JP2014530175A - 1,4−ブタンジオールを含む流れを精製するための方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(a)1,4−ブタンジオールとγ−ブチロラクトン、2−(4−ヒドロキシブトキシ)−テトラヒドロフラン、4−ヒドロキシブチル(4−ヒドロキシブチレート)および3−(4−ヒドロキシブトキシ)−テトラヒドロフランのうちの1種または複数とを含む粗生成物流
を第1の蒸留塔に供給するステップと、
(b)1,4−ブタンジオールおよび軽質成分を含むサイドドローを取り出すステップであり、前記軽質成分が第1の蒸留塔中での反応によって生成されるものの少なくとも一部を含むステップと、
(c)上記流れを水素化ゾーンに送るステップと、
(d)ステップ(c)からの流れを水素化ゾーンにおいて水素化触媒の存在下で水素化に供し、水素化ゾーンから、2−(4−ヒドロキシブトキシ)−テトラヒドロフラン含有量が低減されおよび任意選択で追加的にγ−ブチロラクトンの反応によって形成された(4−ヒドロキシブチル)−4−ヒドロキシブチレートを含む、1,4−ブタンジオール生成物流を回収するステップと、
(e)ステップ(d)からの1,4−ブタンジオール生成物流を、(4−ヒドロキシブチル)−4−ヒドロキシブチレートが塔底流(bottom stream)として除去されるように操作される第2の蒸留塔に送り、1,4−ブタンジオール流を塔頂留出物(overhead)として取り出すステップと、
(f)(e)で除去された塔頂流(overhead stream)を第3の蒸留塔に送り、精製された1,4−ブタンジオール流を回収するステップと
を含む方法を提供する。
Claims (14)
- 1,4−ブタンジオールを含む流れを精製するための方法であって、
(a)1,4−ブタンジオールとγ−ブチロラクトン、2−(4−ヒドロキシブトキシ)−テトラヒドロフラン、4−ヒドロキシブチル(4−ヒドロキシブチレート)および3−(4−ヒドロキシブトキシ)−テトラヒドロフランのうちの1種または複数とを含む粗生成物流を第1の蒸留塔に供給するステップと、
(b)1,4−ブタンジオールおよび軽質成分を含むサイドドローを取り出すステップであり、前記軽質成分が第1の蒸留塔中での反応によって生成されるものの少なくとも一部を含むステップと、
(c)前記流れを水素化ゾーンに送るステップと、
(d)ステップ(c)からの流れを水素化ゾーンにおいて水素化触媒の存在下で水素化に供し、水素化ゾーンから、2−(4−ヒドロキシブトキシ)−テトラヒドロフラン含有量が低減されおよび任意選択で追加的にγ−ブチロラクトンの反応によって形成された(4−ヒドロキシブチル)−4−ヒドロキシブチレートを含む1,4−ブタンジオール生成物流を回収するステップと、
(e)ステップ(d)からの1,4−ブタンジオール生成物流を、(4−ヒドロキシブチル)−4−ヒドロキシブチレートが塔底流として除去されるように操作される第2の蒸留塔に送り、1,4−ブタンジオール流を塔頂留出物として取り出すステップと、
(f)(e)で除去された塔頂流を第3の蒸留塔に送り、精製された1,4−ブタンジオール流を回収するステップと
を含む方法。 - 前記第1の蒸留塔からのサイドドローが、供給材料が前記塔に加えられる点の上方の点から取り出される、請求項1に記載の方法。
- (b1)前記サイドドローを他の蒸留塔を経由して前記水素化ゾーンに送るステップであり、軽質成分の少なくとも一部が、水素化ゾーンに送られる前に流れからストリッピングされるステップ
をさらに含む、請求項1または2に記載の方法。 - 前記第1の蒸留塔と他の蒸留塔が単一容器に合わされる、請求項3に記載の方法。
- 前記容器が分離バッフルを含む、請求項4に記載の方法。
- 前記第2の蒸留塔と第3の蒸留塔が単一容器中に合わされる、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記容器が分離バッフルを含む、請求項6に記載の方法。
- 前記第2のおよび/または第3の蒸留塔からの再循環液が第1の蒸留塔に供給される、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記水素化が、約30℃〜約170℃、好ましくは約50℃〜約125℃の温度で実施される、請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記水素化が、約50psia(約3.45バール)〜約2000psia(約137.90バール)、好ましくは約150psia(約10.34バール)〜約1000psia(約68.95バール)の圧力で実施される、請求項1〜9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記水素化ゾーンへの供給材料が、約0.1h-1〜約4.0h-1、好ましくは約0.5h-1〜約1.5h-1の液空間速度で供給される、請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法。
- 前記蒸留塔が、約0.1〜約1バール(絶対)、好ましくは約0.1〜約0.3バール(絶対)の圧力で操作される、請求項1〜11のいずれか一項に記載の方法。
- 前記蒸留塔が、約100℃〜約250℃、好ましくは約120℃〜約220℃の温度で操作される、請求項1〜12のいずれか一項に記載の方法。
- 前記蒸留塔が、約10〜約100段、好ましくは約15〜約80段の理論段数を含有する、請求項1〜13のいずれか一項に記載の方法。
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