JP2014201466A - SiC単結晶及びその製造方法、並びに、SiC単結晶基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】SiC単結晶の製造方法は、(a)成長面の平面形状が略長方形状であり、(b)成長方向が{0001}面に対して略平行であり、かつ、(c)前記成長面の長辺と{0001}面とのなす角(オフセット角)θ1が、1°≦θ1≦30°である種結晶を用いて、前記成長面上にSiC単結晶をa面成長させるa面成長工程を備えている。この方法により得られるSiC単結晶は、(a)略直方体状の形状を有し、(b){0001}面が成長方向に略平行であり、かつ、(c)最も広い面(A)のオフセット角θ3が、1°≦θ3≦30°である。このSiC単結晶をスライスすると、最も広い面(B)が、最も広い面(A)に対して略平行であるSiC単結晶基板が得られる。
【選択図】図1
Description
従来より、α型SiC単結晶を得る方法として、c面成長法が知られている。ここで、「c面成長法」とは、c面又はc面に対するオフセット角が所定の範囲にある面を成長面として露出させたSiC単結晶を種結晶に用いて、昇華再析出法などの方法により成長面上にSiC単結晶を成長させる方法をいう。
高性能なSiCパワーデバイスを実現するためには、SiC半導体に生じるリーク電流を低減することが必須条件である。SiC単結晶に生じるマイクロパイプ欠陥、螺旋転位などの欠陥は、このリーク電流を増大させる原因と考えられている。
例えば、特許文献1には、c面からの傾きが約60°〜約120°である面(例えば、{1−100}面、{11−20}面など)を成長面として露出する種結晶を用いて、SiC単結晶を成長させるSiC単結晶の成長方法(以下、このような成長方法を「a面成長法」という)が開示されている。
同文献には、
(1)c面から約60〜120°傾いている結晶面上にSiCを成長させると、その結晶面上に原子積層の配列が現れているため、元の種結晶と同じ種類の多形構造を持つ結晶が容易に成長する点、
(2)このような方法を用いた場合、螺旋転位は発生しない点、及び、
(3)種結晶がc面に滑り面を有する転位を含む場合、この転位は、成長結晶に引き継がれる点、
が記載されている。
同文献には、このような方法により、
(1)マイクロパイプ欠陥の少ないSiC単結晶が得られる点、及び、
(2)アチソン結晶に比べて十分大きな{0001}ウェハが得られるので、これを種結晶として用いることにより、容易に大型の結晶を成長させることができる点、
が記載されている。
同文献には、
(1)a面成長の繰り返し回数が多くなるほど、成長結晶中の転位密度が指数関数的に減少する点、
(2)a面成長においては、積層欠陥の発生が避けられない点、及び、
(3)最後にc面成長を行うと、マイクロパイプ欠陥及び螺旋転位が発生しないだけでなく、積層欠陥がほとんど存在しないSiC単結晶が得られる点、
が記載されている。
しかしながら、前述の手法により、基板を大口径化するには、a面成長する結晶のc面内方向の大きさ、つまり、a面成長する際の種結晶のc面内方向の長さや成長高さも増大させる必要がある。その結果、
(1)成長結晶が割れやすい、及び、
(2)成長したa面成長結晶からc面成長用種結晶を取り出す際の歩留まりが低い、
という問題がある。
(a)成長面の平面形状が略長方形状であり、
(b)成長方向が{0001}面に対して略平行であり、かつ、
(c)前記成長面の長辺と{0001}面とのなす角(オフセット角)θ1が、1°≦θ1≦30°である
種結晶を用いて、前記成長面上にSiC単結晶をa面成長させるa面成長工程
を備えていることを要旨とする。
(a)略直方体状の形状を有し、
(b){0001}面が成長方向に略平行であり、かつ、
(c)前記成長方向に略平行な面の内、最も広い面(A)と{0001}面とのなす角(オフセット角)θ3が、1°≦θ3≦30°である
ことを要旨とする。
本発明に係るSiC単結晶から切り出されたSiC単結晶基板であって、
前記SiC単結晶基板の最も広い面(B)が、前記最も広い面(A)に対して略平行であることを要旨とする。
本発明に係る方法により得られるSiC単結晶からc面成長用種結晶を切り出す場合、SiC単結晶の最も広い面(A)に対してほぼ平行にスライスすることができるので、材料歩留まりが高くなる。また、最も広い面(A)での異種多形の発生が抑制され、結晶割れの起点をなくすことができる。更に、所定の面積及び枚数の基板を取り出すために必要なSiC単結晶の体積が最小となるので、a面成長後の降温時又は加工時に単結晶が割れる確率も低くなる。
[1. 用語の定義]
「a面(広義のa面)」とは、{1−100}面(m面)又は{11−20}面(狭義のa面)をいう。
「a面成長」とは、成長方向が{0001}面に対して略平行となるように、単結晶を成長させることをいう。
「成長方向」とは、単結晶全体のマクロな成長の方向をいう。例えば、成長面が単一の平面からなる場合、成長方向とは、成長面の法線方向をいう。
「成長方向が{0001}面に対して略平行」とは、成長方向と{0001}面とのなす角の内、小さい方が20°以下であることをいう。以下同様に、「なす角」とは、小さい方を指す。
「c面に略平行な面」とは、c面に対するオフセット角が20°以下である面をいう。
「c面に対するオフセット角」とは、ある面の法線ベクトルとc面の法線ベクトルとのなす角をいう。
「c面成長」とは、c面に略平行な面を成長面として、単結晶を成長させることをいう。
「略直方体状」とは、面間の角度が80°〜100°の範囲にある六面体(一つの面が、成長後の曲面形状である場合を含む)、又は、その六面体の稜線又は角部の全部又は一部をr面取り又はc面取りした形状をいう。本発明において、「直方体」というときは、立方体も含まれる。
「オフセット角θ1」とは、成長面の平面形状が略長方形状の種結晶(最後のa面成長用種結晶)の長辺と、{0001}面とのなす角をいう。
「オフセット角θ2」とは、SiC単結晶からc面に略平行にスライスされたSiC単結晶基板の最も広い面(B)と、{0001}面とのなす角をいう。
「オフセット角θ4」とは、成長方向に対して垂直方向の断面に現れる{1−100}面ファセット痕の長辺と、{0001}面とのなす角をいう。
「オフセット角θ5」とは、成長方向に対して垂直方向の断面に現れる{1−100}面ファセット痕の伸長方向と、{0001}面の法線ベクトルとのなす角をいう。
オフセット角や面間の平行・非平行を定義する場合において、SiC単結晶の表面が機械加工により整えられているときには、「最も広い面(A)」とは、機械加工により整えられた後の面をいう。一方、SiC単結晶の表面が未加工面であり、凹凸がある場合、「最も広い面(A)」とは、凹凸間の平均的な高さに位置する仮想的な平面をいう。
「最も広い面(B)」とは、成長面の平面形状が略長方形状の種結晶を用いてa面成長させることにより得られたSiC単結晶を、a面成長工程における成長方向及び前記成長面の長辺に対して略平行にスライスすることにより形成される面をいう。
図1に、本発明の第1の実施の形態に係るSiC単結晶の製造方法を説明するための模式図を示す。図1において、本実施の形態に係るSiC単結晶の製造方法は、a面成長用種結晶製造工程と、a面成長工程と、基板製造工程と、c面成長工程(図示せず)とを備えている。
a面成長用種結晶製造工程は、後述するa面成長工程(最後のa面成長工程)に用いられる種結晶を製造する工程である。
最後のa面成長工程に用いられる種結晶(以下、これを「種結晶(L)」ともいう)を切り出すための単結晶は、特に限定されるものではなく、種々の履歴を持つ単結晶を用いることができる。
(a)c面成長法により得られる単結晶、
(b)単なるa面成長法(成長方向を問わない1回のa面成長)により得られる単結晶、
(c)互いに直行する方向に複数回のa面成長を繰り返す方法(繰り返しa面成長法)により得られる単結晶、
などがある。
特に、繰り返しa面成長法による単結晶は、他の方法による単結晶に比べて螺旋転位密度が低いので、種結晶(L)を切り出すための単結晶として好適である。
(a)成長面の平面形状が略長方形状であり、
(b)成長方向が{0001}面に対して略平行であり(すなわち、成長面が{0001}面に対して略垂直であり)、かつ、
(c)オフセット角θ1が、1°≦θ1≦30°である
種結晶(L)16、16…を切り出す。
図1の上から3列目の図において、基板14、14…のハッチングを施した部分が廃棄される部分となる。
a面成長工程は、種結晶(L)を用いて、最後のa面成長を行う工程である。
すなわち、a面成長工程は、図1に示すように、
(a)成長面の平面形状が略長方形状であり、
(b)成長方向が{0001}面に対して略平行であり、かつ、
(c)前記成長面の長辺と{0001}面とのなす角(オフセット角)θ1が、1°≦θ1≦30°である
種結晶(L)16、16…を用いて、前記成長面上にSiC単結晶18、18…をa面成長させる工程である。
また、SiC単結晶18、18…を成長させる際、種結晶(L)16、16…の周囲は、自由空間であっても良く、あるいは、種結晶(L)16、16…の周囲にガイドを設け、SiC単結晶18、18…の成長方向に対して垂直方向(横方向)の拡大を抑制しても良い。
ガイドを用いてSiC単結晶18、18…の横方向の拡大を抑制すると、
(a)異種多形の発生がより抑制され、割れの起点を一層低減できる、
(b)不要部分の成長に消費される原料が少なくなるので、材料歩留まりが向上する、
という利点がある。
例えば、成長方向が<1−100>方向である場合、成長方向に対して略垂直な断面において、その断面の中心部に、その断面の長辺に略平行方向に伸長した形状の{1−100}面ファセット痕を有するSiC単結晶が得られる(図3(a)参照)。
また、成長方向が<11−20>方向である場合、成長方向に対して略垂直な断面において、その断面の短辺側の両端部に、その短辺に略平行方向に伸長した形状の{1−100}面ファセット痕を有するSiC単結晶が得られる(図3(b)参照)。
基板製造工程は、(最後の)a面成長工程で得られたSiC単結晶を、a面成長工程における成長方向に対して略平行にスライスし、SiC単結晶基板を得る工程である。
基板製造工程は、必ずしも必要ではなく、a面成長工程で得られた単結晶をそのまま各種の用途に用いることができる。しかしながら、c面又はc面に略平行な面を使用する場合には、得られたSiC単結晶をa面成長工程における成長方向に対して略平行にスライスし、最も広い面(B)がc面又はc面に略平行な面からなるSiC単結晶基板を得る。
図1に示す例において、(最後の)a面成長工程で得られたSiC単結晶18、18…は、a面成長方向における成長方向及び種結晶(L)16、16…の長辺に対して略平行にスライスされている。その結果、最も広い面(B)と{0001}面とのなす角(オフセット角)θ2が、θ1にほぼ等しいSiC単結晶基板20a、20a…が得られる。
ここで、「θ2が、θ1にほぼ等しい」とは、|θ2−θ1|<2°であることをいう。θ2=θ1であるのが最も歩留まりが高いが、必要に応じて上記の範囲でも良い。
例えば、(最後の)a面成長工程における成長方向が<1−100>方向である場合、最も広い面(B)のオフセット方向は、<11−20>方向となる。
この場合、
(a)(最後の)a面成長工程での成長結晶中の転位線の、スライス後の最も広い面(B)への露出密度を最も小さくすることができる、及び、
(b)一般的に用いられているオフセット方向となる
という利点がある。
この場合、
(a)(最後の)a面成長工程での成長結晶中の転位線の、スライス後の最も広い面(B)への露出密度を最も小さくすることができる、及び、
(b)c面成長時に基底面転位の密度を小さくすることができる
という利点がある。
c面成長工程は、SiC単結晶基板を種結晶として用い、最も広い面(B)を成長面として、SiC単結晶をc面成長させる工程である。
c面成長工程は、必ずしも必要ではなく、基板製造工程で得られたSiC単結晶基板20a、20a…をそのまま各種の用途に用いることができる。
しかしながら、SiC単結晶基板20a、20a…を製造するまでの過程が、いわゆる「繰り返しa面成長法」に該当する場合、SiC単結晶基板20a、20a…中の螺旋転位密度は極めて低い。そのため、これをc面成長用の種結晶として用いると、螺旋転位密度の低いSiC単結晶を製造することができる。
図2に、本発明の第2の実施の形態に係るSiC単結晶の製造方法を説明するための模式図を示す。なお、図2中、図1に対応する部分については、図1と同一の符号を用いた。図2において、本実施の形態に係るSiC単結晶の製造方法は、a面成長用種結晶製造工程と、a面成長工程と、基板製造工程と、c面成長工程(図示せず)とを備えている。
a面成長用種結晶製造工程、a面成長工程(最後のa面成長工程)に用いられる種結晶(L)16、16…を製造する工程である。a面成長用種結晶製造工程の詳細は、第1の実施の形態と同様であるので、説明を省略する。
a面成長工程は、種結晶(L)16、16…を用いて、最後のa面成長を行う工程である。a面成長工程の詳細は、第1の実施の形態と同様であるので、説明を省略する。
基板製造工程は、(最後の)a面成長工程で得られたSiC単結晶18、18…を、a面成長工程における成長方向に対して略平行にスライスし、SiC単結晶基板20a’、20a’…を得る工程である。
基板製造工程のその他の点については、第1の実施の形態と同様であるので、説明を省略する。
c面成長工程は、SiC単結晶基板20a’、20a’…を種結晶として用い、最も広い面(B)を成長面として、SiC単結晶をc面成長させる工程である。
c面成長工程の詳細は、第1の実施の形態と同様であるので、説明を省略する。
本発明に係るSiC単結晶は、本発明に係る方法により得られるものであって、
(a)略直方体状の形状を有し、
(b){0001}面が成長方向に略平行であり、かつ、
(c)前記成長方向に略平行な面の内、最も広い面(A)と{0001}面とのなす角(オフセット角)θ3が、1°≦θ3≦30°である
ことを特徴とする。
図3(a)に、<1−100>方向にa面成長させたSiC単結晶の模式図を示す。図3(b)に、<11−20>方向にa面成長させたSiC単結晶の模式図を示す。
この場合、種結晶(L)のオフセット角θ1を最適化すると、{1−100}面ファセット痕の長辺と{0001}面とのなす角(オフセット角)θ4が、1°≦θ4であるSiC単結晶18aが得られる。
このようなSiC単結晶18aは、窒素の取り込み量が多いことにより、低抵抗であり、そのような基板を高い歩留まりで得ることができるという利点がある。
この場合、種結晶(L)のオフセット角θ1を最適化すると、{1−100}面ファセット痕の伸長方向と{0001}面の法線ベクトルとのなす角(オフセット角)θ5が、1°≦θ5であるSiC単結晶18bが得られる。
このようなSiC単結晶18bは、窒素の取り込みムラが少ないことにより、抵抗のバラツキが小さく、そのような基板を高い歩留まりで得ることができるという利点がある。
ここで、「側面」とは、SiC単結晶の表面の内、成長方向に略平行な面をいう。
本発明に係るSiC単結晶をある方向に対して平行にスライスすると、SiC単結晶基板が得られる。この場合、スライス方向を最適化すると、SiC単結晶基板の最も広い面(B)が、SiC単結晶の最も広い面(A)に対して略平行であるSiC単結晶基板が得られる。
上述したように、従来の手法を用いて基板を大口径化しようとする場合、
(1)成長結晶が割れやすい、及び、
(2)成長したa面成長結晶からc面成長用種結晶を取り出す際の歩留まりが低い、
という問題がある。
すなわち、図4(a)に示すように、単結晶をa面成長(図4(a)中、z軸方向への成長)させる場合であっても、種結晶(L)16’に対し、成長結晶がc軸方向(図4(a)中、y軸方向)に拡大成長することがある。また、拡大を抑制しても、僅かな種結晶(L)16’の方位の傾きにより、c軸方向への成長成分が生じる場合がある。この時、用いられている種結晶(L)16’の成長面の長辺と、{0001}面とのなす角(オフセット角)が小さいと、拡大方向(y軸方向)へは、いわゆるオン成長となる。しかしながら、c軸方向への成長の際には、c軸方向に種結晶(L)16’の多形を継承させるための螺旋転位が無いことから、拡大部分に異種多形17、17…が発生する。
図5に、従来のSiC単結晶の製造方法を説明するための模式図を示す。なお、図5中、図1に対応する部分については、図1と同一の符号を付した。
本発明に係る方法により得られるSiC単結晶からc面成長用種結晶を切り出す場合、SiC単結晶の最も広い面に(A)対してほぼ平行にスライスすることができるので、材料歩留まりが高くなる。また、所定の面積及び枚数の基板を取り出すために必要なSiC単結晶の体積が最小となるので、a面成長中に単結晶が割れる確率も低くなる。
Claims (12)
- (a)成長面の平面形状が略長方形状であり、
(b)成長方向が{0001}面に対して略平行であり、かつ、
(c)前記成長面の長辺と{0001}面とのなす角(オフセット角)θ1が、1°≦θ1≦30°である
種結晶を用いて、前記成長面上にSiC単結晶をa面成長させるa面成長工程
を備えたSiC単結晶の製造方法。 - 前記a面成長工程は、前記成長面と略同一の形状の前記SiC単結晶が成長するように、前記SiC単結晶の成長空間を取り囲むガイドを配置し、前記成長面上に前記SiC単結晶をa面成長させるものである
請求項1に記載のSiC単結晶の製造方法。 - 前記a面成長工程で得られた前記SiC単結晶を、前記a面成長工程における成長方向及び前記長辺に対して略平行にスライスし、最も広い面(B)と{0001}面とのなす角(オフセット角)θ2が、|θ2−θ1|<2°であるSiC単結晶基板を得る基板製造工程
をさらに備えた請求項1又は2に記載のSiC単結晶の製造方法。 - 前記a面成長工程で得られた前記SiC単結晶を、前記a面成長工程における成長方向と略平行に、かつ、前記長辺に対して非平行にスライスし、最も広い面(B)と{0001}面とのなす角(オフセット角)θ2が、θ2≧θ1+2(°)であるSiC単結晶基板を得る基板製造工程
をさらに備えた請求項1又は2に記載のSiC単結晶の製造方法。 - 前記a面成長工程は、前記成長方向が<1−100>方向であり、
前記基板製造工程は、前記最も広い面(B)のオフセット方向が<11−20>方向となるように、前記SiC単結晶をスライスするものである
請求項3又は4に記載のSiC単結晶の製造方法。 - 前記a面成長工程は、前記成長方向が<11−20>方向であり、
前記基板製造工程は、前記最も広い面(B)のオフセット方向が<1−100>方向となるように、前記SiC単結晶をスライスするものである
請求項3又は4に記載のSiC単結晶の製造方法。 - 前記SiC単結晶基板を種結晶として用い、前記最も広い面(B)を成長面として、SiC単結晶をc面成長させるc面成長工程
をさらに備えた請求項3から6までのいずれか1項に記載のSiC単結晶の製造方法。 - (a)略直方体状の形状を有し、
(b){0001}面が成長方向に略平行であり、かつ、
(c)前記成長方向に対して略平行な面の内、最も広い面(A)と{0001}面とのなす角(オフセット角)θ3が、1°≦θ3≦30°である
SiC単結晶。 - 前記成長方向に対して略垂直な断面において、前記断面の中心部に、前記断面の長辺に略平行方向に伸長した形状の{1−100}面ファセット痕を有し、
{1−100}面ファセット痕の長辺と{0001}面とのなす角(オフセット角)θ4が、1°≦θ4である
請求項8に記載のSiC単結晶。 - 前記成長方向に対して略垂直な断面において、前記断面の短辺側の両端部に、前記短辺に略平行方向に伸長した形状の{1−100}面ファセット痕を有し、
前記{1−100}面ファセット痕の伸長方向と{0001}面の法線ベクトルとのなす角(オフセット角)θ5が、1°≦θ5である
請求項8に記載のSiC単結晶。 - 側面部の少なくとも一部が未加工の面からなる請求項8から10までのいずれか1項に記載のSiC単結晶。
- 請求項8から11までのいずれか1項に記載のSiC単結晶から切り出されたSiC単結晶基板であって、
前記SiC単結晶基板の最も広い面(B)が、前記最も広い面(A)に対して略平行であるSiC単結晶基板。
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Cited By (4)
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---|---|---|---|---|
WO2015037465A1 (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-19 | トヨタ自動車株式会社 | SiC単結晶及びその製造方法 |
WO2017094707A1 (ja) * | 2015-12-03 | 2017-06-08 | 昭和電工株式会社 | SiC単結晶の製造方法、SiC単結晶及びSiCインゴット |
EP3388560A1 (en) * | 2017-04-14 | 2018-10-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for preparing sic single crystal |
US10428440B2 (en) | 2012-04-20 | 2019-10-01 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | SiC single crystal and production method thereof |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003119097A (ja) * | 2001-10-12 | 2003-04-23 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | SiC単結晶及びその製造方法並びにSiC種結晶及びその製造方法 |
JP2006001836A (ja) * | 2005-09-16 | 2006-01-05 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | SiC単結晶、並びにSiC種結晶 |
WO2011037079A1 (ja) * | 2009-09-24 | 2011-03-31 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素インゴット、炭化珪素基板、それらの製造方法、坩堝、および半導体基板 |
JP2012250888A (ja) * | 2011-06-05 | 2012-12-20 | Toyota Central R&D Labs Inc | SiC単結晶及びその製造方法、並びに、SiCウェハ及び半導体デバイス |
-
2013
- 2013-04-02 JP JP2013077278A patent/JP6147543B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003119097A (ja) * | 2001-10-12 | 2003-04-23 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | SiC単結晶及びその製造方法並びにSiC種結晶及びその製造方法 |
JP2006001836A (ja) * | 2005-09-16 | 2006-01-05 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | SiC単結晶、並びにSiC種結晶 |
WO2011037079A1 (ja) * | 2009-09-24 | 2011-03-31 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素インゴット、炭化珪素基板、それらの製造方法、坩堝、および半導体基板 |
JP2012250888A (ja) * | 2011-06-05 | 2012-12-20 | Toyota Central R&D Labs Inc | SiC単結晶及びその製造方法、並びに、SiCウェハ及び半導体デバイス |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10428440B2 (en) | 2012-04-20 | 2019-10-01 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | SiC single crystal and production method thereof |
US10087549B2 (en) | 2013-09-13 | 2018-10-02 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Method for producing sic single crystal having low defects by solution process |
JP2015054814A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | トヨタ自動車株式会社 | SiC単結晶及びその製造方法 |
WO2015037465A1 (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-19 | トヨタ自動車株式会社 | SiC単結晶及びその製造方法 |
KR101790904B1 (ko) | 2013-09-13 | 2017-10-26 | 도요타 지도샤(주) | SiC 단결정 및 그 제조 방법 |
JP2017100922A (ja) * | 2015-12-03 | 2017-06-08 | 昭和電工株式会社 | SiC単結晶の製造方法、SiC単結晶及びSiCインゴット |
WO2017094707A1 (ja) * | 2015-12-03 | 2017-06-08 | 昭和電工株式会社 | SiC単結晶の製造方法、SiC単結晶及びSiCインゴット |
US10724152B2 (en) | 2015-12-03 | 2020-07-28 | Showa Denko K.K. | Method for producing SiC single crystal, SiC single crystal, and SiC ingot |
US11773507B2 (en) | 2015-12-03 | 2023-10-03 | Resonac Corporation | SiC single crystal, and SiC ingot |
EP3388560A1 (en) * | 2017-04-14 | 2018-10-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for preparing sic single crystal |
CN108728897A (zh) * | 2017-04-14 | 2018-11-02 | 信越化学工业株式会社 | 制备SiC单晶的方法 |
JP2018177591A (ja) * | 2017-04-14 | 2018-11-15 | 信越化学工業株式会社 | SiC単結晶の製造方法 |
US10612154B2 (en) | 2017-04-14 | 2020-04-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for preparing SiC single crystal |
CN108728897B (zh) * | 2017-04-14 | 2022-03-01 | 信越化学工业株式会社 | 制备SiC单晶的方法 |
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