JP2013251473A - 電力用半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板の他方の面となるヒートスプレッダ4の放熱面4frに、熱伝導性グリース9を介して伝熱接合された冷却器6と、基板および冷却器6の外縁部に配置され、冷却器6と基板との間隔Gfを維持するように締め付ける締め付け機構7と、熱伝導性グリース9を保持するために、冷却器6と基板との間における締め付け機構よりも内側の所定範囲内に閉鎖空間を形成するグリース保持機構8と、を備え、グリース保持機構は、締め付け機構による締め付けが完了する前には閉鎖空間の内と外とを連通する連通孔を形成するとともに、締め付けが完了したときには連通孔が塞がるように構成した。
【選択図】図1
Description
図1〜図3は、本発明の実施の形態1にかかる電力用半導体装置の構成を説明するためのもので、図1は電力用半導体装置の断面図、図2はグリース保持機構を構成する部材を説明するためのもので、図2(a)はヒートスプレッダの平面図、図2(b)はパッキンの平面図、図2(c)は図2(b)の視点cから見たときの部分側面図である。また、図3は、グリース保持機構の構成を説明するために、組立工程におけるパッキンおよびパッキンを設置するための溝近傍部分の状態を示したもので、図3(a)は冷却器を取り付ける際の締め込み前の状態の部分断面図、図3(b)は締め付け(取付)を完了したときの部分断面図である。なお、図1は図2(a)におけるA−A線の位置に対応する部分の断面を示している。
図1に示すように、電力用半導体装置1は、スイッチング素子や整流素子といった電力を制御する電力用半導体素子2と、一方の面(回路面3fc)に電力用半導体素子2を含む電力回路が形成された回路基板3と、回路基板3の他方の面(裏面3fr)に接合されたヒートスプレッダ4と、ネジ7によって、ヒートスプレッダ4の放熱面4fr側に取り付けられた冷却器6とを備え、ヒートスプレッダ4と冷却器6間には熱伝導性グリース9が充填されている。そして、本発明の実施の形態にかかる電力用半導体装置1の最大の特徴は、熱伝導性グリース9を所定領域内に保持するグリース保持機構の構成にある。
冷却器6の取付面6fcとヒートスプレッダ4の放熱面4fr間には、熱伝導性グリース9を介在させているので、冷却器6の取り付け工程において、ネジ7の締め付けに伴い、熱伝導性グリース9が取付面6fcの延在方向に広がり、場合によっては、気泡が発生することがある。この際、熱伝導性グリース9の広がりは上述したようにパッキン8によって止められるので、ネジ穴6bに侵入することはない。また、熱伝導性グリース9が広がる際に発生した気泡は、連通孔として機能する切欠8nを介して外部に排出することが可能である。
Δt=φO−Dg−Gf ・・・・(1)
2d<φO−Dg−Gf ・・・・(2)
本実施の形態2では、実施の形態1で示したパッキンに切欠きのような欠損部を設けるのではなく、パッキンが取り付けられる側に突起を設けることにより連通孔を形成するようにしたものである。図5および図6は、本発明の実施の形態2にかかる電力用半導体装置のグリース保持機構の構成を説明するためのものである。図5(a)〜(c)は、パッキンが取り付けられる側であるヒートスプレッダの放熱面と冷却器の取付面の構成を説明するためのもので、図5(a)はヒートスプレッダの放熱面側の平面図、図5(b)は図5(a)の視点bから見たときのヒートスプレッダの部分側面図、図5(c)は冷却器の取付面側の平面図である。そして、図6はパッキンの平面図である。図5および図6に記載していない他の構成部分については実施の形態1で説明したものと同様であるので説明を省略する。
冷却器6の溝6gにパッキン8を設置するとともに、溝6gよりも内側の領域に所定厚みの熱伝導性グリース9を塗布し、ヒートスプレッダ4の放熱面4frと取付面6fcとを位置を合わせて対向させる。そして、ネジ7により締め込みを行う。このとき、各突起4pがパッキン8に当たることになるので、ネジ7による締め付けの進行に伴い、パッキン8の突起4pが当たっている部分でわずかな変形が発生する。この変形により生じたパッキン8と突起4pの根元部分との隙間が熱伝導性グリース9を保持すべき領域と外部との連通孔となる。したがって、ネジ締めの進行にともない熱伝導性グリース9が面の延在方向に拡がる際に発生した気泡を連通孔を通じて外部に排出させることができる。一方、ネジ7による締め付けが完了した時点では、パッキン8の変形により、突起4pとパッキン8とが完全に密着するように設計することにより、熱伝導性グリース9を所定範囲内にとどめるグリース保持機構として機能する。
本実施の形態3では、実施の形態1においてパッキンに切欠を設ける代わりに、パッキンを周方向に分割した複数のパーツで構成するようにしたものである。図7はパッキンの平面図である。パッキン以外の構成部分については実施の形態1で説明したものと同様であるので説明を省略するとともに、一部説明等において符号等を援用する。
ヒートスプレッダ4の溝4gにパッキン8の各パーツ8p1〜8p4を設置するとともに、溝4gよりも内側の領域に所定厚みの熱伝導性グリース9を塗布し、ヒートスプレッダ4の放熱面4frと取付面6fcとを位置を合わせて対向させる。そして、ネジ7により締め込みを行う。ネジ7を締め付ける前には、パッキン8の周方向の不連続部である隙間8sは熱伝導性グリース9を保持すべき領域と外部との連通孔となる。したがって、ネジ締めの進行にともない熱伝導性グリース9が面の延在方向に拡がる際に発生した気泡を連通孔を通じて外部に排出させることができる。
2:電力用半導体素子、
3:回路基板(基板)、
4:ヒートスプレッダ(基板)、
4fr:放熱面、4g:溝(グリース保持機構)、
4h:穴(締め付け機構)、4p:突起(グリース保持機構)、
6:冷却器、
6b:ネジ穴(締め付け機構)、6fc:取付面、
6g:溝(グリース保持機構)
7:ネジ(締め付け機構)、
8:パッキン(グリース保持機構)、
8n:切欠、 8p:パーツ、 8s:隙間、
9:熱伝導性グリース。
Claims (8)
- 電力用半導体素子を含む電力回路が一方の面に形成された基板と、
前記基板の他方の面に、熱伝導性グリースを介して伝熱接合された冷却器と、
前記基板および前記冷却器の外縁部に配置され、前記冷却器と前記基板との間隔を維持するように締め付ける締め付け機構と、
前記熱伝導性グリースを保持するために、前記冷却器と前記基板との間における前記締め付け機構よりも内側の所定範囲内に閉鎖空間を形成するグリース保持機構と、を備え、
前記グリース保持機構は、前記締め付け機構による締め付けが完了する前には前記閉鎖空間の内と外とを連通する連通孔を形成するとともに、前記締め付けが完了したときには前記連通孔が塞がるように構成していることを特徴とする電力用半導体装置。 - 前記グリース保持機構は、前記所定範囲を囲むように配置されたパッキンを有し、
前記パッキンに内周側から外周側に向かって抜ける欠損部を設けることにより、前記連通孔が形成されるようにしたことを特徴とする請求項1に記載の電力用半導体装置。 - 前記欠損部は、前記パッキンの前記基板および前記冷却器の少なくともいずれかに接触する部分から所定深さに切欠いた切欠であることを特徴とする請求項2に記載の電力用半導体装置。
- 前記パッキンは、複数のパーツを前記所定範囲を囲むように周方向に並べたものであり、
前記欠損部は、前記周方向に並べたパーツ間の隙間であることを特徴とする請求項2に記載の電力用半導体装置。 - 前記グリース保持機構は、前記所定範囲を囲むように配置されたパッキンと、前記基板および前記冷却器のそれぞれの対向面の少なくともいずれかの対向面から突出して前記パッキンに対向する突起とを有し、
前記連通孔は、前記突起が前記パッキンを押圧した際に前記突起の根元と前記パッキンとの間に隙間が生じることによって形成されることを特徴とする請求項1に記載の電力用半導体装置。 - 前記グリース保持機構は、前記基板および前記冷却器の対向面の内の少なくともいずれかの対向面に設けられた前記パッキンを位置決めするための溝を有し、
前記連通孔は、前記締め付けが完了したときに前記パッキンと前記溝の側壁が密着することによって塞がることを特徴とする請求項2ないし5のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。 - 前記電力用半導体素子がワイドバンドギャップ半導体材料により形成されていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。
- 前記ワイドバンドギャップ半導体材料は、炭化ケイ素、窒化ガリウム系材料、およびダイヤモンドのうちのいずれかであることを特徴とする請求項7に記載の電力用半導体装置。
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2975639A1 (fr) * | 2014-07-18 | 2016-01-20 | Thales | Dispositif d'interface thermique avec joint microporeux capable d'empecher la migration de graisse thermique |
JP2017174879A (ja) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | 日本電気株式会社 | 放出体及び構造体 |
CN108695276A (zh) * | 2017-04-03 | 2018-10-23 | 富士电机株式会社 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
JP6486579B1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-03-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2019160881A (ja) * | 2018-03-08 | 2019-09-19 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
WO2019239997A1 (ja) * | 2018-06-13 | 2019-12-19 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置および電力用半導体装置の製造方法 |
CN111261597A (zh) * | 2018-11-29 | 2020-06-09 | 株式会社Vctech | 具有高耐压绝缘结构的半导体元件封装件 |
JP2021051905A (ja) * | 2019-09-25 | 2021-04-01 | 富士高分子工業株式会社 | シーリング材用熱伝導シート及びこれを組み込んだ発熱性電気・電子部品 |
CN113539997A (zh) * | 2020-04-13 | 2021-10-22 | 建准电机工业股份有限公司 | 具有均温散热结构的芯片装置 |
JP2022018033A (ja) * | 2020-07-14 | 2022-01-26 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュール、電力変換装置及び半導体モジュールの製造方法 |
JP7327579B1 (ja) | 2022-05-30 | 2023-08-16 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及び電力変換装置 |
WO2024009617A1 (ja) * | 2022-07-04 | 2024-01-11 | 日立Astemo株式会社 | 電気回路体および電力変換装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000513148A (ja) * | 1996-06-24 | 2000-10-03 | インテル・コーポレーション | サーマル・グリースの挿入および保持 |
JP2003168772A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Denso Corp | パワーモジュールの実装構造 |
-
2012
- 2012-06-04 JP JP2012126711A patent/JP5875467B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000513148A (ja) * | 1996-06-24 | 2000-10-03 | インテル・コーポレーション | サーマル・グリースの挿入および保持 |
JP2003168772A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Denso Corp | パワーモジュールの実装構造 |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3023975A1 (fr) * | 2014-07-18 | 2016-01-22 | Thales Sa | Dispositif d'interface thermique avec joint microporeux capable d'empecher la migration de graisse thermique |
EP2975639A1 (fr) * | 2014-07-18 | 2016-01-20 | Thales | Dispositif d'interface thermique avec joint microporeux capable d'empecher la migration de graisse thermique |
JP2017174879A (ja) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | 日本電気株式会社 | 放出体及び構造体 |
CN108695276A (zh) * | 2017-04-03 | 2018-10-23 | 富士电机株式会社 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
JP2018181893A (ja) * | 2017-04-03 | 2018-11-15 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP7172065B2 (ja) | 2018-03-08 | 2022-11-16 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2019160881A (ja) * | 2018-03-08 | 2019-09-19 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP6486579B1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-03-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
WO2019187125A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP7019809B2 (ja) | 2018-06-13 | 2022-02-15 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
WO2019239997A1 (ja) * | 2018-06-13 | 2019-12-19 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置および電力用半導体装置の製造方法 |
JPWO2019239997A1 (ja) * | 2018-06-13 | 2020-12-17 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置および電力用半導体装置の製造方法 |
CN111261597B (zh) * | 2018-11-29 | 2023-10-31 | 株式会社Vctech | 具有高耐压绝缘结构的半导体元件封装件 |
CN111261597A (zh) * | 2018-11-29 | 2020-06-09 | 株式会社Vctech | 具有高耐压绝缘结构的半导体元件封装件 |
JP2021051905A (ja) * | 2019-09-25 | 2021-04-01 | 富士高分子工業株式会社 | シーリング材用熱伝導シート及びこれを組み込んだ発熱性電気・電子部品 |
CN113539997A (zh) * | 2020-04-13 | 2021-10-22 | 建准电机工业股份有限公司 | 具有均温散热结构的芯片装置 |
JP2022018033A (ja) * | 2020-07-14 | 2022-01-26 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュール、電力変換装置及び半導体モジュールの製造方法 |
US12029017B2 (en) | 2020-07-14 | 2024-07-02 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor module, power conversion device, and manufacturing method of semiconductor module |
JP7327579B1 (ja) | 2022-05-30 | 2023-08-16 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及び電力変換装置 |
WO2023233869A1 (ja) * | 2022-05-30 | 2023-12-07 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及び電力変換装置 |
JP2023175274A (ja) * | 2022-05-30 | 2023-12-12 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及び電力変換装置 |
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