JP2015049492A - ゲート絶縁膜、感放射線性樹脂組成物、硬化膜、ゲート絶縁膜の形成方法、半導体素子および表示装置 - Google Patents
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Abstract
Description
尚、ドレイン電極とソース電極と半導体層とを設けた後、半導体層の上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を重畳するTFT構造は、正スタガ構造(トップゲート構造)と呼ばれている。
[A]下記式(1)で示されるシラン化合物を加水分解縮合させて得られるシロキサン化合物、並びに
[B]下記式(2)および下記式(4)で示される光重合開始剤の群から選ばれる少なくとも1種
を含む感放射線性樹脂組成物を用いて形成されることを特徴とするゲート絶縁膜に関する。
[B]下記式(2)および下記式(4)で示される光重合開始剤の群から選ばれる少なくとも1種を含み、
半導体層と、ゲート電極と、その半導体層とそのゲート電極との間に配置されたゲート絶縁膜とを有する半導体素子のそのゲート絶縁膜の形成に用いられることを特徴とする感放射線性樹脂組成物に関する。
半導体層と、ゲート電極と、その半導体層とそのゲート電極との間に配置されたゲート絶縁膜とを有する半導体素子のそのゲート絶縁膜に用いられることを特徴とする硬化膜に関する。
(1)本発明の第2の態様の感放射線性樹脂組成物を用い、ゲート電極を有する基板上に塗膜を形成する工程、
(2)上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
(3)上記放射線が照射された塗膜を現像する工程、および
(4)上記現像された塗膜を加熱する工程
を有することを特徴とするゲート絶縁膜の形成方法に関する。
そして、ゲート絶縁膜は、
[A]シロキサン化合物、および
[B]光重合開始剤
を含有する感放射線性樹脂組成物を用いて形成されたものである。
<半導体素子>
図1は、本発明の実施形態の半導体素子の構造を模式的に説明する断面図である。
また、有機導電膜の材料としては、ポリアニリン、ポリチオフェンおよびポリピロ−ル等の導電性の有機化合物、またはこれらの混合物を挙げることができる。
ゲート電極4の厚みは、10nm〜1000nmとすることが好ましい。
半導体層6にa−Siを用いる場合、半導体層6の厚みは、30nm〜500nmとすることが好ましい。また、半導体層6と、第1のソース−ドレイン電極7または第2のソース−ドレイン電極8との間には、オーミックコンタクトを取るための図示されないn+Si層が10nm〜150nmの厚さで形成されることが好ましい。
これら酸化物を用いることによりTFT3は、移動度に優れた半導体層6をより低温で形成して有し、高ON/OFF比を示すことが可能となる。
<感放射線性樹脂組成物>
本実施形態の感放射線性樹脂組成物は、[A]シロキサン化合物、および、[B]光重合開始剤を含有してなる感放射線性樹脂組成物である。そして、必要に応じて、[C]無機酸化物粒子、[D]溶剤およびその他の任意成分、を含有することができる。本実施形態の感放射線性樹脂組成物は、上述した本発明の実施形態である、半導体素子のゲート絶縁膜の形成用に好適に用いることができる。以下、本実施形態の感放射線性樹脂組成物に含有される成分について説明する。
本実施形態の感放射線性樹脂組成物の[A]成分である[A]シロキサン化合物は、シロキサン結合を有する化合物のポリマーであって、そのようなポリマーである限りは特に限定されるものではない。この[A]シロキサン化合物は、硬化物を形成する過程で、加水分解縮合が進行することが多い。
1個の非加水分解性基と3個の加水分解性基とで置換されたシラン化合物として、ヒドロトリメトキシシラン、ヒドロトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−i−プロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリ−i−プロポキシシラン、エチルトリブトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、へキシルトリメトキシシラン、へキシルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、スチリルトリメトキシシラン、スチリルトリエトキシシラン、トリルトリメトキシシラン、トリルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ−n−プロポキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、メルカプトプロピルトリメトキシシラン、メルカプトプロピルトリエトキシシラン、3−トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物、3−トリエトキシシリルプロピルコハク酸無水物、2−トリメトキシシリルエチルコハク酸無水物、2−トリエトキシシリルエチルコハク酸無水物等;
2個の非加水分解性基と2個の加水分解性基とで置換されたシラン化合物として、ジヒドロジメトキシシラン、ジヒドロジエトキシシラン、ヒドロメチルジメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルフェニルジメトキシシラン、メチルフェニルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジブチルジメトキシシラン等;
3個の非加水分解性基と1個の加水分解性基とで置換されたシラン化合物として、トリヒドロメトキシシラン、トリヒドロエトキシシラン、ジメチルフェニルメトキシシラン、ジメチルフェニルエトキシシラン、トリブチルメトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリブチルエトキシシラン等をそれぞれ挙げることができる。
シラン化合物以外の、加水分解性および縮合反応性を有する化合物、加水分解性チタン化合物、加水分解性アルミニウム化合物、加水分解性亜鉛化合物等も併用することができる。
本実施形態の感放射線性樹脂組成物の[B]成分である[B]光重合開始剤は、放射線を照射することにより、上述の[A]シロキサン化合物を縮合あるいは硬化反応させる際に作用する活性種を生成する化合物と定義される。尚、[B]光重合開始剤から上述の活性種を発生するために照射する放射線としては、上述したように、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線および荷電粒子線等を挙げることができる。これらの放射線の中でも、一定のエネルギーレベルを有し、大きな硬化速度を達成可能であり、しかも照射装置が比較的安価かつ小型であることから、紫外線を使用することが好ましい。
(式(4)中、R19およびR20は、それぞれ独立に、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、ハロゲンまたは水酸基を示す。mは1または2を示し、cおよびdはそれぞれ独立に0〜5の整数を示す。)
本実施形態の感放射線性樹脂組成物は、[A]シロキサン化合物および[B]光重合開始剤に加え、任意の成分として、[C]無機酸化物粒子を含有することができる。
本実施形態の感放射線性樹脂組成物は、[A]シロキサン化合物および[B]光重合開始剤に加え、任意の成分として、[C]無機酸化物粒子を含有することができ、さらに、[D]溶剤およびその他の任意成分を含有することができる。
上記式(8)で表される分散剤の市販品としては、(株)ADEKA製アデカトール(登録商標)TN/SO/UAシリーズ等が挙げられる。
これら添加剤の含有量は、本発明の目的を損なわない範囲内で適宜選択することができる。
本実施形態の感放射線性樹脂組成物は、上述した[A]シロキサン化合物および[B]光重合開始剤を所定の割合で混合することで調製される。また、本実施形態の感放射線性樹脂組成物が、必要に応じて、[C]無機酸化物粒子、[D]溶剤およびその他の任意成分、を含有する場合、[C]無機酸化物粒子、[D]溶剤およびその他の任意成分を所定の割合で混合することで、調製される。[A]シロキサン化合物は、あらかじめ溶剤に溶解させて、[A]シロキサン化合物の溶液として扱ってもよく、[B]光重合開始剤は、あらかじめ溶剤に溶解させて、[B]光重合開始剤の溶液として扱ってもよく、[C]無機酸化物粒子は、前述の通り[C]無機酸化物粒子の分散液として扱ってもよく、[D]成分としてのその他の任意成分は、あらかじめ溶剤に溶解させて、[D]その他任意成分の溶液として扱ってもよい。これらの場合に用いる溶剤は、前述の[D]溶剤と同様のものを用いることができる。また、[C]無機酸化物粒子を含有する場合は、前述の通り、必要に応じて分散処理を行ってもよい。
<硬化膜およびゲート絶縁膜>
本実施形態の硬化膜は、上述した本実施形態の感放射線性樹脂組成物を用いて形成される。以下で、本実施形態の硬化膜およびそれを形成する方法について説明する。本実施形態の硬化膜は、例えば、上述した本発明の実施形態の半導体素子のゲート絶縁膜、すなわち、本発明の実施形態のゲート絶縁膜として好適に用いることができる。
本実施形態の硬化膜の形成方法は、次に示す工程を含む。
(2)工程(1)で形成した塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
(3)工程(2)で放射線を照射された塗膜を現像する工程(現像工程)、および
(4)工程(3)で現像された塗膜を加熱する工程(加熱工程)
次に、上述の工程(1)〜工程(4)の各工程について、より詳しく説明する。
上述の工程(1)において、基板上に、上述した本発明の実施形態の感放射線性樹脂組成物を塗布した後、好ましくは塗布面を加熱(プレベーク)することにより溶剤を除去して、塗膜を形成する。
上述の工程(2)では、工程(1)で形成された基板上の塗膜の少なくとも一部に放射線を照射、すなわち露光する。この場合、塗膜の一部に露光する際には、例えば、所定のパターンを有するフォトマスクを介して露光する。本実施形態の硬化膜が、上述した本実施形態の半導体素子のゲート絶縁膜として用られる場合、フォトマスクのパターンは、ゲート絶縁膜のパターンに対応するものとなる。
露光により、ネガ型の場合は、[B]光重合開始剤等からラジカル、酸、塩基等の活性種が生成されることで、塗膜中に存在する不飽和結合同士が結合したり、シロキサン化合物等の縮合反応により、シロキサン結合が生成することで、露光部分が現像液に対して不溶化する。
上述の工程(3)では、工程(2)による露光後の塗膜を現像することにより、不要な部分(ネガ型の場合は、放射線の非照射部分。)を除去して、所定のパターンを形成する。現像工程に使用される現像液としては、アルカリ(塩基性化合物)の水溶液が好ましい。アルカリの例としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア等の無機アルカリ;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の4級アンモニウム塩等を挙げることができる。
上述の工程(4)では、ホットプレート、オーブン等の加熱装置を用い、パターニングされた膜を比較的高温で加熱することによって、感放射線性樹脂組成物の[A]シロキサン化合物の縮合反応を促進し、硬化膜を得ることができる。そして、その所定形状にパターニングされた硬化膜は、本実施形態の半導体素子のゲート絶縁膜として用いることができる。
(2)工程(1)で形成した塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
(3)工程(2)で放射線を照射された塗膜を現像する工程(現像工程)、および
(4)工程(3)で現像された塗膜を加熱する工程(加熱工程)
<表示装置>
本発明の実施形態の表示装置として、本実施形態の有機EL表示装置の例を用い、それについて図面を用いて説明する。
尚、陰極15と有機発光層14との間には、例えば、バリウム(Ba)、フッ化リチウム(LiF)等からなる電子注入層が配置されていてもよい。
カラム:GPC−KF−801、GPC−KF−802、GPC−KF−803およびGPC−KF−804(昭和電工(株)製)を連結したもの
移動相:テトラヒドロフラン
(固形分濃度(質量%))=(加熱後の残留物の質量)/(加熱前のシロキサン化合物を含む溶液の質量)×100
[合成例1]シロキサン化合物(A−1)の合成
撹拌機付の容器内に、プロピレングリコールモノメチルエーテル80質量部を仕込み、続いて、加水分解性シラン化合物を合計で100質量部(メチルトリメトキシシラン(MTMS)45モル%、ジメトキシジメチルシラン(DMDMS)30モル%、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン(MPTMS)25モル%)を仕込み、溶液温度が60℃になるまで加熱した。溶液温度が60℃に到達後、ギ酸0.5質量部、イオン交換水25質量部を仕込み、75℃になるまで加熱し、3時間保持した。45℃に冷却後、脱水剤としてオルト蟻酸メチル28質量部を加え、1時間攪拌した。さらに溶液温度を40℃にし、温度を保ちながらエバポレーションして濃縮することで、イオン交換水及び加水分解縮合で発生したメタノールを除去した。その後、固形分濃度が35質量%になるようプロピレングリコールモノメチルエーテルを追加して希釈し、シロキサン化合物(A−1)を含む溶液を得た。得られたシロキサン化合物(A−1)の重量平均分子量(Mw)は1810であり、分子量分布分散度(Mw/Mn)は1.6であった。
加水分解性シラン化合物として、MTMSを25モル%、DMDMSを30モル%、MPTMSを45モル%、合計で100質量部を用いたこと以外は、合成例1と同様にして、シロキサン化合物(A−2)を含む溶液を得た。得られたシロキサン化合物(A−2)の重量平均分子量(Mw)は1720であり、分子量分布分散度(Mw/Mn)は1.6であった。
加水分解性シラン化合物として、MTMSを25モル%、フェニルトリメトキシシラン(PTMS)を50モル%、MPTMSを25モル%、合計で100質量部を用い、ギ酸0.75質量部を用いたこと以外は、合成例1と同様にして、シロキサン化合物(A−3)を含む溶液を得た。得られたシロキサン化合物(A−3)の重量平均分子量(Mw)は1360であり、分子量分布分散度(Mw/Mn)は1.5であった。
加水分解性シラン化合物として、MTMSを35モル%、DMDMSを50モル%、MPTMSを15モル%、合計で100質量部を用いたこと以外は、合成例1と同様にして、シロキサン化合物(A−4)を含む溶液を得た。得られたシロキサン化合物(A−4)の重量平均分子量(Mw)は1420であり、分子量分布分散度(Mw/Mn)は1.5であった。
加水分解性シラン化合物として、MTMSを45モル%、DMDMSを30モル%、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン(APTMS)を25モル%、合計で100質量部を用いたこと以外は、合成例1と同様にして、シロキサン化合物(A−5)を含む溶液を得た。得られたシロキサン化合物(A−5)の重量平均分子量(Mw)は1780であり、分子量分布分散度(Mw/Mn)は1.6であった。
加水分解性シラン化合物として、MTMSを45モル%、DMDMSを30モル%、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン(MPTES)を25モル%、合計で100質量部を用いたこと以外は、合成例1と同様にして、シロキサン化合物(A−6)を含む溶液を得た。得られたシロキサン化合物(A−6)の重量平均分子量(Mw)は1540であり、分子量分布分散度(Mw/Mn)は1.6であった。
加水分解性シラン化合物として、MTMSを45モル%、DMDMSを30モル%、スチリルトリメトキシシラン(StTMS)を25モル%、合計で100質量部を用いたこと以外は、合成例1と同様にして、シロキサン化合物(A−7)を含む溶液を得た。得られたシロキサン化合物(A−7)の重量平均分子量(Mw)は1610であり、分子量分布分散度(Mw/Mn)は1.6であった。
加水分解性シラン化合物として、MTMSを45モル%、DMDMSを30モル%、ビニルトリメトキシシラン(VTMS)を25モル%、合計で100質量部を用いたこと以外は、合成例1と同様にして、シロキサン化合物(A−8)を含む溶液を得た。得られたシロキサン化合物(A−8)の重量平均分子量(Mw)は1850であり、分子量分布分散度(Mw/Mn)は1.7であった。
加水分解性シラン化合物として、テトラエトキシシラン(TEOS)を30モル%、DMDMSを45モル%、MPTMSを25モル%、合計で100質量部を用いたこと以外は、合成例1と同様にして、シロキサン化合物(A−9)を含む溶液を得た。得られたシロキサン化合物(A−9)の重量平均分子量(Mw)は2230であり、分子量分布分散度(Mw/Mn)は2.0であった。
加水分解性シラン化合物として、MTMSを40モル%、DMDMSを30モル%、MPTMSを25モル%、3−トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物(SAPTMS)を5モル%、合計で100質量部を用いたこと以外は、合成例1と同様にして、シロキサン化合物(A−10)を含む溶液を得た。得られたシロキサン化合物(A−10)の重量平均分子量(Mw)は1700であり、分子量分布分散度(Mw/Mn)は1.6であった。
加水分解性シラン化合物を合計で100質量部(MTMSを45モル%、DMDMSを30モル%、MPTMSを25モル%)を混合し、加水分解縮合反応をせずにそのまま以降の評価に用いた。固形分濃度は、加水分解性シラン化合物が完全に加水分解縮合したと仮定したときの理論重量を固形分重量とし、固形分濃度が35質量%になるようプロピレングリコールモノメチルエーテルを追加した。この混合物をシロキサン化合物(a−1)を含む溶液とした。
加水分解性シラン化合物として、TEOSを100質量部用い、ギ酸を0.3質量部用いたこと以外は、合成例1と同様にして、シロキサン化合物(a−2)を含む溶液を得た。得られたシロキサン化合物(a−2)の重量平均分子量(Mw)は2660であり、分子量分布分散度(Mw/Mn)は2.3であった。
<感放射線性樹脂組成物の調製>
合成例1で得られたシロキサン化合物(A−1)を含む溶液(化合物(A−1)50質量部(固形分)に相当する量)に、[B]光重合開始剤として、B−1:上述した化合物(2−13)を4質量部加え、[C]無機酸化物粒子として、シリカ粒子(C−1)の分散液(商品名 IPA−ST、日産化学工業(株)社製)を50質量部(固形分)に相当する量加え、調製される感放射線性樹脂組成物の固形分濃度が25質量%になるように[D]成分としてプロピレングリコールモノメチルエーテルを添加し、感放射線性樹脂組成物(PA−1)を調製した。
同様にして、表1の配合に従って、実施例2〜15に対応する感放射線性樹脂組成物(PA−2)〜(PA−15)および、比較例1〜4に対応する感放射線性樹脂組成物(Pa−1)〜(Pa−4)を調製した。
実施例および比較例で用いた各成分の詳細を以下に示す。
B−1:上述の化合物(2−13)(商品名:IRGACURE(登録商標) OXE 01、BASF社製)
B−2:上述の化合物(2−1)
B−3:上述の化合物(4−6)(商品名:IRGACURE(登録商標) 819、BASF社製)
B−4:上述の化合物(4−1)(商品名:LUCIRIN(登録商標) TPO、BASF社製)
b−1:オキシムエステル系光重合開始剤(商品名:IRGACURE(登録商標) OXE 02、BASF社製)
b−2:アセトフェノン系光重合開始剤(商品名:IRGACURE(登録商標) 369、BASF社製)
[C]無機酸化物粒子として、
C−1:シリカ粒子の分散液
(商品名:IPA−ST、日産化学工業(株)社製)
C−2:ジルコニア粒子の分散液(商品名:ID191、テイカ(株)社製)
C−3:チタニア粒子の分散液(商品名:TS−103、テイカ(株)社製)
上述した感放射線性樹脂組成物(PA−1)を用い、スピンナーを使用してガラス基板およびTi膜付きガラス基板に塗布した後、ホットプレート上で100℃、2分間プレベークして塗膜を形成した。次いで、(株)トプコン製露光機TME−400PRJを用い、10μm幅/30μm幅のライン/スペースパターン、30μm径のホールパターン、1cm角以上の面積の露光部分、および1cm角以上の面積の未露光部分、のレイアウトを有するネガ型フォトマスクを介し、露光ギャップ(塗膜付き基板とフォトマスクの間隔)を50μmとし、塗膜に100mJ/cm2の露光量で紫外線を露光した。続いて、2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に塗膜付き基板を浸漬し、25℃で60秒現像した後、純水で1分間洗浄し、水滴を飛ばして風乾した。さらに230℃のオーブン中で30分間、次いで350℃のオーブン中で30分間、加熱することにより、膜厚1.5μmの硬化膜を形成した。
上記方法に従って形成された硬化膜を用い、以下で説明する方法に従い、その透明性、耐熱透明性、基板への密着性、クラック耐性およびパターン解像性を評価した。評価結果は、表1にまとめて示す。
ガラス基板上に1cm角以上の面積で形成した膜厚1.5μmの硬化膜について、紫外可視分光光度計(日本分光(株)製V−670)を用い、ガラス基板のみの測定値をリファレンスとして、波長400〜800nmの範囲で、波長別の光線透過率(%)を測定した。当該波長別の光線透過率(%)を元に、CIE表色系における、XYZの各値を、D65光源、2度視野の条件で算出した。算出したXYZの各値を元に、ASTM E313規格におけるYI値(Yellowness Index、黄色度)を算出した。透明性の判定基準は、次のようにした。
波長400nmにおける光線透過率(%)が95%以上、かつ、YI値が1.0以下であれば透明性は良好と判定した。いずれか一方でも基準を満たさない場合は、透明性は不良と判定した。
上記「(1)透明性の評価」で光線透過率およびYI値を測定した硬化膜付きガラス基板を、350℃のオーブン中で30分間、追加で加熱した。その後、上記「(1)透明性の評価」で光線透過率を測定した箇所と同一の箇所を、再度、上記「(1)透明性の評価」の方法で、波長別の光線透過率(%)を測定し、YI値を算出した。透明性の判定基準は、次のようにした。
波長400nmにおける光線透過率(%)が95%以上、かつ、YI値が1.0以下であれば耐熱透明性は良好と判定した。いずれか一方でも基準を満たさない場合は、耐熱透明性は不良と判定した。
ガラス基板およびTi膜付きガラス基板のそれぞれに、1cm角以上の面積で形成した膜厚1.5μmの硬化膜について、「JIS K5400−1990の8.5.3付着性碁盤目テープ法」を行い、碁盤目100個中で残った碁盤目の数を求めた。尚、Ti膜付きガラス基板への密着性は、ゲート電極の金属に対する密着性に対応している。密着性の判定基準は、次のようにした。
ガラス基板とTi膜付きガラス基板の両方で、碁盤目100個中80個以上が残存していれば、密着性は良好と判定した。いずれか一方でも基準を満たさない場合は、密着性は不良と判定した。
ガラス基板およびTi膜付きガラス基板のそれぞれに、膜厚1.5μmの硬化膜パターンを形成し、23℃で24時間放置した。その後、クラックが発生しているか否かを、光学顕微鏡にて確認した。尚、Ti膜付きガラス基板上でのクラック耐性は、ゲート電極の金属上でのクラック耐性に対応している。クラック耐性の判定基準は、光学顕微鏡で1mm角の範囲の硬化膜を観察した場合に基づき、次の評価を行った。
○:クラックが見当たらない。
×:クラックが見つかる、または膜全面に無数のクラックがある。
そして、ガラス基板とTi膜付きガラス基板の両方が「○」であれば、クラック耐性は良好と判定した。いずれか一方でも「×」であればクラック耐性は不良と判定した。
ガラス基板およびTi膜付きガラス基板のそれぞれに、膜厚1.5μmの硬化膜パターンを形成した。尚、Ti膜付きガラス基板上でのパターン解像性は、ゲート電極の金属上でのパターン解像性に対応している。パターン解像性の判定基準は、10μm幅/30μm幅のライン/スペースパターン、および30μm径のホールパターンについて、次の評価を行った。
○:前述のパターンが解像可能であり、かつパターンの剥離がない。
×:前述のパターンが解像できていない箇所があるか、あるいはパターン剥離がある。
そして、ガラス基板とTi膜付きガラス基板の両方が「○」であれば、パターン解像性は良好と判定した。いずれか一方でも「×」であればパターン解像性は不良と判定した。
2 基板
3 TFT
4 ゲート電極
5 ゲート絶縁膜
6 半導体層
7 第1のソース−ドレイン電極
8 第2のソース−ドレイン電極
10 第1の絶縁膜
11 陽極
12 スルーホール
13 第2の絶縁膜
14 有機発光層
15 陰極
16 パッシベーション膜
17 封止層
19 無機絶縁膜
20 封止基板
Claims (8)
- 半導体層とゲート電極とを有する半導体素子の該半導体層と該ゲート電極との間に配置されるゲート絶縁膜であって、
[A]下記式(1)で示されるシラン化合物を加水分解縮合させて得られるシロキサン化合物、並びに
[B]下記式(2)および下記式(4)で示される光重合開始剤の群から選ばれる少なくとも1種
を含む感放射線性樹脂組成物を用いて形成されることを特徴とするゲート絶縁膜。
(式(4)中、R19およびR20は、それぞれ独立に、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、ハロゲンまたは水酸基を示す。mは1または2を示し、cおよびdはそれぞれ独立に0〜5の整数を示す。) - [A]下記式(1)で示されるシラン化合物を加水分解縮合させて得られるシロキサン化合物、並びに
[B]下記式(2)および下記式(4)で示される光重合開始剤の群から選ばれる少なくとも1種を含み、
半導体層と、ゲート電極と、該半導体層と該ゲート電極との間に配置されたゲート絶縁膜とを有する半導体素子の該ゲート絶縁膜の形成に用いられることを特徴とする感放射線性樹脂組成物。
- さらに、[C]ケイ素、アルミニウム、ジルコニウム、チタン、亜鉛、インジウム、スズ、アンチモン、ストロンチウム、バリウム、セリウムおよびハフニウムからなる群より選ばれる少なくとも一つの元素を含む酸化物である無機酸化物粒子を含むことを特徴とする請求項2に記載の感放射線性樹脂組成物。
- 請求項2または3に記載の感放射線性樹脂組成物を用いて形成される硬化膜であって、
半導体層と、ゲート電極と、該半導体層と該ゲート電極との間に配置されたゲート絶縁膜とを有する半導体素子の該ゲート絶縁膜に用いられることを特徴とする硬化膜。 - (1)請求項2または3に記載の感放射線性樹脂組成物を用い、ゲート電極を有する基板上に塗膜を形成する工程、
(2)上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
(3)上記放射線が照射された塗膜を現像する工程、および
(4)上記現像された塗膜を加熱する工程
を有することを特徴とするゲート絶縁膜の形成方法。 - 請求項2または3に記載の感放射線性樹脂組成物を用いて形成されるゲート絶縁膜を有することを特徴とする半導体素子。
- ゲート電極と、請求項1に記載のゲート絶縁膜と、半導体層とが、この順で基板上に配置されて、ボトムゲート構造を有することを特徴とする半導体素子。
- 請求項6または7に記載の半導体素子を有することを特徴とする表示装置。
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