JP2014021401A - 導電性光学素子、入力素子、および表示素子 - Google Patents

Abstract

【課題】優れた光学特性を有する導電性光学素子を提供する。
【解決手段】導電性光学素子は、基体と、基体の表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された構造体と、構造体上に形成された透明導電層とを備える。透明導電層が、構造体の形状に倣った形状を有する。構造体の屈折率ｘとアスペクト比ｙが、ｙ≧−１．７８５ｘ＋３．２３８、およびｙ≦０．６８６の関係式を満たす。
【選択図】図１

Description

本技術は、導電性光学素子、入力素子、および表示素子に関する。詳しくは、反射防止機能を有する導電性光学素子に関する。

電子ペーパーなどの表示装置、およびタッチパネルなどの入力装置には、透明導電層を基体の平坦面上に形成した導電性光学素子が用いられている。この導電性光学素子に使用されている透明導電層の材料としては、高屈折率材料（例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide））が用いられている。このため、透明導電層の厚さによっては反射率が高くなってしまい、表示装置および入力装置の品質を損ねてしまうことがある。

従来、導電性光学素子の透過特性を向上するためには、光学多層膜を形成する技術が用いられている。例えば特許文献１では、基材と透明導電層との間に光学多層膜を設けたタッチパネル用の導電性光学素子が提案されている。この光学多層膜は、屈折率の異なる複数の誘電体膜を順次積層して形成されている。しかし、この技術では、光学特性が十分ではない。ここで、光学特性とは、ＩＴＯ膜の有無の反射特性および／または透過特性を示す。

特開２００３−１３６６２５号公報

したがって、本技術の目的は、優れた光学特性を有する導電性光学素子、入力素子、および表示素子を提供することにある。

本技術は、
基体と、
基体の表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された構造体と、
構造体上に形成された透明導電層と
を備え、
透明導電層が、構造体の形状に倣った形状を有し、
構造体の屈折率ｘとアスペクト比ｙが、以下の関係式（１）および（２）を満たす導電性光学素子である。
ｙ≧−１．７８５ｘ＋３．２３８ ・・・（１）
ｙ≦０．６８６ ・・・（２）

本技術に係る導電性光学素子は、入力素子および表示素子などに適用して好適なものである。

本技術において、構造体の底面の形状は、楕円または円であることが好ましい。本技術において、楕円、円（真円）、球体、楕円体などの形状には、数学的に定義される完全な楕円、円、球体、楕円体のみならず、多少の歪みが付与された楕円、円、球体、楕円体などの形状も含まれる。

本技術において、構造体は、凸状または凹状を有し、所定の格子状に配置されていることが好ましい。格子状としては、四方格子状もしくは準四方格子状、または六方格子状もしくは準六方格子状を用いることが好ましい。

本技術において、同一トラック内における構造体の配置ピッチＰ１は、隣接する２つのトラック間における構造体の配置ピッチＰ２よりも長いことが好ましい。このようにすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体の充填率を向上することができるので、光学特性を更に向上することができる。

本技術において、各構造体が、基体表面において六方格子パターン、または準六方格子パターンを形成している場合には、同一トラック内における構造体の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体の配置ピッチをＰ２としたとき、比率Ｐ１／Ｐ２が、１．００≦Ｐ１／Ｐ２≦１．１、または１．００＜Ｐ１／Ｐ２≦１．１の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体の充填率を向上することができるので、光学特性を更に向上することができる。

本技術において、各構造体が、基体表面において六方格子パターン、または準六方格子パターンを形成している場合には、各構造体は、トラックの延在方向に長軸方向を有し、中央部の傾きが先端部および底部の傾きよりも急峻に形成された楕円錐または楕円錐台形状であることが好ましい。このような形状にすることで、光学特性を更に向上することができる。

本技術において、各構造体が、基体表面において六方格子パターン、または準六方格子パターンを形成している場合には、トラックの延在方向における構造体の高さまたは深さは、トラックの列方向における構造体の高さまたは深さよりも小さいことが好ましい。このような関係を満たさない場合には、トラックの延在方向の配置ピッチを長くする必要が生じるため、トラックの延在方向における構造体の充填率が低下する。このように充填率が低下すると、光学特性の低下を招く傾向がある。

本技術において、構造体が、基体表面において四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成している場合には、同一トラック内における構造体の配置ピッチＰ１は、隣接する２つのトラック間における構造体の配置ピッチＰ２よりも長いことが好ましい。このようにすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体の充填率を向上することができるので、光学特性を更に向上することができる。

構造体が、基体表面において四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成している場合には、同一トラック内における構造体の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体の配置ピッチをＰ２としたとき、比率Ｐ１／Ｐ２が、１．４＜Ｐ１／Ｐ２≦１．５の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体の充填率を向上することができるので、光学特性を更に向上することができる。

構造体が、基体表面において四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成している場合には、各構造体は、トラックの延在方向に長軸方向を有し、中央部の傾きが先端部および底部の傾きよりも急峻に形成された楕円錐または楕円錐台形状であることが好ましい。このような形状にすることで、光学特性を更に向上することができる。

構造体が、基体表面において四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成している場合には、トラックに対して４５度方向または約４５度方向における構造体の高さまたは深さは、トラックの列方向における構造体の高さまたは深さよりも小さいことが好ましい。このような関係を満たさない場合には、トラックに対して４５度方向または約４５度方向における配置ピッチを長くする必要が生じるため、トラックに対して４５度方向または約４５度方向における構造体の充填率が低下する。このように充填率が低下すると、光学特性の低下を招く傾向がある。

本技術において、微細ピッチで基体表面に多数配設けられた構造体が、複数列のトラックをなしていると共に、隣接する３列のトラック間において、六方格子パターン、準六方格子パターン、四方格子パターンまたは準四方格子パターンをなしていることが好ましい。これにより、表面における構造体の充填密度を高くすることができ、これにより、より優れた光学特性を有する導電性光学素子を得ることができる。

本技術において、光ディスクの原盤作製プロセスとエッチングプロセスとを融合した方法を用いて導電性光学素子を作製することが好ましい。導電性光学素子作製用原盤を短時間で効率良く製造することができるとともに基体の大型化にも対応でき、これにより、導電性光学素子の生産性の向上を図ることができる。

本技術では、可視光の波長以下の平均波長を有する凹凸面が設けられた光学層上に、該凹凸面に倣うように所定パターンの透明導電層を形成している。また、構造体の屈折率ｘおよびアスペクト比ｙが、所定の関係式を満たしている。したがって、優れた光学特性を得ることができる。

以上説明したように、本技術によれば、優れた光学特性を有する導電性光学素子を実現できる。

図１Ａは、本技術の第１の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す断面図である。図１Ｂは、図１Ａに示した第１の領域Ｒ１を拡大して表す拡大断面図である。図１Ｃは、図１Ａに示した第２の領域Ｒ２を拡大して表す拡大断面図である。 図２Ａは、複数の構造体が形成された光学層表面の一例を示す平面図である。図２Ｂは、図２Ａに示した光学層表面の一部を拡大して表す平面図である。図２Ｃは、図２Ａに示した光学層表面の一部を拡大して表す斜視図である。 図３は、構造体の境界が不明瞭な場合の構造体底面の設定方法について説明するための概略図である。 図４Ａは、トラックの延在方向における構造体の高さを示す概略図である。図４Ｂは、トラックの列方向における構造体の高さを示す概略図である。 図５は、本技術の第１の実施形態に係る導電性光学素子の光学特性について説明するための概略図である。 図６Ａは、ロール原盤の構成の一例を示す斜視図である。図６Ｂは、図６Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す平面図である。図６Ｃは、図６ＢのトラックＴにおける断面図である。 図７は、ロール原盤露光装置の構成の一例を示す概略図である。 図８Ａ〜図８Ｄは、本技術の第１の実施形態に係る導電性光学素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図９Ａ〜図９Ｄは、本技術の第１の実施形態に係る導電性光学素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図１０Ａは、本技術の第２の実施形態に係る導電性光学素子の光学層表面の一例を示す平面図である。図１０Ｂは、図１０Ａに示した光学層表面の一部を拡大して表す平面図である。 図１１Ａは、本技術の第３の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す断面図である。図１１Ｂは、図１１Ａに示した第１の領域Ｒ１を拡大して表す拡大断面図である。図１１Ｃは、図１１Ａに示した第２の領域Ｒ２を拡大して表す拡大断面図である。 図１２Ａは、本技術の第４の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を説明するための断面図である。図１２Ｂは、図１２Ａに示した領域Ａ１および領域Ａ２を拡大して表す拡大断面図である。 図１３Ａは、図１２Ａに示した領域Ａ₁をさらに拡大して表す拡大断面図である。図１３Ｂは、図１２Ａに示した領域Ａ₂をさらに拡大して表す拡大断面図である。 図１４Ａは、本技術の第４の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を説明するための分解斜視図である。図１４Ｂは、本技術の第４の実施形態に係る情報入力装置に備えられる第１の導電性光学素子の構成の一例を説明するための分解斜視図である。 図１５Ａは、本技術の第５の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を説明するための断面図である。図１５Ｂは、透明導電層が形成された凹凸面が対向する領域を拡大して表す断面図である。図１５Ｃは、透明導電層が形成されておらず露出した凹凸面が対向する領域を拡大して表す断面図である。 図１６Ａは、本技術の第５の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を説明するための分解斜視図である。図１６Ｂは、本技術の第５の実施形態に係る情報入力装置に備えられる導電性光学素子の構成の一例を説明するための分解斜視図である。 図１７Ａは、本技術の第６の実施形態に係る情報表示装置の構成の一例を説明するための斜視図である。図１７Ｂは、透明導電層が形成された凹凸面が対向する領域を拡大して表す断面図である。図１７Ｃは、透明導電層が形成されておらず露出した凹凸面が対向する領域を拡大して表す断面図である。 図１８Ａは、本技術の第７の実施形態に係る情報表示装置の構成の一例を説明するための断面図である。図１８Ｂは、透明導電層が形成された凹凸面が対向する領域を拡大して表す断面図である。図１８Ｃは、透明導電層が形成されておらず露出した凹凸面が対向する領域を拡大して表す断面図である。 図１９Ａは、実施例１の導電性光学シートの反射スペクトルを示す図である。図１９Ｂは、比較例１の導電性光学シートの反射スペクトルを示す図である。 図２０は、実施例２〜１１、比較例２の導電性光学シートの屈折率とアスペクト比との関係を示すグラフである。

本技術の実施形態について図面を参照しながら以下の順序で説明する。
１．第１の実施形態（構造体を六方格子状に配列した導電性光学素子の例）
２．第２の実施形態（構造体を四方格子状に配列した導電性光学素子の例）
３．第３の実施形態（構造体を両面に設けた導電性光学素子の例）
４．第４の実施形態（情報入力装置に対する導電性光学素子の第１の適用例）
５．第５の実施形態（情報入力装置に対する導電性光学素子の第２の適用例）
６．第６の実施形態（情報表示装置に対する導電性光学素子の第１の適用例）
７．第７の実施形態（情報表示装置に対する導電性光学素子の第２の適用例）

＜１．第１の実施形態＞
［導電性光学素子の構成］
図１Ａは、本技術の第１の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す断面図である。図１Ｂは、図１Ａに示した第１の領域Ｒ₁を拡大して表す拡大断面図である。図１Ｃは、図１Ａに示した第２の領域Ｒ₂を拡大して表す拡大断面図である。導電性光学素子１は、一主面に凹凸面Ｓを有する光学層（第１の光学層）２と、凹凸面Ｓ上にこの凹凸面Ｓに倣うように形成された透明導電層６とを備える。光学層２の凹凸面Ｓには、透明導電層６が形成された第１の領域Ｒ₁と、透明導電層６が形成されていない第２の領域Ｒ₂とが交互に設けられ、透明導電層６は所定パターンを有している。また、必要に応じて、図１Ａ〜図１Ｃに示すように、透明導電層６上に形成された光学層（第２の光学層）７をさらに備える構成を採用してもよい。導電性光学素子１は可撓性を有していることが好ましい。

（光学層）
光学層２は、例えば、基体３と、基体３の表面に形成された複数の構造体４とを備える。基体３の表面に複数の構造体４を形成することにより、凹凸面Ｓが形成されている。構造体４と基体３とは、例えば、別成形または一体成形されている。構造体４と基体３とが別成形されている場合には、必要に応じて構造体４と基体３との間に基底層５をさらに備えるようにしてもよい。基底層５は、構造体４の底面側に構造体４と一体成形される層であり、構造体４と同様のエネルギー線硬化性樹脂組成物などを硬化してなる。

光学層７は、例えば、基体９と、基体９と透明導電層６との間に設けられた貼合層８とを備え、この貼合層８を介して基体９が透明導電層６上に貼り合わされる。光学層７はこの例に限定されるものではなく、ＳｉＯ₂などのセラミックコート（オーバーコート）とすることも可能である。

（基体）
基体３、９は、例えば、透明性を有する透明基体である。基体３、９の材料としては、例えば、透明性を有するプラスチック材料、ガラスなどを主成分とするものが挙げられるが、これらの材料に特に限定されるものではない。

ガラスとしては、例えば、ソーダライムガラス、鉛ガラス、硬質ガラス、石英ガラス、液晶化ガラスなど（「化学便覧」基礎編、P.I-537、日本化学会編参照）が用いられる。プラスチック材料としては、透明性、屈折率、および分散などの光学特性、さらには耐衝撃性、耐熱性、および耐久性などの諸特性の観点から、ポリメチルメタアクリレート、メチルメタクリレートと他のアルキル（メタ）アクリレート、スチレンなどといったビニルモノマーとの共重合体などの（メタ）アクリル系樹脂；ポリカーボネート、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート（CR-39）などのポリカーボネート系樹脂；（臭素化）ビスフェノールＡ型のジ（メタ）アクリレートの単独重合体ないし共重合体、（臭素化）ビスフェノールＡモノ（メタ）アクリレートのウレタン変性モノマーの重合体及び共重合体などといった熱硬化性（メタ）アクリル系樹脂；ポリエステル特にポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよび不飽和ポリエステル、アクリロニトリル−スチレン共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、シクロオレフィンポリマー（商品名：アートン、ゼオノア）、シクロオレフィンコポリマーなどが好ましい。また、耐熱性を考慮したアラミド系樹脂の使用も可能である。

基体３、９としてプラスチック材料を用いる場合、プラスチック表面の表面エネルギー、塗布性、すべり性、平面性などをより改善するために、表面処理として下塗り層を設けるようにしてもよい。この下塗り層としては、例えば、オルガノアルコキシメタル化合物、ポリエステル、アクリル変性ポリエステル、ポリウレタンなどが挙げられる。また、下塗り層を設けるのと同様の効果を得るために、基体３、９の表面に対してコロナ放電、ＵＶ照射処理を行うようにしてもよい。

基体３、９がプラスチックフィルムである場合には、基体３、９は、例えば、上述の樹脂を伸延、あるいは溶剤に希釈後フィルム状に成膜して乾燥するなどの方法で得ることができる。また、基体３、９の厚さは、導電性光学素子１の用途に応じて適宜選択することが好ましく、例えば２５μｍ〜５００μｍ程度である。

基体３、９の形状としては、例えば、シート状、プレート状、ブロック状を挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではない。ここで、シートにはフィルムが含まれるものと定義する。

（構造体）
図２Ａは、複数の構造体が形成された光学層表面の一例を示す平面図である。図２Ｂは、図２Ａに示した光学層表面の一部を拡大して表す平面図である。図２Ｃは、図２Ａに示した光学層表面の一部を拡大して表す斜視図である。以下では、導電性光学素子１の主面の面内で互いに直交する２方向をそれぞれＸ軸方向、およびＹ軸方向とし、その主面に垂直な方向をＺ軸方向と称する。構造体４は、例えば、基体３の表面に対して凸状または凹状を有し、基体３の表面に対して２次元配列されている。構造体４は、反射の低減を目的とする光の波長帯域以下の短い配置ピッチで周期的に２次元配列されていることが好ましい。このように複数の構造体４を２次元配列することで、２次元的な波面を基体２の表面に形成するようにしてもよい。

ここで、配置ピッチとは、配置ピッチＰ１および配置ピッチＰ２を意味する。なお、配置ピッチＰ１、Ｐ２については後述する。反射の低減を目的とする光の波長帯域は、例えば、紫外光の波長帯域、可視光の波長帯域または赤外光の波長帯域である。ここで、紫外光の波長帯域とは１０ｎｍ〜３６０ｎｍの波長帯域、可視光の波長帯域とは３６０ｎｍ〜８３０ｎｍの波長帯域、赤外光の波長帯域とは８３０ｎｍ〜１ｍｍの波長帯域をいう。具体的には、配置ピッチは、１７５ｎｍ以上３５０ｎｍ以下であることが好ましい。配置ピッチが１７５ｎｍ未満であると、構造体４の作製が困難となる傾向がある。一方、配置ピッチが３５０ｎｍを超えると、可視光の回折が生じる傾向がある。

複数の構造体４は、基体３の表面において複数列のトラックＴ１，Ｔ２，Ｔ３，・・・（以下総称して「トラックＴ」ともいう。）をなすような配置形態を有する。本技術において、トラックとは、構造体４が列をなして連なった部分のことをいう。また、列方向（列間方向）とは、基体３の成形面において、トラックの延在方向（Ｘ方向）に直交する方向のことをいう。トラックＴの形状としては、直線状、円弧状などを用いることができ、これらの形状のトラックＴをウォブル（蛇行）させるようにしてもよい。このようにトラックＴをウォブルさせることで、外観上のムラの発生を抑制できる。

トラックＴをウォブルさせる場合には、基体３上における各トラックＴのウォブルは、同期していることが好ましい。すなわち、ウォブルは、シンクロナイズドウォブルであることが好ましい。このようにウォブルを同期させることで、六方格子または準六方格子の単位格子形状を保持し、充填率を高く保つことができる。ウォブルしたトラックＴの波形としては、例えば、サイン波、三角波などを挙げることができる。ウォブルしたトラックＴの波形は、周期的な波形に限定されるものではなく、非周期的な波形としてもよい。ウォブルしたトラックＴのウォブル振幅は、例えば±１０ｎｍ程度に選択される。

構造体４は、例えば、隣接する２つのトラックＴ間において、半ピッチずれた位置に配置されている。具体的には、隣接する２つのトラックＴ間において、一方のトラック（例えばＴ１）に配列された構造体４の中間位置（半ピッチずれた位置）に、他方のトラック（例えばＴ２）の構造体４が配置されている。その結果、図２Ｂに示すように、隣接する３列のトラック（Ｔ１〜Ｔ３）間においてａ１〜ａ７の各点に構造体４の中心が位置する六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成するように構造体４が配置されている。

ここで、六方格子とは、正六角形状の格子のことをいう。準六方格子とは、正六角形状の格子とは異なり、歪んだ正六角形状の格子のことをいう。例えば、構造体４が直線上に配置されている場合には、準六方格子とは、正六角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませた六方格子のことをいう。構造体４が蛇行して配列されている場合には、準六方格子とは、正六角形状の格子を構造体４の蛇行配列により歪ませた六方格子、または正六角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませ、かつ、構造体４の蛇行配列により歪ませた六方格子のことをいう。

構造体４が準六方格子パターンを形成するように配置されている場合には、図２Ｂに示すように、同一トラック（例えばＴ１）内における構造体４の配置ピッチＰ１（例えばａ１〜ａ２間距離）は、隣接する２つのトラック（例えばＴ１およびＴ２）間における構造体４の配置ピッチ、すなわちトラックの延在方向に対して±θ方向における構造体４の配置ピッチＰ２（例えばａ１〜ａ７、ａ２〜ａ７間距離）よりも長くなっていることが好ましい。このように構造体４を配置することで、構造体４の充填密度の更なる向上を図れるようになる。

構造体４の具体的な形状としては、例えば、錐体状、柱状、針状、半球体状、半楕円体状、多角形状などが挙げられるが、これらの形状に限定されるものではなく、他の形状を採用するようにしてもよい。錐体状としては、例えば、頂部が尖った錐体形状、頂部が平坦な錐体形状、頂部に凸状または凹状の曲面を有する錐体形状が挙げられ、電気的信頼性の観点からすると、頂部に凸状の曲面を有する錐体形状が好ましいが、これらの形状に限定されるものではない。頂部に凸状の曲面を有する錐体形状としては、放物面状などの２次曲面状などが挙げられる。また、錐体状の錐面を凹状または凸状に湾曲させるようにしてもよい。後述するロール原盤露光装置（図７参照）を用いてロール原盤を作製する場合には、構造体４の形状として、頂部に凸状の曲面を有する楕円錐形状、または頂部が平坦な楕円錐台形状を採用し、それらの底面を形成する楕円形の長軸方向をトラックＴの延在方向と一致させることが好ましい。

光学特性の向上の観点からすると、頂部の傾きが緩やかで中央部から底部に徐々に急峻な傾きの錐体形状が好ましい。また、光学特性の向上の観点からすると、中央部の傾きが底部および頂部より急峻な錐形形状、または、頂部が平坦な錐体形状であることが好ましい。構造体４が楕円錐形状または楕円錐台形状を有する場合、その底面の長軸方向が、トラックの延在方向と平行となることが好ましい。

構造体４は、その底部の周縁部に、頂部から下部の方向に向かってなだらかに高さが低下する曲面部４ｂを有することが好ましい。導電性光学素子１の製造工程において導電性光学素子１を原盤などから容易に剥離することが可能になるからである。なお、曲面部４ｂは、構造体４の周縁部の一部にのみ設けてもよいが、上記剥離特性の向上の観点からすると、構造体４の周縁部の全部に設けることが好ましい。

構造体４の周囲の一部または全部に突出部４ａを設けることが好ましい。このようにすると、構造体４の充填率が低い場合でも、反射率を低く抑えることができるからである。突出部４ａは、成形の容易さの観点からすると、隣り合う構造体４の間に設けることが好ましい。また、構造体４の周囲の一部または全部の表面を荒らし、微細の凹凸を形成するようにしてもよい。具体的には例えば、隣り合う構造体４の間の表面を荒らし、微細な凹凸を形成するようにしてもよい。また、構造体４の表面、例えば頂部に微小な穴を形成するようにしてもよい。

なお、図２Ｂおよび図２Ｃでは、各構造体４がそれぞれ同一の大きさ、形状および高さを有しているが、構造体４の形状はこれに限定されるものではなく、基体表面に２種以上の大きさ、形状および高さを有する構造体４が形成されていてもよい。

図４Ａは、トラックの延在方向における構造体の高さを示す概略図である。図４Ｂは、トラックの列方向における構造体の高さを示す概略図である。構造体４の高さが面内方向に異方性を有していることが好ましい。これにより、導電性と光学特性とを両立することができるからである。より具体的には、トラックの延在方向における構造体４の高さＨ１は、列方向における構造体４の高さＨ２よりも小さいことが好ましい。すなわち、構造体４の高さＨ１、Ｈ２がＨ１＜Ｈ２の関係を満たすことが好ましい。

構造体４の傾斜角が、基体２の表面の面内方向によって異なっていることが好ましい。これにより、導電性と光学特性とを両立することができるからである。より具体的には、トラックの延在方向における構造体４の傾斜角θ１は、列方向における構造体４の傾斜角θ２よりも緩やかであることが好ましい。

なお、構造体４のアスペクト比は全て同一である場合に限らず、各構造体４が一定の高さ分布をもつように構成されていてもよい。高さ分布を有する構造体４を設けることで、光学特性の波長依存性を低減することができる。したがって、優れた光学特性を有する導電性光学素子１を実現することができる。

ここで、高さ分布とは、２種以上の高さを有する構造体４が基体３の表面に設けられていることを意味する。例えば、基準となる高さを有する構造体４と、この構造体４とは異なる高さを有する構造体４とを基体３の表面に設けるようにしてもよい。この場合、基準とは異なる高さを有する構造体４は、例えば基体３の表面に周期的または非周期的（ランダム）に設けられる。その周期性の方向としては、例えばトラックの延在方向、列方向などが挙げられる。

構造体４の屈折率は、好ましくは１．５３以上１．８以下、より好ましくは１．５３以上１．７５以下、さらに好ましくは１．５５以上１．７５以下、最も好ましくは１．６以上１．７１以下の範囲内である。構造体４の屈折率が１．５３未満であると、非視認性ΔＹが悪化する傾向がある。一方、構造体４の屈折率が１．８を超えると、構造体４を形成する樹脂材料と基体３との間の界面反射が大きくなり、透過率が低下する。

なお、本技術においてアスペクト比は、以下の式により定義される。
アスペクト比＝Ｈ／Ｐ
但し、Ｈ：構造体の高さ、Ｐ：平均配置ピッチ（平均周期）
ここで、平均配置ピッチＰは以下の式により定義される。
平均配置ピッチＰ＝（Ｐ１＋Ｐ２＋Ｐ２）／３
但し、Ｐ１：トラックの延在方向の配置ピッチ（トラック延在方向周期）、Ｐ２：トラックの延在方向に対して±θ方向（但し、θ＝６０°−δ、ここで、δは、好ましくは０°＜δ≦１１°、より好ましくは３°≦δ≦６°）の配置ピッチ（θ方向周期）

また、構造体４が六方格子または準六方格子パターンで配列されている場合には、構造体４の高さＨは、構造体４の列方向の高さとする。構造体４のトラック延在方向（Ｘ方向）の高さは、列方向（Ｙ方向）の高さよりも小さく、また、構造体４のトラック延在方向以外の部分における高さは列方向の高さとほぼ同一であるため、構造体４の高さを列方向の高さで代表する。但し、構造体４が凹部である場合、上記式における構造体４の高さＨは、構造体４の深さＨとする。

同一トラック内における構造体４の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体４の配置ピッチをＰ２としたとき、比率Ｐ１/Ｐ２が、１．００≦Ｐ１／Ｐ２≦１．１、または１．００＜Ｐ１／Ｐ２≦１．１の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体４の充填率を向上することができるので、光学特性を向上することができる。

基体表面における構造体４の充填率は、１００％を上限として、６５％以上、好ましくは７３％以上、より好ましくは８６％以上の範囲内である。充填率をこのような範囲にすることで、光学特性を向上することができる。充填率を向上させるためには、隣接する構造体４の下部同士を接合する、または、構造体底面の楕円率を調整などして構造体４に歪みを付与することが好ましい。

ここで、構造体４の充填率（平均充填率）は以下のようにして求めた値である。
まず、導電性光学素子１の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）を用いてＴｏｐ Ｖｉｅｗで撮影する。次に、撮影したＳＥＭ写真から無作為に単位格子Ｕｃを選び出し、その単位格子Ｕｃの配置ピッチＰ１、およびトラックピッチＴｐを測定する（図２Ｂ参照）。また、その単位格子Ｕｃの中央に位置する構造体４の底面の面積Ｓを画像処理により測定する。次に、測定した配置ピッチＰ１、トラックピッチＴｐ、および底面の面積Ｓを用いて、以下の式より充填率を求める。
充填率＝（Ｓ（hex.）／Ｓ（unit））×１００
単位格子面積：Ｓ（unit）＝Ｐ１×２Ｔｐ
単位格子内に存在する構造体の底面の面積：Ｓ（hex.）＝２Ｓ

上述した充填率算出の処理を、撮影したＳＥＭ写真から無作為に選び出された１０箇所の単位格子について行う。そして、測定値を単純に平均（算術平均）して充填率の平均率を求め、これを基体表面における構造体４の充填率とする。

構造体４が重なっているときや、構造体４の間に突出部４ａなどの副構造体があるときの充填率は、構造体４の高さに対して５％の高さに対応する部分を閾値として面積比を判定する方法で充填率を求めることができる。

図３は、構造体４の境界が不明瞭な場合の充填率の算出方法について説明するための図である。構造体４の境界が不明瞭な場合には、断面ＳＥＭ観察により、図３に示すように、構造体４の高さｈの５％（＝（ｄ／ｈ）×１００）に相当する部分を閾値とし、その高さｄで構造体４の径を換算し充填率を求めるようにする。構造体４の底面が楕円である場合には、長軸および短軸で同様の処理を行う。

構造体４が、その下部同士を重ね合うようにして繋がっていることが好ましい。具体的には、隣接関係にある構造体４の一部または全部の下部同士が重なり合っていることが好ましく、トラック方向、θ方向、またはそれら両方向において重なり合っていることが好ましい。このように構造体４の下部同士を重なり合わせることで、構造体４の充填率を向上することができる。構造体同士は、屈折率を考慮した光路長で使用環境下の光の波長帯域の最大値の１／４以下の部分で重なり合っていることが好ましい。これにより、優れた光学特性を得ることができるからである。

配置ピッチＰ１に対する径２ｒの比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が、好ましくは８５％以上、より好ましくは９０％以上、さらに好ましくは９５％以上の範囲内である。このような範囲にすることで、構造体４の充填率を向上し、光学特性を向上できるからである。比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が大きくなり、構造体４の重なりが大きくなりすぎると光学特性が低下する傾向にある。したがって、屈折率を考慮した光路長で使用環境下の光の波長帯域の最大値の１／４以下の部分で構造体同士が接合されるように、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）の上限値を設定することが好ましい。ここで、配置ピッチＰ１は、図２Ｂに示すように、構造体４のトラック方向の配置ピッチであり、径２ｒは、図２Ｂに示すように、構造体底面のトラック方向の径である。なお、構造体底面が円形である場合、径２ｒは直径となり、構造体底面が楕円形である場合、径２ｒは長径となる。

構造体４が準六方格子パターンを形成する場合には、構造体底面の楕円率ｅは、１００％＜ｅ＜１５０％以下であることが好ましい。この範囲にすることで、構造体４の充填率を向上し、優れた光学特性を得ることができるからである。

（透明導電層）
透明導電層６は、構造体４の形状に倣った形状を有していることが好ましい。透明導電層６は、例えば、有機透明導電層または無機透明導電層である。有機透明導電層は、導電性高分子またはカーボンナノチューブを主成分としていることが好ましい。導電性高分子としては、例えば、ポリチオフェン系、ポリアニリン系、ポリピロール系などの導電性高分子材料を用いることができ、ポリチオフェン系の導電性高分子材料を用いることが好ましい。ポリチオフェン系の導電性高分子材料としては、ＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）にＰＳＳ（ポリスチレンスルホン酸）をドーピングしたＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ系の材料を用いることが好ましい。

無機透明導電層は、透明酸化物半導体を主成分としていることが好ましい。透明酸化物半導体としては、例えば、ＳｎＯ₂、ＩｎＯ₂、ＺｎＯおよびＣｄＯなどの二元化合物、二元化合物の構成元素であるＳｎ、Ｉｎ、ＺｎおよびＣｄのうちの少なくとも一つの元素を含む三元化合物、または多元系（複合）酸化物を用いることができる。透明酸化物半導体の具体例としては、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ（Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｎＯ））、ＳＺＯ、フッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ₂）、ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ（Ｉｎ₂Ｏ₃、ＺｎＯ））などが挙げられる。特に、信頼性の高さ、および抵抗率の低さなどの観点から、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が好ましい。無機透明導電層を構成する材料は、導電性の向上の観点からすると、アモルファスと多結晶との混合状態であることが好ましい。

透明導電層６を構成する材料としては、生産性の観点からすると、導電性高分子、金属ナノ粒子、およびカーボンナノチューブからなる群より選ばれる少なくとも１種を主成分とするものが好ましい。これらの材料を主成分とすることで、高価な真空装置などを用いずに、ウエットコーティングにより透明導電層６を容易に形成することができる。

構造体４の頂部における透明導電層６の膜厚をＤ１、構造体４の傾斜面における透明導電層６の膜厚をＤ２、構造体間における透明導電層６の膜厚をＤ３としたときに、膜厚Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３が、好ましくはＤ１＞Ｄ３、より好ましくはＤ１＞Ｄ３＞Ｄ２の関係を満たしている。構造体４の頂部における透明導電層６の膜厚Ｄ１に対する、構造体間の透明導電層６の膜厚Ｄ３の比率（Ｄ３／Ｄ１）が、好ましくは０．８以下、より好ましくは０．７以下の範囲内である。比率（Ｄ３／Ｄ１）を０．８以下にすることで、比率（Ｄ３／Ｄ１）を１とした場合に比して光学特性を向上することができる。したがって、透明導電層６が形成された第１の領域Ｒ₁と、透明導電層６が形成されていない第２の領域Ｒ₂との反射率差ΔＲを低減することができる。すなわち、所定パターンを有する透明導電層６の視認を抑制することができる。

なお、構造体４の頂部における透明導電層６の膜厚Ｄ１、構造体４の傾斜面における透明導電層６の膜厚Ｄ２、構造体間における透明導電層６の膜厚Ｄ３はそれぞれ、凹凸面Ｓが最も高くなる位置における透明導電層６の膜厚Ｄ１、凹凸面Ｓの傾斜面における透明導電層６の膜厚Ｄ２、凹凸面Ｓが最も低くなる位置における透明導電層６の膜厚Ｄ３と等しい。

構造体４の頂部における透明導電層６の膜厚Ｄ１は、好ましくは４７ｎｍ以下、より好ましく２０ｎｍ以上４７ｎｍ以下、さらに好ましくは２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下の範囲内である。２０ｎｍ未満であると、導電性が低下する傾向がある。一方、４７ｎｍを超えると、導電性光学素子１がフィルム状を有する場合に、その可撓性が低下する傾向がある。

上述した透明導電層６の膜厚Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３は以下のようにして求めたものである。
まず、導電性光学素子１を構造体４の頂部を含むようにトラックの延在方向に切断し、その断面をＴＥＭにて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、構造体４の頂部における透明導電層６の膜厚Ｄ１を測定する。次に、構造体４の傾斜面の位置のうち、構造体４の半分の高さ（Ｈ／２）の位置の膜厚Ｄ２を測定する。次に、構造体間の凹部の位置のうち、その凹部の深さが最も深くなる位置の膜厚Ｄ３を測定する。
なお、透明導電層６の膜厚Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３が上記関係を有しているか否かは、このようにして求めた透明導電層の膜厚Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３により確認することができる。

透明導電層６の表面抵抗は、１８０Ω／□以下の範囲であることが好ましい。表面抵抗が１８０Ω／□を超えると、導電性光学素子１をタッチパネルに適用した場合に、導電性に問題が生じる。ここで、透明導電層６の表面抵抗は、４探針法（ＪＩＳ Ｋ ７１９４）により求めたものである。

（貼合層）
貼合層８は、例えば、アクリル系、ゴム系、シリコン系などの粘着剤を用いることができ、透明性の観点からすると、アクリル系粘着剤が好ましい。

（金属層）
表面抵抗の低減の観点から、構造体４と透明導電層６との間に、透明導電層６の下地層として金属層（導電層）をさらに設けるようにしてもよい。これにより、抵抗率を低減でき、透明導電層６を薄くすることができる、または透明導電層６だけでは導電率が十分な値に達しない場合に、導電率を補うことができる。金属層の膜厚は、特に限定されるものではないが、例えば数ｎｍ程度に選ばれる。金属層は導電率が高いため、数ｎｍの膜厚で十分な表面抵抗を得ることができる。また、数ｎｍ程度であれば、金属層による吸収や反射などの光学的な影響がほとんどない。金属層を構成する材料としては、導電性が高い金属系の材料を用いることが好ましい。このような材料としては、例えば、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｎｂおよび不純物添加Ｓｉなどからなる群より選ばれた少なくとも１種が挙げられるが、導電性の高さ、および使用実績などを考慮すると、Ａｇが好ましい。金属層だけでも表面抵抗を確保することが可能だが極端に薄い場合、金属層が島状の構造となってしまい、導通性を確保することが困難となる。その場合、島状の金属層を電気的につなぐためにも、金属層の上層の透明導電層６の形成が重要となってくる。金属層は、構造体４の形状に倣った形状を有していることが好ましい。

（誘電体層）
構造体４と透明導電層６との間に、バリア層として誘電体層をさらに設けるようにしてもよい。誘電体層の材料としては、例えば、金属の酸化物を用いることができる。金属の酸化物としては、例えば、Ｓｉの酸化物を用いることができる。誘電体層は、構造体４の形状に倣った形状を有していることが好ましい。構造体４と透明導電層６との間に誘電体層および金属層の両方を設ける場合には、誘電体層が構造体４側となり、金属層が透明導電層６側となるように、誘電体層および金属層を設けることが好ましい。

［光学特性］
以下、図５を参照しながら、第１の実施形態に係る導電性光学素子の光学特性いついて説明する。
導電性光学素子１の反射率差ΔＲは以下の式により表される。
ΔＲ＝Ｒ_A−Ｒ_B
Ｒ_A：透明導電層６が形成された第１の領域Ｒ₁の反射率
Ｒ_B：透明導電層６が形成されてない第２の領域Ｒ₂の反射率
ここで、反射率Ｒ_A、Ｒ_Bは、透明導電層６上に光学層７が形成されている状態での値である。

導電性光学素子１の非視認性ΔＹは、上述の反射率差ΔＲを用いて以下の式により表される。
ΔＹ［％］＝ΔＲ×Ｖ
Ｖ：視感度

透明導電層６上に光学層７が形成されている状態において、非視認性ΔＹ（＝ΔＲ×Ｖ）は、好ましくは０．３％以下、より好ましくは０．２以下、最も好ましくは０．１以下の範囲内である。非視認性ΔＹが０．３％を超えると、配線パターンが見えやすくなる傾向がある。

透明導電層６上に光学層７が形成されている状態において、構造体４の屈折率ｘとアスペクト比ｙが、以下の関係式（１）および（２）を満たしている。この関係を満たすことで、非視認性ΔＹを０．３％以下の範囲内にすることができる。
ｙ≧−１．７８５ｘ＋３．２３８ ・・・（１）
ｙ≦０．６８６ ・・・（２）

透明導電層６上に光学層７が形成されている状態において、構造体４の屈折率ｘとアスペクト比ｙが、以下の関係式（２）および（３）を満たしている。この関係を満たすことで、非視認性ΔＹを０．２％以下の範囲内にすることができる。
ｙ≧−１．３５２ｘ＋２．６３６ ・・・（３）
ｙ≦０．６８６ ・・・（２）

［ロール原盤の構成］
図６Ａは、ロール原盤の構成の一例を示す斜視図である。図６Ｂは、図６Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す平面図である。図６Ｃは、図６ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。ロール原盤１１は、上述した構成を有する導電性光学素子１を作製するための原盤、より具体的には、上述した基体表面に複数の構造体４を成形するための原盤である。ロール原盤１１は、例えば、円柱状または円筒状の形状を有し、その円柱面または円筒面が基体表面に複数の構造体４を成形するための成形面とされる。この成形面には複数の構造体１２が２次元配列されている。構造体１２は、例えば、成形面に対して凹状を有している。ロール原盤１１の材料としては、例えばガラスを用いることができるが、この材料に特に限定されるものではない。

ロール原盤１１の成形面に配置された複数の構造体１２と、上述の基体３の表面に配置された複数の構造体４とは、反転した凹凸関係にある。すなわち、ロール原盤１１の構造体１２の形状、配列、配置ピッチなどは、基体３の構造体４と同様である。

［露光装置の構成］
図７は、ロール原盤を作製するためのロール原盤露光装置の構成の一例を示す概略図である。このロール原盤露光装置は、光学ディスク記録装置をベースとして構成されている。

レーザー光源２１は、記録媒体としてのロール原盤１１の表面に着膜されたレジストを露光するための光源であり、例えば波長λ＝２６６ｎｍの記録用のレーザー光１４を発振するものである。レーザー光源２１から出射されたレーザー光１４は、平行ビームのまま直進し、電気光学素子（ＥＯＭ：Electro Optical Modulator）２２へ入射する。電気光学素子２２を透過したレーザー光１４は、ミラー２３で反射され、変調光学系２５に導かれる。

ミラー２３は、偏光ビームスプリッタで構成されており、一方の偏光成分を反射し他方の偏光成分を透過する機能をもつ。ミラー２３を透過した偏光成分はフォトダイオード２４で受光され、その受光信号に基づいて電気光学素子２２を制御してレーザー光１４の位相変調を行う。

変調光学系２５において、レーザー光１４は、集光レンズ２６により、ガラス（ＳｉＯ₂）などからなる音響光学素子（ＡＯＭ：Acousto-Optic Modulator）２７に集光される。レーザー光１４は、音響光学素子２７により強度変調され発散した後、レンズ２８によって平行ビーム化される。変調光学系２５から出射されたレーザー光１４は、ミラー３１によって反射され、移動光学テーブル３２上に水平かつ平行に導かれる。

移動光学テーブル３２は、ビームエキスパンダ３３、および対物レンズ３４を備えている。移動光学テーブル３２に導かれたレーザー光１４は、ビームエキスパンダ３３により所望のビーム形状に整形された後、対物レンズ３４を介して、ロール原盤１１上のレジスト層へ照射される。ロール原盤１１は、スピンドルモータ３５に接続されたターンテーブル３６の上に載置されている。そして、ロール原盤１１を回転させるとともに、レーザー光１４をロール原盤１１の高さ方向に移動させながら、レジスト層へレーザー光１４を間欠的に照射することにより、レジスト層の露光工程が行われる。形成された潜像は、円周方向に長軸を有する略楕円形になる。レーザー光１４の移動は、移動光学テーブル３２の矢印Ｒ方向への移動によって行われる。

露光装置は、図２Ｂに示した六方格子または準六方格子の２次元パターンに対応する潜像をレジスト層に形成するための制御機構３７を備えている。制御機構３７は、フォマッター２９とドライバ３０とを備える。フォマッター２９は、極性反転部を備え、この極性反転部が、レジスト層に対するレーザー光１４の照射タイミングを制御する。ドライバ３０は、極性反転部の出力を受けて、音響光学素子２７を制御する。

このロール原盤露光装置では、２次元パターンが空間的にリンクするように１トラック毎に極性反転フォマッター信号と回転コントロラーを同期させて信号を発生し、音響光学素子２７により強度変調している。角速度一定（ＣＡＶ）で適切な回転数と適切な変調周波数と適切な送りピッチでパターニングすることにより、六方格子または準六方格子パターンを記録することができる。

［導電性光学素子の製造方法］
次に、図８Ａ〜図９Ｄを参照しながら、本技術の第１の実施形態に係る導電性光学素子１の製造方法について説明する。
（レジスト成膜工程）
まず、図８Ａに示すように、円柱状または円筒状のロール原盤１１を準備する。このロール原盤１１は、例えばガラス原盤である。次に、図８Ｂに示すように、ロール原盤１１の表面にレジスト層１３を形成する。レジスト層１３の材料としては、例えば有機系レジスト、および無機系レジストのいずれを用いてもよい。有機系レジストとしては、例えばノボラック系レジストや化学増幅型レジストを用いることができる。また、無機系レジストとしては、例えば、１種または２種以上の金属化合物を用いることができる。

（露光工程）
次に、図８Ｃに示すように、ロール原盤１１の表面に形成されたレジスト層１３に、レーザー光（露光ビーム）１４を照射する。具体的には、図７に示したロール原盤露光装置のターンテーブル３６上に載置し、ロール原盤１１を回転させると共に、レーザー光（露光ビーム）１４をレジスト層１３に照射する。このとき、レーザー光１４をロール原盤１１の高さ方向（円柱状または円筒状のロール原盤１１の中心軸に平行な方向）に移動させながら、レーザー光１４を間欠的に照射することで、レジスト層１３を全面にわたって露光する。これにより、レーザー光１４の軌跡に応じた潜像１５が、例えば可視光波長と同程度のピッチでレジスト層１３の全面にわたって形成される。

潜像１５は、例えば、ロール原盤表面において複数列のトラックをなすように配置されるとともに、六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成する。潜像１５は、例えば、トラックの延在方向に長軸方向を有する楕円形状である。

（現像工程）
次に、例えば、ロール原盤１１を回転させながら、レジスト層１３上に現像液を滴下して、レジスト層１３を現像処理する。これにより、図８Ｄに示すように、レジスト層１３に複数の開口部が形成される。レジスト層１３をポジ型のレジストにより形成した場合には、レーザー光１４で露光した露光部は、非露光部と比較して現像液に対する溶解速度が増すので、図８Ｄに示すように、潜像（露光部）１６に応じたパターンがレジスト層１３に形成される。開口部のパターンは、例えば六方格子パターンまたは準六方格子パターンなどの所定の格子パターンである。

（エッチング工程）
次に、ロール原盤１１の上に形成されたレジスト層１３のパターン（レジストパターン）をマスクとして、ロール原盤１１の表面をエッチング処理する。これにより、図９Ａに示すように、トラックの延在方向に長軸方向をもつ楕円錐形状または楕円錐台形状の凹部、すなわち構造体１２を得ることができる。エッチングとしては、例えばドライエッチング、ウエットエッチングを用いることができる。このとき、エッチング処理とアッシング処理とを交互に行うことにより、例えば、錐体状の構造体１２のパターンを形成することができる。
以上により、目的とするロール原盤１１が得られる。

（転写工程）
次に、図９Ｂに示すように、ロール原盤１１と、基体３上に塗布された転写材料１６とを密着させた後、紫外線などのエネルギー線をエネルギー線源１７から転写材料１６に照射して転写材料１６を硬化させた後、硬化した転写材料１６と一体となった基体３を剥離する。これにより、図９Ｃに示すように、複数の構造体４を基体表面に有する光学層２が作製される。

エネルギー線源１７としては、電子線、紫外線、赤外線、レーザー光線、可視光線、電離放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線など）、マイクロ波、または高周波などエネルギー線を放出可能なものであればよく、特に限定されるものではない。

転写材料１６としては、エネルギー線硬化性樹脂組成物を用いることが好ましい。エネルギー線硬化性樹脂組成物としては、紫外線硬化性樹脂組成物を用いることが好ましい。エネルギー線硬化性樹脂組成物が、必要に応じてフィラーや機能性添加剤などを含んでいてもよい。

紫外線硬化性樹脂組成物は、例えばアクリレートおよび開始剤を含んでいる。紫外線硬化性樹脂組成物は、例えば、単官能モノマー、二官能モノマー、多官能モノマーなどを含み、具体的には、以下に示す材料を単独または、複数混合したものである。

単官能モノマーとしては、例えば、カルボン酸類（アクリル酸）、ヒドロキシ類（２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート）、アルキル、脂環類（イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボニルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート）、その他機能性モノマー（２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレンクリコールアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ベンジルアクリレート、エチルカルビトールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ−ビニルピロリドン、２−（パーフルオロオクチル）エチル アクリレート、３−パーフルオロヘキシル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−パーフルオロオクチルー２−ヒドロキシプロピル アクリレート、２−（パーフルオロデシル）エチル アクリレート、２−（パーフルオロー３−メチルブチル）エチル アクリレート）、２，４，６−トリブロモフェノールアクリレート、２，４，６−トリブロモフェノールメタクリレート、２−（２，４，６−トリブロモフェノキシ）エチルアクリレート）、２−エチルヘキシルアクリレートなどを挙げることができる。
二官能モノマーとしては、例えば、トリ（プロピレングリコール）ジアクリレート、トリメチロールプロパン ジアリルエーテル、ウレタンアクリレートなどを挙げることができる。

多官能モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ及びヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレートなどを挙げることができる。

開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オンなどを挙げることができる。

フィラーとしては、例えば、無機微粒子および有機微粒子のいずれも用いることができる。無機微粒子としては、例えば、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、ＳｎＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃などの金属酸化物微粒子を挙げることができる。

機能性添加剤としては、例えば、レベリング剤、表面調整剤、消泡剤などを挙げることができる。基体３の材料としては、例えば、メチルメタクリレート（共）重合体、ポリカーボネート、スチレン（共）重合体、メチルメタクリレート−スチレン共重合体、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセタール、ポリエーテルケトン、ポリウレタン、ガラスなどが挙げられる。

基体３の成形方法は特に限定されず、射出成形体でも押し出し成形体でも、キャスト成形体でもよい。必要に応じて、コロナ処理などの表面処理を基体表面に施すようにしてもよい。

（透明導電層の成膜工程）
次に、図９Ｄに示すように、複数の構造体４が形成された光学層２の凹凸面Ｓ上に、透明導電層６を成膜する。透明導電層６を成膜する際に、光学層２を加熱しながら成膜を行うようにしてもよい。透明導電層６の成膜方法としては、例えば、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどのＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition（化学蒸着法）：化学反応を利用して気相から薄膜を析出させる技術）のほか、真空蒸着、プラズマ援用蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどのＰＶＤ法（Physical Vapor Deposition（物理蒸着法）：真空中で物理的に気化させた材料を基板上に凝集させ、薄膜を形成する技術）を用いることができる。次に、必要に応じて、透明導電層６に対してアニール処理を施す。これにより、透明導電層６が、例えばアモルファスと多結晶との混合状態となる。

（透明導電層のパターニング工程）
次に、例えばフォトエッチングにより透明導電層６をパターニングすることで、所定パターンを有する透明導電層６を形成する。

（光学層の形成工程）
次に、必要に応じて、パターングされた透明導電層６が設けられた凹凸面Ｓ上に光学層７を形成する。
以上により、目的とする導電性光学素子１が得られる。

＜２．第２の実施形態＞
［導電性光学素子の構成］
図１０Ａは、本技術の第２の実施形態に係る導電性光学素子の光学層表面の一例を示す平面図である。図１０Ｂは、図１０Ａに示した光学層表面の一部を拡大して表す平面図である。第２の実施形態に係る導電性光学素子１は、複数の構造体４が、隣接する３列のトラックＴ間において四方格子パターンまたは準四方格子パターンをなしている点において、第１の実施形態のものとは異なっている。

ここで、四方格子とは、正四角形状の格子のことをいう。準四方格子とは、正四角形状の格子とは異なり、歪んだ正四角形状の格子のことをいう。例えば、構造体４が直線上に配置されている場合には、準四方格子とは、正四角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませた四方格子のことをいう。構造体４が蛇行して配列されている場合には、準四方格子とは、正四角形状の格子を構造体４の蛇行配列により歪ませた四方格子をいう。または、正四角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませ、かつ、構造体４の蛇行配列により歪ませた四方格子のことをいう。

同一トラック内における構造体４の配置ピッチＰ１は、隣接する２つのトラック間における構造体４の配置ピッチＰ２よりも長いことが好ましい。また、同一トラック内における構造体４の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体４の配置ピッチをＰ２としたとき、Ｐ１/Ｐ２が１．４＜Ｐ１／Ｐ２≦１．５の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体４の充填率を向上することができるので、光学特性を向上することができる。また、トラックに対して４５度方向または約４５度方向における構造体４の高さまたは深さは、トラックの延在方向における構造体４の高さまたは深さよりも小さいことが好ましい。

同一トラック内における構造体３の配置ピッチＰ１は、隣接する２つのトラック間における構造体３の配置ピッチＰ２よりも長いことが好ましい。また、トラックＴに対して±θ方向における構造体３の高さまたは深さは、他の方向の構造体３の高さまたは深さよりも小さいことが好ましい。但し、θ＝４５°−δ、ここで、δは、好ましくは０°＜δ≦１１°、より好ましくは３°≦δ≦６°である。より具体的には、トラックに対して±４５度方向または±約４５度方向における構造体３の高さまたは深さは、トラックの延在方向における構造体３の高さまたは深さよりも小さいことが好ましい。

構造体４の傾斜角が、基体２の表面の面内方向によって異なっていることが好ましい。より具体的には、トラックＴに対して±θ方向における構造体３の傾斜角θ２は、トラックの延在方向における構造体４の傾斜角θ１よりも緩やかであることが好ましい。

第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

＜第３の実施形態＞
図１１Ａは、本技術の第３の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す断面図である。図１１Ｂは、図１１Ａに示した第１の領域Ｒ１を拡大して表す拡大断面図である。図１１Ｃは、図１１Ａに示した第２の領域Ｒ２を拡大して表す拡大断面図である。第３の実施形態に係る導電性光学素子１０は、両主面に凹凸面Ｓ１、Ｓ２を有する光学層（第１の光学層）２と、凹凸面Ｓ１上にこの凹凸面Ｓ１に倣うように形成された透明導電層６₁と、凹凸面Ｓ２上にこの凹凸面Ｓ２に倣うように形成された透明導電層６₂とを備える。

光学層２の凹凸面Ｓ１には、透明導電層６₁が形成された第１の領域Ｒ₁と、透明導電層６が形成されていない第２の領域Ｒ₂とが交互に設けられ、透明導電層６₁は所定パターンを有している。光学層２の凹凸面Ｓ２には、透明導電層６₂が形成された第２の領域Ｒ₂と、透明導電層６が形成されていない第１の領域Ｒ₁とが交互に設けられ、透明導電層６₂は所定パターンを有している。所定パターンを有する透明導電層６₁と透明導電層６₂とは、例えば互いの延在方向が直交する関係にある。

また、必要に応じて、図１１Ａ〜図１１Ｃに示すように、透明導電層６₁上に形成された光学層（第２の光学層）７をさらに備える構成を採用してもよい。導電性光学素子１０は可撓性を有していることが好ましい。

＜４．第４の実施形態＞
図１２Ａは、本技術の第４の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を説明するための断面図である。図１２Ａに示すように、情報入力装置１０１は、表示装置１０２の表示面上に設けられる。情報入力装置１０１は、例えば貼合層１１１により表示装置１０２の表示面に貼り合わされている。情報入力装置１０１が適用される表示装置１０２は特に限定されるものではないが、例示するならば、液晶ディスプレイ、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）ディスプレイ、プラズマディスプレイ（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）ディスプレイ、表面伝導型電子放出素子ディスプレイ（Surface-conduction Electron-emitter Display：ＳＥＤ）などの各種表示装置が挙げられる。

情報入力装置１０１は、いわゆる投影型静電容量方式タッチパネルであり、第１の導電性光学素子１₁と、第１の導電性光学素子１₁上に設けられた第２の透明導電層１₂と、第２の透明導電層１₂上に設けられた光学層７とを備える。第１の導電性光学素子１₁と第２の透明導電層１₂とは、第１の導電性光学素子１₁の透明導電層６₁側の面と第２の導電性光学素子１₂の基体３側の面とが対向するように貼合層１１２を介して貼り合わされている。光学層７は、貼合層８を介して基体３を第２の導電性光学素子１₂の透明導電層６₂側の面に貼り合わせることにより形成される。

図１２Ｂは、図１２Ａに示した領域Ａ１および領域Ａ₂を拡大して表す拡大断面図である。図１３Ａは、図１２Ａに示した領域Ａ₁をさらに拡大して表す拡大断面図である。図１３Ｂは、図１２Ａに示した領域Ａ₂をさらに拡大して表す拡大断面図である。

図１２Ｂに示すように、第１の導電性光学素子１₁の透明導電層６₁と第２の導電性光学素子１₂の透明導電層６₂とは、情報入力装置１０１の厚さ方向に重ならないように設けられていることが好ましい。すなわち、第１の導電性光学素子１₁の第１の領域Ｒ₁と第２の導電性光学素子１₂の第２の領域Ｒ₂とが情報入力装置１０１の厚さ方向に重なり、第２の導電性光学素子１₁の第２の領域Ｒ₂と第２の導電性光学素子１₂の第１の領域Ｒ₁とが情報入力装置１０１の厚さ方向に重なっていることが好ましい。このようにすることで、第１の導電性光学素子１₁と第２の導電性光学素子１₂との重ね合わせによる透過率差を低減することができる。なお、図１２Ａおよび図１２Ｂでは、第１の導電性光学素子１₁の透明導電層６₁と、第２の導電性光学素子１₂の透明導電層６₂とがいずれも入力面側となるように、第１の導電性光学素子１₁および第２の導電性光学素子１₂の向きが設定されている場合を例として示しているが、第１の導電性光学素子１₁および第２の導電性光学素子１₂の向きは特に限定されるものではなく、情報入力装置１０１の設計に応じて適宜設定可能である。

図１３Ａに示すように、領域Ａ₁では、第１の導電性光学素子１₁の凹凸面Ｓには透明導電層６₁が形成されていないのに対して、第２の導電性光学素子１₂の凹凸面Ｓには透明導電層６₂が形成されていることが好ましい。また、図１３Ｂに示すように、領域Ａ₂では、第１の導電性光学素子１₁の凹凸面Ｓには透明導電層６₁が形成されているのに対して、第２の導電性光学素子１₂の凹凸面Ｓには透明導電層６₂が形成されていないことが好ましい。

第１の導電性光学素子１₁および第２の導電性光学素子１₂としては、第１〜第２の実施形態の導電性光学素子１のうちの１種を用いることができる。すなわち、第１の導電性光学素子１₁の光学層２₁、基体３₁、構造体４₁、基底層５₁および透明導電層６₁はそれぞれ、第１〜第２の実施形態のうちの１種の光学層２、基体３、構造体４、基底層５および透明導電層６と同様である。また、第２の導電性光学素子１₂の光学層２₂、基体３₂、構造体４₂、基底層５₂および透明導電層６₂はそれぞれ、第１〜第２の実施形態のうちの１種の光学層２、基体３、構造体４、基底層５および透明導電層６と同様である。

図１４Ａは、本技術の第５の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を説明するための分解斜視図である。この情報入力装置１０１は、ＩＴＯ Ｇｒｉｄ方式の投影型静電容量方式タッチパネルである。第１の導電性光学素子１₁の透明導電層６₁は、例えば、所定のパターンを有するＸ電極（第１の電極）である。第２の導電性光学素子１₂の透明導電層６₂は、例えば、所定のパターンを有するＹ電極（第２の電極）である。これらのＸ電極とＹ電極とは、例えば互いに直交する関係にある。

図１４Ｂは、本技術の第５の実施形態に係る情報入力装置に備えられる第１の導電性光学素子の構成の一例を説明するための分解斜視図である。なお、第２の導電性光学素子１₂は、透明導電層６₂からなるＹ電極の形成方向以外の点では第１の導電性光学素子１₁と同様であるので、分解斜視図の図示を省略する。

光学層２₁の凹凸面Ｓの領域Ｒ₁には、透明導電層６₁からなる複数のＸ電極が配列されている。光学層２₂の凹凸面Ｓの領域Ｒ₂には、透明導電層６₁からなる複数のＹ電極が配列されている。Ｘ軸方向に延びるＸ電極は、単位形状体Ｃ₁をＸ軸方向に繰り返し連結してなる。Ｙ軸方向に延びるＹ電極は、単位形状体Ｃ₂をＹ軸方向に繰り返し連結してなる。単位形状体Ｃ₁および単位形状体Ｃ₂の形状としては、例えば菱形形状（ダイヤモンド形状）、三角形状、四角形状などが挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。

第１の導電性光学素子１₁と第２の導電性光学素子１₂とを重ね合わせた状態において、第１の導電性光学素子１₁の第１の領域Ｒ₁と、第２の導電性光学素子１₂の第２の領域Ｒ₂とが重ね合わされ、第１の導電性光学素子１₁の第２の領域Ｒ₂と、第２の導電性光学素子１₂の第１の領域Ｒ₁とが重ね合わされる。したがって、情報入力装置１０１を入力面側から見た場合には、単位形状体Ｃ₁および単位形状体Ｃ₂が重ならず、一主面に敷き詰められて細密充填された状態として見える。

＜５．第５の実施形態＞
図１５Ａは、本技術の第５の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を説明するための断面図である。図１５Ｂは、透明導電層が形成された凹凸面が対向する領域を拡大して表す断面図である。図１５Ｃは、透明導電層が形成されておらず露出した凹凸面が対向する領域を拡大して表す断面図である。

図１５Ａに示すように、情報入力装置１０１は、いわゆるマトリックス対向膜方式タッチパネルであり、第１の導電性光学素子１₁と、第２の導電性光学素子１₂と、貼合層１２１とを備える。第１の導電性光学素子１と第２の導電性光学素子１₂とは、互いの透明導電層６₁および透明導電層６₂が対向するように所定間各離して対向配置されている。貼合層１２１は、第１の導電性光学素子１₁および第２の導電性光学素子１₂の周縁部間に配置されて、貼合層１２１を介して第１の導電性光学素子１₁および第２の導電性光学素子１₂の対向面の周縁部が貼り合わされる。貼合層１２１としては、例えば、粘着ペースト、粘着テープなどが用いられる。

情報入力装置１０１の両主面のうち、第２の導電性光学素子１₂の側の主面が情報を入力するタッチ面（情報入力面）となる。このタッチ面上にハードコート層１２２をさらに設けることが好ましい。タッチパネル５０のタッチ面の耐擦傷性を向上することができるからである。

図１５Ｂおよび図１５Ｃに示すように、第１の導電性光学素子１₁と第２の導電性光学素子１₂との凹凸面Ｓが所定間隔離して対向配置されている。マトリックス対向膜方式タッチパネルである情報入力装置１０１では、第１の導電性光学素子１₁および第２の導電性光学素子１₂の凹凸面Ｓにはそれぞれ、所定パターンを有する透明導電層６₁および透明導電層６₂が形成されている。このため、情報入力装置１０１では、透明導電層６₁が形成された凹凸面Ｓと透明導電層６₂が形成された凹凸面Ｓとが対向する領域（図１５Ｂ）、透明導電層６₁が形成されておらず露出した凹凸面Ｓと透明導電層６₂が形成されておらず露出した凹凸面Ｓとが対向する領域（図１５Ｃ）、および透明導電層６₁または透明導電層６₂が形成された凹凸面Ｓと透明導電層６₁または透明導電層６₂が形成されておらず露出した凹凸面Ｓとが対向する領域（図示省略）とが存在する。

図１６Ａは、本技術の第５の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を説明するための分解斜視図である。図１６Ｂは、本技術の第５の実施形態に係る情報入力装置に備えられる導電性光学素子の構成の一例を説明するための分解斜視図である。第１の導電性光学素子１₁の透明導電層６₁は、例えば、ストライプ形状を有するＸ電極（第１の電極）である。第２の導電性光学素子１₂の透明導電層６₁は、例えば、ストライプ形状を有するＹ電極（第２の電極）である。これらのＸ電極とＹ電極とが互いに対向するとともに直交するように、第１の導電性光学素子１₁と第２の導電性光学素子１₂とは対向配置される。

第５の実施形態において、上記以外のことは第５の実施形態と同様である。

＜６．第６の実施形態＞
図１７Ａは、本技術の第６の実施形態に係る情報表示装置の構成の一例を説明するための斜視図である。図１７Ｂは、透明導電層が形成された凹凸面が対向する領域を拡大して表す断面図である。図１７Ｃは、透明導電層が形成されておらず露出した凹凸面が対向する領域を拡大して表す断面図である。

図１７Ａに示すように、この情報表示装置は、パッシブマトリックス駆動方式（単純マトリックス駆動方式ともいう。）の液晶表示装置であり、第１の導電性光学素子１₁と、第２の導電性光学素子１₂と、液晶層１４１とを備える。第１の導電性光学素子１₁と第２の導電性光学素子１₂とは、互いの透明導電層６₁および透明導電層６₂が対向するように所定間隔離して対向配置されている。液晶層１４１は、所定間隔離して配置された第１の導電性光学素子１₁と第２の導電性光学素子１₂との間に設けられる。第１の導電性光学素子１₁および第２の導電性光学素子１₂としては、第１〜第２の実施形態の導電性光学素子１のうちの１種を用いることができる。すなわち、第１の導電性光学素子１₁の光学層２₁、基体３₁、構造体４₁、基底層５₁および透明導電層６₁はそれぞれ、第１〜第２の実施形態のうちの１種の光学層２、基体３、構造体４、基底層５および透明導電層６と同様である。また、第２の導電性光学素子１₂の光学層２₂、基体３₂、構造体４₂、基底層５₂および透明導電層６₂はそれぞれ、第１〜第２の実施形態のうちの１種の光学層２、基体３、構造体４、基底層５および透明導電層６と同様である。ここでは、パッシブマトリックス駆動方式の液晶表示装置に対して本技術を適用した例について説明するが、情報表示装置はこの例に限定されるものではなく、パッシブマトリックス駆動方式などの所定の電極パターンを有する情報表示装置であれば本技術を適用可能である。例えば、パッシブマトリックス駆動方式のＥＬ表示装置などにも適用可能である。

図１７Ｂおよび図１７Ｃに示すように、第１の導電性光学素子１₁および第２の導電性光学素子１₂との凹凸面Ｓが所定間隔離して対向配置されている。パッシブマトリックス駆動方式の液晶表示装置では、第１の導電性光学素子１₁および第２の導電性光学素子１₂の凹凸面Ｓにはそれぞれ、所定パターンを有する透明導電層６₁および透明導電層６₂が形成されている。このため、透明導電層６₁が形成された凹凸面Ｓと透明導電層６₂が形成された凹凸面Ｓとが対向する領域（図１７Ｂ）、透明導電層６₁が形成されておらず露出した凹凸面Ｓと透明導電層６₂が形成されておらず露出した凹凸面Ｓとが対向する領域（図１７Ｃ）、および透明導電層６₁または透明導電層６₂が形成された凹凸面Ｓと透明導電層６₁または透明導電層６₂が形成されておらず露出した凹凸面Ｓとが対向する領域（図示省略）とが存在する。

第１の導電性光学素子１₁の透明導電層６₁は、例えば、ストライプ形状を有するＸ電極（第１の電極）である。第２の導電性光学素子１₂の透明導電層６₂は、例えば、ストライプ形状を有するＹ電極（第２の電極）である。これらのＸ電極とＹ電極とが互いに対向するとともに直交するように、第１の導電性光学素子１₁と第２の導電性光学素子１₂とは対向配置される。

＜７．第７の実施形態＞
図１８Ａは、本技術の第７の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を説明するための断面図である。図１８Ｂは、透明導電層が形成された凹凸面が対向する領域を拡大して表す断面図である。図１８Ｃは、透明導電層が形成されておらず露出した凹凸面が対向する領域を拡大して表す断面図である。

図１８Ａに示すように、この情報表示装置は、いわゆるマイクロカプセル電気泳動方式の電子ペーパーであり、第１の導電性光学素子１₁と、第２の導電性光学素子１₂と、マイクロカプセル層（媒質層）１５１とを備える。第１の導電性光学素子１₁と第２の導電性光学素子１₂とは、互いの透明導電層６₁および透明導電層６₂が対向するように所定間隔離して対向配置されている。マイクロカプセル層１５１は、所定間隔離して配置された第１の導電性光学素子１₁と第２の導電性光学素子１₂との間に設けられる。

また、必要に応じて、粘着剤などの貼合層１５３を介して第２の導電性光学素子１₂をガラスなどの支持体１５４に貼り合わせるようにしてもよい。ここでは、マイクロカプセル電気泳動方式の電子ペーパーに対して本技術を適用した例について説明するが、電子ペーパーはこの例に限定されるものではなく、対向配置された導電性素子間に媒質層が設けられた構成であれば本技術は適用可能である。ここで、媒質には液体および固体以外に、空気などの気体も含まれる。また、媒質には、カプセル、顔料および粒子などの部材が含まれていてもよい。

マイクロカプセル電気泳動方式以外に本技術を適用可能な電子ペーパーとしては、例えばツイストボール方式、サーマルリライタブル方式、トナーディスプレイ方式、Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ型電気泳動方式、電子粉粒方式の電子パーパーなどが挙げられる。マイクロカプセル層１５１は、多数のマイクロカプセル１５２を含んでいる。マイクロカプセル内には、例えば、黒色粒子おび白色粒子が分散された透明な液体（分散媒）が封入されている。

第１の導電性光学素子１₁の透明導電層６₁、および第２の導電性光学素子１₂の透明導電層６₂は、電子ペーパーである情報表示装置の駆動方式に応じて所定の電極パターン状に形成されている。駆動方式としては、例えば単純マトリックス駆動方式、アクティブマトリックス駆動方式、セグメント駆動方式などが挙げられる。

図１８Ｂおよび図１８Ｃに示すように、第１の導電性光学素子１₁および第２の導電性光学素子１₂との凹凸面Ｓが所定間隔離して対向配置されている。パッシブマトリックス駆動方式電子ペーパーでは、第１の導電性光学素子１₁および第２の導電性光学素子１₂の凹凸面Ｓにはそれぞれ、所定パターンを有する透明導電層６₁および透明導電層６₂が形成されている。このため、透明導電層６₁が形成された凹凸面Ｓと透明導電層６₂が形成された凹凸面Ｓとが対向する領域（図１８Ｂ）、透明導電層６₁が形成されておらず露出した凹凸面Ｓと透明導電層６₂が形成されておらず露出した凹凸面Ｓとが対向する領域（図１８Ｃ）、および透明導電層６₁または透明導電層６₂が形成された凹凸面Ｓと透明導電層６₁または透明導電層６₂が形成されておらず露出した凹凸面Ｓとが対向する領域（図示省略）とが存在する。

この第７の実施形態において、上記以外のことは、第６の実施形態と同様である。

以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

（高さＨ、配置ピッチＰ、アスペクト比（Ｈ／Ｐ））
以下において、導電性光学シートなどの構造体の高さＨ、配置ピッチＰ、およびアスペクト比（Ｈ／Ｐ）は次のようにして求めた。

まず、導電性光学シートを構造体の頂部を含むように切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて撮影した。次に、撮影したＴＥＭ写真から、構造体の配置ピッチＰ、構造体の高さＨを求めた。なお、構造体の高さＨが面内方向に異方性を有している場合には、最も高い構造体の高さとした。例えば、構造体が準六方格子状に配列されている場合には、構造体の高さＨは列方向の構造体の高さとした。次に、これらの配置ピッチＰ、および高さＨを用いて、アスペクト比（Ｈ／Ｐ）を求めた。

（ＳｉＯ₂層およびＩＴＯ層の膜厚）
以下において、ＳｉＯ₂層およびＩＴＯ層の膜厚は次のようにして求めた。
まず、導電性光学シートを構造体の頂部を含むように切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて撮影し、撮影したＴＥＭ写真から、構造体の頂部におけるＳｉＯ₂層およびＩＴＯ層の膜厚を測定した。

（実施例１）
まず、外径１２６ｍｍのガラスロール原盤を準備し、このガラスロール原盤の表面に以下のようにしてレジスト層を着膜した。すなわち、シンナーでフォトレジストを１／１０に希釈し、この希釈レジストをディッピング法によりガラスロール原盤の円柱面上に厚さ７０ｎｍ程度に塗布することにより、レジスト層を着膜した。次に、記録媒体としてのガラスロール原盤を、図７に示したロール原盤露光装置に搬送し、レジスト層を露光することにより、１つの螺旋状に連なるとともに、隣接する３列のトラック間において準六方格子パターンをなす潜像がレジスト層にパターニングされた。

具体的には、準六方格子状の露光パターンが形成されるべき領域に対して、前記ガラスロール原盤表面まで露光するパワー０．５０ｍＷ／ｍのレーザー光を照射し準六方格子状の露光パターンを形成した。なお、トラック列の列方向のレジスト層の厚さは６０ｎｍ程度、トラックの延在方向のレジスト厚さは５０ｎｍ程度であった。

次に、ガラスロール原盤上のレジスト層に現像処理を施して、露光した部分のレジスト層を溶解させて現像を行った。具体的には、図示しない現像機のターンテーブル上に未現像のガラスロール原盤を載置し、ターンテーブルごと回転させつつガラスロール原盤の表面に現像液を滴下してその表面のレジスト層を現像した。これにより、レジスト層が準六方格子パターンに開口しているレジストガラス原盤が得られた。

次に、ロールエッチング装置を用い、ＣＨＦ₃ガス雰囲気中でのプラズマエッチングを行った。これにより、ガラスロール原盤の表面において、レジスト層から露出している準六方格子パターンの部分のみエッチングが進行し、その他の領域はレジスト層がマスクとなりエッチングはされず、楕円錐形状の凹部がガラスロール原盤に形成された。この際、エッチング量（深さ）は、エッチング時間によって調整した。最後に、Ｏ₂アッシングにより完全にレジスト層を除去することにより、凹形状の準六方格子パターンを有するモスアイガラスロールマスタが得られた。列方向における凹部の深さＨ２は、トラックの延在方向における凹部の深さＨ１より深かった。

次に、上記モスアイガラスロールマスタを用いて、ＵＶインプリントにより複数の構造体を厚さ１２５μｍのＰＥＴシート上に作製した。具体的には、上記モスアイガラスロールマスタと、紫外線硬化樹脂を塗布したＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）シートを密着させ、紫外線を照射し硬化させながら剥離した。これにより、以下の構造体が一主面に複数配列された光学シートが得られた。
構造体の配列：準六方格子
構造体の形状：釣鐘型（ほぼ回転放物面状）
構造体の高さＨ：１１０ｎｍ
構造体のアスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．４４
構造体の屈折率Ｎ：１．６１

次に、スパッタリング法により、複数の構造体が形成されたＰＥＴシート表面の第１の領域Ｒ₁には厚さＳｉＯ₂層を成膜するのに対して、第２の領域Ｒ₂にはＳｉＯ₂層を成膜せず複数の構造体を露出させた。

以下にＳｉＯ₂層の成膜条件を示す。
ガス種：ＡｒガスとＯ₂ガスとの混合ガス
ＳｉＯ₂層の膜厚：５ｎｍ
ここで、ＳｉＯ₂層の膜厚は構造体の頂部における膜厚である。

次に、スパッタリング法により、複数の構造体が形成されたＰＥＴシート表面の第１の領域Ｒ₁にはＩＴＯ層を成膜するのに対して、第２の領域Ｒ₂にはＩＴＯ層を成膜せず複数の構造体を露出させることにより、導電性光学シートを作製した。

以下にＩＴＯ層の成膜条件を示す。
ガス種：ＡｒガスとＯ₂ガスとの混合ガス
ＩＴＯ層の膜厚：３０ｎｍ
ここで、ＩＴＯ層の膜厚は構造体の頂部における膜厚である。

（アニール工程）
次に、ＩＴＯ層を形成したＰＥＴシートに対して、大気中にてアニールを施すことによより、ＩＴＯ層の多結晶化を促進させた。次に、この促進の状態を確認すべく、Ｘ線回折（X‐ray diffraction：ＸＲＤ）でＩＴＯ層を測定したところ、Ｉｎ₂Ｏ₃のピークが確認された。

次に、導電性光学シートを屈折率１．５のガラス基板上に、粘着シートを介してＩＴＯ層側の面がガラス基板の面側になるように接着した。
以上により、目的とする導電性光学シートが作製された。

（比較例１）
以下の構造体をＰＥＴシートの一主面に複数配列する以外のことは実施例１と同様にして、導電性光学シートを作製した。
構造体の配列：準六方格子
構造体の形状：釣鐘型（ほぼ回転放物面状）
構造体の構造体の高さＨ：１１０ｎｍ
構造体のアスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．４４
構造体の屈折率Ｎ：１．５０

（反射スペクトル）
まず、導電性光学シートのガラス基板を貼り合わせた側とは反対側の面に黒色テープを貼り合わせることにより、測定試料を作製した。次に、この測定試料の可視周辺の波長域（約３５０ｎｍ〜約８００ｎｍ)における第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂の反射スペクトルを、分光光度計（日本分光株式会社製、商品名：Ｖ−５５０）により測定した。その結果を図１９Ａ、図１９Ｂに示す。

（非視認性ΔＹ）
まず、第１の領域Ｒ₁と第２の領域Ｒ₂とを有する導電性光学シートのガラス基板を貼り合わせた側とは反対側の面に黒色テープを貼り合わせることにより、測定試料を作製した。次に、この測定試料の波長５５５ｎｍにける第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂の反射率を、分光光度計（日本分光株式会社製、商品名：Ｖ−５５０）により測定した。次に、以下の式により反射率の差ΔＲを算出した。
ΔＲ＝Ｒ_A−Ｒ_B
Ｒ_A：ＩＴＯ層が形成された第１の領域Ｒ₁の反射率
Ｒ_B：ＩＴＯ層が形成されてない第２の領域Ｒ₂の反射率

次に、以下の式により非視認性ΔＹを求めた。その結果を表１に示す。
ΔＹ［％］＝ΔＲ×Ｖ
Ｖ：視感度

表１は、実施例１、比較例１の導電性光学シートの構成および非視認性を示す。

表１、図１９Ａ、図１９Ｂから以下のことがわかる。
構造体の屈折率Ｎが１．６１である実施例１では、非視認性ΔＹ＝０．１である。これに対して、構造体の屈折率Ｎが１．５である比較例１では、非視認性ΔＹ＝０．５１である。したがって、構造体の屈折率Ｎを大きくすることで、構造体の高さが低くても、非視認性ΔＹを改善することができる。すなわち、透明導電層の膜厚を薄くし、導電性光学シートを低廉化できる。

（実施例２）
以下の構造体をＰＥＴシートの一主面に複数配列する以外のことは実施例１と同様にして、導電性光学シートを作製した。
構造体の配列：準六方格子
構造体の形状：釣鐘型（ほぼ回転放物面状）
構造体の高さＨ：１２４ｎｍ
構造体のアスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．６０８
構造体の屈折率：１．５

（実施例３）
以下の構造体をＰＥＴシートの一主面に複数配列する以外のことは実施例２と同様にして、導電性光学シートを作製した。
構造体の配列：準六方格子
構造体の形状：釣鐘型（ほぼ回転放物面状）
構造体の構造体の高さＨ：１１１ｎｍ
構造体のアスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．５４４
構造体の屈折率：１．５５

（実施例４）
以下の構造体をＰＥＴシートの一主面に複数配列する以外のことは実施例２と同様にして、導電性光学シートを作製した。
構造体の配列：準六方格子
構造体の形状：釣鐘型（ほぼ回転放物面状）
構造体の構造体の高さＨ：９３ｎｍ
アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．４５６
構造体の屈折率：１．６１

（実施例５）
以下の構造体をＰＥＴシートの一主面に複数配列する以外のことは実施例２と同様にして、導電性光学シートを作製した。
構造体の配列：準六方格子
構造体の形状：釣鐘型（ほぼ回転放物面状）
構造体の構造体の高さＨ：７８ｎｍ
アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．３８２
構造体の屈折率：１．６７

（実施例６）
以下の構造体をＰＥＴシートの一主面に複数配列する以外のことは実施例２と同様にして、導電性光学シートを作製した。
構造体の配列：準六方格子
構造体の形状：釣鐘型（ほぼ回転放物面状）
構造体の構造体の高さＨ：６６ｎｍ
アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．３２４
構造体の屈折率：１．７１

（実施例７）
以下の構造体をＰＥＴシートの一主面に複数配列する以外のことは実施例２と同様にして、導電性光学シートを作製した。
構造体の配列：準六方格子
構造体の形状：釣鐘型（ほぼ回転放物面状）
構造体の構造体の高さＨ：１１４ｎｍ
アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．５５９
構造体の屈折率：１．５

（実施例８）
以下の構造体をＰＥＴシートの一主面に複数配列する以外のことは実施例２と同様にして、導電性光学シートを作製した。
構造体の配列：準六方格子
構造体の形状：釣鐘型（ほぼ回転放物面状）
構造体の構造体の高さＨ：９７ｎｍ
アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．４７５
構造体の屈折率：１．５５

（実施例９）
以下の構造体をＰＥＴシートの一主面に複数配列する以外のことは実施例２と同様にして、導電性光学シートを作製した。
構造体の配列：準六方格子
構造体の形状：釣鐘型（ほぼ回転放物面状）
構造体の構造体の高さＨ：７４ｎｍ
アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．３６３
構造体の屈折率：１．６１

（実施例１０）
以下の構造体をＰＥＴシートの一主面に複数配列する以外のことは実施例２と同様にして、導電性光学シートを作製した。
構造体の配列：準六方格子
構造体の形状：釣鐘型（ほぼ回転放物面状）
構造体の構造体の高さＨ：１４０ｎｍ
アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．６８６
構造体の屈折率：１．５

（実施例１１）
以下の構造体をＰＥＴシートの一主面に複数配列する以外のことは実施例２と同様にして、導電性光学シートを作製した。
構造体の配列：準六方格子
構造体の形状：釣鐘型（ほぼ回転放物面状）
構造体の構造体の高さＨ：１４０ｎｍ
アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．６８６
構造体の屈折率：１．７１

（比較例２）
以下の構造体をＰＥＴシートの一主面に複数配列する以外のことは実施例２と同様にして、導電性光学シートを作製した。
構造体の配列：準六方格子
構造体の形状：釣鐘型（ほぼ回転放物面状）
構造体の構造体の高さＨ：１１０ｎｍ
アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．５３９
構造体の屈折率：１．５０

（非視認性ΔＹ）
上述のようにして作製された導電性光学シートの非視認性ΔＹを、上述の実施例１、比較例１と同様にして求めた。その結果を図２０に示す。

表２は、実施例２〜１１、比較例２の導電性光学シートの構成および非視認性を示す。

図２０から以下のことがわかる。
構造体の屈折率ｘとアスペクト比ｙが、以下の関係式（１）および（２）を満たすことで、非視認性ΔＹを０．３％以下の範囲内にすることができる。
ｙ≧−１．７８５ｘ＋３．２３８ ・・・（１）
ｙ≦０．６８６ ・・・（２）

構造体の屈折率ｘとアスペクト比ｙが、以下の関係式（２）および（３）を満たすことで、非視認性ΔＹを０．２％以下の範囲内にすることができる。
ｙ≧−１．３５２ｘ＋２．６３６ ・・・（３）
ｙ≦０．６８６ ・・・（２）

以上、本技術の実施形態について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。

また、上述の実施形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
基体と、
上記基体の表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された構造体と、
上記構造体上に形成された透明導電層と
を備え、
上記透明導電層が、上記構造体の形状に倣った形状を有し、
上記構造体の屈折率ｘとアスペクト比ｙが、以下の関係式（１）および（２）を満たす導電性光学素子。
ｙ≧−１．７８５ｘ＋３．２３８ ・・・（１）
ｙ≦０．６８６ ・・・（２）
（２）
上記構造体の屈折率ｘとアスペクト比ｙが、以下の関係式（２）および（３）を満たす（１）に記載の導電性光学素子。
ｙ≧−１．３５２ｘ＋２．６３６ ・・・（３）
ｙ≦０．６８６ ・・・（２）
（３）
上記構造体の屈折率が、１．５３以上１．８以下の範囲内である（１）から（２）のいずれかに記載の導電性光学素子。
（４）
上記構造体の屈折率が、１．５５以上１．７５以下の範囲内である（１）から（２）のいずれかに記載の導電性光学素子。
（５）
上記構造体の傾斜角が、上記基体の表面の面内方向によって異なっている（１）から（４）のいずれかに記載の導電性光学素子。
（６）
上記透明導電層が、インジウム錫酸化物、または酸化亜鉛を含んでいる（１）から（５）のいずれかに記載の導電性光学素子。
（７）
上記透明導電層は、アモルファスと多結晶との混合状態である（１）から（６）のいずれかに記載の導電性光学素子。
（８）
上記構造体上に形成された導電層をさらに備え、
上記導電層が、導電率が高い金属系の材料を含み、上記構造体の形状に倣った形状を有している（１）から（７）のいずれかに記載の導電性光学素子。
（９）
上記金属が、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｌ、Ａｕ、およびＣｕからなる群より選ばれた少なくとも１種を含んでいる（８）に記載の導電性光学素子。
（１０）
上記構造体上に形成された誘電体層をさらに備え、
上記誘電体層が、上記構造体の形状に倣った形状を有している（１）から（９）のいずれかに記載の導電性光学素子。
（１１）
上記構造体は、上記基体の表面において複数列のトラックをなすように配置されているとともに、六方格子パターン、準六方格子パターン、四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成し、
上記構造体は、上記トラックの延在方向に長軸方向を有する楕円錐または楕円錐台形状である（１）から（１０）のいずれかに記載の導電性光学素子。
（１２）
上記透明導電層は、所定のパターンを有し、
上記基体の表面には、上記構造体上に上記透明導電層が形成された第１領域と、上記構造体上に上記透明導電層が形成されていない第２領域とを有する（１）から（１０）のいずれかに記載の導電性光学素子。
（１３）
（１）から（１２）のいずれか１項に記載の導電性光学素子を備える入力素子。
（１４）
（１）から（１２）のいずれか１項に記載の導電性光学素子を備える表示素子。

１ 導電性光学素子
１₁ 第１の導電性光学素子
１₂ 第２の導電性光学素子
２、２₁、２₂ 光学層
３、３₁、３₂ 基体
４、１２ 構造体
５、５₁、５₂ 基底層
６、６₁、６₂ 透明導電層
７ 光学層
８ 貼合層
１１ ロール原盤
１０１ 情報入力装置

Claims (14)

1. 基体と、
   上記基体の表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された構造体と、
   上記構造体上に形成された透明導電層と
   を備え、
   上記透明導電層が、上記構造体の形状に倣った形状を有し、
   上記構造体の屈折率ｘとアスペクト比ｙが、以下の関係式（１）および（２）を満たす導電性光学素子。
   ｙ≧−１．７８５ｘ＋３．２３８ ・・・（１）
   ｙ≦０．６８６ ・・・（２）
2. 上記構造体の屈折率ｘとアスペクト比ｙが、以下の関係式（２）および（３）を満たす請求項１に記載の導電性光学素子。
   ｙ≧−１．３５２ｘ＋２．６３６ ・・・（３）
   ｙ≦０．６８６ ・・・（２）
3. 上記構造体の屈折率が、１．５３以上１．８以下の範囲内である請求項１に記載の導電性光学素子。
4. 上記構造体の屈折率が、１．５５以上１．７５以下の範囲内である請求項１に記載の導電性光学素子。
5. 上記構造体の傾斜角が、上記基体の表面の面内方向によって異なっている請求項１に記載の導電性光学素子。
6. 上記透明導電層が、インジウム錫酸化物、または酸化亜鉛を含んでいる請求項１に記載の導電性光学素子。
7. 上記透明導電層は、アモルファスと多結晶との混合状態である請求項１に記載の導電性光学素子。
8. 上記構造体上に形成された導電層をさらに備え、
   上記導電層が、導電率が高い金属系の材料を含み、上記構造体の形状に倣った形状を有している請求項１に記載の導電性光学素子。
9. 上記金属が、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｌ、Ａｕ、およびＣｕからなる群より選ばれた少なくとも１種を含んでいる請求項８に記載の導電性光学素子。
10. 上記構造体上に形成された誘電体層をさらに備え、
    上記誘電体層が、上記構造体の形状に倣った形状を有している請求項１に記載の導電性光学素子。
11. 上記構造体は、上記基体の表面において複数列のトラックをなすように配置されているとともに、六方格子パターン、準六方格子パターン、四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成し、
    上記構造体は、上記トラックの延在方向に長軸方向を有する楕円錐または楕円錐台形状である請求項１に記載の導電性光学素子。
12. 上記透明導電層は、所定のパターンを有し、
    上記基体の表面には、上記構造体上に上記透明導電層が形成された第１領域と、上記構造体上に上記透明導電層が形成されていない第２領域とを有する請求項１に記載の導電性光学素子。
13. 請求項１から１２のいずれか１項に記載の導電性光学素子を備える入力素子。
14. 請求項１から１２のいずれか１項に記載の導電性光学素子を備える表示素子。

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