JP2014096592A - 発光素子及びそれを製造する方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光素子は、基板110上に位置する第1導電型半導体層130と、第1導電型半導体層130上に位置する活性層140と、活性層140上に位置する第2導電型半導体層150と、活性層140及び第2導電型半導体層150の一部がエッチングされて露出された第1導電型半導体層130の表面に位置する不規則凹凸パターン190を含み、不規則凹凸パターン190は凸部及び凹部を有し、凸部は不規則な高さを有し、凹部は不規則な深さを有する。
【選択図】図2
Description
Claims (23)
- 基板上に位置する第1導電型半導体層と、
前記第1導電型半導体層上に位置する活性層と、
前記活性層上に位置する第2導電型半導体層と、
前記活性層及び前記第2導電型半導体層の一部がエッチングされて露出された前記第1導電型半導体層の表面に位置する不規則凹凸パターンを含み、
前記不規則凹凸パターンは凸部及び凹部を有し、前記凸部は不規則な高さを有し、前記凹部は不規則な深さを有する発光素子。 - 第1電極パッドをさらに含み、前記不規則凹凸パターンは少なくとも前記第1電極パッドと前記第2導電型半導体層間に位置する請求項1に記載の発光素子。
- 前記第1導電型半導体層は、第1ないし第3N−GaN層を含み、前記第1N−GaN層及び前記第3N−GaN層は前記第2N−GaN層よりn型不純物が高濃度ドーピングされ、前記第3N−GaN層は前記第1電極パッドとオーミック接触され、前記不規則凹凸パターンは前記第3N−GaN層に形成された請求項2に記載の発光素子。
- 前記不規則凹凸パターンの凹部の少なくとも一部は、前記第2N−GaN層の一部または全領域まで延びるか、前記第1N−GaN層の上部領域まで延びた請求項3に記載の発光素子。
- 前記不規則凹凸パターンは、前記活性層の下に位置する請求項1に記載の発光素子。
- 露出された前記第1導電型半導体層上に形成された第1電極パッドと、前記第1電極パッドから分岐された第1電極延長部をさらに含み、前記不規則凹凸パターンは前記第1電極パッドの下部及び前記第1電極延長部の下部に形成された請求項1に記載の発光素子。
- 露出された前記第1導電型半導体層上に形成された第1電極パッドをさらに含み、前記第1電極パッドと接触する前記第1導電型半導体層の上部は平らな面を有する請求項1に記載の発光素子。
- 前記不規則凹凸パターンは、前記凸部の端部は前記平らな面と同じ高さに位置するか、或いは前記平らな面より低い高さに位置する請求項7に記載の発光素子。
- 前記不規則凹凸パターンは、前記凸部の端部は前記平らな面と同じ高さに位置するか、或いは前記平らな面より高い高さに位置する請求項7に記載の発光素子。
- 前記第2導電型半導体層上に形成された第2電極パッドと、前記第2導電型半導体層と前記第2電極パッド間に形成された透明導電層をさらに含み、前記第1電極パッドと前記透明導電層間の水平間隔は5μmないし50μmである請求項7に記載の発光素子。
- 前記第1電極パッドから分岐された第1電極延長部と、前記第2導電型半導体層上に形成された第2電極パッドと、前記第2電極パッドから分岐されて前記第1電極延長部と交互に並んで配列された第2電極延長部を含み、
前記不規則凹凸パターンは、前記第1電極延長部と並んで重なった第1不規則凹凸パターンと、前記第1不規則凹凸パターンから前記第2電極延長部方向に延びた第2不規則凹凸パターンと、前記発光素子の縁領域に形成された第3不規則凹凸パターンを含む請求項7に記載の発光素子。 - 前記第2導電型半導体層上に形成された第2電極パッドをさらに含み、前記第1電極パッド及び前記第2電極パッドはドームタイプである請求項7に記載の発光素子。
- 前記第1導電型半導体層は、前記発光素子の縁領域に従って前記活性層及び前記第2導電型半導体層の一部がエッチングされて露出され、前記縁領域の露出された前記第1導電型半導体層上に不規則凹凸パターンが形成された請求項1に記載の発光素子。
- 前記縁領域は、角領域と側部領域を含み、前記角領域は前記側部領域の幅より広い請求項13に記載の発光素子。
- 前記第1導電型半導体層内の前記不規則凹凸パターンの高さは、前記不規則凹凸パターンの下の前記第1導電型半導体層の高さより小さい請求項1に記載の発光素子。
- 前記不規則凹凸パターンは、160nmないし3μmの高さを有する請求項1に記載の発光素子。
- 基板上に第1導電型半導体層、活性層及び第2導電型半導体層を成長させ、
前記活性層及び前記第2導電型半導体層をパターニングして前記第1導電型半導体層の一部を露出させ、
露出された前記第1導電型半導体層上に保護層及びマスク金属層を形成し、
前記マスク金属層を一定温度で加熱して粒子形態に凝集された構造のマスクを形成し、
前記マスクをエッチングマスクとして使用して、露出された第1導電型半導体層をエッチングして不規則凹凸パターンを形成し、
前記保護層及び前記マスクを除去し、
前記不規則凹凸パターンは凸部及び凹部を有し、前記凸部は不規則な高さを有し、前記凹部は不規則な深さを有する発光素子の製造方法。 - 前記保護層及びマスク金属層は、前記の露出された第1導電型半導体層と共に前記第2導電型半導体層を覆うように形成される請求項17に記載の発光素子の製造方法。
- 前記不規則凹凸パターンを形成する前に、前記第1導電型半導体層上のマスクを覆い、前記第1導電型半導体層上のマスクを露出させる感光膜パターンを形成する段階を更に含む請求項17に記載の発光素子の製造方法。
- 前記保護層は、SiO2である請求項17に記載の発光素子の製造方法。
- 前記マスク金属層は、Niである請求項17に記載の発光素子の製造方法。
- 前記のマスク形成段階は、前記マスク金属層が400℃ないし900℃に加熱される請求項21に記載の発光素子の製造方法。
- 前記不規則凹凸パターンは、160nmないし3μmの高さを有する請求項17に記載の発光素子の製造方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160015841A (ko) * | 2014-07-31 | 2016-02-15 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 |
JP2017523613A (ja) * | 2014-07-31 | 2017-08-17 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. | 発光ダイオード |
WO2018038105A1 (ja) * | 2016-08-26 | 2018-03-01 | スタンレー電気株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子 |
JP2019071473A (ja) * | 2019-01-15 | 2019-05-09 | 信越半導体株式会社 | 発光素子 |
JP2020047835A (ja) * | 2018-09-20 | 2020-03-26 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9768357B2 (en) | 2013-01-09 | 2017-09-19 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Ultraviolet reflective rough adhesive contact |
WO2014110197A1 (en) | 2013-01-09 | 2014-07-17 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Ultraviolet reflective rough adhesive contact |
US10276749B2 (en) | 2013-01-09 | 2019-04-30 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Ultraviolet reflective rough adhesive contact |
US20150171274A1 (en) * | 2013-12-17 | 2015-06-18 | Industrial Technology Research Institute | Led structure |
KR20160025456A (ko) | 2014-08-27 | 2016-03-08 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
WO2016032192A1 (ko) * | 2014-08-27 | 2016-03-03 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
US9905729B2 (en) | 2015-03-27 | 2018-02-27 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode |
US9627224B2 (en) * | 2015-03-30 | 2017-04-18 | Stmicroelectronics, Inc. | Semiconductor device with sloped sidewall and related methods |
DE102016112587A1 (de) * | 2016-07-08 | 2018-01-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender Halbleiterchip |
TWI753106B (zh) * | 2017-02-16 | 2022-01-21 | 韓商Lg伊諾特股份有限公司 | 半導體裝置 |
KR102601417B1 (ko) * | 2017-09-28 | 2023-11-14 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 칩 |
KR102450150B1 (ko) | 2018-03-02 | 2022-10-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
CN110010728B (zh) * | 2019-03-25 | 2021-05-18 | 大连德豪光电科技有限公司 | 发光二极管芯片的制备方法 |
Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11224960A (ja) * | 1997-11-19 | 1999-08-17 | Unisplay Sa | Ledランプ並びにledチップ |
JP2001217456A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-08-10 | Sharp Corp | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
JP2002016312A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 |
US20050082562A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-21 | Epistar Corporation | High efficiency nitride based light emitting device |
JP2005217331A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
JP2005317931A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-11-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
JP2006245532A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
JP2007059518A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子 |
US20070114511A1 (en) * | 2003-07-03 | 2007-05-24 | Epivalley Co., Ltd. | lll-Nitride compound semiconductor light emiting device |
JP2007165515A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Showa Denko Kk | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
JP2008270416A (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-06 | Sanken Electric Co Ltd | 物体に粗面を形成する方法 |
JP2009111269A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Tekcore Co Ltd | 発光ダイオードの構造及びその製造方法 |
JP2009188240A (ja) * | 2008-02-07 | 2009-08-20 | Sharp Corp | 半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子 |
US20100006884A1 (en) * | 2007-08-07 | 2010-01-14 | Epistar Corporation | Light Emitting Device and Manufacturing Method Therof |
JP2010504640A (ja) * | 2006-09-25 | 2010-02-12 | ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド | 電流分散のための電極延長部を有する発光ダイオード |
JP2010067963A (ja) * | 2008-09-09 | 2010-03-25 | Bridgelux Inc | 向上した電極構造を有する発光素子 |
US20100243987A1 (en) * | 2009-03-30 | 2010-09-30 | Industrial Technology Research Institute | Device of light-emitting diode and method for fabricating the same |
US20110006320A1 (en) * | 2007-12-05 | 2011-01-13 | Wooree Lst Co., Ltd. | Light emitting device using compound semiconductor |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3782357B2 (ja) * | 2002-01-18 | 2006-06-07 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子の製造方法 |
US7193245B2 (en) * | 2003-09-04 | 2007-03-20 | Lumei Optoelectronics Corporation | High power, high luminous flux light emitting diode and method of making same |
TWM265766U (en) * | 2004-09-16 | 2005-05-21 | Super Nova Optoelectronics Cor | Structure of GaN light emitting device |
JP4980615B2 (ja) * | 2005-02-08 | 2012-07-18 | ローム株式会社 | 半導体発光素子およびその製法 |
JP5326225B2 (ja) * | 2006-05-29 | 2013-10-30 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
KR101654340B1 (ko) * | 2009-12-28 | 2016-09-06 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 |
JP5197654B2 (ja) * | 2010-03-09 | 2013-05-15 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
KR101028327B1 (ko) * | 2010-04-15 | 2011-04-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 발광소자 제조방법 및 발광소자 패키지 |
KR101673955B1 (ko) * | 2010-07-02 | 2016-11-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법 |
TW201248725A (en) * | 2011-05-31 | 2012-12-01 | Aceplux Optotech Inc | Epitaxial substrate with transparent cone, LED, and manufacturing method thereof. |
-
2012
- 2012-11-09 KR KR1020120126903A patent/KR102013363B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-11-08 JP JP2013232542A patent/JP6324706B2/ja active Active
- 2013-11-11 EP EP13192259.3A patent/EP2731150B1/en active Active
- 2013-11-11 US US14/076,626 patent/US9269867B2/en active Active
Patent Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11224960A (ja) * | 1997-11-19 | 1999-08-17 | Unisplay Sa | Ledランプ並びにledチップ |
JP2001217456A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-08-10 | Sharp Corp | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
JP2002016312A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 |
US20070114511A1 (en) * | 2003-07-03 | 2007-05-24 | Epivalley Co., Ltd. | lll-Nitride compound semiconductor light emiting device |
US20050082562A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-21 | Epistar Corporation | High efficiency nitride based light emitting device |
JP2005217331A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
JP2005317931A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-11-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
JP2006245532A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
JP2007059518A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子 |
JP2007165515A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Showa Denko Kk | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
JP2010504640A (ja) * | 2006-09-25 | 2010-02-12 | ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド | 電流分散のための電極延長部を有する発光ダイオード |
JP2008270416A (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-06 | Sanken Electric Co Ltd | 物体に粗面を形成する方法 |
US20100006884A1 (en) * | 2007-08-07 | 2010-01-14 | Epistar Corporation | Light Emitting Device and Manufacturing Method Therof |
JP2009111269A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Tekcore Co Ltd | 発光ダイオードの構造及びその製造方法 |
US20110006320A1 (en) * | 2007-12-05 | 2011-01-13 | Wooree Lst Co., Ltd. | Light emitting device using compound semiconductor |
JP2009188240A (ja) * | 2008-02-07 | 2009-08-20 | Sharp Corp | 半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子 |
JP2010067963A (ja) * | 2008-09-09 | 2010-03-25 | Bridgelux Inc | 向上した電極構造を有する発光素子 |
US20100243987A1 (en) * | 2009-03-30 | 2010-09-30 | Industrial Technology Research Institute | Device of light-emitting diode and method for fabricating the same |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160015841A (ko) * | 2014-07-31 | 2016-02-15 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 |
JP2017523613A (ja) * | 2014-07-31 | 2017-08-17 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. | 発光ダイオード |
KR102256590B1 (ko) | 2014-07-31 | 2021-05-26 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 |
WO2018038105A1 (ja) * | 2016-08-26 | 2018-03-01 | スタンレー電気株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子 |
JPWO2018038105A1 (ja) * | 2016-08-26 | 2019-06-27 | スタンレー電気株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子および該素子構成を含むウエハ |
US10818823B2 (en) | 2016-08-26 | 2020-10-27 | Stanley Electric Co., Ltd. | Group III nitride semiconductor light-emitting element and wafer including such element configuration |
JP7060508B2 (ja) | 2016-08-26 | 2022-04-26 | スタンレー電気株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子および該素子構成を含むウエハ |
JP2020047835A (ja) * | 2018-09-20 | 2020-03-26 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
JP7096489B2 (ja) | 2018-09-20 | 2022-07-06 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
JP2019071473A (ja) * | 2019-01-15 | 2019-05-09 | 信越半導体株式会社 | 発光素子 |
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Publication number | Publication date |
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