JP2014207450A - 同時両面研磨により半導体ウエハを研磨する方法 - Google Patents

同時両面研磨により半導体ウエハを研磨する方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2014207450A
JP2014207450A JP2014081743A JP2014081743A JP2014207450A JP 2014207450 A JP2014207450 A JP 2014207450A JP 2014081743 A JP2014081743 A JP 2014081743A JP 2014081743 A JP2014081743 A JP 2014081743A JP 2014207450 A JP2014207450 A JP 2014207450A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing pad
polishing
gap
semiconductor wafer
pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014081743A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5957483B2 (ja
Inventor
ライナー・バウマン
Baumann Rainer
ヨハネス・シュタウトハマー
Staudhammer Johannes
アレクサンダー・ハイルマイアー
Heilmaier Alexander
レスツェク・ミスツル
Mistur Leszek
クラウス・レトガー
Roettger Klaus
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siltronic AG
Original Assignee
Siltronic AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siltronic AG filed Critical Siltronic AG
Publication of JP2014207450A publication Critical patent/JP2014207450A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5957483B2 publication Critical patent/JP5957483B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/08Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

【課題】DSPが行われた後に半導体ウエハの平面性を向上させる手法を提供する。
【解決手段】研磨装置の下方研磨パッド4と上方研磨パッド3との間の間隙において同時両面研磨によって半導体ウエハを研磨する方法に関し、目直し器具を用いて一方または両方の研磨パッドを目直しするステップと、目直しの後に間隙において半導体ウエハを研磨するステップとを含み、目直し時において、目直しされる研磨パッドの反対側にある研磨パッドから目直し器具への距離は、この研磨パッドの内縁において、この研磨パッドの外縁における対応する距離とは異なる。
【選択図】図1

Description

発明の詳細な説明
本発明は、研磨剤を供給しながら研磨装置の下方研磨パッドと上方研磨パッドとの間の間隙において同時両面研磨によって半導体ウエハを研磨する方法に関し、下方研磨パッドは下方研磨板を覆い、上方研磨パッドは上方研磨板を覆い、研磨板および研磨パッドは内縁と外縁とを有する。方法は、一方または両方の研磨パッドを目直し器具を用いて目直しするステップと、目直しの後に間隙において半導体ウエハを研磨するステップとを含む。
半導体ウエハ、特に単結晶シリコンからなる半導体ウエハは、電子部品を製造するための基本材として必要である。このような部品の製造者は、納品される半導体ウエハの前側および後側が可能な限り平坦かつ平行であることを求めている。この要件を満たすために、このような半導体ウエハを製造するための処理工程には従来より半導体ウエハの研磨が含まれる。半導体ウエハの前側および後側を研磨剤を用いて同時に研磨する両面研磨(DSP)が特に適している。DSP時において、半導体ウエハは、さらなる半導体ウエハとともに下方研磨パッドと上方研磨パッドとの間の間隙に置かれる。研磨パッドの各々は、対応する下方研磨板および上方研磨板を覆う。半導体ウエハは、DSP時において、半導体ウエハをガイドおよび保護するキャリアの開口内に置かれる。キャリアは、外側に歯の付いたディスクであって、研磨装置の内側と外側の歯車またはピンギヤの間に配置される。歯車またはピンギヤは、以下では駆動ギヤという。研磨時において、キャリアは、キャリアの中間部および研磨盤の中間部を中心に、内側駆動ギヤまたは内側および外側ギヤによって回転動作を行う。さらに、研磨板は、通常はそれらの軸を中心に反対方向に回転し、これにより、半導体ウエハの研磨される側の点が対応する研磨パッド上でサイクロイド軌道を描くというDSPの運動学的特徴が得られる。
最初に使用する前、および摩耗がある程度に達した後に、下方研磨パッドおよび上方研磨パッドの目直しが通常行われる。目直し時において、研磨パッドの作業状態を好ましくするために、研磨パッドの表面は粗くされ、若干の材料の摩耗が引き起こされる。
米国特許出願公開第2012/0189777号A1によれば、研磨板に対して成形目直し(形直し)を施すと有利であり、これによって研磨パッド間の間隙が可能な限り均一に幅広くなる。さらに、研磨パッドを目直しするためにキャリアが目直しリングと置き換えられることが記載されている。目直しは冷却潤滑剤を用いて行われ、目直しリングは、半導体ウエハが挿入されていない状態で、DSPの運動と同様の動きで下方研磨パッドおよび上方研磨パッドに上を移動する。
米国特許出願公開第2012/0189777号A1
本発明の目的は、DSPが行われた後に半導体ウエハの平面性を向上させる手法を提供することにある。
この目的は、研磨剤を供給しながら研磨装置の下方研磨パッドと上方研磨パッドとの間の間隙において同時両面研磨によって半導体ウエハを研磨する方法によって達成され、下方研磨パッドは下方研磨板を覆い、上方研磨パッドは上方研磨板を覆い、研磨板および研磨パッドは内縁と外縁とを有し、方法は、目直し器具を用いて、1つの研磨パッド、または第1の研磨パッドおよび後続の他の研磨パッドを目直しするステップを含み、目直しされる研磨パッドで覆われる研磨板は回転し、目直し器具は、目直しされる研磨パッドの内縁から外縁に延在するように間隙内に取り付けられ、方法はさらに、目直しの後に間隙において半導体ウエハを研磨するステップを含み、目直し時において、目直しされる研磨パッドの反対側に置かれる研磨パッドから目直し器具への距離は、この研磨パッドの内縁において、この研磨パッドの外縁における対応する距離とは異なる。
発明者は、特に半導体ウエハの縁領域における平面性を向上させるためには、半導体ウエハにDSPを施し、この場合においては研磨パッドの内縁から外縁への間隙の幅を同じ幅に維持する代わりに変更することが有利であることを発見した。間隙の幅は、下方研磨パッドと上方研磨パッドとの間の距離である。この幅は、線形で異なるのが好ましい。間隙は、研磨パッドの内縁の方が研磨パッドの外縁よりも広く、くさび形の形状であるのが好ましい。研磨パッドの内縁における間隙の幅を研磨パッドの外縁における間隙の幅と比較した場合、間隙の幅の差の量は、10μmから250μmであり、好ましくは30μmから150μmである。目直しされた研磨パッドは、好ましくは内縁が外縁よりも薄いのが好ましい。
間隙の好ましい形状は、目直し器具を用いて一方または両方の研磨パッドを目直しすることによって達成される。両方の研磨パッドが目直しされる場合、下方研磨パッドまたは上方研磨パッドが最初に目直しされ、目直しされた研磨パッドの反対側にある研磨パッドが続いて目直しされる。
目直し器具は、複数の目直しリングを含むのが好ましく、3つの目直しリングを含むのが特に好ましい。リングは、内側駆動ギヤと外側駆動ギヤとの間にキャリアの代わりに置かれる。各目直しリングは、目直しされる研磨パッドに向けられた上方側を有し、研削体が設けられる。下に設けられる下方側にも同様に研削体が設けられる。研削体は、研磨作用を有する材料を含み、好ましくはダイヤモンド、立方晶窒化硼素、鋼玉石、または炭化ケイ素の粒である。平均粒径は、60μmから300μmであるのが好ましい。
目直し器具は、目直しされる研磨パッドの内縁から外縁へ延在する。本発明によれば、目直し時において、目直し器具から目直しされる研磨パッドの反対側にある研磨パッドへの距離は、この研磨パッドの内縁において、この研磨パッドの外縁における対応する距離とは異なる。これは、目直し器具が水平位置から傾斜して配置されるように取り付けられることによって達成される。好ましくは、目直し器具と目直しされる研磨パッドの反対側にある研磨パッドとの間にスペーサが置かれる。目直し器具と目直しされる研磨パッドの反対側にある研磨パッドとの間の距離は、この研磨パッドの内縁において、この研磨パッドの外縁よりも大きい。これは、研削体によって形成される目直し器具の表面と目直しされる研磨パッドの反対側にある研磨パッドの表面との間の距離である。
一実施形態によれば、スペーサは、目直しされる研磨パッドの反対側にある研磨パッドに担持される1つ以上のリングを含む。このようなスペーサリングは、研磨パッドの内縁から外縁に延在する。研磨パッドの内縁において、スペーサリングは、研磨パッドの外縁における厚さよりも好ましくは大きい厚さを有する。目直し器具は、研磨パッドの内縁および外縁の領域内においてスペーサに担持される。これにより、目直し器具と目直しされる研磨パッドの反対側にある研磨パッドとの間の距離は、この研磨パッドの内縁において研磨パッドの外縁よりも大きい。
好ましくは、3つのスペーサが設けられ、これらは目直しされる研磨パッドの反対側にある研磨パッド上において均一に分散して担持される。スペーサは、スペーサの捻りに対する対抗手段として作用する棒によって互いに接続されるのが好ましい。
研磨パッドを目直しするために、研磨板が閉じられ、目直しされる研磨パッドによって覆われる研磨板が回転する。他方の研磨板は回転しない。さらに、本発明に基づき取り付けられる目直し器具は、その中間部を中心に内側駆動ギヤもしくは外側駆動ギヤ、または両方によって回転する。上方研磨板は、全体的に垂下し、回転する目直し器具と研磨板との相対移動を可能とし、目直しされる研磨パッドの全表面がこれによって加工される。
他の実施形態によれば、スペーサは、目直しされる研磨パッドの反対側にある研磨パッド上に担持される単一のリングである。このスペーサリングは、研磨パッドの内縁と内側駆動ギヤとを囲う。目直し器具は、研磨パッドの内縁の領域においてスペーサ上に担持され、研磨パッドの外縁の領域において研磨パッド上に担持される。この研磨パッドの内縁において、目直し器具と目直しされる研磨パッドの反対側にある研磨パッドとの間の距離は、目直し器具の厚さとスペーサの厚さとの合計に等しい。研磨板の外縁において、距離はスペーサの厚さ分だけ小さい。
目直しは、冷却潤滑剤を用いて行われる。
一方または両方の研磨パッドの目直しに続き、キャリアにある半導体ウエハに対して、研磨パッドの間の間隙において同時両面研磨が施され、一方の研磨が行われている間に複数の半導体ウエハが同時に研磨される。再び本発明に係る目直しが一方の研磨パッドまたは両方の研磨パッドに対して行われる前に、複数の研磨が行われる。間隙の形状が所望のくさび型を保持している間は、後続の目直しは行われない。不均一な研磨による摩耗によって、複数の研磨された半導体ウエハに関して期待される研磨が満たされない場合、間隙の好ましい形状を回復させる必要がある。この場合において、さらなる目直しサイクルが行われる。研磨パッドは、前もって交換する必要があり得る。
本発明は、添付の図面を用いて説明される。
本発明の第1の実施形態に係る研磨パッドの目直しの際の目直し器具の配置を示す断面図である。 目直しされる研磨パッドの反対側にある研磨パッドの図1に係る配置を示す平面図である。 本発明の第2の実施形態に係る研磨パッドの目直しの際の目直し器具の配置を示す断面図である。 目直しされる研磨パッドの反対側にある研磨パッドの図3に係る配置を示す平面図である。 くさび形状を有する間隙におけるDSPの際の半導体ウエハの配置を示す断面図である。
図1によれば、下方研磨板2および上方研磨板1は、内縁から外縁へ径方向に延在し、それぞれの研磨盤を覆う下方研磨パッド4および上方研磨パッド3も同様に延在する。下方研磨パッド4は、環状の表面を形成し、研磨装置の内側ピンギヤ6に内縁で接合し、研磨装置の外側ピンギヤ7で外縁に接合する。3つの目直しリング11が均一に分散した状態で下方研磨パッド4に置かれる。目直しリング11は、プラスチックからなるスペーサリング14上にそれぞれ担持される。スペーサリングは、くさび形状の断面を有する。スペーサリング11は、目直しされる上方研磨パッド3の内縁から外縁に延在し、周囲に歯12を有し、これらの歯12は内側および外側ピンギヤ6,7のピンに係合する。
スペーサリング11の上方側には研削体13が設けられる。上方研磨パッドの目直しの際、上方研磨パッド1は回転軸5を中心に回転する。下方研磨パッド2は、この際に静止する。研磨パッドの内縁における下方研磨パッド4とスペーサリング11との間の距離Dは、研磨パッドの外縁における対応する距離Dよりも大きい。
研磨パッド4の内縁および外縁において異なる厚さを有するスペーサリング14の断面のくさび形の構成により、スペーサリング11は目直しの際に水平に対して傾斜した位置を取る。これにより、目直しの際に引き起こされる上方研磨パッド3からの材料の研磨は、径方向の位置に依存する。その研磨は、研磨パッドの内縁から研磨パッドの外縁に向けて減少する。
続いて下方研磨パッド4に対しても目直しすることが意図される場合、目直しリング11およびスペーサリング14が180°回転され、研磨パッドの間の間隙に配置され、下方研磨パッド2は目直しの際に上方研磨パッド1の代わりに回転する。
図2は、目直しされる研磨パッド3の反対にある下方研磨パッド4の平面図において、目直しリング11およびスペーサリング14の配置を示す図である。スペーサリング14は、棒16によって互いに接続され、研磨パッドの目直しの際に回転動作をスペーサリングが行わないようにする。
図3に係る実施形態は、下方研磨パッド4の内縁の周りおよび内側駆動ギヤ6の周りに位置するスペーサとして単一のスペーサリング17が使用される点において、図1に係る実施形態とは異なる。スペーサリング17は、均一な厚さを有する。この実施形態における目直し器具は目直しリング18であり、これは他の実施形態における目直し器具よりも厚く、硬度も高い。目直しリング18は、下方研磨パッド4の内縁の領域においてスペーサリング17上に担持され、下方研磨パッド4の外縁の領域において下方研磨パッド4上に担持される。好ましくは、3つのこのような目直しリング18が設けられる。下方研磨パッドの内縁における目直し器具11と目直しされる研磨パッド3の反対側にある下方研磨パッド4との間の距離Dは、下方研磨パッド4の外縁における対応する距離Dоよりも大きい。厚さの差は、スペーサリング17の厚さの差に対応する。
図4は、下方研磨パッド4の平面図における目直しリング18の配置を示す。目直しリング18は、下方研磨パッド4の内縁の領域においてスペーサリング17上に担持される。スペーサリング17は、下方研磨パッド4の内縁と内側駆動ギヤ6とを囲う。
図5は、くさび形を有する間隙におけるDSPの際の半導体ウエハ10の配置を示す断面図である。くさび形の形状は、上記の方法によって研磨パッドが目直しされる操作が2つ連続して行われる結果として得られる。半導体ウエハはキャリア8の凹部に置かれる。キャリアは外側歯9を有し、この外側歯9は内側ピンギヤ6および外側ピンギヤ7に係合する。研磨パッド内縁における間隙の幅Wは、研磨パッドの外縁における間隙の幅Wよりも大きい。研磨パッドは内縁のほうが外縁よりも薄い。DSP時において、研磨パッドは、回転軸5を中心に反対方向に回転する。

Claims (4)

  1. 研磨剤を供給しながら研磨装置の下方研磨パッドと上方研磨パッドとの間の間隙において同時両面研磨によって半導体ウエハを研磨する方法であって、前記下方研磨パッドは下方研磨板を覆い、前記上方研磨パッドは上方研磨板を覆い、前記研磨板および前記研磨パッドは内縁と外縁とを有し、方法は、
    目直し器具を用いて、1つの研磨パッド、または第1の研磨パッドおよび後続の他の研磨パッドを目直しするステップを備え、目直しされる前記研磨パッドで覆われる前記研磨板は回転し、前記目直し器具は、目直しされる前記研磨パッドの前記内縁から前記外縁に延在するように前記間隙内に取り付けられ、方法はさらに、
    前記目直しの後に前記間隙において半導体ウエハを研磨するステップを備え、前記前記目直し時において、目直しされる前記研磨パッドの反対側に置かれる前記研磨パッドから前記目直し器具への距離は、この研磨パッドの前記内縁において、この研磨パッドの前記外縁における対応する距離とは異なる、方法。
  2. 前記目直しが再び行われる前に1つ以上の研磨方法が行われる、請求項1に記載の方法。
  3. 前記研磨パッドの前記内縁における前記間隙の前記幅が前記研磨パッドの前記外縁よりも大きい態様は、前記目直し時に前記間隙に与えられる、請求項1または2に記載の方法。
  4. 前記目直し器具は1つ以上のリングを含み、リングは、前記研磨装置の内側駆動ギヤと外側駆動ギヤとの間に位置し、前記リングの中間部を中心に前記内側駆動ギヤ、前記外側駆動ギヤ、または前記内側および外側駆動ギヤによって回転する、請求項1から3のいずれか1項に記載の方法。
JP2014081743A 2013-04-12 2014-04-11 同時両面研磨により半導体ウエハを研磨する方法 Active JP5957483B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013206613.9 2013-04-12
DE102013206613.9A DE102013206613B4 (de) 2013-04-12 2013-04-12 Verfahren zum Polieren von Halbleiterscheiben mittels gleichzeitiger beidseitiger Politur

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014207450A true JP2014207450A (ja) 2014-10-30
JP5957483B2 JP5957483B2 (ja) 2016-07-27

Family

ID=51618384

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014081743A Active JP5957483B2 (ja) 2013-04-12 2014-04-11 同時両面研磨により半導体ウエハを研磨する方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9221149B2 (ja)
JP (1) JP5957483B2 (ja)
KR (1) KR101604076B1 (ja)
CN (1) CN104097134B (ja)
DE (1) DE102013206613B4 (ja)
SG (1) SG10201401250YA (ja)
TW (1) TWI521587B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020208967A1 (ja) * 2019-04-11 2020-10-15 信越半導体株式会社 両面研磨方法
JP2020185643A (ja) * 2019-05-14 2020-11-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013201663B4 (de) * 2012-12-04 2020-04-23 Siltronic Ag Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe
DE102015220090B4 (de) * 2015-01-14 2021-02-18 Siltronic Ag Verfahren zum Abrichten von Poliertüchern
EP3576136A1 (en) * 2015-05-29 2019-12-04 GlobalWafers Co., Ltd. Method for polishing a semiconductor wafer
DE112017000281T5 (de) * 2016-02-16 2018-09-13 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Doppelseiten-Polierverfahren und Doppelseiten-Poliervorrichtung
CN110087809B (zh) * 2016-12-21 2020-12-01 3M创新有限公司 具有垫片的垫调节器和晶片平面化***
CN108400081A (zh) * 2017-02-08 2018-08-14 上海新昇半导体科技有限公司 硅片的制作方法
KR102561647B1 (ko) * 2018-05-28 2023-07-31 삼성전자주식회사 컨디셔너 및 이를 포함하는 화학 기계적 연마 장치
CN109551360B (zh) * 2018-12-27 2020-07-28 西安奕斯伟硅片技术有限公司 抛光垫的修整方法、修整装置、抛光垫及双面抛光装置
CN113561052A (zh) * 2021-07-19 2021-10-29 山西汇智博科科技发展有限公司 一种具有除尘结构的半导体加工研磨抛光机及其工作方法
CN113561051B (zh) * 2021-07-28 2022-04-19 上海申和投资有限公司 一种晶圆再生处理装置及控制***

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6338672B1 (en) * 1998-12-21 2002-01-15 White Hydraulics, Inc. Dressing wheel system
US20020160689A1 (en) * 2001-04-30 2002-10-31 International Business Machines Corporation Method of polishing disks
WO2010128631A1 (ja) * 2009-05-08 2010-11-11 株式会社Sumco 半導体ウェーハの研磨方法及び研磨パッド整形治具

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5538460A (en) * 1992-01-16 1996-07-23 System Seiko Co., Ltd. Apparatus for grinding hard disk substrates
US5718618A (en) * 1996-02-09 1998-02-17 Wisconsin Alumni Research Foundation Lapping and polishing method and apparatus for planarizing photoresist and metal microstructure layers
JPH1110530A (ja) * 1997-06-25 1999-01-19 Shin Etsu Handotai Co Ltd 両面研磨用キャリア
US6206765B1 (en) * 1999-08-16 2001-03-27 Komag, Incorporated Non-rotational dresser for grinding stones
US7201645B2 (en) * 1999-11-22 2007-04-10 Chien-Min Sung Contoured CMP pad dresser and associated methods
JP3791302B2 (ja) * 2000-05-31 2006-06-28 株式会社Sumco 両面研磨装置を用いた半導体ウェーハの研磨方法
JP2002217149A (ja) * 2001-01-19 2002-08-02 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウエーハの研磨装置及び研磨方法
TWI229381B (en) * 2003-12-11 2005-03-11 Promos Technologies Inc Chemical mechanical polishing apparatus, profile control system and conditioning method of polishing pad thereof
JP4777727B2 (ja) * 2005-09-05 2011-09-21 不二越機械工業株式会社 研磨パッド貼り付け方法および研磨パッド貼り付け用治具
JP2007069323A (ja) * 2005-09-08 2007-03-22 Shinano Denki Seiren Kk 定盤表面調整用砥石及び表面調整方法
JP2007118146A (ja) 2005-10-28 2007-05-17 Speedfam Co Ltd 定盤のパッド貼着面用ドレッサ及びパッド貼着面のドレッシング方法
JP4904960B2 (ja) * 2006-07-18 2012-03-28 信越半導体株式会社 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法
DE102010032501B4 (de) 2010-07-28 2019-03-28 Siltronic Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abrichten der Arbeitsschichten einer Doppelseiten-Schleifvorrichtung
CN102554748B (zh) * 2010-12-23 2014-11-05 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 抛光方法
DE102011003006B4 (de) 2011-01-21 2013-02-07 Siltronic Ag Verfahren zur Bereitstellung jeweils einer ebenen Arbeitsschicht auf jeder der zwei Arbeitsscheiben einer Doppelseiten-Bearbeitungsvorrichtung
CN102229105A (zh) * 2011-06-28 2011-11-02 清华大学 化学机械抛光方法
DE102013202488B4 (de) * 2013-02-15 2015-01-22 Siltronic Ag Verfahren zum Abrichten von Poliertüchern zur gleichzeitig beidseitigen Politur von Halbleiterscheiben

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6338672B1 (en) * 1998-12-21 2002-01-15 White Hydraulics, Inc. Dressing wheel system
US20020160689A1 (en) * 2001-04-30 2002-10-31 International Business Machines Corporation Method of polishing disks
WO2010128631A1 (ja) * 2009-05-08 2010-11-11 株式会社Sumco 半導体ウェーハの研磨方法及び研磨パッド整形治具

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020208967A1 (ja) * 2019-04-11 2020-10-15 信越半導体株式会社 両面研磨方法
JP2020185643A (ja) * 2019-05-14 2020-11-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP7308074B2 (ja) 2019-05-14 2023-07-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5957483B2 (ja) 2016-07-27
DE102013206613B4 (de) 2018-03-08
SG10201401250YA (en) 2014-11-27
TW201440135A (zh) 2014-10-16
CN104097134A (zh) 2014-10-15
KR20140123442A (ko) 2014-10-22
US20140308878A1 (en) 2014-10-16
KR101604076B1 (ko) 2016-03-16
US9221149B2 (en) 2015-12-29
DE102013206613A1 (de) 2014-10-16
CN104097134B (zh) 2017-05-17
TWI521587B (zh) 2016-02-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5957483B2 (ja) 同時両面研磨により半導体ウエハを研磨する方法
JP5826306B2 (ja) 半導体ウエハの同時両面研磨用の研磨パッドを調節する方法
EP2351630B1 (en) Apparatus for polishing spherical body, method for polishing spherical body and method for manufacturing spherical member
JP5360623B2 (ja) 平坦なワークピースの両面用研削加工装置
JP5233888B2 (ja) 両面研磨装置用キャリアの製造方法、両面研磨装置用キャリア及びウェーハの両面研磨方法
US20170069502A1 (en) Manufacturing method of carrier for double-side polishing apparatus, carrier for double-side polishing apparatus, and double-side polishing method
CN108687650B (zh) 两面研磨装置
TW201822955A (zh) 一種矽片研磨裝置及其研磨方法
CN110052955B (zh) 载体的制造方法及晶圆的双面研磨方法
US20190084122A1 (en) Carrier ring, grinding device, and grinding method
JP6803169B2 (ja) 研削方法
KR102098993B1 (ko) 웨이퍼 에지 연마용 드럼 패드의 드레싱 장치
JP5768659B2 (ja) 両面研磨装置の研磨布ドレッシング方法
JP2015500151A (ja) ウェハーの研磨装置及びウェハーの研磨方法
KR100899637B1 (ko) 웨이퍼 연마장치
JP6020973B2 (ja) ドレスプレート
TW202109653A (zh) 研磨墊、研磨裝置、使用了該研磨裝置之研磨方法、及研磨墊的製造方法
JP2015058501A (ja) ワークの研磨装置及びワークの製造方法
KR20210095052A (ko) 로터 디스크, 양면 가공 기계 및 양면 가공 기계에서 하나 이상의 공작물을 가공하는 방법
KR20140094240A (ko) 웨이퍼 에지 연마 장치
JP2015134387A (ja) ギヤのホーニング加工方法
JP2008238287A (ja) 両面研磨装置用キャリア
JP2008161982A (ja) 研磨装置
JP2012176446A (ja) 研磨用工具

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150825

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150826

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20151124

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160524

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160620

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5957483

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250