JP2014013916A - アラインメント装置およびアラインメント方法 - Google Patents

アラインメント装置およびアラインメント方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2014013916A
JP2014013916A JP2013169208A JP2013169208A JP2014013916A JP 2014013916 A JP2014013916 A JP 2014013916A JP 2013169208 A JP2013169208 A JP 2013169208A JP 2013169208 A JP2013169208 A JP 2013169208A JP 2014013916 A JP2014013916 A JP 2014013916A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stage
microscope
alignment
substrate
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2013169208A
Other languages
English (en)
Inventor
Takahiro Horikoshi
崇広 堀越
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP2013169208A priority Critical patent/JP2014013916A/ja
Publication of JP2014013916A publication Critical patent/JP2014013916A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4638Aligning and fixing the circuit boards before lamination; Detecting or measuring the misalignment after lamination; Aligning external circuit patterns or via connections relative to internal circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

【課題】アラインメント装置の精度を向上させる。
【解決手段】互いに対向する一対の基板の一方を保持する第1ステージと、一対の基板の他方を保持する第2ステージと、第2ステージに保持された基板のアラインメントマークを観察すべく移動する第1顕微鏡と、第1ステージに保持された基板のアラインメントマークを観察すべく移動する第2顕微鏡と、第2顕微鏡により観察したアラインメントマークの位置を示す第1位置情報と、第1顕微鏡により観察したアラインメントマークの位置を示す第2位置情報との差分に応じて第1ステージおよび第2ステージの少なくとも一方を移動させて、第1ステージおよび第2ステージに保持された一対の基板を位置合わせする位置合わせ制御部とを備えるアラインメント装置が提供される。
【選択図】図5

Description

本発明は、アラインメント装置およびアラインメント方法に関する。本出願は、下記の日本出願に関連し、下記の日本出願からの優先権を主張する出願である。文献の参照による組み込みが認められる指定国については、下記の出願に記載された内容を参照により本出願に組み込み、本出願の一部とする。
特願2008−256803 出願日 2008年10月1日
各々に素子が形成された基板を積層した積層型半導体装置がある(特許文献1参照)。積層型半導体装置の製造過程には、互いに平行に保持された一対の基板を、複数の顕微鏡により個々に観察しつつ位置合わせして貼り合わせる段階がある(特許文献2参照)。
特開平11−261000号公報 特開2005−251972号公報
積層型半導体装置の製造過程における位置合わせは、基板上の素子の線幅と同程度に高い精度が求められる。このため、位置合わせに用いる顕微鏡には、光学解像度に加えて、顕微鏡自体の位置についても高い精度が要求される。
そこで、上記課題を解決すべく、本発明の第1の態様として、互いに対向する一対の基板の一方を保持する第1ステージと、一対の基板の他方を保持する第2ステージと、第2ステージに保持された基板のアラインメントマークを観察すべく移動する第1顕微鏡と、第1ステージに保持された基板のアラインメントマークを観察すべく移動する第2顕微鏡と、第2顕微鏡により観察したアラインメントマークの位置を示す第1位置情報と、第1顕微鏡により観察したアラインメントマークの位置を示す第2位置情報との差分に応じて第1ステージおよび第2ステージの少なくとも一方を移動させて、第1ステージおよび第2ステージに保持された一対の基板を位置合わせする位置合わせ制御部とを備えるアラインメント装置が提供される。
また、本発明の第2の態様として、互いに対向する一対の基板の一方を第1ステージに保持させる段階と、一対の基板の他方を第2ステージに保持させる段階と、第2ステージに保持された基板のアラインメントマークを、第1顕微鏡を移動させて観察して、当該アラインメントマークの位置を示す第2位置情報を検出する段階と、第1ステージに保持された基板のアラインメントマークを、第2顕微鏡を移動させて観察して、当該アラインメントマークの位置を示す第1位置情報を検出する段階と、第1位置情報および第2位置情報の差分に応じて第1ステージおよび第2ステージの少なくとも一方を移動させて、第1ステージおよび第2ステージに保持された一対の基板を位置合わせする段階とを含むアラインメント方法が提供される。
なお、上記の発明の概要は、本発明の全ての特徴を列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションも発明となり得る。
積層基板製造システム100の構造を模式的に示す平面図である。 基板180の状態の変遷を模式的に示す図である。 基板180の状態の変遷を模式的に示す図である。 基板180の状態の変遷を模式的に示す図である。 基板180の状態の変遷を模式的に示す図である。 基板180の状態の変遷を模式的に示す図である。 アラインメントマーク184の形態を模式的に示す図である。 アラインメント部300の構造を模式的に示す断面図である。 図4に示すアラインメント部300の一部を拡大して示す図である。 基準標識321の構造を示す断面図である。 基準標識321の他の構造を示す断面図である。 アラインメント部300におけるアラインメントの手順を示す流れ図である。 アラインメント部300の動作を、図4に対照して示す図である。 図9に示す状態のアラインメント部300の一部を拡大して示す図である。 アラインメント部300の次の動作を示す図である。 アラインメント部300のまた次の動作を示す図である。 他のアラインメント部300の構造を示す斜視図である。 アラインメント部300の平面図である。 アラインメント部300の動作を示す側面図である。 アラインメント部300の他の動作を示す側面図である。 アラインメント部300のまた他の動作を示す側面図である。 アラインメント部300の更に他の動作を示す側面図である。
以下、発明の実施の形態を通じて本発明の(一)側面を説明するが、以下の実施形態は請求の範囲にかかる発明を限定するものではなく、また実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
図1は、積層基板製造システム100の全体構造を模式的に示す平面図である。積層基板製造システム100は、共通の筐体101の内部に形成された常温部102および高温部202を含む。
常温部102は、筐体101の外部に面して、複数の基板カセット111、112、113と、制御盤120とを有する。制御盤120は、較正制御部122、位置合わせ制御部124、積層基板製造システム100全体の動作を制御する制御部も含む。更に、制御盤120は、積層基板製造システム100の電源投入、各種設定等をする場合にユーザが外部から操作する操作部を有する。
基板カセット111、112、113は、積層基板製造システム100において接合される基板180、または、積層基板製造システム100において接合された基板180を収容する。基板カセット111、112、113は、筐体101に対して脱着自在に装着される。これにより、複数の基板180を一括して積層基板製造システム100に装填できる。積層基板製造システム100において接合された基板180を一括して回収できる。
常温部102において、筐体101の内側には、プリアライナ130、アラインメント部300、基板ホルダラック160と、一対のロボットアーム171、172とを備える。筐体101の内部は、積層基板製造システム100が設置された環境の室温と略同じ特定の温度が維持されるように温度管理される。
アラインメント部300は高精度であるが故に調整範囲が狭い。よって、プリアライナ130は、その狭い調整範囲に基板180が収まるように、個々の基板180の位置を仮合わせする。これにより、アラインメント部300における位置決めを確実にすることができる。
アラインメント部300は、互いに対向する上ステージ部310および下ステージ部320と、互いに直交して配置された一対の計測部330とを含む。アラインメント部300において、上ステージ部310および下ステージ部320は、各々基板180または基板180を保持した基板ホルダ190を搬送する。計測部330は、移動する上ステージ部310または下ステージ部320の位置を基板180の面方向について計測する。
アラインメント部300を包囲して、断熱壁142およびシャッタ144が設けられる。断熱壁142およびシャッタ144に包囲された空間は、空調機等に連通して温度管理され、アラインメント部300における位置合わせ精度を維持する。アラインメント部300においては、一対の基板180が相互に位置合わせされる。アラインメント部300の詳細な構造と動作については、図4以下を参照して後述する。
基板ホルダラック160は、複数の基板ホルダ190を収容して待機させる。基板ホルダ190は、基板180を一枚ずつ保持して、基板180の取り扱いを容易にする。基板ホルダ190は、例えば静電吸着により基板180を保持する。基板ホルダラック160は、基板取り外し部を含む。基板取り外し部は、後述する加圧部240から搬出された基板ホルダ190から、当該基板ホルダ190に挟まれた基板180を取り出す。
なお、積層基板製造システム100に装填される基板180は、単体のシリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、ガラス基板等の他、それらに素子、回路、端子等が形成されたものでもよい。装填された基板180が、既に複数のウエハを積層して形成された積層基板である場合もある。
一対のロボットアーム171、172のうち、基板カセット111、112、113に近い側に配置されたロボットアーム171は、基板カセット111、112、113、プリアライナ130およびアラインメント部300の間で基板180を搬送する。ロボットアーム171は、接合する基板180の一方を裏返す機能も有する。これにより、基板180において回路、素子、端子等が形成された面を対向させて接合することができる。
基板カセット111、112、113から遠い側に配置されたロボットアーム172は、アラインメント部300、基板ホルダラック160およびエアロック220の間で基板180および基板ホルダ190を搬送する。さらにロボットアーム172は、基板ホルダラック160に対する基板ホルダ190の搬入および搬出も担う。
高温部202は、断熱壁210、エアロック220、ロボットアーム230および複数の加圧部240を有する。断熱壁210は、高温部202を包囲して、高温部202の高い内部温度を維持すると共に、高温部202の外部への熱輻射を遮断する。これにより、高温部202の熱が常温部102に及ぼす影響を抑制できる。
ロボットアーム230は、加圧部240のいずれかとエアロック220との間で基板180および基板ホルダ190を搬送する。エアロック220は、常温部102側と高温部202側とに、交互に開閉するシャッタ222、224を有する。
基板180および基板ホルダ190が常温部102から高温部202に搬入される場合、まず、常温部102側のシャッタ222が開かれ、ロボットアーム172が基板180および基板ホルダ190をエアロック220に搬入する。次に、常温部102側のシャッタ222が閉じられ、高温部202側のシャッタ224が開かれる。
続いて、ロボットアーム230が、エアロック220から基板180および基板ホルダ190を搬出して、加圧部240のいずれかに装入する。加圧部240は、基板ホルダ190に挟まれた状態で加圧部240に搬入された基板180を加熱および加圧する。これにより基板180は恒久的に接合される。
高温部202から常温部102に基板180および基板ホルダ190を搬出する場合は、上記の一連の動作を逆順で実行する。これらの一連の動作により、高温部202の内部雰囲気を常温部102側に漏らすことなく、基板180および基板ホルダ190を高温部202に搬入または搬出できる。
このように、積層基板製造システム100内の多くの領域において、基板ホルダ190は、基板180を保持した状態でロボットアーム172、230、上ステージ部310および下ステージ部320に搬送される。基板180を保持した基板ホルダ190が搬送される場合、ロボットアーム172、230は、真空吸着、静電吸着等により基板ホルダ190を吸着して保持する。
図2a、図2b、図2c、図2dおよび図2eは、積層基板製造システム100における基板180の状態の変遷を模式的に示す図である。図2aに示すように、積層基板製造システム100が稼動を開始した当初、基板180の各々は、例えば基板カセット111、112のいずれかに個別に収容される。基板ホルダ190も、基板ホルダラック160に個別に収容されている。
積層基板製造システム100が稼動を開始すると、ロボットアーム171により基板180が一枚ずつ搬入され、プリアライナ130においてプリアラインメントされた後に、基板ホルダ190に搭載される。こうして、基板180は、それぞれ基板ホルダ190により保持される。
次に、図2bに示すように、基板180をそれぞれ保持した一対の基板ホルダ190が用意され、図2cに示すように、基板180が対向するようにアラインメント部300に装填される。アラインメント部300において位置合わせされた基板180および基板ホルダ190は、図2dに示すように、基板ホルダ190の側面に形成された溝191に嵌められた複数の留め具192により連結されて、位置決めされた状態を保持する。連結された基板180および基板ホルダ190は、一体的に搬送されて加圧部240に装入される。
加圧部240において加熱および加圧されることにより、基板180は互いに恒久的に接合されて積層基板となる。その後、基板180および基板ホルダ190は、加圧部240から搬出されて、基板ホルダラック160の基板取り外し部において分離される。
基板ホルダ190から取り出された基板180は、ロボットアーム172、171並びに上ステージ部310および下ステージ部320により、例えば基板カセット113に収容される。基板180を取り出された基板ホルダ190は、基板ホルダラック160に戻されて待機する。
図3は、積層基板の材料としての基板180の形態を模式的に示す平面図である。図示のように、基板180には、複数の素子領域186が形成されると共に、素子領域186の各々の近傍にアラインメントマーク184が配される。また、基板180は、縁部の特定箇所に形成されたノッチ182を有する。ノッチ182は、基板180の結晶配向性等に対応して配されており、全体として略円形をなす基板180における物性および配置の異方性を示す。
アラインメントマーク184は、基板180に素子領域186を形成する場合に指標として用いられる。このため、アラインメントマーク184の位置は、基板180の変形等により変位した素子領域186の位置等に密接に関連する。従って、基板180を積層する場合に、アラインメントマーク184を位置合わせの指標として用いることにより、個々の基板180に生じている歪みを効果的に補償できる。
なお、図中では素子領域186およびアラインメントマーク184を大きく描いているが、300mmφ等の大型の基板180に形成される素子領域186の数は数百以上にも及ぶ。それに応じて、基板180に配されるアラインメントマーク184の数も多くなる。更に、アラインメントマーク184は、基板180に形成された配線、バンプ、スクライブライン等で代用することもできる。
図4は、アラインメント部300の構造を模式的に示す断面図である。アラインメント部300は、枠体301の内側に配された上ステージ部310および下ステージ部320を含む。図4では、一方の計測部330も見えている。計測部330は、互いに高さが異なる干渉計332、334を含む。
枠体301は、互いに平行で水平な天板302および底板306と、天板302および底板306を結合する複数の支柱304とを備える。天板302、支柱304および底板306は、それぞれ高剛性な材料により形成され、内部機構の動作に係る反力が作用した場合も変形を生じない。
上ステージ部310は、天板302の下面に順次懸架された、駆動部350、サブステージ314、スペーサ311およびメインステージ312を含む。サブステージ314は、上反射鏡316および上顕微鏡318を懸架する。メインステージ312は、基板180を保持した基板ホルダ190を吸着して保持する。
駆動部350は、サブステージ314を、図中に矢印で示すX方向およびY方向にそれぞれ移動させるX駆動部351およびY駆動部352を含む。サブステージ314は、スペーサ311を介してメインステージ312と一体的に結合されている。これにより、上反射鏡316および上顕微鏡318は、メインステージ312に保持された基板180に対して一定の相対位置を維持しつつ、基板180と共にX方向およびY方向に移動する。
下ステージ部320は、底板306の上面に搭載された、駆動部340、サブステージ324およびメインステージ322を含む。サブステージ324は、下反射鏡326および下顕微鏡328を搭載する。メインステージ322は、基板180を保持した基板ホルダ190を吸着して保持する。さらにメインステージ322には基準標識321も搭載される。
下ステージ部320において、下顕微鏡328は、垂直アクチュエータ329を介してサブステージ324に搭載される。これにより、下顕微鏡328は、垂直方向に限ってサブステージ324に対して昇降する。
駆動部340は、サブステージ324を、図中に矢印で示すX方向、Y方向およびZ方向にそれぞれ移動させるX駆動部341、Y駆動部342およびZ駆動部348を含む。また、サブステージ324を水平面内で回転させるθ駆動部344と、サブステージ324を揺動させるφ駆動部346とを含む。なお、Z駆動部348は、サブステージ324およびメインステージ322の間に配され、上ステージ部310におけるスペーサ311に相当する機能を兼ねる。
サブステージ324は、Z駆動部348によりメインステージ322と一体的に結合される。これにより、下反射鏡326および下顕微鏡328は、メインステージ322に保持された基板180に対して一定の相対位置を維持しつつ、基板180と共に回転し、揺動し、且つ、X方向、Y方向およびZ方向に移動する。
計測部330は、一対の干渉計332、334を含む。一方の干渉計332は、上ステージ部310の反射鏡316と同じ高さに配される。これにより、干渉計332は、反射鏡316を用いて、サブステージ314のX方向の位置を正確に計測する。なお、この図には現れない計測部330も同様の構造を有し、サブステージ314のY方向の位置を計測する。
他方の干渉計334は、下ステージ部320の反射鏡326と同じ高さに配される。これにより、干渉計334は、反射鏡326を用いて、サブステージ324のX方向の位置を正確に計測する。この図には現れない計測部330も同様の構造を有し、サブステージ324のY方向の位置を計測する。
図5は、基準標識321を上顕微鏡318から観察できる位置に上ステージ部310および下ステージ部を移動させた状態で、基準標識321近傍を拡大して示す図である。図示のように、図示のように上ステージ部310および下ステージ部320を適切に移動させることにより、上顕微鏡318からも基準標識321を視野に入れることができる。
基準標識321は、下顕微鏡328の直上においてメインステージ322に形成された貫通穴323の上に配される。これにより、基準標識321は、下顕微鏡328の視野にも入る。
更に、基準標識321の高さは、下ステージ部320のメインステージ322に搭載された基板180の表面と同じ高さになるように調整される。図5に示す状態では、下顕微鏡328は垂直アクチュエータ329により降下させられ、基準標識321に焦点を合わせている。上顕微鏡318は、後述するように、下ステージ部320に搭載された基板180を観察する。従って、上記の状態では、上顕微鏡318および下顕微鏡328が、共に、同じ基準標識321に焦点を合わせた状態となる。
図6は、上記の基準標識321の構造を示す断面図である。基準標識321は、支持枠421、透明基板422および不透明薄膜423を含む。
より具体的には、透明基板422としてガラス基板等を用いて形成できる。不透明薄膜423としては、金属膜等を例示できる。不透明薄膜423を薄くすることにより、上顕微鏡318から観察された場合も、下顕微鏡328から観察された場合も、観察される位置がずれない。なお、透明基板422を支持枠421を介してメインステージ322に搭載する構造とすることにより、基準標識321の実効的な高さを微妙に調節することができる。
基準標識321は透明基板422が露出した透明な領域を有する。これにより、基準標識321を透過して、その向こうに位置するアラインメントマーク184等を観察できるが、これについては図10を参照して後述する。
図7は、基準標識321の他の構造を示す断面図である。この基準標識321は、ナイフエッジ427を有する不透明基板425により形成される。ナイフエッジ427は、上顕微鏡318および下顕微鏡328を結ぶ線に対して交差する一対の面により形成される。
このような不透明基板425は、例えば、シリコンウエハをドライエッチングで加工することにより製造できる。ナイフエッジ427の先端は非常に薄いので、上顕微鏡318から観察された場合も、下顕微鏡328から観察された場合も、観察される位置がずれることがない。ナイフエッジ427の内側は貫通しているので、下顕微鏡328が、基準標識321の向こう側を観察することもできる。
図8は、上記のようなアラインメント部300を用いて基板180をアラインメントする場合の手順を示す流れ図である。まず、図4に示すように、上ステージ部310のメインステージ312の下方と、下ステージ部320のメインステージ322の上方とがそれぞれ開放されるように、上ステージ部310および下ステージ部320を異なる位置にずらして、メインステージ312、322の各々に、基板ホルダ190に保持された基板180を装填する(ステップS101)。
次に、図示されていない顕微鏡等により基板180を観察しつつ、下ステージ部320のφ駆動部346を動作させて、一対の基板180を平行にする(ステップS102)。以下、基板180は、専らX方向およびY方向について位置合わせされる。
続いて、図4および図5に示すように、基準標識321を、下顕微鏡328および上顕微鏡318により同時に観察させることにより、下顕微鏡328および上顕微鏡318の相対位置を特定させる(ステップS103)。この状態で、較正制御部122は、上ステージ部310および下ステージ部320の位置を計測して、計測値を初期値として干渉計332、334を初期化する(ステップS104)。
続いて、上ステージ部310および下ステージ部を動作させて、下ステージ部320に保持された基板180のアラインメントマーク184を上顕微鏡318により、下ステージ部320に保持された基板180のアラインメントマーク184を下顕微鏡328により、各々3つ以上検出させる(ステップS105)。
図9は、ステップS105を実行するアラインメント部300の状態を、図4に対照して示す図である。図示のように、上ステージ部310の駆動部350と、下ステージ部320の駆動部340をそれぞれ動作させることにより、下ステージ部320に保持された基板180の表面が上顕微鏡318の視野に、上ステージ部310に保持された基板180の表面が下顕微鏡328の視野に、それぞれ入れることができる。
図10は、図9に示した状態における下顕微鏡328近傍を拡大して示す図である。図示のように、垂直アクチュエータ329を動作させることにより、下顕微鏡328の焦点を、上ステージ部310に保持された基板180の表面に移動させている。これにより、下顕微鏡328は、基準標識321を通じて、上ステージ部310に保持された基板180の表面を精密に観察できる。
なお、図示は省いたが、アラインメント部300は、上顕微鏡318および下顕微鏡328とは別に、基板180の表面の広い範囲を観察する低倍率顕微鏡を別途備える。低倍率顕微鏡の解像度は、基板180の位置合わせ精度には満たないが、基板180上のアラインメントマーク184および素子領域186の大凡の位置を認識することができる。このような低倍率顕微鏡を併用することにより、上顕微鏡318および下顕微鏡328は、効率よくアラインメントマーク184を検出できる。
再び、図8に示した手順に戻ると、上顕微鏡318および下顕微鏡328が、対向する基板180のアラインメントマーク184を検出した場合、そのときのメインステージ312、322の位置を干渉計332、334で計測することにより、前記初期値に対するアラインメントマーク184の相対位置が判る。検出されたアラインメントマーク184の相対位置は、位置合わせ制御部124により格納される(ステップS106)。
こうして、位置合わせ制御部124が、一対の基板180の各々について3つ以上のアラインメントマーク184の位置情報を獲得すると、当該位置情報に基づいて、基板180を位置合わせする場合に求められる、駆動部340、350の動作量を算出できる(ステップS107)。
即ち、貼り合わせに供する基板180は、多くの処理、加工を経て素子等を形成されている。このため、基板180には様々な歪が生じている。また、ひとつの基板180における歪の分布は均一ではない。このため、基板180を位置合わせする場合に、一対の基板180で対応する特定のアラインメントマーク184の位置を一致させても、基板180の他の部分では位置ずれが大きくなる場合がある。
しかしながら、一対の基板180相互の間で対応する3以上のアラインメントマーク184の各々の相対位置情報について以下のように、対応するアラインメントマーク間の誤差が複数のアイランメントマーク間で統計的に小さくなるような処理を実行することにより、基板180全体で生じるアラインメントマーク184の位置ずれを最小にとどめることができる。
以下、そのアラインメント方式を説明する。一対のウエハにおいて、一方が他方に対して平行移動すべき平行移動量(T,T)および回転させるべき回転量θは下記のように算出される。基準座標系に対する測定されたアラインメントマークの位置座標(Axi,Ayi)と変換された位置座標(Mxi,Myi)との間には次の関係がある。なお、「i」はアラインメントマークの番号を示す。
Figure 2014013916
次に、一方の基板180の基準座標系に対する位置座標を(Dxi,Dyi)として、下記の関数Fが最も小さくなるように、他方の基板180の移動量(T,T)および回転量θを決定する。
Figure 2014013916
図11は、アラインメント部300の次の動作を示す図である。図示のように、位置合わせ制御部124が、上顕微鏡318および下顕微鏡328の相対位置に基づく初期値を基準として、算出された移動量(T,T)および回転量θに従って駆動部340、350を動作させることにより、一対の基板180を位置合わせすることができる(ステップS108)。
なお、位置合わせ精度を更に向上させる目的で、基準標識321を複数設けて、上顕微鏡318、328の相対位置を較正する段階(ステップS104)を何度か実行してもよい。特に、上ステージ部310または下ステージ部320が大きく動作した場合、X方向またはY方向に動作方向を切り換えた場合には、改めてステージ104からの手順を繰り返してもよい。
図12は、アラインメント部300また次の動作を示す図である。図示のように、Z駆動部348を動作させて、X方向およびY方向について位置合わせされて対向する基板180を相互に接合することができる。即ち、下ステージ部320のメインステージ322を上昇させて一対の基板180を当接させ、更に、Z駆動部348の駆動力を増すことにより、基板180を仮接合させることができる(ステップS109)。
こうして位置合わせした上で接合された一対の基板180は、既に説明した通り、アラインメント部300から搬出され(ステップS110)、加圧部240に搬送される。アラインメント部300から加圧部240に搬送される間は、図2bを参照して説明したように、基板ホルダ190および留め具192により位置合わせした状態が保持される。
なお、上記の例では、上ステージ部310および下ステージ部320が、いずれも駆動部350、340を有してメインステージ312、322を移動させる構造とした。この場合、上ステージ部310および下ステージ部320双方の移動量が等しくなるように、駆動部350、340の動作量を分配することも好ましい。これにより、部材の消耗を均等にして、機器の寿命を延ばすことができる。
上ステージ部310および下ステージ部320のいずれか一方、例えば上ステージ部310の駆動部350を省略して、メインステージ312を固定した状態でも基板180の位置合わせは実施できる。例えば、上ステージ部310のY駆動部352を省略して、上ステージ部310では専らX方向を、下ステージ部320では専らY方向を位置合わせする構造としてもよい。
しかしながら、双方のメインステージ312、322を移動させることにより、所要の移動量を移動する時間を半分に減らすことができる。従って、上ステージ部310および下ステージ部320の双方に駆動部350、340を設けることにより、アラインメント部300におけるスループットを向上させることができる。
上記の例では、基準標識321を固定して、下顕微鏡328を昇降させる構造とした。しかしながら、下顕微鏡328を固定して、光学的に焦点距離を変化させる構造の他、基準標識を上顕微鏡318または下顕微鏡328の視野から進退させる構造等、さまざまに変形させることができる。更に、基板180の各々のアラインメントマーク184を計測することと、一対の基板180を位置合わせすることとを、別の設備で各々実行する構造とすることもできる。
図13は、他の構造を有するアラインメント部300を示す斜視図である。このアラインメント部300は、底盤303に搭載された、測定部360、一対の顕微鏡ユニット370および接合部380を有する。また、図面が煩雑になることを避ける目的で図13では図示を省いたが、測定部360および接合部380の間には、ロボットアーム390が配される(図14参照)。
測定部360は、底盤303から直立する一対の支柱361と、支柱361の上端および下端をそれぞれ結合する一対の水平な案内部363とにより形成された矩形のフレームの内側に形成される。案内部363の各々は、X駆動部362、Z駆動部364およびメインステージ312、322を、それぞれ懸架または支持する。
測定部360において、X駆動部362は、Z駆動部364およびメインステージ312、322と、メインステージ312、322に搭載された基板ホルダ190および基板180とを、案内部363に沿ってそれぞれ個別に移動させる。Z駆動部364は、メインステージ312、322と、メインステージ312、322に搭載された基板ホルダ190および基板180とを、垂直に昇降させる。
メインステージ312、322には、それぞれ、基板180を保持した基板ホルダ190が搭載される。基板180の各々は、一対のアラインメントマーク184を有する。
更に、一方のメインステージ322には、基準標識321も搭載される。基準標識321は、基板ホルダ190に保持された基板180の表面と同じ高さに固定される。メインステージ322は、基準標識321の下に、厚さ方向に貫通する貫通穴を有するので、基準標識321は、メインステージ322の上方からも、下方からも観察できる。なお、基準標識321は、図6、図7に示した構造をいずれも採り得る。
一対の顕微鏡ユニット370は、測定部360を挟んで配される。顕微鏡ユニット370の各々は、Y駆動部372、支柱374および顕微鏡376、378を有する。Y駆動部372は、測定部360の案内部363の延在方向と交差する方向に支柱374を移動させる。支柱374は、各々一対の顕微鏡376、378を支持する。
即ち、一対の顕微鏡376、378は、支柱374の中程に形成された切欠き部の内側に、互いに上下に対向して固定される。顕微鏡376、378の焦点Fは、顕微鏡376、378の中間に位置する共通の一点に結ばれる。
一方、接合部380は、フレーム383の内側で互いに積層方向に配された、X駆動部381、Y駆動部382、θ駆動部384、Z駆動部388と、一対の平板389および一対のメインステージ312、322とを備える。メインステージ312、322は、それぞれが基板180を保持した基板ホルダ190を搭載する。
X駆動部381およびY駆動部382は、図中に矢印で示すX方向またはY方向に、メインステージ312、322を駆動する。Z駆動部388は、メインステージ312をZ軸方向に移動することができる他、個別に動作させることによりメインステージ322を揺動させることもできる。
接合部380は、X駆動部381、Y駆動部382およびθ駆動部384を動作させることにより、メインステージ322に搭載された基板180を任意の方向に移動させて、メインステージ312に搭載された基板180に対して位置合わせできる。Z駆動部388を動作させることにより、互いに位置合わせした一対の基板180を互いに当接させて接合することもできる。
図14は、図13に示したアラインメント部300の平面図である。図示のように、アラインメント部300は、測定部360および接合部380の間にロボットアーム390を更に備える。
ロボットアーム390は、フォーク部392およびアーム部394を有する。フォーク部392は、基板180を保持した基板ホルダ190を吸着して保持する。アーム部394は、基板ホルダ190を保持したフォーク部392を任意の方向に移動させる。これにより、ロボットアーム390は、測定部360において後述する測定を終えた基板180および基板ホルダ190を、測定部360のメインステージ312、322から、接合部380のメインステージ312、322まで搬送して移し換えることができる。
なお、積層基板製造システム100のレイアウトによっては、アラインメント部300に基板180および基板ホルダ190を搬入または搬出するロボットアーム172を用いてもよい。この場合は、アラインメント部300のロボットアーム390は省略できる。
図15a、図15b、図15cおよび図15dは、上記のような構造を有するアラインメント部300における測定部360の動作を説明する図である。なお、図示のように、アラインメント部300は、図13および図14では支柱361に隠れていた一対の干渉計366、368と、干渉計366、368に対向してメインステージ312、322の側面に装着された一対の反射鏡367とを更に備える。これら干渉計366、368および反射鏡367の作用については後述する。
まず、図15aに示すように、X駆動部362をそれぞれ動作させて、メインステージ312、322は、互いに異なる支柱361に接近した位置に移動される。これにより、メインステージ312の下面とメインステージ322の上面とが開放される。この状態で、メインステージ312、322の各々には、基板180を保持した基板ホルダ190が搭載される。
次に、図15bに示すように、較正制御部122の制御の下に、下側のメインステージ322のZ駆動部364を動作させてメインステージ322を上昇させる。これにより、メインステージ322に搭載された基準標識は、顕微鏡376、378の焦点Fと同じ高さになる。
続いて、X駆動部362を動作させて、基準標識321が顕微鏡376、378の視野に入る位置に、メインステージ322を移動させる。この状態で、共通の基準標識321を一対の顕微鏡376、378で観察することにより、較正制御部122は、一対の顕微鏡376、378の位置を精密に検知することができる。
なお、顕微鏡376、378は、それぞれ支柱374に固定されているが、温度等の環境条件、Y駆動部372のトレランスによる支柱374の傾き等により、その位置が変化する場合がある。しかしながら、上記のようにして、アラインメントマーク184の位置測定に先立って共通の基準標識321を観察することにより、顕微鏡376、378の位置関係を把握できる。
次に、図15cに示すように、X駆動部362を更に動作させてメインステージ322を移動させ、基板180のアラインメントマーク184を、上側の顕微鏡376の視野に入れさせる。なお、基準標識321と基板180の表面とは同じ高さに位置するので、基板180の表面は、上側の顕微鏡376の焦点面を通過する。
また、メインステージ322が移動する間は、反射鏡367および一方の干渉計368を用いて、メインステージ322の移動量を正確に計測する。これにより、基準標識321において構成した顕微鏡378の位置を基準にして、基板180のアラインメントマーク184の位置を測定できる。測定されたアラインメントマーク184の位置情報は、位置合わせ制御部124に格納される。
続いて、図15dに示すように、下側のメインステージ322を当初の位置に戻す一方で、上側のメインステージ312を移動させる。即ち、まず、Z駆動部364を動作させて、基板180の表面を、顕微鏡376、378の焦点Fと同じ高さに移動させる。続いて、X駆動部362を動作させて、基板180を一対の顕微鏡376、378の間に移動させる。
このとき、上側のメインステージ312の側に設けられた反射鏡367と干渉計366を用いて、メインステージ312の移動量を正確に測定できる。従って、下側の顕微鏡378で観察することにより、基板180のアラインメントマーク184の位置を正確に検知できる。測定されたアラインメントマーク184の位置情報は、位置合わせ制御部124に格納される。
こうして、位置合わせ制御部124が、一対の基板180の各々についてアラインメントマーク184の位置情報を獲得すると、基板180を保持した基板ホルダ190は、ロボットアーム390により、接合部380のメインステージ312、322に各々移し換えられる。一方、位置合わせ制御部124は、当該位置情報に基づいて、基板180を位置合わせする場合に求められる、接合部380の動作量を算出する。
基板180を保持した基板ホルダ190を装入された接合部380は、まず、Z駆動部388を個別に動作させて、一対の基板180を平行にする。続いて、位置合わせ制御部124からの指示に基づいてX駆動部381、Y駆動部382およびθ駆動部384を動作させて、対応するアラインメントマーク184の位置が一致するように一対の基板180を位置合わせする。更に、Z駆動部388を同時に動作させて、一対の基板180を当接させ、更に高い圧力を印加することにより、一対の基板180を接合する。
なお、この態様におけるアラインメント部300は、測定部360および接合部380をそれぞれ備えて、アラインメントマーク184の位置測定と、基板180の接合とを各々個別に実行する。このような構造により、測定部360においては、X駆動部362およびZ駆動部364を小型化する一方、顕微鏡376、378の移動範囲を拡大することができる。また、接合部380においては、強度の高い大型部材を用いて、正確な位置合わせと高い圧力による基板180の接合を実行できる。しかしながら、部材の強度を確保できれば、測定部360の構造に、Y駆動部382、θ駆動部384等を加えて位置合わせおよび接合まで実行させることもできる。
図1から図15dに示す実施形態において、上ステージ部310等に保持される基板180を観察する顕微鏡が対向する下ステージ部320等に配置され、下ステージ部320等に保持される基板180を観察する顕微鏡が対向する上ステージ部310等に配置される。しかしながら、顕微鏡の配置はこれに限られない。上ステージ部310等に保持される基板180を観察する顕微鏡が同じ上ステージ部310等に配置され、下ステージ部320等に保持される基板180を観察する顕微鏡が同じ下ステージ部320等に配置されてもよい。この場合には、上ステージ部310に配される顕微鏡のレンズが上方を向くように配されるとともに、下ステージ部320に配される顕微鏡のレンズが下方を向くように配される。
図1から図15dに示す実施形態において、上ステージ部310および下ステージ部320は移動可能であるが、いずれか一方が固定されており、他方が移動可能であってもよい。また、顕微鏡は、上ステージ部310および下ステージ部320に対して独立に移動可能であってもよい。この場合にアラインメントマーク184の観察時に上ステージ部310および下ステージ部320を停止しつつ顕微鏡が移動することにより、上ステージ部310および下ステージ部320の移動に要するスペースを節約できる。
以上、実施の形態を用いて本発明を説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加え得ることが当業者に明らかである。また、そのような変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、請求の範囲の記載から明らかである。
請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。
100 積層基板製造システム、101 筐体、102 常温部、111、112、113 基板カセット、120 制御盤、122 較正制御部、124 位置合わせ制御部、130 プリアライナ、142、210 断熱壁、144、222、224 シャッタ、160 基板ホルダラック、171、172、230、390 ロボットアーム、180 基板、182 ノッチ、184 アラインメントマーク、186 素子領域、190 基板ホルダ、191 溝、192 留め具、202 高温部、220 エアロック、240 加圧部、300 アラインメント部、301 枠体、302 天板、303 底盤、304、374 支柱、306 底板、310 上ステージ部、311 スペーサ、312、322 メインステージ、314、324 サブステージ、316、326、367 反射鏡、318、328、376、378 顕微鏡、320 下ステージ部、321 基準標識、323 貫通穴、329 垂直アクチュエータ、330 計測部、332、334、366、368 干渉計、340、350 駆動部、341、351、362、381 X駆動部、342、352、372、382 Y駆動部、344、384 θ駆動部、346 φ駆動部、348、364、388 Z駆動部、360 測定部、361 支柱、363 案内部、370 顕微鏡ユニット、380 接合部、383 フレーム、389 平板、392 フォーク部、394 アーム部、421 支持枠、422 透明基板、423 不透明薄膜、425 不透明基板、427 ナイフエッジ

Claims (11)

  1. 互いに対向する一対の基板の一方を保持する第1ステージと、
    前記一対の基板の他方を保持する第2ステージと、
    前記第2ステージに保持された基板のアラインメントマークを観察すべく移動する第1顕微鏡と、
    前記第1ステージに保持された基板のアラインメントマークを観察すべく移動する第2顕微鏡と、
    前記第2顕微鏡により観察したアラインメントマークの位置を示す第1位置情報と、前記第1顕微鏡により観察したアラインメントマークの位置を示す第2位置情報との差分に応じて前記第1ステージおよび前記第2ステージの少なくとも一方を移動させて、前記第1ステージおよび前記第2ステージに保持された一対の基板を位置合わせする位置合わせ制御部と
    を備えるアラインメント装置。
  2. 前記位置合わせ制御部は、前記第1ステージおよび前記第2ステージを等しい移動量で移動させる請求項1に記載のアラインメント装置。
  3. 前記位置合わせ制御部は、前記第1ステージおよび前記第2ステージを、互いに異なる方向に移動させる請求項1に記載のアラインメント装置。
  4. 前記第1顕微鏡および前記第2顕微鏡から共通に観察される較正標識と、
    前記第1顕微鏡および前記第2顕微鏡に前記較正標識を観察させて、前記第1顕微鏡および前記第2顕微鏡の相対位置を較正する較正制御部と
    を更に備える請求項1に記載のアラインメント装置。
  5. 前記較正制御部は、前記第1ステージおよび前記第2ステージを等しい移動量で移動させる請求項4に記載のアラインメント装置。
  6. 前記較正制御部は、前記第1顕微鏡の視野に進入した前記較正標識を前記第2顕微鏡により観察して、前記第1顕微鏡および前記第2顕微鏡の相対位置を検出する請求項4に記載のアラインメント装置。
  7. 前記較正標識は、前記第1顕微鏡および前記第2顕微鏡の一方の焦点面に配され、
    前記較正制御部は、前記第1顕微鏡および前記第2顕微鏡の他方を移動させて、当該顕微鏡の焦点を前記較正標識に合わせる請求項4に記載のアラインメント装置。
  8. 前記第1顕微鏡および前記第2顕微鏡のいずれかは、前記較正標識を通じて前記第2ステージおよび前記第1ステージのいずれかに保持された基板のアラインメントマークを観察する請求項4に記載のアラインメント装置。
  9. 前記第1顕微鏡は前記第1ステージと共に移動し、前記第2顕微鏡は前記第2ステージと共に移動する請求項1から8のいずれかに記載のアラインメント装置。
  10. 前記第1顕微鏡は、前記第2ステージに保持された前記基板における複数のアラインメントマークを観察し、
    前記第2顕微鏡は、前記第1ステージに保持された前記基板における、前記第2ステージに保持された前記基板の複数の前記アラインメントマークに対応した、複数のアラインメントマークを観察し、
    前記位置合わせ制御部は、前記第1顕微鏡および前記第2顕微鏡で観察された前記対応するアラインメントマーク間の誤差が、前記複数のアイランメントマーク間で統計的に小さくなるように前記第1ステージおよび前記第2ステージを移動させる請求項1から9のいずれかに記載のアラインメント装置。
  11. 互いに対向する一対の基板の一方を第1ステージに保持させる段階と、
    前記一対の基板の他方を第2ステージに保持させる段階と、
    前記第2ステージに保持された基板のアラインメントマークを、第1顕微鏡を移動させて観察して、当該アラインメントマークの位置を示す第2位置情報を検出する段階と、
    前記第1ステージに保持された基板のアラインメントマークを、第2顕微鏡を移動させて観察して、当該アラインメントマークの位置を示す第1位置情報を検出する段階と、
    前記第1位置情報および第2位置情報の差分に応じて前記第1ステージおよび前記第2ステージの少なくとも一方を移動させて、前記第1ステージおよび前記第2ステージに保持された一対の基板を位置合わせする段階と
    を含むアラインメント方法。
JP2013169208A 2008-10-01 2013-08-16 アラインメント装置およびアラインメント方法 Withdrawn JP2014013916A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013169208A JP2014013916A (ja) 2008-10-01 2013-08-16 アラインメント装置およびアラインメント方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008256803 2008-10-01
JP2008256803 2008-10-01
JP2013169208A JP2014013916A (ja) 2008-10-01 2013-08-16 アラインメント装置およびアラインメント方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010531752A Division JP5353892B2 (ja) 2008-10-01 2009-09-30 アラインメント装置およびアラインメント方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014013916A true JP2014013916A (ja) 2014-01-23

Family

ID=42073234

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010531752A Active JP5353892B2 (ja) 2008-10-01 2009-09-30 アラインメント装置およびアラインメント方法
JP2013169208A Withdrawn JP2014013916A (ja) 2008-10-01 2013-08-16 アラインメント装置およびアラインメント方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010531752A Active JP5353892B2 (ja) 2008-10-01 2009-09-30 アラインメント装置およびアラインメント方法

Country Status (3)

Country Link
JP (2) JP5353892B2 (ja)
TW (1) TW201015661A (ja)
WO (1) WO2010038454A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021037328A1 (de) * 2019-08-23 2021-03-04 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren und vorrichtung zum ausrichten von substraten
JP2021044573A (ja) * 2020-11-25 2021-03-18 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー 基板を位置合わせする方法および装置
US11488851B2 (en) 2016-08-29 2022-11-01 Ev Group E. Thallner Gmbh Method and device for alignment of substrates
KR20230060948A (ko) * 2021-10-28 2023-05-08 코스텍시스템(주) 기판 정렬 장치 및 이를 이용한 기판 정렬 방법

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6264831B2 (ja) * 2012-11-06 2018-01-24 株式会社ニコン アライメント装置、位置合わせ方法、及び、積層半導体装置の製造方法
WO2014202106A1 (de) * 2013-06-17 2014-12-24 Ev Group E. Thallner Gmbh Vorrichtung und verfahren zum ausrichten von substraten
US9851645B2 (en) 2013-12-06 2017-12-26 Ev Group E. Thallner Gmbh Device and method for aligning substrates
JP5971367B2 (ja) * 2015-03-04 2016-08-17 株式会社ニコン 基板重ね合わせ装置および基板重ね合わせ方法
JP6487355B2 (ja) * 2016-03-08 2019-03-20 ボンドテック株式会社 アライメント装置
CN113795906A (zh) * 2019-05-08 2021-12-14 东京毅力科创株式会社 接合装置、接合***以及接合方法
US11209373B2 (en) * 2019-06-21 2021-12-28 Kla Corporation Six degree of freedom workpiece stage

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005236165A (ja) * 2004-02-23 2005-09-02 Bondotekku:Kk ピエゾボンディングテーブル
JP4626160B2 (ja) * 2004-03-04 2011-02-02 株式会社ニコン ウェハ重ね合わせ方法及びウェハ重ね合わせ装置
JP4821091B2 (ja) * 2004-04-08 2011-11-24 株式会社ニコン ウェハの接合装置
JP2006100656A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Nikon Corp ウェハ積層時の重ね合わせ方法
JP4720469B2 (ja) * 2005-12-08 2011-07-13 株式会社ニコン 貼り合わせ半導体装置製造用の露光方法
JP2009231671A (ja) * 2008-03-25 2009-10-08 Nikon Corp アラインメント装置
JP5332263B2 (ja) * 2008-03-28 2013-11-06 株式会社ニコン アラインメント装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11488851B2 (en) 2016-08-29 2022-11-01 Ev Group E. Thallner Gmbh Method and device for alignment of substrates
WO2021037328A1 (de) * 2019-08-23 2021-03-04 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren und vorrichtung zum ausrichten von substraten
JP2021044573A (ja) * 2020-11-25 2021-03-18 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー 基板を位置合わせする方法および装置
JP7130720B2 (ja) 2020-11-25 2022-09-05 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー 基板を位置合わせする方法および装置
KR20230060948A (ko) * 2021-10-28 2023-05-08 코스텍시스템(주) 기판 정렬 장치 및 이를 이용한 기판 정렬 방법
KR102653108B1 (ko) 2021-10-28 2024-04-02 코스텍시스템(주) 기판 정렬 장치 및 이를 이용한 기판 정렬 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP5353892B2 (ja) 2013-11-27
JPWO2010038454A1 (ja) 2012-03-01
TW201015661A (en) 2010-04-16
WO2010038454A1 (ja) 2010-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5353892B2 (ja) アラインメント装置およびアラインメント方法
WO2010023935A1 (ja) 基板位置合わせ装置、基板位置合わせ方法および積層型半導体の製造方法
US8964190B2 (en) Alignment apparatus, substrates stacking apparatus, stacked substrates manufacturing apparatus, exposure apparatus and alignment method
JP5354382B2 (ja) 基板貼り合わせ装置及び基板貼り合わせ方法、並びに積層半導体装置の製造方法
JP2011216833A (ja) 基板重ね合わせ装置、基板ホルダ、基板重ね合わせシステム、基板重ね合わせ方法およびデバイス製造方法
JP5549339B2 (ja) 基板相対位置検出方法、積層デバイス製造方法および検出装置
JP5454310B2 (ja) 基板貼り合わせ装置および基板貼り合わせ方法
JP7147778B2 (ja) 積層基板の製造方法、および製造装置
JP7225275B2 (ja) 成膜装置
JP5600952B2 (ja) 位置検出装置、基板貼り合わせ装置、位置検出方法、基板貼り合わせ方法、及びデバイスの製造方法
JP5707950B2 (ja) 基板重ね合わせ装置および基板重ね合わせ方法
JP5798721B2 (ja) 基板位置合せ装置、基板貼り合せ装置、基板位置合せ方法および積層半導体の製造方法
JP5454239B2 (ja) 基板貼り合せ装置、基板貼り合せ方法、積層半導体装置製造方法及び積層半導体装置
JP5585689B2 (ja) 基板ホルダおよび貼り合せ装置
JP5614081B2 (ja) 基板位置合わせ装置、基板位置合わせ方法、基板貼り合わせ装置、積層半導体装置製造方法及び積層半導体装置
JP5549335B2 (ja) 基板観察装置およびデバイスの製造方法
JP5454252B2 (ja) 基板貼り合せ装置、基板貼り合せ方法、積層半導体装置製造方法及び積層半導体装置
JP2010093203A (ja) 基準マーク移動装置及び基板アライメント装置
JP2011170297A (ja) 顕微鏡、基板貼り合せ装置、積層半導体装置製造方法及び積層半導体装置
JP5971367B2 (ja) 基板重ね合わせ装置および基板重ね合わせ方法

Legal Events

Date Code Title Description
A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20140609

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140617