JP2013181049A - フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 a)軟化点100℃以下で、エポキシ当量140以上のエポキシ樹脂又は水酸基当量140以上のフェノール樹脂を20質量%以上含む熱硬化性樹脂100質量部、
b)架橋性官能基を5〜15%有し、Mw10万〜40万、Tg−50〜50℃の高分子量成分1、
または架橋性官能基をモノマー比率で1〜7%有し、Mw50万〜80万、Tg−50〜50℃の高分子量成分2と、前記高分子量成分1を50質量%以上との混合物を30〜100質量部、
c)平均粒径0.4μm以上のフィラー1と平均粒径が0.4μm未満のフィラー2とを含み、粒径0.4μm以上の粒子が30体積%以上の無機フィラー10〜60質量部、及び
d)硬化促進剤0〜0.07質量部
を含有するフィルム状接着剤。
【選択図】なし
Description
一方、上記特許文献2の接着フィルムなどは、弾性率が低いため封止工程で空隙を消失させることができるものの、粘度が高いため、そもそも圧着時にワイヤを埋め込むことができない。
(1) (a)軟化点が100℃以下であるか又は100℃以下で液状となり、エポキシ当量が140以上のエポキシ樹脂または水酸基当量が140以上であるフェノール樹脂を20質量%以上含む熱硬化性樹脂を100質量部、
(b)架橋性官能基をモノマー比率で5〜15%有し、重量平均分子量が10万〜40万でTgが−50〜50℃である第1の高分子量成分、
または前記第1の高分子量成分と、架橋性官能基をモノマー比率で1〜7%有し、重量平均分子量が50万〜80万でTgが−50〜50℃である第2の高分子量成分との混合物であって前記第1の高分子量成分が50質量%以上である混合高分子量成分
のいずれか一方を30〜100質量部、
(c)平均粒径が0.4μm以上の第1のフィラーと平均粒径が0.4μm未満の第2のフィラーとを含み、粒径が0.4μm以上の粒子が30体積%以上を占める無機フィラーを10〜60質量部、及び
(d)硬化促進剤を0〜0.07質量部
を含有することを特徴とするフィルム状接着剤。
150℃で1時間加熱した後の180℃での引っ張り弾性率が20MPa以下、25℃での接着剤破断伸び率が350%以下、破断強度が6.0MPa以下となる前記(1)に記載のフィルム状接着剤。
(3) 半導体チップ表面に形成された窒化ケイ素の薄膜への接着力がフィルム状接着剤硬化後で1.0MPa以上である前記(1)または(2)に記載のフィルム状接着剤。
切断又は伸張により、フィルム状接着剤付き半導体チップを得る分断工程と、
前記フィルム状接着剤付き半導体チップを、段差を有する基板の上面又は基板上にワイヤボンディングされた別の半導体チップの上面に圧着して前記フィルム状接着剤内に段差又はワイヤによる凹凸を埋め込むダイボンド工程と、
封止材で封止する工程とを含む半導体装置の製造方法。
前記封止の条件は170〜180℃/6.0〜10.0MPa/90秒である前記(6)記載の半導体装置の製造方法。
(b)架橋性官能基をモノマー比率で5〜15%有し、重量平均分子量が10万〜40万でTgが−50〜50℃である第一の高分子量成分単体、または架橋性官能基をモノマー比率で1〜7%有し、重量平均分子量が50万〜80万でTgが−50〜50℃である第二の高分子量成分と第一の高分子量成分とのブレンドにより得られる高分子量成分で、第一の高分子量成分の割合が50質量%以上であることを特徴する高分子量成分のいずれか一方を30〜100質量部、
(c)平均粒径が0.4μm以上の第1のフィラーと平均粒径が0.4μm未満の第2のフィラーからなり、粒径が0.4μm以上の粒子が30体積%以上を占めることを特徴とする無機フィラーを10〜60質量部、
(d)硬化促進剤を0〜0.07質量部含有する接着剤組成物をフィルム状に成形することにより作製することができる。
上記接着剤組成物は、十分な接着性を得るという観点から、(e)カップリング剤等の添加剤を更に含んでいてもよい。
また、接着力は、後述のダイシェア強度を測定することで得られる。
(a)熱硬化性成分:
(a)熱硬化性成分としては、熱硬化性樹脂が好ましく、半導体素子を実装する場合に要求される耐熱性及び耐湿性を有するエポキシ樹脂及びフェノール樹脂等が好ましい。
また、一般式(4)で表されるフェノール樹脂として代表的なものに、エア・ウォーター(株)製のHEシリーズ(例えば、HE200C−10)等がある。
配合比が上記範囲を超えると、作製したフィルム状接着剤が硬化性に劣る、または未硬化フィルム状接着剤の粘度が高く、流動性に劣る可能性がある。
(b)高分子量成分としては、架橋性官能基比率が高く分子量が低い高分子成分と、架橋性官能基比率が低く分子量が高い高分子成分との併用が好ましく、併用のうち前者の高分子成分が一定量以上含まれることが好ましい。
すなわち、架橋性官能基をモノマー比率で5〜15%含有し、Tg(ガラス転移温度)が−50℃〜50℃で、重量平均分子量が10万〜40万である第一の高分子量成分と、
架橋性官能基をモノマー比率で1〜7%含有し、Tg(ガラス転移温度)が−50℃〜50℃で、重量平均分子量が50万〜80万である第二の高分子量成分とからなり、第一の高分子量成分の割合が50質量%以上であることが好ましい。
本発明においては、第一及び第二の高分子量成分共にアクリル系樹脂が好ましく、更に、Tg(ガラス転移温度)が−50℃〜50℃で、グリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレート等のエポキシ基またはグリシジル基を架橋性官能基として有する官能性モノマーを重合して得たエポキシ基含有(メタ)アクリル共重合体等のアクリル系樹脂がより好ましい。
ガラス転移温度は、DSC(熱示差走査熱量計)(例えば、(株)リガク製「Thermo Plus 2」)を用いて測定したものをいう。
(c)無機フィラーとしては、Bステージ状態におけるフィルム状接着剤のダイシング性の向上、フィルム状接着剤の取扱い性の向上、熱伝導性の向上、溶融粘度の調整、チクソトロピック性の付与、接着力の向上等の観点から、シリカフィラーを配合することが好ましい。
(d)硬化促進剤としては、反応性の観点からイミダゾール系の化合物が好ましい。
反応性が高すぎる硬化促進剤は、半導体装置の製造工程中で、特にワイヤボンディング工程の熱履歴で、フィルム状接着剤の急激な硬化を引き起こし、150℃/1時間加熱後の引っ張り弾性率が高くなる傾向にある。一方、反応性が低すぎる硬化促進剤は、半導体装置の製造工程内の熱履歴ではフィルム状接着剤が完全には硬化することが困難となり、未硬化のまま製品内に搭載されることとなり、その後の素子不具合を誘発するおそれがある。
本実施形態の接着剤組成物は、上記(a)〜(d)の以外に、接着性向上の観点から、カップリング剤を含有することが好ましい。カップリング剤としては、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、3−(2−アミノエチル)アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
フィルム状接着剤は、上述した接着剤組成物のワニスから作製することができる。
具体的には、まず、上記エポキシ樹脂及び上記フェノール樹脂を含む(a)熱硬化性樹脂、上記(b)高分子量成分、上記(c)無機フィラー、上記(d)硬化促進剤、必要に応じて上記カップリング剤等の他の添加成分を、有機溶媒中で混合、混練してワニスを調製する。
フィルム状接着剤の膜厚は、半導体素子接続用のワイヤや、基板の配線回路等の凹凸を十分に充填可能とするため、5〜200μmであることが好ましい。膜厚が5μmより薄いと、接着力が乏しくなる傾向があり、200μmより厚いと、経済的でなくなる上に、半導体装置の小型化の要求に応えることが困難となる。なお、接着性が高く、また、半導体装置を薄型化できる点で、フィルム状接着剤の膜厚は10〜100μmがより好ましく、20〜75μmが更により好ましい。
図1の(a)は、本発明に係る接着シートの一実施形態を示す模式縦断面図である。
図1に示す接着シート100は、基材フィルム2と、これの一方面上に設けられた本発明のフィルム状接着剤1とから構成される。
(d)に示す接着シート130は、(c)に示す接着シートのフィルム状接着剤1の表面に基材フィルム2が設けられている。
また、粘着剤層6は、例えば、液状成分及び高分子量成分を含み適度なタック強度を有する樹脂組成物が挙げられる。粘着剤層6を基材フィルム7上に塗布し乾燥する、または、PETフィルム等の基材フィルムに塗布・乾燥させた粘着剤層を基材フィルム7と貼り合せることでダイシングテープは形成可能である。タック強度は、例えば、液状成分の比率、高分子量成分のTgを調整することにより、所望の値に設定される。
本発明のフィルム状接着剤及び接着シートは、好ましくは半導体装置の製造に用いられる。より好ましくはウェハに、接着シート及びダイシングテープまたは、ダイシング・ダイボンディング一体型接着シートを貼り合わせる工程、その後、回転刃、レーザーあるいは伸張による分断で接着剤付きチップを得る工程、当該接着剤付きチップを、ワイヤで接続された半導体素子または段差を有する基板に圧着し、ワイヤや段差による凹凸を充てんして接着剤内に埋め込むダイボンド工程、封止材により封止する工程を含む半導体装置の製造に用いられる。なお、ウェハをダイシングし、研削によりウェハを薄型化して小片化チップを得た後、接着シートと貼り合わせてもよい。
本発明の半導体装置の製造において、ダイボンド工程と封止工程との間、例えばワイヤボンディング工程における熱履歴が150℃/1時間以下であることが好ましい。また、前記貼り合わせは0℃〜90℃が好ましい。
圧着時間は、0.5〜2.0秒が好ましい。
(a)に示す半導体装置200において、一段目の半導体素子9aは本発明のフィルム状接着剤の硬化物1a(接着部材)により、端子13が形成された半導体素子搭載用支持部材10に接着され、一段目の半導体素子9aの上に更に本発明のフィルム状接着剤の硬化物1a(接着部材)により二段目の半導体素子9bが接着されている。一段目の半導体素子9a及び二段目の半導体素子9bの接続端子(図示せず)は、ワイヤ11を介して外部接続端子と電気的に接続され、封止材12によって封止されている。このように、本発明のフィルム状接着剤は、半導体素子を複数重ねる構造の半導体装置にも好適に使用できる。
(b)に示す半導体装置210において、半導体素子9は本発明のフィルム状接着剤の硬化物1a(接着部材)により半導体素子搭載用支持部材10に接着され、半導体素子9の接続端子(図示せず)はワイヤ11を介して外部接続端子(図示せず)と電気的に接続され、封止材12によって封止されている。
(実施例1〜5及び比較例1〜2)
表1または表2に示す品名及び組成比(単位:質量部)の(a)熱硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂及びフェノール樹脂、(c)無機フィラーからなる組成物にシクロヘキサノンを加え、撹拌混合した。これに、表1または表2に同様に示す、(b)高分子量成分としてのアクリルゴムを加えて撹拌し、更に表1または表2に同様に示すカップリング剤及び(d)硬化促進剤を加えて各成分が均一になるまで撹拌してワニスを得た。
R710:(商品名、(株)プリンテック製、ビスフェノール型エポキシ樹脂、エポキシ当量170、常温で液状、重量分子量約340)。なお、上記一般式(2)で表されるエポキシ樹脂である。
YDCN−700−10:(商品名、東都化成(株)製、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量210、軟化点75〜85℃)。
ミレックスXLC−LL:(商品名、三井化学(株)製、フェノール樹脂、水酸基当量175、軟化点77℃、吸水率1質量%、加熱質量減少率4質量%)。なお、上記一般式(3)中、R5が水素原子で、n=3であるフェノール樹脂である。
HE200C−10:(商品名、エア・ウォーター(株)製、フェノール樹脂、水酸基当量200、軟化点65〜76℃、吸水率1質量%、加熱質量減少率4質量%)。なお、上記一般式(4)で表されるフェノール樹脂である。
HE910−10:(商品名、エア・ウォーター(株)製、フェノール樹脂、水酸基当量101、軟化点83℃、吸水率1質量%、加熱質量減少率3質量%)。下記、一般式(5)で表されるフェノール樹脂である。一般式(5)中、m、nはそれぞれ0〜20である。好ましくはm、nは1〜5である。
SC2050−HLG:(商品名、アドマテックス(株)製、シリカフィラー分散液、平均粒径0.50μm)。
SC1030−HJA:(商品名、アドマテックス(株)製、シリカフィラー分散液、平均粒径0.25μm)。
アエロジルR972:(商品名、日本アエロジル(株)製、シリカ、平均粒径0.016μm)。
アクリルゴムHTR−860P−30B−CHN:(サンプル名、帝国化学産業(株)製、重量平均分子量23万、グリシジル官能基モノマー比率8%、Tg:−7℃)。
アクリルゴムHTR−860P:(サンプル名、帝国化学産業(株)製、重量平均分子量80万、グリシジル官能基モノマー比率3%、Tg:−7℃)。
NUC A−1160:(商品名、GE東芝(株)製、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン)。
NUC A−189:(商品名、GE東芝(株)製、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン)。
キュアゾール2PZ−CN:(商品名、四国化成工業(株)製、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール)。
得られた接着シートのフィルム状接着剤について、25℃での伸び率・破断強度、極薄ウェハ貼り付け品での分断性、80℃でのずり粘度、ワイヤ埋込性、150℃/1時間熱処理後の引っ張り弾性率、モールド埋込性、接着強度の測定、並びに、耐リフロー性の評価を行った。
フィルム状接着剤の伸び率・破断強度は下記の方法により評価した。
厚みが60μmの上記接着シートを幅10mm、長さ50mmの短冊状に切り出し、カバーフィルムと基材フィルムを剥離除去した。これを引張圧着試験機(製品名:SL−2001、(株)今田製作所製)にチャック間距離が20mmとなるようにしてセットし、25℃で50mm/分の引張速度で引っ張り試験を行った。フィルム状接着剤が破断した時の引張強度を破断強度とした。また、伸び率は、破断するまでのフィルム状接着剤の伸び量をチャック間距離20mmで割ることにより算出した。測定は4サンプル実施し、その平均値を測定値として記録した。
極薄ウェハ貼り付け品での分断性を下記の方法により評価した。
625μm厚みの半導体ウェハ(12インチ)を10mm角サイズでハーフカットし、ウェハ表面にBGテープを貼り付けた後、ウェハ裏面を研磨することで50μmまで厚みを薄くした。こウェハ裏面に上記で得られた接着シートのフィルム状接着剤(厚み60μm)を70℃で貼り付けた。当該ウェハ貼り付け品を0℃、突き上げ速度200mm/秒、突き上げ量6mmの条件下、エキスパンド分断装置(製品名:DDS2300、Disco社製)にて処理し、フィルム状接着剤の分断を試みた。ウェハ3枚を評価し、フィルム状接着剤が問題なく分断されている場合に分断性が良好として「○」とし、良好に分断されていない部分が5%を超える場合は「×」とした。
フィルム状接着剤の80℃でのずり粘度は下記の方法により評価した。
上記接着シート3枚から、基材フィルムを剥離除去した後、3枚のフィルム状接着剤を70℃で3枚貼り合わせて厚み180μmの積層体を得た。次いで、その積層体を、厚み方向に10mm角に打ち抜き、10mm角、厚み180μmの四角形の積層体を得た。動的粘弾性装置ARES(レオメトリック・サイエンティフィック社製)に直径8mmの円形アルミプレート治具をセットし、更にここに打ち抜いたフィルム状接着剤の積層体をセットした。その後、35℃で5%の歪みを与えながら5℃/分の昇温速度で昇温させながら測定し、80℃のずり粘度の値を測定値として記録した。
フィルム状接着剤のワイヤ埋込性を下記の方法により評価した。
上記で得られた接着シートのフィルム状接着剤(厚み60μm)を、厚み50μmの半導体ウェハ(8インチ)に70℃で貼り付けた。次に、それらを7.5mm角にダイシングしてチップを得た。
(b)に示すサンプル310は、評価用基板300に、個片化したチップ(二段目の半導体素子9b+フィルム状接着剤1(硬化前))を圧着したものである。
フィルム状接着剤の150℃/1時間加熱後の引っ張り弾性率は下記の方法により評価した。
上記接着シート2枚から、基材フィルムを剥離除去した後、2枚のフィルム状接着剤を70℃で2枚貼り合わせて厚み120μmの積層体を得た。次いで、その積層体を、厚み方向に4mm幅、長さ30mmに切り出し、150℃のオーブンで1時間加熱した。得られたサンプルを動的粘弾性装置(製品名:Rheogel−E4000、(株)UMB製)にセットし、引張り荷重をかけて、周波数10Hz、昇温速度3℃/分で測定し、180℃での測定値を150℃/1時間加熱後の引っ張り弾性率として記録した。
フィルム状接着剤のモールド埋込性を下記の方法により評価した。
上記[ワイヤ埋込性の評価]で得たサンプルと同様に、上記で得られた接着シートのフィルム状接着剤60μmを厚み50μmの半導体ウェハに70℃で貼り付けた。次に、それらを7.5mm角にダイシングしてチップを得た。個片化したチップの接着剤を、図3(a)に記載の評価用基板300に120℃、0.10MPa、1秒間の条件で圧着してサンプル310(図3(b))を得た。
○:ボイドの割合が15%未満。
×:ボイドの割合が15%以上。
フィルム状接着剤のダイシェア強度(接着強度)を下記の方法により測定した。
まず、上記で得られた接着シートのフィルム状接着剤60μmを厚み400μmの半導体ウェハに70℃で貼り付けた。次に、それらを5.0mm角にダイシングしてチップを得た。個片化したチップのフィルム状接着剤側を窒化ケイ素で表面処理した厚み625μmの半導体チップ上に120℃、0.1MPa、5秒間の条件で熱圧着してサンプルを得た。その後、得られたサンプルの接着剤を125℃で1時間、150℃で1時間、170℃で3時間の順のステップキュアにより硬化した。更に、接着剤硬化後のサンプルを85℃、60RH%条件の下、168時間放置した。その後、サンプルを25℃、50%RH条件下で30分間放置し、250℃でダイシェア強度を測定し、これを接着強度とした。
フィルム状接着剤の耐リフロー性を下記の方法により評価した。
上記[ワイヤ埋込性の評価]で得たサンプルと同様に、上記で得られた接着シートのフィルム状接着剤60μmを厚み50μmの半導体ウェハに70℃で貼り付けた。次に、それらを7.5mm角にダイシングしてチップを得た。個片化したチップの接着剤を、図3(a)に記載の評価用基板300に120℃、0.10MPa、1秒間の条件で圧着してサンプル310(図3(b))を得た。
120、130 ダイシング・ダイボンディング一体型接着シート
200、210 半導体装置
300 評価用基板
310 サンプル
1 本発明のフィルム状接着剤
1a 本発明のフィルム状接着剤の硬化物
1b 従来のフィルム状接着剤の硬化物
2 基材フィルム
3 カバーフィルム
6 粘着剤層
7 基材フィルム
9、9a、9b 半導体素子
10 半導体素子搭載用支持部材
11 ワイヤ
12 封止材
13 端子
Claims (7)
- (a)軟化点が100℃以下であるか又は100℃以下で液状となり、エポキシ当量が140以上のエポキシ樹脂または水酸基当量が140以上であるフェノール樹脂を20質量%以上含む熱硬化性樹脂を100質量部、
(b)架橋性官能基をモノマー比率で5〜15%有し、重量平均分子量が10万〜40万でTgが−50〜50℃である第1の高分子量成分、
または前記第1の高分子量成分と、架橋性官能基をモノマー比率で1〜7%有し、重量平均分子量が50万〜80万でTgが−50〜50℃である第2の高分子量成分との混合物であって前記第1の高分子量成分が50質量%以上である混合高分子量成分
のいずれか一方を30〜100質量部、
(c)平均粒径が0.4μm以上の第1のフィラーと平均粒径が0.4μm未満の第2のフィラーとを含み、粒径が0.4μm以上の粒子が30体積%以上を占める無機フィラーを10〜60質量部、及び
(d)硬化促進剤を0〜0.07質量部
を含有することを特徴とするフィルム状接着剤。 - 硬化前の80℃でのずり粘度が200〜11000Pa・s以下で、
150℃で1時間加熱した後の180℃での引っ張り弾性率が20MPa以下、25℃での接着剤破断伸び率が350%以下、破断強度が6.0MPa以下となる請求項1に記載のフィルム状接着剤。 - 半導体チップ表面に形成された窒化ケイ素の薄膜への接着力がフィルム状接着剤硬化後で1.0MPa以上である請求項1または2に記載のフィルム状接着剤。
- 基材フィルムと、該基材フィルムの片面に積層した請求項1〜3のいずれか一項に記載のフィルム状接着剤とを有する接着シート。
- 半導体チップが、請求項1〜3のいずれか一項に記載のフィルム状接着剤を介して、段差を有する基板またはワイヤボンディングされた別の半導体チップ上に積層され、段差またはワイヤによる凹凸はフィルム状接着剤内に埋め込まれ、さらに少なくとも半導体チップ及びワイヤは封止材で封止されている半導体装置。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載のフィルム状接着剤の片面又は請求項4に記載の接着シートにおけるフィルム状接着剤の露出面と、半導体ウエハ又は半導体チップの底面とを貼り合わせるラミネート工程と、
切断又は伸張により、フィルム状接着剤付き半導体チップを得る分断工程と、
前記フィルム状接着剤付き半導体チップを、段差を有する基板の上面又は基板上にワイヤボンディングされた別の半導体チップの上面に圧着して前記フィルム状接着剤内に段差又はワイヤによる凹凸を埋め込むダイボンド工程と、
封止材で封止する工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 前記ダイボンド工程において、圧着の条件は80〜180℃、0.01〜0.50MPa、0.5〜2.0秒であり、
前記封止の条件は170〜180℃/6.0〜10.0MPa/90秒である請求項6記載の半導体装置の製造方法。
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