やSA−MOVPE(Selective-Area Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy)成長を利用したプロセスにより形成可能であるが、より簡単な形成方法が求められている。
本実施形態によれば、VLS成長を利用する場合に使用されるような金属触媒を用いずに、チャネル半導体層5を形成することができる。また、本実施形態によれば、SA−MOVPE成長を利用する場合に使用されるようなアモルファス薄膜のマスクを用いずに、チャネル半導体層5を形成することができる。
よって、本実施形態によれば、管状の形状を有するチャネル半導体層5を簡単に形成することができ、その結果、このようなチャネル半導体層5内にチャネルを有するトランジスタを簡単に形成することが可能となる。
また、本実施形態のチャネル半導体層5は、内壁面の断面形状が六角形であり、結晶的に安定な面を内壁面として有している。よって、本実施形態によれば、このようなチャネル半導体層5を使用してトランジスタを形成することにより、高い信頼性を有する半導体装置を実現することが可能となる。
また、本実施形態の半導体基板1は、(111)面である主面Sを有している。よって、本実施形態によれば、外壁面の断面形状が六角形の犠牲半導体層12や、内壁面と外壁面の断面形状が六角形のチャネル半導体層5を簡単に形成することが可能となる。
なお、本実施形態の半導体装置は、図1に示す構造を有するチャネル半導体層5を複数個備えることが可能である。これらのチャネル半導体層5は例えば、図3(b)の工程で穴H1を複数個形成し、図3(c)〜図5(c)の工程を各穴H1について実行することで形成可能である。これらのチャネル半導体層5は例えば、半導体基板1上に四角格子状や三角格子状に配置される。
また、本実施形態は、BiCSフラッシュメモリ以外の半導体装置にも適用することが可能である。
以上、いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例としてのみ提示したものであり、発明の範囲を限定することを意図したものではない。本明細書で説明した新規な装置および方法は、その他の様々な形態で実施することができる。また、本明細書で説明した装置および方法の形態に対し、発明の要旨を逸脱しない範囲内で、種々の省略、置換、変更を行うことができる。添付の特許請求の範囲およびこれに均等な範囲は、発明の範囲や要旨に含まれるこのような形態や変形例を含むように意図されている。
1:半導体基板、2:絶縁層、3:電極層、4:メモリ絶縁膜、
5:チャネル半導体層、6:第1の絶縁膜、7:第2の絶縁膜、8:層間絶縁膜、
11:犠牲膜、12:犠牲半導体層
5:チャネル半導体層、6:第1の絶縁膜、7:第2の絶縁膜、8:層間絶縁膜、
11:犠牲膜、12:犠牲半導体層
Claims (9)
- 半導体基板上に、前記半導体基板の主面に垂直な第1方向に延びる柱状の形状を有し、第1の半導体材料で形成された犠牲半導体層を形成し、
前記犠牲半導体層の周囲に、前記第1方向に延びる管状の形状を有し、前記第1の半導体材料と異なる第2の半導体材料で形成されたチャネル半導体層を形成し、
前記チャネル半導体層の形成後に前記犠牲半導体層を除去し、
前記チャネル半導体層は、前記半導体基板上に形成された1つ以上の電極層に絶縁膜を介して隣接するように形成される、半導体装置の製造方法。 - 前記犠牲半導体層の前記第1方向に垂直な断面の形状は、六角形である、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板の前記主面は、(111)面である、請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記犠牲半導体層の格子定数は、前記チャネル半導体層の格子定数の0.95倍〜1.05倍である、請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記犠牲半導体層は、第1の単結晶半導体材料で形成され、
前記チャネル半導体層は、前記第1の単結晶半導体材料と異なる第2の単結晶半導体材料で形成される、
請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - さらに、
前記半導体基板上に2つ以上の絶縁層と前記1つ以上の電極層とを交互に積層し、
前記絶縁層および前記電極層を貫通して前記半導体基板に達する穴を形成し、
前記穴の側面に前記絶縁膜と犠牲膜とを順に形成し、
前記穴の内部に前記絶縁膜と前記犠牲膜とを介して前記穴を埋めるように前記犠牲半導体層を形成し、
前記犠牲半導体層の形成後に前記犠牲膜を除去し、
前記犠牲膜の除去後に、前記犠牲半導体層の周囲に前記チャネル半導体層を形成する、
ことを含む、請求項1から5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - さらに、前記犠牲半導体層の除去後に、前記チャネル半導体層の内壁面に、窒素または酸素を含有する第1の絶縁膜を形成することを含む、請求項1から6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、前記半導体基板の主面に垂直な第1方向に延びる管状の形状を有するチャネル半導体層と、
前記半導体基板上に形成され、前記チャネル半導体層に絶縁膜を介して隣接する、1つ以上の電極層とを備え、
前記チャネル半導体層の内壁面の前記第1方向に垂直な断面の形状は、六角形である、半導体装置。 - 前記1つ以上の電極層は、前記半導体基板上に2つ以上の絶縁層と交互に積層され、前記チャネル半導体層の外壁面を前記絶縁膜を介して包囲する形状を有する、請求項8に記載の半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013184259A JP2015053336A (ja) | 2013-09-05 | 2013-09-05 | 半導体装置およびその製造方法 |
US14/183,010 US9257552B2 (en) | 2013-09-05 | 2014-02-18 | Semiconductor device and method of manufacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013184259A JP2015053336A (ja) | 2013-09-05 | 2013-09-05 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015053336A true JP2015053336A (ja) | 2015-03-19 |
Family
ID=52581997
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013184259A Pending JP2015053336A (ja) | 2013-09-05 | 2013-09-05 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9257552B2 (ja) |
JP (1) | JP2015053336A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9917099B2 (en) | 2016-03-09 | 2018-03-13 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor device having vertical channel between stacked electrode layers and insulating layers |
KR20190076853A (ko) * | 2017-12-22 | 2019-07-02 | 아이엠이씨 브이제트더블유 | 3차원 반도체 메모리 소자를 제조하는 방법 및 이러한 방법을 사용하여 제조된 소자 |
JP2019220670A (ja) * | 2018-06-20 | 2019-12-26 | コリア アドバンスト インスティテュート オブ サイエンス アンド テクノロジー | セルの信頼性を向上させるための垂直集積型3次元フラッシュメモリおよびその製造方法 |
KR20190143330A (ko) * | 2018-06-20 | 2019-12-30 | 한국과학기술원 | 셀 신뢰성 향상을 위한 수직 집적형 삼차원 플래시메모리 및 그 제조 방법 |
KR20200093075A (ko) * | 2017-12-27 | 2020-08-04 | 마이크론 테크놀로지, 인크 | 트랜지스터의 채널 영역을 형성하는 방법 및 메모리 어레이를 형성하는데 사용되는 방법 |
KR20200094223A (ko) * | 2017-12-27 | 2020-08-06 | 마이크론 테크놀로지, 인크 | 메모리 셀의 고도-연장 스트링의 트랜지스터 및 어레이 |
JP2020526924A (ja) * | 2017-07-10 | 2020-08-31 | マイクロン テクノロジー,インク. | Nandメモリ・アレイ、半導体チャネル材料及び窒素を含むデバイス、並びにnandメモリ・アレイを形成する方法 |
US10964716B2 (en) | 2018-09-13 | 2021-03-30 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing same |
US11538919B2 (en) | 2021-02-23 | 2022-12-27 | Micron Technology, Inc. | Transistors and arrays of elevationally-extending strings of memory cells |
US11594551B2 (en) | 2019-09-20 | 2023-02-28 | Kioxia Corporation | Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device |
US11955545B2 (en) | 2021-09-17 | 2024-04-09 | Kioxia Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105448989B (zh) * | 2014-08-26 | 2018-12-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体装置及其制造方法 |
US9893080B2 (en) * | 2016-03-04 | 2018-02-13 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor device having a diverse shaped columnar portion |
JP2018157069A (ja) | 2017-03-17 | 2018-10-04 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体記憶装置 |
JP6969935B2 (ja) | 2017-08-28 | 2021-11-24 | キオクシア株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2020047620A (ja) * | 2018-09-14 | 2020-03-26 | キオクシア株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
CN110800106B (zh) * | 2019-09-29 | 2021-01-29 | 长江存储科技有限责任公司 | 具有外延生长的半导体沟道的三维存储器件及其形成方法 |
CN113745113B (zh) * | 2020-05-28 | 2023-12-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件及其形成方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003092366A (ja) * | 2001-06-23 | 2003-03-28 | Fujio Masuoka | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2009094214A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法 |
JP2009152587A (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Hynix Semiconductor Inc | 垂直チャネルトランジスタの製造方法及び半導体素子のピラー製造方法 |
JP2010225946A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4813775B2 (ja) | 2004-06-18 | 2011-11-09 | 日本電信電話株式会社 | 多孔構造体及びその製造方法 |
JP5016832B2 (ja) | 2006-03-27 | 2012-09-05 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP4768557B2 (ja) | 2006-09-15 | 2011-09-07 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
KR100881825B1 (ko) * | 2007-07-27 | 2009-02-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US8349681B2 (en) * | 2010-06-30 | 2013-01-08 | Sandisk Technologies Inc. | Ultrahigh density monolithic, three dimensional vertical NAND memory device |
JP2010283381A (ja) | 2010-08-26 | 2010-12-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ヘテロ構造の製造方法 |
JP2012222274A (ja) | 2011-04-13 | 2012-11-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ナノピラーの作製方法 |
-
2013
- 2013-09-05 JP JP2013184259A patent/JP2015053336A/ja active Pending
-
2014
- 2014-02-18 US US14/183,010 patent/US9257552B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003092366A (ja) * | 2001-06-23 | 2003-03-28 | Fujio Masuoka | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2009094214A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法 |
JP2009152587A (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Hynix Semiconductor Inc | 垂直チャネルトランジスタの製造方法及び半導体素子のピラー製造方法 |
JP2010225946A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10276590B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-04-30 | Toshiba Memory Corporation | Method for manufacturing a semiconductor device including a vertical channel between stacked electrode layers and an insulating layer |
US9917099B2 (en) | 2016-03-09 | 2018-03-13 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor device having vertical channel between stacked electrode layers and insulating layers |
JP2020526924A (ja) * | 2017-07-10 | 2020-08-31 | マイクロン テクノロジー,インク. | Nandメモリ・アレイ、半導体チャネル材料及び窒素を含むデバイス、並びにnandメモリ・アレイを形成する方法 |
US11404571B2 (en) | 2017-07-10 | 2022-08-02 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming NAND memory arrays |
JP2022103430A (ja) * | 2017-07-10 | 2022-07-07 | マイクロン テクノロジー,インク. | 半導体チャネル材料及び窒素を含む、デバイス及びメモリ・アレイ |
KR20190076853A (ko) * | 2017-12-22 | 2019-07-02 | 아이엠이씨 브이제트더블유 | 3차원 반도체 메모리 소자를 제조하는 방법 및 이러한 방법을 사용하여 제조된 소자 |
KR102667281B1 (ko) * | 2017-12-22 | 2024-05-21 | 아이엠이씨 브이제트더블유 | 3차원 반도체 메모리 소자를 제조하는 방법 및 이러한 방법을 사용하여 제조된 소자 |
KR102419542B1 (ko) * | 2017-12-27 | 2022-07-11 | 마이크론 테크놀로지, 인크 | 메모리 셀의 고도-연장 스트링의 트랜지스터 및 어레이 |
JP7113923B2 (ja) | 2017-12-27 | 2022-08-05 | マイクロン テクノロジー,インク. | トランジスタのチャネル領域を形成する方法、及びメモリアレイを形成する際に使用される方法 |
KR20200094223A (ko) * | 2017-12-27 | 2020-08-06 | 마이크론 테크놀로지, 인크 | 메모리 셀의 고도-연장 스트링의 트랜지스터 및 어레이 |
JP2021509226A (ja) * | 2017-12-27 | 2021-03-18 | マイクロン テクノロジー,インク. | トランジスタ、およびメモリ・セルの高さ方向に延びるストリングのアレイ |
JP7265552B2 (ja) | 2017-12-27 | 2023-04-26 | マイクロン テクノロジー,インク. | トランジスタ、およびメモリ・セルの高さ方向に延びるストリングのアレイ |
JP2022501800A (ja) * | 2017-12-27 | 2022-01-06 | マイクロン テクノロジー,インク. | トランジスタのチャネル領域を形成する方法、及びメモリアレイを形成する際に使用される方法 |
KR102416864B1 (ko) * | 2017-12-27 | 2022-07-05 | 마이크론 테크놀로지, 인크 | 트랜지스터의 채널 영역을 형성하는 방법 및 메모리 어레이를 형성하는데 사용되는 방법 |
KR20200093075A (ko) * | 2017-12-27 | 2020-08-04 | 마이크론 테크놀로지, 인크 | 트랜지스터의 채널 영역을 형성하는 방법 및 메모리 어레이를 형성하는데 사용되는 방법 |
US10636810B2 (en) | 2018-06-20 | 2020-04-28 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Vertically-integrated 3-dimensional flash memory for high reliable flash memory and fabrication method thereof |
KR20190143330A (ko) * | 2018-06-20 | 2019-12-30 | 한국과학기술원 | 셀 신뢰성 향상을 위한 수직 집적형 삼차원 플래시메모리 및 그 제조 방법 |
KR102144171B1 (ko) | 2018-06-20 | 2020-08-12 | 한국과학기술원 | 셀 신뢰성 향상을 위한 수직 집적형 삼차원 플래시메모리 및 그 제조 방법 |
JP2019220670A (ja) * | 2018-06-20 | 2019-12-26 | コリア アドバンスト インスティテュート オブ サイエンス アンド テクノロジー | セルの信頼性を向上させるための垂直集積型3次元フラッシュメモリおよびその製造方法 |
US10964716B2 (en) | 2018-09-13 | 2021-03-30 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing same |
US11594551B2 (en) | 2019-09-20 | 2023-02-28 | Kioxia Corporation | Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device |
US11538919B2 (en) | 2021-02-23 | 2022-12-27 | Micron Technology, Inc. | Transistors and arrays of elevationally-extending strings of memory cells |
US11955545B2 (en) | 2021-09-17 | 2024-04-09 | Kioxia Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9257552B2 (en) | 2016-02-09 |
US20150060998A1 (en) | 2015-03-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2015053336A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5145672B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US9305883B2 (en) | Locally raised epitaxy for improved contact by local silicon capping during trench silicide processings | |
TWI647744B (zh) | 在低溫下生長薄磊晶膜的方法 | |
CN104051537B (zh) | 有刻面的半导体纳米线 | |
CN104051273B (zh) | 用于在最大化通道应力水平的同时减小短通道效应的刻面本征外延缓冲层及其形成方法 | |
US8900934B2 (en) | FinFET devices containing merged epitaxial Fin-containing contact regions | |
JP2017050526A (ja) | 多層チャネル及び電荷トラップ層を有するメモリデバイス | |
JP2017050527A (ja) | 3次元メモリ装置の垂直分割 | |
US10847639B2 (en) | Method and structure for forming dielectric isolated FinFET with improved source/drain epitaxy | |
US11800716B2 (en) | Method for in situ preparation of antimony-doped silicon and silicon germanium films | |
US11424231B2 (en) | Three-dimensional memory device having an epitaxial vertical semiconductor channel and method for making the same | |
US10205002B2 (en) | Method of epitaxial growth shape control for CMOS applications | |
CN103311279B (zh) | 半导体装置及用于制造半导体装置的方法 | |
US10872953B2 (en) | Nanosheet substrate isolated source/drain epitaxy by counter-doped bottom epitaxy | |
US11239253B2 (en) | Three-dimensional memory device having an epitaxial vertical semiconductor channel and method for making the same | |
US20160293750A1 (en) | Semiconductor devices including a finfet | |
US9245974B2 (en) | Performance boost by silicon epitaxy | |
TWI544623B (zh) | 磊晶層及其製作方法 | |
US9752251B2 (en) | Self-limiting selective epitaxy process for preventing merger of semiconductor fins | |
TW201833996A (zh) | 在鰭式場效電晶體(finfet)裝置上形成共形磊晶半導體覆層材料之方法 | |
US11956964B2 (en) | Semiconductor memory device and method of manufacturing thereof | |
CN104781916A (zh) | 用于制造非易失性电荷俘获存储器装置的自由基氧化工艺 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150814 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160311 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160916 |