CN104471444A - 导电光学元件、输入元件及显示元件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种导电光学元件。其具备基体、由基体支撑且以小于等于可见光的波长的间距配置的多个结构体、以及设于结构体的表面侧且具有与该结构体的表面形状相似的形状的透明导电层。多个结构体的各折射率x与纵横比y满足y≥-1.785x+3.238、及y≤0.686的关系式。

Description

导电光学元件、输入元件及显示元件
技术领域
本技术涉及一种导电光学元件、输入元件及显示元件。具体地说，涉及一种具有防反射功能的导电光学元件。
背景技术
在电子纸等显示装置及触摸面板等输入装置上，已经使用了在基体的平坦面上形成有透明导电层的导电光学元件。用于该导电光学元件的透明导电层的材料，使用高折射率材料(例如ITO(Indium Tin Oxide))。因此，由于透明导电层的厚度会导致反射率提高，从而损坏显示装置和输入装置的品质。
为了提高导电光学元件的透射特性，可使用形成光学多层膜的技术。例如，在专利文献1中，提出了用于触摸面板的导电光学元件，其在基材及透明导电层之间设置有光学多层膜。该光学多层膜由依次积层折射率不同的多个介电膜而形成。然而，在该技术中，光学特性是不足的。在此，光学特性是表示存在或不存在ITO膜时的反射特性及/或透射特性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2003-136625号公报。
发明内容
因此，最好能提供一种具有优异的光学特性的导电光学元件、输入元件及显示元件。
本技术的一种实施方式的导电光学元件具备：
基体、
由基体支撑且以小于等于可见光的波长的间距配置的多个结构体、以及
设置在多个结构体的表面侧且具有与该多个结构体的表面形状相似的形状的透明导电层；
多个结构体的各折射率x与纵横比y满足以下关系式(1)和(2)。
y≥-1.785x+3.238···(1)
y≤0.686···(2)
本技术的一种实施方式的导电光学元件可适用于输入元件及显示元件等。
在本技术的一种实施方式中，结构体的底面形状优选椭圆或圆。在本技术中，椭圆、圆(正圆)、球体及椭圆体等形状不只限于数学上定义的完美的椭圆、圆、球体及椭圆体，也包括多少有些变形的椭圆、圆、球体及椭圆体。
在本技术的一种实施方式中，结构体优选具有凸状或凹状，且配置成规定的晶格图案。晶格图案优选四方晶格图案、准四方晶格图案、六方晶格图案或准六方晶格图案。
在本技术的一种实施方式中，在同一轨迹上结构体的配置间距P1优选长于在两条相邻轨迹上结构体的配置间距P2。这样做，因为能提高具有椭圆锥或椭圆锥台形状的结构体的填充率，所以能够进一步提高光学特性。
在本技术的一种实施方式中，各结构体在基体表面形成六方晶格图案或准六方晶格图案时，若将在同一轨迹上结构体的配置间距作为P1，在两条相邻轨迹上结构体的配置间距作为P2，则比率P1/P2优选满足1.00≤P1/P2≤1.1或1.00＜P1/P2≤1.1的关系。采用这样的数值范围，因为能提高具有椭圆锥或椭圆锥台形状的结构体的填充率，所以能够进一步提高光学特性。
在本技术的一种实施方式中，各结构体在基体表面形成六方晶格图案或准六方晶格图案时，各结构体优选为在轨迹延伸方向上具有长轴方向，且形成中央部分的倾斜比顶部及底部的倾斜更陡的椭圆锥或椭圆锥台形状。采用这样的形状，便能够进一步提高光学特性。
在本技术的一种实施方式中，各结构体在基体表面形成六方晶格图案或准六方晶格图案时，结构体在轨迹延伸方向上的高度或深度优选小于结构体在轨迹列方向上的高度或深度。若没有满足这样的关系，因为需要延长在轨迹延伸方向上的配置间距，所以结构体在轨迹延伸方向上的填充率将降低。如此填充率降低会使光学特性趋于劣化。
在本技术的一种实施方式中，结构体在基体表面形成四方晶格图案或准四方晶格图案时，在同一轨迹上结构体的配置间距P1优选长于在两条相邻轨迹上结构体的配置间距P2。这样做，因为能提高具有椭圆锥或椭圆锥台形状的结构体的填充率，所以能够进一步提高光学特性。。
结构体在基体表面形成四方晶格图案或准四方晶格图案时，若将在同一轨迹上结构体的配置间距作为P1，在两条相邻轨迹上结构体的配置间距作为P2，则比率P1/P2优选满足1.4＜P1/P2≤1.5的关系。采用这样的数值范围，因为能提高具有椭圆锥或椭圆锥台形状的结构体的填充率，所以能够进一步提高光学特性。
结构体在基体表面形成四方晶格图案或准四方晶格图案时，各结构体优选为在轨迹延伸方向上具有长轴方向，且形成中央部分的倾斜比顶部及底部的倾斜更陡的椭圆锥或椭圆锥台形状。采用这样的形状，便能够进一步提高光学特性。
结构体在基体表面形成四方晶格图案或准四方晶格图案时，结构体在相对于轨迹的45度方向或近似45度方向上的高度或深度优选小于结构体在轨迹列方向上的高度或深度。若没有满足这样的关系，因为需要延长在相对于轨迹的45度方向或近似45度方向上的配置间距，所以结构体在相对于轨迹的45度方向或近似45度方向上的填充率将降低。如此填充率降低会使光学特性趋于劣化。
在本技术的一种实施方式中，以微小的间距设于基体表面的许多结构体在形成多列轨迹的同时，在相邻的3列轨迹之间，优选形成六方晶格图案、准六方晶格图案、四方晶格图案或准四方晶格图案。因此，可提高结构体在表面上的填充密度，便可得到具有更加优异的光学特性的导电光学元件。
在本技术的一种实施方式中，优选利用光盘的母版制造工艺与蚀刻工艺相结合的方法来制造导电光学元件。在快速及高效地制造导电光学元件制作用母版的同时，也可应付基体的大型化，因此，可提高导电光学元件的生产力。
在本技术的一种实施方式中，在设有凹凸面的光学层上以配合该凹凸面的方式形成有规定图案的透明导电层，并且该凹凸面具有小于等于可见光波长的平均波长。另外，结构体的折射率x与纵横比y满足规定关系式。因此可得到优异的光学特性。
如上所述，根据本技术的一种实施方式，可实现具有优异的光学特性的导电光学元件。
附图说明
图1A是表示本技术的第1实施方式的导电光学元件的构成的一例的截面图。
图1B是表示图1A中所示的第1区域R1的放大截面图。
图1C是表示图1A中所示的第2区域R2的放大截面图。
图2A是表示形成有多个结构体的光学层表面的一例的平面图及该光学层表面的一部分的放大平面图。
图2B是表示图2A中所示的光学层表面的一部分的放大立体图。
图3是用于说明在结构体的边界不明确时的结构体底面的设定方法的概略图。
图4A是表示结构体在轨迹延伸方向的高度的概略图。
图4B是表示结构体在轨迹列方向的高度的概略图。
图5是表示本技术的第1实施方式的导电光学元件的构成的变形例的概略图。
图6是表示本技术的第1实施方式的导电光学元件的构成的其他变形例的概略图。
图7是用于说明本技术的第1实施方式的导电光学元件的光学特性的概略图。
图8A是表示辊型母版(roll master)的构成的一例的立体图。
图8B是表示图8A中所示的辊型母版的一部分的放大平面图。
图8C是在图8B的轨迹T上的截面图。
图9是表示辊型母版曝光装置的构成的一例的概略图。
图10A是用于说明本技术的第1实施方式的导电光学元件的制造方法的一例的步骤图。
图10B是用于说明图10A的下一个步骤的步骤图。
图10C是用于说明图10B的下一个步骤的步骤图。
图10D是用于说明图10C的下一个步骤的步骤图。
图11A是用于说明本技术的第1实施方式的导电光学元件的制造方法的一例的步骤图。
图11B是用于说明图11A的下一个步骤的步骤图。
图11C是用于说明图11B的下一个步骤的步骤图。
图11D是用于说明图11C的下一个步骤的步骤图。
图12A是表示本技术的第2实施方式的导电光学元件的光学层表面的一例的平面图。
图12B是表示图12A中所示的光学层表面的一部分的放大平面图。
图13A是表示本技术的第3实施方式的导电光学元件的构成的一例的截面图。
图13B是表示图13A中所示的第1区域R1的放大截面图。
图13C是表示图13A中所示的第2区域R2的放大截面图。
图14A是用于说明本技术的第4实施方式的信息输入装置的构成的一例的截面图。
图14B是表示图14A中所示的区域A1及区域A2的放大截面图。
图15A是表示图14A中所示的区域A1的进一步放大的截面图。
图15B是表示图14A中所示的区域A2的进一步放大的截面图。
图16A是用于说明本技术的第4实施方式的信息输入装置的构成的一例的立体分解图。
图16B是用于说明本技术的第4实施方式的信息输入装置的第1导电光学元件的构成的一例的立体分解图。
图17A是用于说明本技术的第5实施方式的信息输入装置的构成的一例的截面图。
图17B是表示形成有透明导电层的凹凸面的对向区域在放大情况下的截面图。
图17C是表示未形成有透明导电层而裸露的凹凸面的对向区域在放大情况下的截面图。
图18A是用于说明本技术的第5实施方式的信息输入装置的构成的一例的立体分解图。
图18B是用于说明本技术的第5实施方式的信息输入装置的导电光学元件的构成的一例的立体分解图。
图19A是用于说明本技术的第6实施方式的信息显示装置的构成的一例的立体图。
图19B是表示形成有透明导电层的凹凸面的对向区域在放大情况下的截面图。
图19C是表示未形成有透明导电层而裸露的凹凸面的对向区域在放大情况下的截面图。
图20A是用于说明本技术的第7实施方式的信息显示装置的构成的一例的截面图。
图20B是表示形成有透明导电层的凹凸面的对向区域在放大情况下的截面图。
图20C是表示未形成有透明导电层而裸露的凹凸面的对向区域在放大情况下的截面图。
图21A是表示实施例1的导电光学片的反射光谱图。
图21B是表示比较例1的导电光学片的反射光谱图。
图22是表示实施例2～11及比较例2的导电光学片的折射率与纵横比的相关图。
具体实施方式
后文将参照附图按以下的顺序对本技术的实施方式进行说明。
1.第1实施方式(将结构体配置成六方晶格图案的导电光学元件的例子)
2.第2实施方式(将结构体配置成四方晶格图案的导电光学元件的例子)
3.第3实施方式(将结构体配置于两面的导电光学元件的例子)
4.第4实施方式(适用于信息输入装置的导电光学元件的第1例)
5.第5实施方式(适用于信息输入装置的导电光学元件的第2例)
6.第6实施方式(适用于信息显示装置的导电光学元件的第1例)
7.第7实施方式(适用于信息显示装置的导电光学元件的第2例)
<1.第1实施方式>
[导电光学元件的构成]
图1A是表示本技术的第1实施方式的导电光学元件的构成的一例的截面图。图1B是表示图1A中所示的第1区域R1的放大截面图。图1C是表示图1A中所示的第2区域R2的放大截面图。导电光学元件1具备在其表面(一个主要面)上具有凹凸面S的光学层(第1光学层)2、及在该凹凸面S上配合该凹凸面S而形成的透明导电层6。在光学层2的表面侧的凹凸面S上交替地设置形成有透明导电层6的第1区域R1及未形成有透明导电层6的第2区域R2，且透明导电层6具有规定图案。另外，根据需要，如图1A～图1C所示，也可采用具有在透明导电层6上进一步形成有光学层(第2光学层)7的构成。导电光学元件1优选具有柔性(挠性，flexibility)。
(光学层)
光学层2比如具备基体3、及形成于基体3的表面且由该基体3支撑的多个结构体4。由于在基体3的表面形成多个结构体4而形成了凹凸面S。结构体4及基体3比如可以单独成形也可一体成形。结构体4及基体3被单独成形时，根据需要也可在结构体4与基体3之间进一步具备基底层5。基底层5是在结构体4的底面侧与结构体4一体成形的层，并且由与结构体4同样的能量线固化性树脂组合物等固化而成。
光学层7比如具备基体9、及设于基体9与透明导电层6之间的粘合层8，经由该粘合层8使基体9被粘合于透明导电层6上。光学层7并不限于此例，也可为SiO2等瓷质涂层(外涂层)。
(基体)
基体3、9比如可为具有透明性的透明基体。基体3、9的材料可列举例如具有透明性的塑料材料及以玻璃等为主要成分的材料，但并不限于这些材料。
玻璃比如可使用碱石灰玻璃、铅玻璃、硬玻璃、石英玻璃及液晶玻璃等(参照日本化学协会，「化学手册」基础编，第1-537页)。作为塑性材料，从透明性、折射率和散射等光学特性，以及再加上抗冲击性、耐热性和耐久性等各种特性的观点来看，优选(甲基)丙烯酸类树脂，例如聚甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯与其他的丙烯酸烷基酯、苯乙烯等乙烯基单体的共聚物等；聚碳酸酯类树脂，例如聚碳酸酯及二甘醇双烯丙基碳酸酯(diethylene glycol bisallyl carbonate)(CR-39)等；热固化性(甲基)丙烯酸类树脂，例如(溴化)双酚A类二(甲基)丙烯酸脂的均聚物和共聚物、及(溴化)双酚A单(甲基)丙烯酸酯的氨基甲酸乙酯改性单体的聚合物和共聚物；聚酯尤其是聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯及不饱和聚酯、丙烯腈-苯乙烯共聚物、聚氯乙烯、聚氨基甲酸酯、环氧树脂、聚芳酯、聚醚砜、聚醚酮、环烯烃聚合物(产品名：ARTON，ZEONOR)、环烯烃共聚物等。另外，也可使用考虑过耐热性的芳纶类树脂。
当使用塑料材料作为基体3、9时，为了进一步改善塑料表面的表面能、涂覆特性、平滑度及平坦度等，也可设置下涂层作为表面处理。作为该下涂层，例如可列举有机烷氧基金属化合物、聚酯、丙烯酸改性聚酯及聚氨基甲酸酯等。另外，为了取得与设置下涂层同样的效果，也可对基体3、9的表面进行电晕放电、UV照射处理。
当基体3、9为塑料膜时，例如基体3、9可由拉伸上述树脂或将上述树脂稀释于溶剂后，形成薄膜并干燥等方法来获得。另外，较佳的是根据导电光学元件1的用途适宜选择基体3、9的厚度，例如可为25微米～500微米左右。
作为基体3、9的形状，例如可列举片状、板状及块状，但并不特别限于这些形状。这里，定义片包含膜。
(结构体)
图2A是表示形成有多个结构体4的光学层表面的一例的平面图及该光学层表面的一部分的放大平面图。图2B是图2A中所示光学层表面的一部分的放大立体图。在下文中，将导电光学元件1的主表面内的两个互呈直角的方向分别称为X轴方向及Y轴方向，与此主表面垂直的方向称为Z轴方向。结构体4比如相对于基体3的表面具有凸状或凹状，且相对于基体3的表面被二维排列。以降低反射为目的，较佳的是以小于等于光的波长带的短配置间距使结构体4周期性地二维排列。通过这样将多个结构体4二维排列，也可在基体3的表面形成二维波面。
这里，配置间距是指配置间距P1及配置间距P2。此外，在后文对配置间距P1及P2进行说明。以降低反射为目的的光的波长带，例如可为紫外光的波长带、可见光的波长带或红外光的波长带。这里，紫外光的波长带是指10nm～360nm的波长带，可见光的波长带是指360nm～830nm的波长带，红外光的波长带是指830nm～1mm的波长带。具体地说，配置间距优选为大于等于175nm且小于等于350nm。若配置间距不满175nm，则存在难以制造结构体4的倾向。另一方面，若配置间距超过350nm，则存在发生可见光衍射的倾向。
多个结构体4具有以在基体3的表面上形成多条轨迹T1、T2、T3，…(以下，也统称为“轨迹T”)的配置形态。在本技术中，轨迹是指结构体4形成列而连接的部分。另外，列方向(各列之间的方向)是指在基体3的成形表面上垂直于轨迹延伸方向(X方向)的方向。轨迹T的形状可使用直线形、圆弧形等，也可将这些形状的轨迹T摆动(弯曲)。通过这样使轨迹T摆动，可抑制外观不均匀的发生。
在将轨迹T摆动时，基体3上的各轨迹T的摆动优选同步。即，该摆动优选同步摆动。通过这样使摆动同步，可保持六方晶格或准六方晶格的单位晶格图案，维持高的填充率。摆动后的轨迹T的波形例如可列举正弦波及三角波等。摆动后的轨迹T的波形不限于周期波形，也可是非周期波形。摆动后的轨迹T的摆动振幅例如可选择±10nm左右。
结构体4例如配置成在相邻两条轨迹T上偏移半个间距的位置。具体地说，在相邻两条轨迹T上，在一条轨迹(例如T1)上配置的结构体4的中间位置(偏移半个间距的位置)处，配置有另一条轨迹(例如T2)的结构体4。其结果是如图2A所示，以位于相邻三条轨迹(T1～T3)上的点al～a7各点的结构体4的中心形成六方晶格图案或准六方晶格图案的方式配置有多个结构体4。
这里，六方晶格是指正六角形的晶格。准六方晶格是指不同于正六角形，有些变形的六角形的晶格。例如，当结构体4设置在直线上时，准六方晶格是指将正六角形的晶格在直线的排列方向(轨迹方向)上拉伸而成的变形六方晶格。当结构体4弯曲排列时，准六方晶格是指正六角形的晶格由于结构体4的弯曲排列而形成的变形六方晶格，或是指将正六角形的晶格在直线的排列方向(轨迹方向)上拉伸变形，且由于结构体4的弯曲排列而形成的变形六方晶格。
当结构体4配置形成准六方晶格图案时，如图2A所示，结构体4在同一轨迹(例如T1)上的配置间距P1(例如a1与a2之间的距离)优选长于结构体4在相邻两条轨迹(例如T1及T2)上的配置间距，即长于结构体4在相对于轨迹延伸方向的±θ方向上的配置间距P2(例如a1与a7之间的距离及a2与a7之间的距离)。通过这样配置结构体4，可进一步提高结构体4的填充密度。
多个结构体4各自的具体形状可列举锥体形、柱形、针形、半球形、半椭圆形及多角形等，但不限于这些形状，也可采用其他形状。锥体状可列举尖顶锥体状，平顶锥体状及顶部具有凸面或凹面的锥体状等，鉴于电气可靠性，优选顶部具有凸面的锥体状，但不限于这些形状。顶部具有凸面的锥体状可列举抛物线等二次曲面形状等。另外，也可将锥体状的锥面弯曲成凹状或凸状。在使用后文所述的辊型母版曝光装置(参照图9)制造辊型母版时，结构体4的形状优选采用顶部具有凸面的椭圆锥形状或平顶的椭圆锥台形状，并使形成这些底面的椭圆形的长轴方向与轨迹T的延伸方向一致。
鉴于提高光学特性，优选顶部的倾斜较小且该倾斜自中央部向底部逐渐变陡峭的锥体形状。另外，鉴于提高光学特性，优选中央部的倾斜比底部及顶部的倾斜陡峭的锥体形状，或平顶锥体形状。当结构体4具有椭圆锥形状或椭圆锥台形状时，优选其底面的长轴方向与轨迹的延伸方向平行。
在结构体4的底部周边部分，较佳的是，具有在从结构体4的顶部向下部的方向上高度逐渐降低的曲面部4b。这是因为在导电光学元件1的制造过程中，容易从母版等上剥离导电光学元件1。此外，曲面部4b可仅设于结构体4的周边部分的一部分上，但鉴于提高上述剥离特性，较佳的是设于结构体4的整个周边部分。
较佳的是在结构体4的周围的一部或全部设置突出部4a。通过这样做，即使在结构体4的填充率为低时，亦可将反射率抑制为低。鉴于是否容易成形，突出部4a较佳的是设置在相邻结构体4之间。另外，也可将结构体4的周围的一部或全部表面粗糙化以形成微细的凹凸。具体地说，例如可将相邻结构体4之间的表面粗糙化以形成微细的凹凸。另外，也可在结构体4的表面，比如顶部形成微小孔。
此外，在图2A及图2B中，各结构体4具有相同的大小、形状及高度，但结构体4的形状并不限于此，在基体的表面上也可形成具有2种以上大小、形状及高度的结构体4。
图4A是表示结构体4在轨迹延伸方向的高度的概略图。图4B是表示结构体4在轨迹列方向的高度的概略图。结构体4的高度，较佳的是在面内方向具有异向性。因此，可同时实现导电性及光学特性。更具体地说，结构体4在轨迹延伸方向的高度H1优选小于结构体4在轨迹列方向的高度H2。即，结构体4的高度H1及H2优选满足关系式H1＜H2。
结构体4的表面，较佳的是在基体3表面的面内方向上形成具有不同倾斜角的倾斜面。因此，可同时实现导电性及光学特性。更具体地说，结构体4在轨迹延伸方向的倾斜角θ1优选小于结构体4在轨迹列方向的倾斜角θ2。
此外，结构体4的纵横比并不限于完全相同，各结构体4也可以一定的高度分布构成。因为形成了具有高度分布的结构体4，所以可降低光学特性的波长依赖性。因此，可实现具有优异的光学特性的导电光学元件1。
这里，高度分布意指在基体3的表面上设置具有2种以上高度的结构体4。例如，也可以作成在基体3的表面上设置具有参考高度的结构体4及具有不同于该参考高度的结构体4。此时，具有不同于该参考高度的结构体4，例如被周期性或非周期性(随机)地设置在基体3的表面上。该周期性的方向可列举轨迹延伸方向及列方向等。
结构体4的折射率优选大于等于1.53且小于等于1.8，更优选大于等于1.53且小于等于1.75，进一步优选大于等于1.55且小于等于1.75，最优选大于等于1.6且小于等于1.71的范围。若结构体4的折射率不满1.53，则非能见度ΔY趋于恶化。另一方面，若结构体4的折射率超过1.8，形成结构体4的树脂材料与基体3之间的界面反射将增大，透射率将降低。
此外，在本技术中，纵横比由下式定义。
纵横比＝H/P
其中，H：结构体的高度，P：平均配置间距(平均周期)
这里，平均配置间距P由下式定义。
平均配置间距P＝(P1+P2+P2)/3
其中，P1：在轨迹延伸方向上的配置间距(轨迹延伸方向周期)，P2：在相对于轨迹延伸方向的±θ方向(这里，θ＝60°-δ，其中δ优选0°＜δ≤11°，更优选3°≤δ≤6°)上的配置间距(θ方向周期)。
另外，当结构体4被排列成六方晶格图案或准六方晶格图案时，将结构体4在列方向的高度作为结构体4的高度。由于结构体4在轨迹延伸方向(X方向)上的高度小于在列方向(Y方向)上的高度，且结构体4在轨迹延伸方向以外的部分上的高度大致等于在列方向上的高度，因此用在列方向上的高度代表结构体4的高度。然而，当结构体4为凹部时，上述式中结构体4的高度H是结构体4的深度H。
当结构体4在同一轨迹内的配置间距由P1表示，结构体4在相邻两条轨迹上的配置间距由P2表示时，比率P1/P2优选满足1.00≤P1/P2≤1.1或1.00＜P1/P2≤1.1的关系。通过这样设定数值范围，能提高具有椭圆锥或椭圆锥台形状的结构体4的填充率，提高光学特性。
结构体4在基体表面上的填充率以100％作为上限，可为大于等于65％，优选大于等于73％，更优选大于等于86％的范围。通过这样设定填充率的范围，可提高光学特性。为提高填充率，较佳的是接合相邻结构体4的下部或由调整结构体底面的椭圆率使结构体4变形。
这里，结构体4的填充率(平均填充率)是以如下方式所求得的值。
首先，使用扫描电子显微镜(SEM：Scanning Electron Microscope)以俯视方式(Top View)拍摄导电光学元件1的表面。其次，从所拍摄的SEM照片中随机选择单位晶格Uc，并测量该单位晶格Uc的配置间距P1及轨迹间距Tp(参照图2A)。另外，由影像处理来测量位于该单位晶格Uc的中央的结构体4的底面积S。接着，使用所测配置间距P1，轨迹间距Tp及底面积S由下式求得填充率。
填充率＝(S(hex.)/S(unit))×100
单位晶格面积：S(unit)＝P1×2Tp
单位晶格内结构体的底面积：S(hex.)＝2S
对从所拍摄的SEM照片中随机选择出的10处单位晶格进行上述填充率的计算处理。然后，计算测量值的平均值(算术平均)以求得填充率的平均值，且以此作为结构体4在基体表面上的填充率。
当结构体4重叠或在结构体4之间形成有突出部4a等子结构体时，其填充率可由将对应于结构体4的高度的5％的部分作为临界值来判定面积比的方法求得。
图3是用于说明在结构体4的边界不明确时的填充率的计算方法的概略图。当结构体4的边界不明确时，由以下步骤获得填充率：通过SEM观察截面，如图3所示，将相当于结构体4的高度的5％(＝(d/h)×100)的部分作为临界值，利用该高度d换算结构体4的直径以求得填充率。当结构体4的底面为椭圆形时，使用长轴及短轴进行相同处理。
结构体4的下部以重叠方式连接是理想的。具体地说，较佳的是相邻关系的结构体4的下部部分地或整体地重叠接合，并且在轨迹延伸方向、θ方向或该两方向上重叠接合。通过这样重叠接合各结构体4的下部，便可提高结构体4的填充率。当换算为考虑折射率的光路长度时，较佳的是各结构体在使用环境下的光波长带的最大值的1/4以下的高度部分重叠接合。即，各结构体相互重叠接合部分的高度(光路长度)优选使用环境下的光波长带的最大值的1/4以下。因此，可获得优异的光学特性。
径2r与配置间距P1的比率((2r/P1)×100)优选大于等于85％，更优选大于等于90％，进一步优选大于等于95％的范围。通过这样设定该范围，便能提高结构体4的填充率，提高光学特性。若比率((2r/P1)×100)变大，结构体4的重叠变得过大，则光学特性趋于劣化。因此，优选设定比率((2r/P1)×100)的上限值以使在考虑折射率的光路长度时，各结构体在使用环境下的光波长带的最大值的1/4以下的高度部分重叠接合。即，优选设定比率((2r/P1)×100)的上限值以使各结构体相互重叠接合部分的高度(光路长度)为使用环境下的光波长带的最大值的1/4以下。这里，如图2A所示，配置间距P1是结构体4在轨迹延伸方向上的配置间距；径2r如图2A所示，是结构体底面在轨迹延伸方向上的直径。此外，当结构体底面为圆形时，径2r变为直径，当结构体底面为椭圆形时，径2r变为椭圆的长直径。
当结构体4形成准六方晶格图案时，结构体底面的椭圆率e优选100％＜e＜150％。通过这样设定该范围，便能提高结构体4的填充率，获得优异的光学特性。
(透明导电层)
设于基体3的表面侧的透明导电层6，较佳的是具有与结构体4的表面形状相似的形状。透明导电层6例如可为有机透明导电层或无机透明导电层。有机透明导电层较佳的是以导电性高分子或碳纳米管为主要成分。导电性高分子例如可使用聚噻吩系、聚苯胺系及聚吡咯系等导电性高分子材料，优选聚噻吩系导电性高分子材料。聚噻吩系导电性高分子材料优选在PEDOT(聚亚乙二)中掺杂PSS(聚苯乙烯磺酸)而成的PEDOT/PSS系材料。
无机透明导电层较佳的是以透明氧化物半导体为主要成分。透明氧化物半导体例如可使用SnO2、InO2、ZnO及CdO等二元素化合物；至少包含二元素化合物的构成元素Sn、In、Zn及Cd中的一种元素的三元素化合物或多元素(复合)氧化物。透明氧化物半导体的具体例子可列举氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、掺铝氧化锌(AZO(Al2O3、ZnO))、SZO、掺氟氧化锡(FTO)、氧化锡(SnO2)、掺镓氧化锌(GZO)及氧化铟锌(IZO(In2O3、ZnO))等。特别是，鉴于高可靠性及低电阻，优选氧化铟锡(ITO)。鉴于提高导电性，构成无机透明导电层的材料较佳的是非晶与多晶的混合状态。
作为构成透明导电层6的材料，鉴于生产性，优选以至少选自由导电性高分子、金属纳米粒子及碳纳米管构成的群组中的一种作为主要成分。由于将这些材料作为主要成分，所以不使用昂贵的真空装置等，也可通过湿式涂布容易地形成透明导电层6。
当透明导电层6在结构体4顶部的膜厚由D1表示，透明导电层6在结构体4倾斜面上的膜厚由D2表示，透明导电层6在结构体之间的膜厚由D3表示时，膜厚D1、D2及D3优选满足D1＞D3，更优选满足D1＞D3＞D2的关系。透明导电层6在结构体之间的膜厚D3与透明导电层6在结构体4顶部的膜厚D1的比率(D3/D1)优先小于等于0.8，更优先小于等于0.7。若比率(D3/D1)小于等于0.8，与比率(D3/D1)为1时相比，可提高光学特性。因此，可降低形成有透明导电层6的第1区域R1与没有形成有透明导电层6的第2区域R2的反射率差ΔR。即，能够抑制具有规定图案的透明导电层6的能见性。
此外，透明导电层6在结构体4顶部的膜厚D1、透明导电层6在结构体4倾斜面上的膜厚D2及透明导电层6在结构体之间的膜厚D3分别与透明导电层6在凹凸面S的最高处的膜厚D1、透明导电层6在凹凸面S的倾斜面上的膜厚D2及透明导电层6在凹凸面S的最低处的膜厚D3相等。
透明导电层6在结构体4顶部的膜厚D1优选小于等于47nm，更优选大于等于20nm且小于等于47nm，进一步优选大于等于20nm且小于等于40nm。若不满20nm，导电性将趋于降低。另一方面，若超过47nm，在导电光学元件1为膜状时，它的柔性将趋于降低。
上述透明导电层6的膜厚D1、D2及D3由以下方式获得。
首先，在轨迹延伸方向上以包含结构体4顶部的方式切割导电光学元件1，且由透射式电子显微镜(TEM：Transmission Electron Microscope)对其截面拍照。其次，从所拍摄的TEM照片测量透明导电层6在结构体4顶部处的膜厚D1。接着，测量在结构体4倾斜面上，结构体4的一半的高度(H/2)处的膜厚D2。然后，测量在结构体之间的凹部中，该凹部的最深处的膜厚D3。
此外，透明导电层6的膜厚D1、D2及D3是否满足上述关系，可通过以这种方式获得的透明导电层的膜厚D1、D2及D3加以确认。
透明导电层6的表面电阻优选小于等于180Ω/□的范围。若表面电阻超过180Ω/□，当导电光学元件1用于触摸面板时，导电性会发生问题。这里，透明导电层6的表面电阻是以四端子测量法(JIS K 7194)而求得。
(粘合层)
粘合层8例如可使用丙烯酸类、橡胶类及硅类等粘合剂，鉴于透明性，优选丙烯酸类粘合剂。
(金属层)
图5是表示本技术的第1实施方式的导电光学元件的构成的变形例的概略图，并且对应于图4A。鉴于减少表面电阻，在结构体4与透明导电层6之间，也可进一步设置金属层101(导电层)作为透明导电层6的基底层。因此，可减小电阻，使透明导电层6变薄，另外，当仅以透明导电层6的导电性不能达到充分值时，可补偿导电性。金属层101的膜厚度没有特别的限定，例如可设定为数nm左右。由于金属层101具有高导电性，数nm的膜厚就可获得充分的表面电阻。此外，只要数nm左右，就可使起因于金属层101的吸收及反射等光学影响几乎不产生。构成金属层101的材料优选高导电性金属类材料。此类材料例如可列举由Ag、Pt、Al、Au、Cu、Ti、Nb及杂质Si构成的群组中的至少一种，但考虑到高导电性及实际使用情况，优选Ag。尽管仅由金属层101也可确保表面电阻，但若金属层101极薄，则金属层101会变成岛状结构体，使确保导电性变得困难。在此情况下，为了电气连接岛状金属层101，金属层101的上层的透明导电层6的形成变得重要起来。金属层101优选具有与结构体4的表面形状相似的形状。
(介电层)
图6是表示本技术的第1实施方式的导电光学元件的构成的其他变形例的概略图，对应于图4A。在结构体4与透明导电层6之间，也可进一步设置介电层102作为阻挡层。介电层102的材料例如可以使用金属氧化物。金属氧化物例如可以使用Si的氧化物。介电层102优选具有与结构体4的表面形状相似的形状。在结构体4与透明导电层6之间，同时设置有介电层102及金属层101时，较佳的是以介电层102形成于结构体4侧，金属层101形成于透明导电层6侧的方式设置介电层102及金属层101。
[光学特性]
以下参照图7，对第1实施方式的导电光学元件的光学特性进行说明。
导电光学元件1的反射率差ΔR由下式表示。
ΔR＝RA-RB
RA：形成有透明导电层6的第1区域R1的反射率
RB：未形成有透明导电层6的第2区域R2的反射率
这里，反射率RA及RB是在透明导电层6上形成有光学层7的状态下的数值。
导电光学元件1的非能见度ΔY使用上述反射率差ΔR由下式表示。
ΔY[％]＝ΔR×V
V：能见度
在透明导电层6上形成有光学层7的状态下，非能见度ΔY(＝ΔR×V)优选小于等于0.3％，更优选小于等于0.2，最优选小于等于0.1的范围内。若非能见度ΔY超过0.3％，则配线图案具有变得容易看见的倾向。
在透明导电层6上形成有光学层7的状态下，多个结构体4的各折射率x及纵横比y满足以下关系式(1)及(2)。由于满足此关系，便能将非能见度ΔY控制在小于等于0.3％的范围内。
y≥-1.785x+3.238…(1)
y≤0.686…(2)
在透明导电层6上形成有光学层7的状态下，结构体4的折射率x及纵横比y满足以下关系式(2)及(3)。由于满足此关系，便能将非能见度ΔY控制在小于等于0.2％的范围内。
y≥-1.352x+2.636…(3)
y≤0.686…(2)
[辊型母版的构成]
图8A是表示辊型母版的构成的一例的立体图。图8B是表示图8A中所示的辊型母版的一部分的放大平面图。图8C是表示在图8B的轨迹T1、T3、…上的截面图。辊型母版11是用于制造具有上述结构体的导电光学元件1的母版，更具体地说，是用于在上述基体表面上形成多个结构体4的母版。辊型母版11例如可具有圆柱状或圆筒状的形状，此圆柱面或圆筒面被当作在基体表面上形成多个结构体4的成形面。在此成形面上多个结构体12被二维排列。结构体12例如可相对于成形面具有凹状。辊型母版11的材料例如可使用玻璃，但并不特别限于此材料。
配置于辊型母版11的成形面上的多个结构体12与配置于上述基体3的表面上的多个结构体4形成反转凹凸关系。即，辊型母版11的结构体12的形状，排列及配置间距等与基体3的结构体4相同。
[曝光装置的构成]
图9是表示用于制造辊型母版的辊型母版曝光装置的构成的一例的概略图。该辊型母版曝光装置由光盘记录装置为基础构成。
激光(激光光源21)是用于曝光沉积在辊型母版的表面上作为记录媒体的光阻剂的光源，且发射例如波长λ＝266nm的记录用激光14。从激光光源21发射的激光14维持平行光束沿直线传播并射入电光元件(E O M：Electro Optical Modulator)22。透过电光元件22的激光14被反射镜23反射并被导向到调变光学***25。
反射镜23由偏光分束器(polarization beam splitter)构成并具有反射一种偏光分量和透射另一种偏光分量的功能。穿过反射镜23的偏光分量由光电二极管(PD)24接收，并且基于所接收的光信号控制电光元件22以对激光14进行相位调变。
在调变光学***25中，激光14经聚光透镜26被由玻璃(SiO2)等形成的声光元件(A O M：Acousto-Optic Modulator)27收集。在激光14由声光元件27进行强度调变并发散之后，通过透镜28使其成为平行光束。从调变光学***25射出的激光14由反射镜31反射并且以水平和平行的方式导入到移动光学台32上。
移动光学台32具备扩束器(BEX，beam expander)33及物镜34。导入到移动光学台32的激光14由扩束器33整形成所期待的光束形状后，经由物镜34照射至辊型母版11上的光阻剂上。辊型母版11被放置在连接于主轴马达35的转台36上。然后，在使辊型母版11旋转且在辊型母版11的高度方向上移动激光14的同时，将激光14间歇地对光阻剂层照射，以进行光阻剂层的曝光步骤。所形成的潜像成为在圆周方向上具有长轴的近似椭圆形。激光14的移动通过向移动光学台32的箭头R方向的移动来进行。
曝光装置具备用于在光阻剂层上形成对应于图2A中所示的二维六方晶格或准六方晶格图案的潜像的控制机构37。控制机构37具备格式器(formatter)29及驱动器30。格式器29具备极性反转部，此极性反转部控制对光阻剂层进行激光14照射的时机。驱动器30接收极性反转部的输出，以控制声光元件27。
在该辊型母版曝光装置中，针对每一轨迹使极性反转格式器信号与旋转控制器同步以产生信号而在空间上连接二维图案，并通过声光元件27调变信号的强度。在恒定角速度(CAV)下通过适当的转速，适当的调变频率及适当的发送间距进行图案化，便可记录六方晶格或准六方晶格图案。
[导电光学元件的制造方法]
接下来，参照图10A～图10D及图11A～图11D，对本技术的第1实施方式的导电光学元件1的制造方法进行说明。
(光阻剂沉积步骤)
首先，如图10A所示，准备圆柱形或圆筒形辊型母版11。此辊型母版11例如可为玻璃母版。其次，如图10B所示，在辊型母版11的表面上形成光阻剂层13。光阻剂层13的材料例如可用有机光阻剂及无机光阻剂的任一种。有机光阻剂例如可使用酚醛类光阻剂或化学增幅型光阻剂。另外，无机光阻剂例如可使用一种或两种以上的金属化合物。
(曝光步骤)
接着，如图10C所示，对形成于辊型母版11的表面上的光阻剂层13照射激光(曝光光束)14。具体地说，将辊型母版11放置在图9中所示的辊型母版曝光装置的转台36上，在旋转辊型母版11的同时，用激光(曝光光束)14照射光阻剂层13。此时，一边在辊型母版11的高度方向(平行于圆柱状或圆筒状辊型母版11的中心轴的方向)上移动激光14，一边间歇地照射激光14，以便曝光光阻剂层13的整个表面。因此，在光阻剂层13的整个表面上以例如与可见光的波长相等程度的间距形成对应于激光14的轨迹的潜像15。
潜像15例如以在辊型母版的表面上形成多列轨迹的方式配置，且形成六方晶格图案或准六方晶格图案。潜像15例如是在轨迹延伸方向上具有长轴方向的椭圆形状。
(显影步骤)
接下来，例如，一边使辊型母版11旋转，一边将显影剂滴涂在光阻剂层13上，对光阻剂层13进行显影处理。因此，如图10D所示，在光阻剂层13上形成了复数开口部。当光阻剂层13形成为正型光阻剂时，因为与未曝光部分相比，被激光14所曝光的部分对于显影剂的溶解速度增大，所以如图10D所示，在光阻剂层13上形成了对应于潜像(曝光部)15的图案。开口部的图案例如是六方晶格图案或准六方晶格图案等规定的晶格图案。
(蚀刻步骤)
接下来，将形成于辊型母版11上的光阻剂层13的图案(光阻剂图案)作为遮罩，对辊型母版11的表面进行蚀刻处理。因此，如图11A所示，可获得在轨迹延伸方向上具有长轴方向的椭圆锥形状或椭圆锥台形状的凹部，即获得结构体12。蚀刻例如可使用干式蚀刻及湿式蚀刻。此时，通过交替进行蚀刻处理及灰化处理，例如可形成锥体状结构体12的图案。
通过执行上述步骤，可获得所期望的辊型母版11。
(复制步骤)
接下来，如图11B所示，将辊型母版11与涂于基体3上的转印材料16彼此密合，并用从能量束源17射出的紫外线等能量线照射转印材料16以使转印材料16固化后，将与固化后的转印材料16成为一体的基体3剥离。因此，如图11C所示，制作在基体的表面具有多个结构体4的光学层2。
能量束源17可以是电子束、紫外线、红外线、激光线、可视光线、电离放射线(X线、α线、β线、γ线等)、微波或能发射高频率等能量线的东西，并没有特别的限定。
作为转印材料16优选能量线固化型树脂组合物。能量线固化型树脂组合物优选紫外线固化型树脂组合物。能量线固化型树脂组合物如有必要也可包含填充剂及功能性添加剂。
紫外线固化型树脂组合物例如包括丙烯酸酯及引发剂。紫外线固化型树脂组合物例如包括单官能团单体、双官能团单体及多官能团单体等，具体地说，是单独使用下述材料或混合下述复数材料而构成的。
单官能团单体例如可列举：羧酸类(丙烯酸)、羟基类(丙烯酸2-羟乙基酯、丙烯酸2-羟丙基酯及丙烯酸4-羟丁基酯)、烷基类、脂环类(丙烯酸异丁酯、丙烯酸第三丁酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸月桂基酯、丙烯酸硬脂基酯、丙烯酸异冰片基酯及丙烯酸环己酯)、其它功能性单体(丙烯酸2-甲氧基乙酯、甲氧基乙二醇丙烯酸酯、丙烯酸2-乙氧基乙基酯、丙烯酸四氢糠基酯、丙烯酸苄酯、乙基卡必醇丙烯酸酯、丙烯酸苯氧基乙基酯、丙烯酸N，N-二甲氨基乙酯、N，N-二甲氨基丙基丙烯酰胺、N，N-二甲基丙烯酰胺、丙烯酰基吗啉、N-异丙基丙烯酰胺、N，N-二乙基丙烯酰胺、N-乙烯基吡咯啶酮、丙烯酸2-(全氟辛基)乙基酯、丙烯酸3-全氟己基-2-羟基丙酯、丙烯酸3-全氟辛基-2-羟丙酯、丙烯酸2-(全氟癸基)乙酯、丙烯酸2-(全氟-3-甲基丁基)乙酯、2，4，6-三溴苯酚丙烯酸酯、2，4，6-三溴苯酚甲基丙烯酸酯、丙烯酸2-(2，4，6-三溴苯氧基)乙酯及丙烯酸2-乙基己酯)等。
双官能团单体例如可列举：三(丙二醇)二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷二芳基醚及丙烯酸氨基甲酸酯等。
多官能团单体例如可列举：三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯及双三羟甲基丙烷四丙烯酸酯等。
引发剂例如可列举：2，2-二甲氧基-1，2-二苯基乙烷-1-酮、1-羟基环己基苯基酮及2-羟基-2-甲基-1-苯基丙-1-酮等。
填充剂例如可使用无机粒子及有机粒子的任一种。无机粒子可列举SiO2、TiO2、ZrO2、SnO2及Al2O3等金属氧化物的微粒子。
功能性添加剂例如可列举均化剂、表面调节剂及消泡剂等。基体3的材料例如可列举：甲基丙烯酸甲酯(共)聚物、聚碳酸酯、苯乙烯(共)聚物、甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物、二乙酸纤维素、三乙酸纤维素、乙酸丁酸纤维素、聚酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚醚砜、聚砜、聚丙烯、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、聚乙烯醇缩醛、聚醚酮、聚氨基甲酸酯及玻璃等。
基体3的成形方法没有特别的限定，可以是注入模制、挤压模制或铸造模制。可根据需要在基体的表面实行电晕处理等表面处理。
(透明导电层的沉积步骤)
接下来，如图11D所示，将透明导电层6沉积在形成有多个结构体4的光学层2的凹凸面S上。在形成透明导电层6时，可一边加热光学层2，一边进行沉积。透明导电层6的沉积方法，例如除热CVD、等离子CVD及光CVD等CVD方法(Chemical Vapor Deposition(化学气相沉积法)：使用化学反应从气相沉积薄膜的技术)之外，可使用真空蒸发、等离子辅助蒸发、溅射及离子电镀等PVD方法(Physical Vapor Deposition(物理气相沉积法)：通过将在真空中物理气化的材料聚集在基板上来形成薄膜的技术)。然后可根据需要，对透明导电层6实行退火处理。因此，透明导电层6例如就成了非晶与多晶的混合状态。
(透明导电层的图案化步骤)
接下来，例如通过相片蚀刻对透明导电层6进行图案化，以形成具有规定图案的透明导电层6。
(光学层的形成步骤)
接下来，可根据需要，在设有被图案化的透明导电层6的凹凸面S上形成光学层7。
通过执行上述步骤，可获得所期望的导电光学元件1。
<2.第2实施方式>
[导电光学元件的构成]
图12A是表示本技术的第2实施方式的导电光学元件的光学层表面的一例的平面图。图12B是表示图12A中所示光学层表面的一部分的放大平面图。第2实施方式的导电光学元件1与第1实施方式的导电光学元件的不同之处在于多个结构体4在三条相邻轨迹T上形成四方晶格图案或准四方晶格图案。
这里，四方晶格是指正四角形的晶格。准四方晶格是指不同于正四角形，有些变形的正四角形的晶格。例如，当结构体4设置在直线上时，准四方晶格是指将正四角形的晶格在直线的排列方向(轨迹方向)上拉伸而成的变形四方晶格。当结构体4弯曲排列时，准四方晶格是指正四角形的晶格由于结构体4的弯曲排列而形成的变形四方晶格。或是指将正四角形的晶格在直线的排列方向(轨迹方向)上拉伸变形，且由于结构体4的弯曲排列而形成的变形四方晶格。
结构体4在同一轨迹上的配置间距P1优选长于结构体4在相邻两条轨迹上的配置间距P2。另外，当结构体4在同一轨迹上的配置间距由P1表示，结构体4在相邻两条轨迹上的配置间距由P2表示时，P1/P2优选满足1.4＜P1/P2≤1.5的关系。通过这样设定数值范围，便能提高具有椭圆锥或椭圆锥台形状的结构体4的填充率，提高光学特性。另外，结构体4在相对于轨迹的45度方向或约45度方向上的高度或深度优选小于结构体4在轨迹延伸方向上的高度或深度。
如上所述，结构体4在同一轨迹上的配置间距P1优选长于结构体4在相邻两条轨迹上的配置间距P2。另外，结构体4在相对于轨迹的±θ方向上的高度或深度优选小于结构体4在其他方向上的高度或深度。这里，θ＝45°-δ，δ优选0°＜δ≤11°，更优选3°≤δ≤6°。更具体地说，结构体4在相对于轨迹的±45度方向或±约45度方向上的高度或深度优选小于结构体4在轨迹延伸方向上的高度或深度。
结构体4的倾斜角较佳的是根据基体3表面的面内方向而不同。更具体地说，结构体4在相对于轨迹T的±θ方向的倾斜角θ2优选小于结构体4在轨迹延伸方向的倾斜角θ1。
根据第2实施方式，可获得与第1实施方式同样的效果。
<3.第3实施方式>
图13A是表示本技术的第3实施方式的导电光学元件的构成的一例的截面图。图13B是表示图13A中所示第1区域R1的放大截面图。图13C是表示图13A中所示第2区域R2的放大截面图。第3实施方式的导电光学元件10，具备在两个主表面上具有凹凸面S1及S2的光学层(第1光学层)2、在凹凸面S1上配合此凹凸面S1而形成的透明导电层61及在凹凸面S2上配合此凹凸面S2而形成的透明导电层62。
在光学层2的凹凸面S1上交替地设置形成有透明导电层61的第1区域R1和未形成有透明导电层61的第2区域R2，且透明导电层61具有规定图案。在光学层2的凹凸面S2上交替地设置形成有透明导电层62的第2区域R2和未形成有透明导电层62的第1区域R1，且透明导电层62具有规定图案。具有规定图案的透明导电层61与透明导电层62例如在相互的延伸方向有正交关系。
另外，根据需要，如图13A～图13C所示，也可采用具有在透明导电层61上进一步形成有光学层(第2光学层)7的构成。导电光学元件10优选具有柔性。
<4.第4实施方式>
图14A是用于说明本技术的第4实施方式的信息输入装置(输入元件)的构成的一例的截面图。如图14A所示，信息输入装置101设于显示装置102的显示面上。例如可用粘合层111将信息输入装置101粘合于显示装置102的显示面。适用信息输入装置101的显示装置102没有特别的限定，若举例表示，可列举液晶显示器、CRT(Cathode Ray Tube)显示器、等离子显示器(Plasma Display Panel：PDP)、电致发光(Electro Luminescence：EL)显示器及表面传导电子发射显示器(Surface-conductionElectron-emitter Display：SED)等各种显示装置。
信息输入装置101是所谓投射电容式触摸面板，具备第1导电光学元件11、设于第1导电光学元件11之上的第2导电光学元件12、及设于第2导电光学元件12之上的光学层7。第1导电光学元件11及第2导电光学元件12是以第1导电光学元件11的透明导电层61侧的面与第2导电光学元件12的基体3侧的面面对的方式通过粘合层112而粘合。通过粘合层8将基体9与第2导电光学元件12的透明导电层62侧的面粘合而形成光学层7。
图14B是表示图14A中所示区域A1及区域A2的放大截面图。图15A是表示图14A中所示区域A1的进一步放大截面图。图15B是表示图14A中所示区域A2的进一步放大截面图。
如图14B所示，第1导电光学元件11的透明导电层61与第2导电光学元件12的透明导电层62优选以不重叠于信息输入装置101的厚度方向的方式配置。即，第1导电光学元件11的第1区域R1与第2导电光学元件12的第2区域R2优选在信息输入装置101的厚度方向上重叠，第1导电光学元件11的第2区域R2与第2导电光学元件12的第1区域R1优选在信息输入装置101的厚度方向上重叠。通过这样配置，可降低由第1导电光学元件11与第2导电光学元件12重叠而引起的透射率的差。此外，在图14A及图14B中，虽然表示了将第1导电光学元件11及第2导电光学元件12的方向设定为使第1导电光学元件11的透明导电层61与第2导电光学元件12的透明导电层62的任一层都是输入面侧的例子，但第1导电光学元件11及第2导电光学元件12的方向并没有特别的限定，可根据信息输入装置101的设计适宜设定。
如图15A所示，在区域Al中，较佳的是在第1导电光学元件11的凹凸面S上未形成有透明导电层61，而在第2导电光学元件12的凹凸面S上形成有透明导电层62，另外，如图15B所示，在区域A2中，较佳的是在第1导电光学元件11的凹凸面S上形成有透明导电层61，而在第2导电光学元件12的凹凸面S上未形成有透明导电层62。
第1导电光学元件11及第2导电光学元件12可使用第1及第2实施方式的导电光学元件1中的一种。即，第1导电光学元件11的光学层21、基体31、结构体41、基底层51及透明导电层61分别与第1及第2实施方式中的一种光学层2、基体3、结构体4、基底层5及透明导电层6相同。另外，第2导电光学元件12的光学层22、基体32、结构体42、基底层52及透明导电层62分别与第1及第2实施方式中的一种光学层2、基体3、结构体4、基底层5及透明导电层6相同。
图16A是用于说明本技术的第4实施方式的信息输入装置的构成的一例的立体分解图。此信息输入装置101是ITO Grid方式的投射电容式触摸面板。第1导电光学元件11的透明导电层61例如是具有规定图案的X电极(第1电极)。第2导电光学元件12的透明导电层62例如是具有规定图案的Y电极(第2电极)。这些X电极与Y电极例如有彼此正交的关系。
图16B是用于说明本技术的第4实施方式的信息输入装置的第1导电光学元件的构成的一例的立体分解图。此外，因为第2导电光学元件12除由透明导电层62形成的Y电极的形成方向之外，其他与第1导电光学元件11相同，所以省略其立体分解图。
在光学层21的凹凸面S的区域R1中，排列有由透明导电层61形成的复数X电极。在光学层22的凹凸面S的区域R2中，排列有由透明导电层62形成的复数Y电极。在X轴方向延伸的X电极由在X轴方向上重复连接单位成形体C1而构成。在Y轴方向延伸的Y电极由在Y轴方向上重复连接单位成形体C2而构成。单位成形体C1及单位成形体C2的形状可列举菱形形状(钻石形)、三角形及四角形等，但不限于这些形状。
当第1导电光学元件11与第2导电光学元件12重叠时，第1导电光学元件11的第1区域R1与第2导电光学元件12的第2区域R2重叠，第1导电光学元件11的第2区域R2与第2导电光学元件12的第1区域R1重叠。因此，将信息输入装置101从输入面侧观看时，单位成形体C1与单位成形体C2并不重叠，显示为被铺设在一个主表面上呈密集堆积的状态。
<5.第5实施方式>
图17A是用于说明本技术的第5实施方式的信息输入装置的构成的一例的截面图。图17B是表示形成有透明导电层的凹凸面的对向区域的放大截面图。图17C是表示未形成有透明导电层而裸露的凹凸面的对向区域的放大截面图。
如图17A所示，信息输入装置101是所谓矩阵对向膜式触摸面板，且具有第1导电光学元件11、第2导电光学元件12及粘合层121。第1导电光学元件11与第2导电光学元件12的彼此的透明导电层61与透明导电层62以规定间隔相离且对向配置。粘合层121配置于第1导电光学元件11及第2导电光学元件12的周边部分处之间，且通过粘合层121第1导电光学元件11及第2导电光学元件12的对向面的周边部分处被粘合。粘合层121例如可使用粘合糊及粘合胶带等。
在信息输入装置101的两个主表面中，第2导电光学元件12侧的主表面成为信息输入触摸面(信息输入面)。在此触摸面上较佳的是进一步配置硬涂层122。这样能够提高触摸面板50的触摸面的抗磨耗性。
如图17B及图17C所示，第1导电光学元件11与第2导电光学元件12的彼此的凹凸面S以规定间隔相离且对向配置。作为矩阵对向膜式触摸面板的信息输入装置101中，在第1导电光学元件11及第2导电光学元件12的凹凸面S上分别形成具有规定图案的透明导电层61及透明导电层62。因此，在信息输入装置101中存在下列区域：形成有透明导电层61的凹凸面S与形成有透明导电层62的凹凸面S的对向区域(图17B)、未形成有透明导电层61而裸露的凹凸面S与未形成有透明导电层62而裸露的凹凸面S的对向区域(图17C)、以及形成有透明导电层61或透明导电层62的凹凸面S与未形成有透明导电层61或透明导电层62而裸露的凹凸面S的对向区域(未图示)。
图18A是用于说明本技术的第5实施方式的信息输入装置的构成的一例的立体分解图。图18B是用于说明本技术的第5实施方式的信息输入装置的导电光学元件的构成的一例的立体分解图。第1导电光学元件11的透明导电层61例如可为具有条纹形状的X电极(第1电极)。第2导电光学元件12的透明导电层62例如可为具有条纹形状的Y电极(第2电极)。对向配置第1导电光学元件11与第2导电光学元件12以使这些X电极与Y电极互相对向且正交。
在第5实施方式中，上述以外的项目与第4实施方式相同。
<6.第6实施方式>
图19A是用于说明本技术的第6实施方式的信息显示装置(显示元件)的构成的一例的立体图。图19B是表示形成有透明导电层的凹凸面的对向区域的放大截面图。图19C是表示未形成有透明导电层而裸露的凹凸面的对向区域的放大截面图。
如图19A所示，此信息显示装置是无源矩阵驱动式(也称简易矩阵驱动式)的液晶显示装置，且具有第1导电光学元件11、第2导电光学元件12及液晶层141。第1导电光学元件11与第2导电光学元件12以规定间隔相离地对向配置成彼此的透明导电层61与透明导电层62对向。液晶层141设置在被以规定间隔相离配置的第1导电光学元件11与第2导电光学元件12之间。第1导电光学元件11及第2导电光学元件12可使用第1及2实施方式的导电光学元件1中的一种。即，第1导电光学元件11的光学层21、基体31、结构体41、基底层51及透明导电层61分别与第1及第2实施方式中的一种光学层2、基体3、结构体4、基底层5及透明导电层6相同。另外，第2导电光学元件12的光学层22、基体32、结构体42、基底层52及透明导电层62分别与第1及第2实施方式中的一种光学层2、基体3、结构体4、基底层5及透明导电层6相同。这里，虽对适用本技术的无源矩阵驱动式的液晶显示装置的例子进行说明，但信息显示装置并不限于此例，只要是具有无源矩阵驱动式等规定电极图案的信息显示装置都可适用本技术。例如，也可适用于无源矩阵驱动式的EL显示装置。
如图19B及图19C所示，第1导电光学元件11与第2导电光学元件12的凹凸面S以规定间隔相离且对向配置。在无源矩阵驱动式的液晶显示装置中，在第1导电光学元件11及第2导电光学元件12的凹凸面S上分别形成具有规定图案的透明导电层61及透明导电层62。因此，存在下列区域：形成有透明导电层61的凹凸面S与形成有透明导电层62的凹凸面S的对向区域(图19B)、未形成有透明导电层61而裸露的凹凸面S与未形成有透明导电层62而裸露的凹凸面S的对向区域(图19C)、以及形成有透明导电层61或透明导电层62的凹凸面S与未形成有透明导电层61或透明导电层62而裸露的凹凸面S的对向区域(未图示)。
第1导电光学元件11的透明导电层61例如可为具有条纹形状的X电极(第1电极)。第2导电光学元件12的透明导电层62例如可为具有条纹形状的Y电极(第2电极)。对向配置第1导电光学元件11与第2导电光学元件12以使这些X电极与Y电极互相对向且正交。
<7.第7实施方式>
图20A是用于说明本技术的第7实施方式的信息显示装置的构成的一例的截面图。图20B是表示形成有透明导电层的凹凸面的对向区域的放大截面图。图20C是表示未形成有透明导电层而裸露的凹凸面的对向区域的放大截面图。
如图20A所示，此信息显示装置是所谓微胶囊(microencapsulated)电泳式的电子纸，且具有第1导电光学元件11、第2导电光学元件12及微胶囊层(介质层)151。第1导电光学元件11与第2导电光学元件12以规定间隔相离地对向配置成彼此的透明导电层61与透明导电层62对向。微胶囊层151设置在被以规定间隔相离配置的第1导电光学元件11与第2导电光学元件12之间。
另外，根据需要，也可通过粘合剂等粘合层153将第2导电光学元件12粘合在玻璃等支撑件154上。这里，虽对适用本技术的微胶囊电泳式的电子纸的例子进行说明，但电子纸并不限于此例，只要是在被对向配置的导电元件之间设有介质层的构成都可适用本技术。这里，介质除液体及固体之外，也包含空气等气体。另外，介质也可包含胶囊、颜料及粒子等材料。
作为微胶囊电泳式以外的可适用本技术的电子纸，可列举扭转球(twisting ball)式、热可重写(thermal rewritable)式、调色显示(toner display)式、面内(In-Plane型)电泳式及颗粒电子式的电子纸等。微胶囊层151包含多个微胶囊152。微胶囊内例如可封入分散有黑色粒子及白色粒子的透明液体(分散介质)。
第1导电光学元件11的透明导电层61及第2导电光学元件12的透明导电层62根据作为电子纸的信息显示装置的驱动方式形成规定的电极图案。作为驱动方式，例如可列举简易矩阵驱动方式、有源矩阵驱动方式及分段驱动方式等。
如图20B及图20C所示，第1导电光学元件11与第2导电光学元件12的凹凸面S以规定间隔相离且对向配置。在无源矩阵驱动方式的电子纸中，在第1导电光学元件11及第2导电光学元件12的凹凸面S上分别形成具有规定图案的透明导电层61及透明导电层62。因此，存在下列区域：形成有透明导电层61的凹凸面S与形成有透明导电层62的凹凸面S的对向区域(图20B)、未形成有透明导电层61而裸露的凹凸面S与未形成有透明导电层62而裸露的凹凸面S的对向区域(图20C)、以及形成有透明导电层61或透明导电层62的凹凸面S与未形成有透明导电层61或透明导电层62而裸露的凹凸面S的对向区域(未图示)。
在此第7实施方式中，上述以外的项目与第6实施方式相同。
实施例
以下将通过实施例详细说明本技术，但本技术并不限于这些实施例。
(高度H、配置间距P及纵横比(H/P))
在后文中，以如下方式求出导电光学片等的结构体的高度H、配置间距P及纵横比(H/P)。
首先，以包含结构体顶部的方式切割导电光学片，且通过TEM给其截面拍照。其次，从所拍摄的TEM照片获得结构体的配置间距P及结构体的高度H。此外，当结构体的高度H在面内方向上具有异向性时，取其最高高度。例如，当结构体以准六方晶格形状排列时，将结构体的高度H设为在列方向上结构体的高度。其次，利用这些配置间距P及结构体的高度H求得纵横比(H/P)。
(SiO2层及ITO层的膜厚)
在后文中，以如下方式求出SiO2层及ITO层的膜厚。
首先，以包含结构体顶部的方式切割导电光学片，且通过透射式电子显微镜(TEM)给其截面拍照，并从所拍摄的TEM照片测量SiO2层及ITO层在结构体顶部处的膜厚。
(实施例1)
首先，制备具有126mm的外径的玻璃辊型母版，且以如下方式将光阻剂层沉积在该玻璃辊型母版的表面。即，通过用稀释剂将光阻剂稀释至1/10，且利用浸渍方法以70nm左右的厚度将该稀释光阻剂涂布于玻璃辊型母版的圆柱面上来沉积光阻剂层。接下来，将作为记录媒体的玻璃辊型母版运送至图9中所示辊型母版曝光装置，以便使光阻剂层曝光。由此，连成单个螺旋状，并且横跨三条相邻轨迹形成准六方晶格图案的潜像在光阻剂层上图案化。
具体地说，将甚至使上述玻璃辊型母版的表面曝光且功率为0.50mW/m的激光照射至欲形成准六方晶格形状的曝光图案的区域上，以形成准六方晶格形状的曝光图案。此外，光阻剂层在轨迹列方向上的厚度为60nm左右，且其在轨迹延伸方向上的厚度为50nm左右。
然后，对玻璃辊型母版上的光阻剂层进行显影处理，使经曝光的部分的光阻剂层溶解而进行显影。具体地说，将未经显影的玻璃辊型母版放置在显影机(未图示)的转台上，且在将显影液滴涂至玻璃辊型母版的表面上的同时旋转整个转台，由此显影该母版的表面上的光阻剂层。因此，获得其中光阻剂层呈准六方晶格图案显露的光阻剂玻璃母版。
接下来，使用辊型蚀刻装置在CHF3气体的气氛中进行等离子蚀刻。因此，该蚀刻仅在玻璃辊型母版的表面上自光阻剂层显露的准六方晶格图案的部分中进行，且其他区域因光阻剂层充当遮罩而不被蚀刻，则可在玻璃辊型母版上形成椭圆锥形状的凹部。此时，蚀刻量(深度)由蚀刻时间调整。最后，通过经O2灰化而完全除去光阻剂层，获得具有凹形状的准六方晶格图案的蛾眼式玻璃辊型母版。该凹部在轨迹列方向上的深度H2比该凹部在轨迹延伸方向上的深度H1深。
接下来，使用上述蛾眼式玻璃辊型母版且通过UV压印，在厚度为125μm的PET片上制作多个结构体。具体地说，将上述蛾眼式玻璃辊型母版与涂布有紫外线固化树脂的PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)片密合，且在通过照射紫外线以使其固化的同时剥离该PET片。因此，获得在其一个主表面上排列有多个以下结构体的光学片。
结构体的排列：准六方晶格
结构体的形状：挂钟形(大致旋转抛物线形状)
结构体的高度H：110nm
结构体的纵横比y(H/P)：0.44
结构体的折射率x(N)：1.61
接下来，通过溅射方法在形成有多个结构体的PET片的表面的第1区域R1上沉积SiO2层，而在第2区域R2上未沉积SiO2层使多个结构体显露。
以下表示SiO2层的沉积条件。
气体的种类：Ar气与O2气的混合气体
SiO2层的膜厚：5nm
这里，SiO2层的膜厚是在结构体顶部的膜厚。
接下来，通过溅射方法在形成有多个结构体的PET片的表面的第1区域R1上沉积ITO层，而在第2区域R2上未沉积ITO层使多个结构体显露，以制作导电光学片。
以下表示ITO层的沉积条件。
气体的种类：Ar气与O2气的混合气体
ITO层的膜厚：30nm
这里，ITO层的膜厚是在结构体顶部的膜厚。
(退火步骤)
接下来，对形成有ITO层的PET片在空气中进行退火，以此促进ITO层的多晶化。然后，为了确认该促进状态，利用X线衍射(X-ray diffraction：XRD)来测量ITO层，确认有In2O3的峰值。
随后，以使ITO层侧的表面成为玻璃基板的表面侧的方式在折射率为1.5的玻璃基板上通过粘合片将导电光学片粘合。
通过上文所述方法制造目标导电光学片。
(比较例1)
除在PET片的一个主表面上排列有多个以下结构体之外，用与实施例1相同的方法来制造导电光学片。
结构体的排列：准六方晶格
结构体的形状：挂钟形(大致旋转抛物线形状)
结构体的结构体的高度H：110nm
结构体的纵横比y(H/P)：0.44
结构体的折射率x(N)：1.50
(反射光谱)
首先，通过在粘合有导电光学片的玻璃基板侧的相反侧的表面上粘合黑色胶带，而制作测量试样。然后，通过分光光度计(日本分光股份公司制、产品名：V-550)在可见光附近的波长带(约350nm～约800nm)上，测量该测量试样的第1区域R1及第2区域R2的反射光谱。其结果如图21A及图21B所示。
(非能见度ΔY)
首先，通过在粘合有导电光学片的玻璃基板侧的相反侧的表面上粘合黑色胶带，制作测量试样，且该导电光学片具有第1区域R1及第2区域R2。然后，通过分光光度计(日本分光股份公司制、产品名：V-550)在波长555nm上，测量该测量试样的第1区域R1及第2区域R2的反射率。接着，通过下式获得反射率的差ΔR。
ΔR＝RA-RB
RA：形成有ITO层的第1区域R1的反射率
RB：未形成有ITO层的第2区域R2的反射率
接下来，通过下式获得非能见度ΔY。其结果如表1所示。
ΔY[％]＝ΔR×V
V：能见度
表1 表示实施例1及比较例1的导电光学片的构成及非能见度。
[表1]
可从表1、图21A及图21B知道以下内容。
在结构体的折射率N为1.61的实施例1中，非能见度ΔY＝0.1。另一方面，在结构体的折射率N为1.5的比较例1中，非能见度ΔY＝0.51。因此，通过增大结构体的折射率N，即使结构体的高度低，也可改善非能见度ΔY。即，可使透明导电层的膜厚变薄，使导电光学片低廉化。
(实施例2)
除在PET片的一个主表面上排列有多个以下结构体之外，用与实施例1相同的方法来制造导电光学片。
结构体的排列：准六方晶格
结构体的形状：挂钟形(大致旋转抛物线形状)
结构体的高度H：124nm
结构体的纵横比y(H/P)：0.608
结构体的折射率x(N)：1.5
(实施例3)
除在PET片的一个主表面上排列有多个以下结构体之外，用与实施例2相同的方法来制造导电光学片。
结构体的排列：准六方晶格
结构体的形状：挂钟形(大致旋转抛物线形状)
结构体的结构体的高度H：111nm
结构体的纵横比y(H/P)：0.544
结构体的折射率x(N)：1.55
(实施例4)
除在PET片的一个主表面上排列有多个以下结构体之外，用与实施例2相同的方法来制造导电光学片。
结构体的排列：准六方晶格
结构体的形状：挂钟形(大致旋转抛物线形状)
结构体的结构体的高度H：93nm
结构体的纵横比y(H/P)：0.456
结构体的折射率x(N)：1.61
(实施例5)
除在PET片的一个主表面上排列有多个以下结构体之外，用与实施例2相同的方法来制造导电光学片。
结构体的排列：准六方晶格
结构体的形状：挂钟形(大致旋转抛物线形状)
结构体的结构体的高度H：78nm
结构体的纵横比y(H/P)：0.382
结构体的折射率x(N)：1.67
(实施例6)
除在PET片的一个主表面上排列有多个以下结构体之外，用与实施例2相同的方法来制造导电光学片。
结构体的排列：准六方晶格
结构体的形状：挂钟形(大致旋转抛物线形状)
结构体的结构体的高度H：66nm
结构体的纵横比y(H/P)：0.324
结构体的折射率x(N)：1.71
(实施例7)
除在PET片的一个主表面上排列有多个以下结构体之外，用与实施例2相同的方法来制造导电光学片。
结构体的排列：准六方晶格
结构体的形状：挂钟形(大致旋转抛物线形状)
结构体的结构体的高度H：114nm
结构体的纵横比y(H/P)：0.559
结构体的折射率x(N)：1.5
(实施例8)
除在PET片的一个主表面上排列有多个以下结构体之外，用与实施例2相同的方法来制造导电光学片。
结构体的排列：准六方晶格
结构体的形状：挂钟形(大致旋转抛物线形状)
结构体的结构体的高度H：97nm
结构体的纵横比y(H/P)：0.475
结构体的折射率x(N)：1.55
(实施例9)
除在PET片的一个主表面上排列有多个以下结构体之外，用与实施例2相同的方法来制造导电光学片。
结构体的排列：准六方晶格
结构体的形状：挂钟形(大致旋转抛物线形状)
结构体的结构体的高度H：74nm
结构体的纵横比y(H/P)：0.363
结构体的折射率x(N)：1.61
(实施例10)
除在PET片的一个主表面上排列有多个以下结构体之外，用与实施例2相同的方法来制造导电光学片。
结构体的排列：准六方晶格
结构体的形状：挂钟形(大致旋转抛物线形状)
结构体的结构体的高度H：140nm
结构体的纵横比y(H/P)：0.686
结构体的折射率x(N)：1.5
(实施例11)
除在PET片的一个主表面上排列有多个以下结构体之外，用与实施例2相同的方法来制造导电光学片。
结构体的排列：准六方晶格
结构体的形状：挂钟形(大致旋转抛物线形状)
结构体的结构体的高度H：140nm
结构体的纵横比y(H/P)：0.686
结构体的折射率x(N)：1.71
(比较例2)
除在PET片的一个主表面上排列有多个以下结构体之外，用与实施例2相同的方法来制造导电光学片。
结构体的排列：准六方晶格
结构体的形状：挂钟形(大致旋转抛物线形状)
结构体的结构体的高度H：110nm
结构体的纵横比y(H/P)：0.539
结构体的折射率x(N)：1.50
(非能见度ΔY)
如上述制造的导电光学片的非能见度ΔY通过与上述实施例1及比较例1相同的方法获得。其结果如图22所示。
表2 表示实施例2～11及比较例2的导电光学片的构成及非能见度。
[表2]
可从图22知道以下内容。
若使结构体的折射率x及纵横比y满足以下关系式(1)及(2)，便能将非能见度ΔY控制在小于等于0.3％的范围内。
y≥-1.785x+3.238…(1)
y≤0.686…(2)
若使结构体的折射率x及纵横比y满足以下关系式(2)及(3)，便能将非能见度ΔY控制在小于等于0.2％的范围内。
y≥-1.352x+2.636…(3)
y≤0.686…(2)
虽然在上文中已详细说明了本技术的实施方式，但本技术并不限于上述实施方式，可依据本技术的技术构思作各种变更。
例如，在上述实施方式中所列举的构成、方法、步骤、形状、材料及数值等仅仅为示例，可根据需要使用与此不同的构成、方法、步骤、形状、材料及数值等。
另外，上述实施方式的构成、方法、步骤、形状、材料及数值等可在不背离本技术的精神下彼此组合。
另外，本技术也可以采用以下构成。
(1)
导电光学元件具备基体、由所述基体支撑且以小于等于可见光的波长的间距配置的多个结构体、以及设于所述多个结构体的表面侧且具有与所述多个结构体的表面形状相似的形状的透明导电层，所述多个结构体的各折射率x与纵横比y满足以下关系式(1)和(2)。
y≥-1.785x+3.238…(1)
y≤0.686…(2)
(2)
(1)中所述的导电光学元件，其中，所述折射率x与所述纵横比y满足以下关系式(2)和(3)。
y≥-1.352x+2.636…(3)
y≤0.686…(2)
(3)
(1)～(2)中所述的任一导电光学元件，其中，所述折射率在大于等于1.53且小于等于1.8的范围内。
(4)
(1)～(2)中所述的任一导电光学元件，其中，所述折射率在大于等于1.55且小于等于1.75的范围内。
(5)
(1)～(4)中所述的任一导电光学元件，其中，所述多个结构体的各表面包含倾斜面，所述倾斜面根据所述基体表面的面内方向形成不同的倾斜角。
(6)
(1)～(5)中所述的任一导电光学元件，其中，所述透明导电层包含氧化铟锡或氧化锌。
(7)
(1)～(6)中所述的任一导电光学元件，其中，所述透明导电层是非晶与多晶的混合状态。
(8)
(1)～(7)中所述的任一导电光学元件，其中，进一步具备形成在所述多个结构体与所述透明导电层之间的导电层，所述导电层含有金属类材料且具有与所述多个结构体的表面形状相似的形状。
(9)
(8)中所述的导电光学元件，其中，所述金属类材料至少包含由Ag、Pt、Al、Au及Cu构成的群组中的一种。
(10)
(1)～(9)中所述的任一导电光学元件，其中，进一步具备形成在所述多个结构体与所述透明导电层之间的介电层，所述介电层具有与所述多个结构体的表面形状相似的形状。
(11)
(1)～(10)中所述的任一导电光学元件，其中，所述多个结构体以形成多列轨迹，且形成六方晶格图案、准六方晶格图案、四方晶格图案或准四方晶格图案的方式配置，所述多个结构体各自是在所述轨迹延伸方向上具有长轴方向的椭圆锥或椭圆锥台形状。
(12)
(1)～(10)中所述的任一导电光学元件，其中，所述基体在其表面侧具有形成有所述透明导电层的第1区域及未形成有所述透明导电层的第2区域。
(13)
一种具备(1)～(12)中所述的任一导电光学元件的输入元件。
(14)
一种具备(1)～(12)中所述的任一导电光学元件的显示元件。
本公开含有涉及在2012年7月20日在日本专利局提交的日本优先权专利申请JP2012-162093中公开的主旨，其全部内容包括在此，以供参考。
本领域的技术人员应该理解，只要它们在附加的权利要求或它的等同物的范围内，则可根据设计要求和其他因素出现各种修饰、组合、子组合和可替换项。

Claims (14)

1.一种导电光学元件，其中，具备：
基体；
多个结构体，由所述基体支撑且以小于等于可见光的波长的间距配置；以及
透明导电层，设于所述多个结构体的表面侧且具有与所述多个结构体的表面形状相似的形状，
所述多个结构体的各折射率x与纵横比y满足以下关系式(1)和(2)。
y≥-1.785x+3.238 …(1)
y≤0.686 …(2)
2.权利要求1所述的导电光学元件，其中，
所述折射率x与所述纵横比y满足以下关系式(2)和(3)。
y≥-1.352x+2.636 …(3)
y≤0.686 …(2)
3.权利要求1所述的导电光学元件，其中，
所述折射率在大于等于1.53且小于等于1.8的范围内。
4.权利要求1所述的导电光学元件，其中，
所述折射率在大于等于1.55且小于等于1.75的范围内。
5.权利要求1所述的导电光学元件，其中，
所述多个结构体的各表面包含倾斜面，所述倾斜面根据所述基体表面的面内方向形成不同的倾斜角。
6.权利要求1所述的导电光学元件，其中，
所述透明导电层包含氧化铟锡或氧化锌。
7.权利要求1所述的导电光学元件，其中，
所述透明导电层是非晶与多晶的混合状态。
8.权利要求1所述的导电光学元件，其中，
进一步具备形成在所述多个结构体与所述透明导电层之间的导电层，
所述导电层含有金属类材料且具有与所述多个结构体的表面形状相似的形状。
9.权利要求8所述的导电光学元件，其中，
所述金属类材料至少包含由Ag、Pt、Al、Au及Cu构成的群组中的一种。
10.权利要求1所述的导电光学元件，其中，
进一步具备形成在所述多个结构体与所述透明导电层之间的介电层，
所述介电层具有与所述多个结构体的表面形状相似的形状。
11.权利要求1所述的导电光学元件，其中，
所述多个结构体以形成多列轨迹，且形成六方晶格图案、准六方晶格图案、四方晶格图案或准四方晶格图案的方式配置，
所述多个结构体各自是在所述轨迹延伸方向上具有长轴方向的椭圆锥或椭圆锥台形状。
12.权利要求1所述的导电光学元件，其中，
所述基体在其表面侧具有形成有所述透明导电层的第1区域及未形成有所述透明导电层的第2区域。
13.一种输入元件，其中，具备：
权利要求1～12中的任一项所述的导电光学元件。
14.一种显示元件，其中，具备：
权利要求1～12中的任一项所述的导电光学元件。
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