TWI757269B - 膜狀接著劑複合片及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

膜狀接著劑複合片及半導體裝置的製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明係一種膜狀接著劑複合片，係於具有基材之支持片上設置有厚度1μm至50μm的硬化性的膜狀接著劑；將硬化前的前述膜狀接著劑對於半導體晶圓之接著力設為接著力A(N/24mm)、將硬化前的該膜狀接著劑以合計厚度成為200μm之方式積層而成之積層體的斷裂伸長率設為斷裂伸長率B(%)、將該積層體的斷裂強度設為斷裂強度C(MPa)時，滿足下述式(1)之關係。
A/(B×C)≧0.0005‧‧‧‧(1)

Description

膜狀接著劑複合片及半導體裝置的製造方法
本發明係關於一種膜狀接著劑複合片及半導體裝置的製造方法。
本申請案主張基於2016年2月23日在日本提出申請之日本特願2016-031641號的優先權，並將該申請案的內容引用至本文中。
半導體裝置的製造步驟中，有時使用貼附有膜狀接著劑之半導體晶片，前述膜狀接著劑用於晶片接合(die bonding)。作為獲得此種附有膜狀接著劑之半導體晶片之方法之一，有如下方法：於複數個半導體晶片貼附膜狀接著劑後，將該膜狀接著劑於與半導體晶片之配置位置對應之位置切斷，前述複數個半導體晶片係藉由對半導體晶圓進行切割而預先已分割完畢。該方法中，通常使用於支持片上設置有膜狀接著劑之膜狀接著劑複合片，將該1片膜狀接著劑貼附於複數個半導體晶片。半導體晶片例如藉由下述方式製作：於半導體晶圓的表面形成溝槽後，對背面 側進行研削直至到達該溝槽；但該方式為一例，半導體晶片亦可利用其他方法製作。將貼附有切斷後的膜狀接著劑之半導體晶片，連同膜狀接著劑一起自支持片拉離(拾取)，用於晶片接合。
上述方法中，作為將膜狀接著劑切斷之方法，例如已知有如下方法：對膜狀接著劑照射雷射而切斷；或者藉由對膜狀接著劑進行延伸而切斷。但是，照射雷射之方法中，存在如下問題：需要雷射照射裝置，並且無法短時間且高效率地切斷。另外，進行延伸之方法中，存在如下問題：需要延伸裝置，並且有時切斷面粗糙。再者，由於延伸中僅於與膜狀接著劑同一面之方向施加力，故而有可能膜狀接著劑並未被切斷而僅與支持片一起延伸。因此，有時將膜狀接著劑冷卻，使該膜狀接著劑容易切斷而進行延伸，但該情形時，需要冷卻步驟而生產性差。
作為可解決這些問題之方法，揭示有如下方法：使用特定的厚度及拉伸斷裂伸長率的膜狀接著劑，在即將拾取半導體晶片前之階段，將半導體晶片連同該未切斷之膜狀接著劑一起，沿拾取方向上拉，利用此時所產生之剪切力，將膜狀接著劑切斷(參照專利文獻1)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2013-179317號公報。
但是，專利文獻1中所揭示之方法中，不確定能否抑制產生步驟異常而將貼附有切斷後的膜狀接著劑之半導體晶片自支持片拾取。
本發明係鑒於上述情況而完成，課題在於提供一種於支持片上設置有膜狀接著劑之膜狀接著劑複合片及使用該複合片之半導體裝置的製造方法，前述膜狀接著劑複合片於製造半導體裝置時能夠利用經簡化之方法抑制產生步驟異常而將貼附有膜狀接著劑之半導體晶片自支持片拉離。
為了解決上述課題，本發明提供一種膜狀接著劑複合片，係於具有基材之支持片上設置有厚度1μm至50μm的硬化性的膜狀接著劑，且硬化前的前述膜狀接著劑對於半導體晶圓之接著力A(N/24mm)、硬化前的前述膜狀接著劑以合計厚度成為200μm之方式積層而成之積層體的斷裂伸長率B(%)、及前述積層體的斷裂強度C(MPa)滿足下述式(1)之關係。
A/(B×C)≧0.0005‧‧‧‧(1)
本發明之膜狀接著劑複合片中，較佳為前述斷裂伸長率B為500%以下。
本發明之膜狀接著劑複合片中，較佳為前述支持片由前述基材所構成，且於前述基材直接接觸地設置有前述膜狀接著劑。
另外，本發明提供一種半導體裝置的製造方法，係用以製造使用了前述膜狀接著劑複合片的半導體裝置；該半導體裝置的製造方法係包含有以下步驟：將前述膜狀接著劑複合片經由膜狀接著劑貼附於已分割完畢之複數個半導體晶片之步驟；針對貼附於前述半導體晶片之前述膜狀接著劑複合片中的支持片，自設置有膜狀接著劑之側的相反側施加力，藉此隔著支持片對膜狀接著劑施加力，將膜狀接著劑切斷之步驟；以及將前述半導體晶片與貼附於前述半導體晶片之切斷後的前述膜狀接著劑自前述支持片拉離。
亦即，本發明包含以下態樣。
[1]一種膜狀接著劑複合片，係於具有基材之支持片上設置有厚度1μm至50μm的硬化性的膜狀接著劑；將硬化前的前述膜狀接著劑對於半導體晶圓之接著力設為接著力A(N/24mm)、將硬化前的前述膜狀接著劑以合計厚度成為200μm之方式積層而成之積層體的斷裂伸長率設為斷裂伸長率B(%)、將前述積層體的斷裂強度設為斷裂強度 C(MPa)時，滿足下述式(1)之關係。
A/(B×C)≧0.0005‧‧‧‧(1)
[2]如[1]所記載之膜狀接著劑複合片，其中前述斷裂伸長率B為500%以下。
[3]如[1]或[2]所記載之膜狀接著劑複合片，其中前述支持片由前述基材所構成，且於前述基材直接接觸地設置有前述膜狀接著劑。
[4]一種半導體裝置的製造方法，包含有以下步驟：將如[1]至[3]中任一項所記載之膜狀接著劑複合片，經由前述膜狀接著劑貼附於已分割完畢之複數個半導體晶片之步驟；針對貼附於前述半導體晶片之前述膜狀接著劑複合片中的支持片，自設置有前述膜狀接著劑之側的相反側施加力，藉此隔著前述支持片對前述膜狀接著劑施加力，將前述膜狀接著劑切斷之步驟；以及將前述半導體晶片與貼附於前述半導體晶片之切斷後的前述膜狀接著劑自前述支持片拉離之步驟。
根據本發明，提供一種於支持片上設置有膜狀接著劑之膜狀接著劑複合片及使用該複合片之半導體裝置的製造方法，前述膜狀接著劑複合片於製造半導體裝置時能夠利用經簡化之方法抑制產生步驟異常而將貼附有膜狀接著劑之半導體晶片自支持片拉離。
1、7‧‧‧膜狀接著劑複合片
9‧‧‧半導體晶片
9b‧‧‧半導體晶片的背面
11、71‧‧‧支持片
11a‧‧‧支持片的表面
11b‧‧‧支持片的背面
12、72‧‧‧膜狀接著劑
81‧‧‧頂出部
82‧‧‧提拉部
121‧‧‧第1區域
122‧‧‧第2區域
811‧‧‧突起
812‧‧‧滑塊
812a‧‧‧滑塊的表面
圖1係以示意方式表示本發明之半導體裝置的製造方法中，膜狀接著劑之切斷至半導體晶片自支持片之拉離為止的一實施形態之剖視圖。
圖2係用於以示意方式說明本發明之半導體裝置的製造方法中，對膜狀接著劑施加力而將該膜狀接著劑切斷的另一實施形態之剖視圖。
圖3係以示意方式表示使用以往之膜狀接著劑複合片之情形時，半導體裝置的製造過程中之膜狀接著劑複合片及半導體晶片的一態樣之剖視圖。
圖4係以示意方式表示使用以往之膜狀接著劑複合片之情形時，半導體裝置的製造過程中之膜狀接著劑複合片及半導體晶片的另一態樣之剖視圖。
<<膜狀接著劑複合片>>
本發明之膜狀接著劑複合片係於具有基材之支持片上設置有厚度1μm至50μm的硬化性的膜狀接著劑，且將硬化前的前述膜狀接著劑對於半導體晶圓之接著力設為接著力A(N/24mm)、將硬化前的前述膜狀接著劑以合計厚度成為200μm之方式積層而成之積層體的斷裂伸長率設為斷裂伸長率B(%)、將前述積層體的斷裂強度設為斷裂強度C(MPa)時，A、B、C滿足下述式(1)之關係。
A/(B×C)≧0.0005‧‧‧‧(1)
製造半導體裝置時，前述膜狀接著劑複合片係藉由膜狀接著劑貼附於半導體晶片的一面(主要為與電路面為相反側的背面)。後續步驟中，將半導體晶片於貼附有膜狀接著劑之狀態下自支持片拉離(拾取)。
此時，藉由使設置於前述膜狀接著劑複合片之膜狀接著劑滿足前述式(1)之關係，可抑制產生步驟異常而將貼附有膜狀接著劑之半導體晶片自支持片拉離。更具體而言，如下所述。
首先，利用本發明之膜狀接著劑複合片，進行隔著支持片對膜狀接著劑施加力這一通常操作，藉此即便不另行設置以膜狀接著劑之切斷為主要目的之步驟，亦可將膜狀接著劑於目標部位在常溫下切斷。因此，伴隨膜狀接著劑未被切斷而產生之半導體晶片的拉離(上拉)不良得到抑制。
另外，下述現象得到抑制：膜狀接著劑中與目標半導體晶片對應之部位自支持片剝離，並且膜狀接著劑中與目標外的半導體晶片對應之部位自支持片剝離之現象。因此，膜狀接著劑中目標部位未自支持片剝離所導致之半導體晶片的拉離(上拉)不良或以下所謂之雙晶粒黏連(double die)之產生得到抑制，該雙晶粒黏連係指不僅目標半導體晶片而是與該目標半導體晶片鄰接之半導體晶片亦同時與膜狀接著劑一起自支持片拉離。
如此，藉由使用前述膜狀接著劑複合片，可抑制半導體晶片產生拉離不良及雙晶粒黏連。再者，由於可省略如上所述之以膜狀接著劑之切斷為主要目的之步驟，例如對膜狀接著劑照射雷射而切斷之步驟，或者藉由對膜狀接著劑進行延伸而切斷之步驟等，故而可回避由進行這些步驟所帶來之問題，並且可於常溫下將膜狀接著劑切斷，亦可削減步驟數，從而可利用經簡化之方法製造半導體裝置。
相對於此，上述之「日本特開2013-179317號公報」(專利文獻1)中揭示有如下方法：在即將拾取半導體晶片前之階段，將半導體晶片與未切斷之膜狀接著劑一起沿拾取方向上拉，利用此時所產生之剪切力將膜狀接著劑切斷。但是，不確定該方法能否抑制產生步驟異常而將貼附有切斷後的膜狀接著劑之半導體晶片自支持片拾取。例如，不確定能否將半導體晶片於正常具備切斷後的膜狀接著劑之狀態下自支持片拉離。該文獻之實施例中，具體地揭示了於普通的切割片(具有基材及黏著劑層之支持片)設置膜狀接著劑而成之膜狀接著劑複合片，但並未揭示發揮上述本發明的功效。
<支持片>
前述支持片具有基材，可由基材所構成(僅具有基材)，亦可具有基材與基材以外的其他層。作為前述具有其他 層之支持片，例如可列舉於基材上具備黏著劑層之支持片。
後述之膜狀接著劑設置於支持片上。因此，例如於支持片為於基材上具備黏著劑層之支持片之情形時，於黏著劑層上設置膜狀接著劑且支持片由基材所構成時，於基材直接接觸地設置膜狀接著劑。
[基材]
前述基材的構成材料較佳為各種樹脂，具體而言，例如可列舉：聚乙烯(低密度聚乙烯(有時簡稱為LDPE)、直鏈低密度聚乙烯(有時簡稱為LLDPE)、高密度聚乙烯(有時簡稱為HDPE)等)、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、苯乙烯-乙烯丁烯-苯乙烯嵌段共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚胺基甲酸酯、聚丙烯酸胺基甲酸酯、聚醯亞胺、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、氟樹脂、這些任一樹脂的氫化物、改質物、交聯物或共聚物等。
再者，本說明書中，「(甲基)丙烯酸」的概念係包含有「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」兩者。關於與(甲基)丙烯酸類似之用語亦相同，例如，「(甲基)丙烯酸酯」的概念係包含有「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」兩者，「(甲基 )丙烯醯基」的概念係包含有「丙烯醯基」及「甲基丙烯醯基」兩者。
構成基材之樹脂可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些2種以上的組合及比率可任意選擇。
基材可由1層(單層)所構成，亦可由2層以上之複數層所構成。於基材由複數層所構成之情形時，這些複數層相互可相同亦可不同，只要無損本發明的功效，則這些複數層的組合並無特別限定。
再者，本說明書中，不限於基材之情形，所謂「複數層相互可相同亦可不同」意指「可全部層相同，亦可全部層皆不同，還可僅一部分層相同」；再者，所謂「複數層相互不同」意指「各層的構成材料及厚度的至少一者相互不同」。
基材的厚度可根據目的適宜選擇，較佳為50μm至300μm，更佳為60μm至100μm。
此處，所謂「基材的厚度」意指基材整體的厚度，例如所謂由複數層所構成之基材的厚度意指構成基材之全部層的合計厚度。
再者，本說明書中，所謂「厚度」意指於任意5個部位利用接觸式厚度計測定厚度且平均表示之值。
基材的表面亦可經實施以下處理以提高與設置於該基材上之黏著劑層等其他層之密接性：藉由噴砂處理、溶劑處理等實施之凹凸化處理；或者電暈放電處理、電子束照射處理、電漿處理、臭氧/紫外線照射處理、火焰處理、鉻酸處理、熱風處理等氧化處理等。
另外，基材的表面亦可經實施底塗(primer)處理。
另外，基材亦可具有抗靜電塗層、防止使膜狀接著劑複合片重疊保存時基材接著於其他片或基材接著於吸附台之層等。
這些之中，就抑制切割時因刀片摩擦而導致基材產生斷片之方面而言，尤佳為基材的表面經實施電子束照射處理。
[黏著劑層]
前述黏著劑層可適宜使用公知的黏著劑層。
黏著劑層可使用黏著劑組成物而形成，前述黏著劑組成物含有用以構成該黏著劑層之各種成分。關於黏著劑組成物中的常溫下不會氣化的成分彼此的含量比率，通常與黏著劑層中的前述成分彼此的含量比率相同。再者，本說明書中，所謂「常溫」意指不特別冷或特別熱的溫度，亦即平常的溫度，例如可列舉15℃至25℃之溫度等。
於前述黏著劑層含有能量線硬化性成分之情形時，照 射能量線而使前述黏著劑層的黏著性降低，藉此更容易拾取半導體晶片。對黏著劑層照射能量線而使黏著性降低之處理可在將膜狀接著劑複合片貼附於被接著體之後進行，亦可在貼附於被接著體之前預先進行。
本發明中，所謂「能量線」意指具有能量量子之電磁波或帶電粒子束，示例可列舉紫外線、電子束等。
紫外線例如可藉由使用高壓水銀燈、融合(fusion)H型燈或氙氣燈等作為紫外線源而進行照射。電子束可照射藉由電子束加速器等產生之電子束。
本發明中，所謂「能量線硬化性」意指藉由照射能量線而硬化之性質，所謂「非能量線硬化性」意指即便照射能量線亦不硬化之性質。
作為較佳的前述黏著劑組成物，例如可列舉：含有丙烯酸聚合物及能量線聚合性化合物之黏著劑組成物(黏著劑組成物(i))；含有丙烯酸聚合物及異氰酸酯系交聯劑之黏著劑組成物(黏著劑組成物(ii))，前述丙烯酸聚合物係具有羥基且於側鏈具有聚合性基之丙烯酸聚合物(例如，具有羥基且經由胺基甲酸酯鍵於側鏈具有聚合性基之丙烯酸聚合物)；進一步較佳為含有溶劑。
前述黏著劑組成物中，除上述成分以外，亦可進一步含有光聚合起始劑、或著色劑(顏料、染料)、抗劣化劑、 抗靜電劑、阻燃劑、聚矽氧化合物、鏈轉移劑等各種添加劑之任一者。
前述黏著劑組成物亦可含有反應延遲劑，該反應延遲劑用以抑制保存中進行目標外之交聯反應。作為前述反應延遲劑，例如可列舉阻礙成為使交聯反應進行之觸媒之成分的作用之劑；作為較佳的反應延遲劑，例如可列舉藉由對前述觸媒之螯合而形成螯合錯合物之反應延遲劑。作為較佳的反應延遲劑，更具體而言，可列舉分子中具有2個以上羰基(-C(=O)-)之反應延遲劑，當分子中具有2個羰基時，例如可列舉：二羧酸、酮酸、二酮等。
黏著劑層的厚度可根據目的適宜選擇，較佳為1μm至100μm，更佳為1μm至60μm，尤佳為1μm至30μm。
黏著劑組成物可藉由調配丙烯酸聚合物等用以構成黏著劑層之各成分而獲得，例如除調配成分不同之方面以外，利用與後述之接著劑組成物之情形相同的方法獲得。
黏著劑層可藉由下述方式形成：於前述基材的表面塗佈黏著劑組成物，並使之乾燥。
此時，亦可視需要藉由對所塗佈之黏著劑組成物進行加熱而使之交聯。加熱條件例如可設為100℃至130℃且1分鐘至5分鐘，但並不限定於此。另外，亦可藉由下述方 式於基材上形成黏著劑層：於剝離膜的剝離處理面塗佈黏著劑組成物，並使之乾燥，藉此形成黏著劑層，將所形成之黏著劑層貼合於基材的表面，視需要移除前述剝離膜。
利用公知的方法向基材的表面或剝離材料的剝離層表面塗佈黏著劑組成物即可，例如可列舉使用以下各種塗佈機之方法：氣刀塗佈機、刮刀塗佈機、棒式塗佈機、凹版塗佈機、輥式塗佈機、輥刀塗佈機、簾幕式塗佈機、模具塗佈機、刀式塗佈機、絲網塗佈機、繞線(meyer)棒式塗佈機、接觸式塗佈機等。
<膜狀接著劑>
前述膜狀接著劑具有硬化性。前述膜狀接著劑較佳為具有熱硬化性，且較佳為具有感壓接著性。一併具有熱硬化性及感壓接著性之膜狀接著劑可藉由在未硬化狀態下輕輕按壓於各種被接著體而貼附。另外，亦可藉由將膜狀接著劑進行加熱使之軟化而貼附於各種被接著體。膜狀接著劑藉由硬化而最終成為耐衝擊性高的硬化物，該硬化物於嚴酷的高溫、高濕度條件下亦可保持充分的接著特性。
前述膜狀接著劑的厚度為1μm至50μm，較佳為3μm至25μm，更佳為5μm至15μm。藉由膜狀接著劑的厚度為前述下限值以上，可獲得對被接著體(半導體晶片)之高接著力。另外，藉由膜狀接著劑的厚度為前述上限值以下 ，藉由進行製造半導體裝置時通常進行之隔著支持片對膜狀接著劑施加力之操作，利用該操作中所產生之剪切力，可將膜狀接著劑容易地切斷，無需另行設置以膜狀接著劑之切斷為主要目的之步驟。
本發明中，硬化前的前述膜狀接著劑對於半導體晶圓之「接著力A(N/24mm)」意指利用以下方法測定之值。亦即，製作寬度為24mm且長度任意的膜狀接著劑及黏著帶之積層片。該積層片係設為於黏著帶的黏著面積層有膜狀接著劑之積層片；作為黏著帶，例如可使用Nichiban公司製造之「Cellotape(註冊商標)No.405」中寬度為24mm之黏著帶。繼而，藉由加熱至60℃之膜狀接著劑，將該積層片貼附於半導體晶圓，製作依序積層有黏著帶、膜狀接著劑及半導體晶圓之積層體。將製作後的該積層體立即於JIS Z0237 2009中所規定之標準環境下放置30分鐘，然後進行以下所謂之180°剝離：將膜狀接著劑及黏著帶之積層片，以膜狀接著劑及半導體晶圓相互接觸的面彼此成為180°之角度之方式，以剝離速度150mm/min自半導體晶圓剝離。測定此時的剝離力，將該測定值設為接著力A(N/24mm)。供於測定之前述積層片的長度只要為可穩定地測定剝離力之範圍，則並無特別限定。
接著力A只要滿足前述式(1)之關係，則並無特別限定，較佳為0.3N/24mm以上，更佳為0.4N/24mm以上。接著力 A的上限值例如可設為15N/24mm、11N/24mm、及7N/24mm之任一者，但這些為一例。
例如，作為接著力A，較佳為0.3N/24mm至15N/24mm，更佳為0.3N/24mm至11N/24mm，進一步更佳為0.4N/24mm至7N/24mm。
作為另一形態，接著力A可為0.45N/24mm以上未達10N/24mm，亦可為0.45N/24mm以上5.8N/24mm以下。
本發明中，所謂「斷裂伸長率B(%)」意指將硬化前的前述膜狀接著劑以合計厚度成為200μm之方式積層而獲得之積層體的斷裂伸長率。本發明中，關於膜狀接著劑或將膜狀接著劑積層而獲得之積層體整體的斷裂伸長率，亦包含有斷裂伸長率B在內，依據JIS K7161-1994(ISO 527-1)或JIS K7127：1999(ISO 527-3)而求出。於測定對象物(試片)不具有降伏點之情形時測定拉伸破壞應變，於具有降伏點之情形時測定拉伸破壞時標稱應變，使用這些測定值，求出斷裂伸長率。
求算斷裂伸長率B之對象之前述積層體藉由下述方式獲得：將厚度未達200μm之硬化前的膜狀接著劑，較佳為用以構成本發明之膜狀接著劑複合片之厚度為1μm至50μm的硬化前的膜狀接著劑，以合計厚度成為200μm之方式積層至少2片。
斷裂伸長率B藉由下述方式而求出：將寬度為15mm、長度為100mm、厚度為200μm之膜狀接著劑之前述積層體(試片)，以固定部位間的距離成為75mm之方式於兩處固定，將拉伸速度設為200mm/min，於該固定部位間拉伸前述積層體，測定積層體斷裂時的試片的伸長率。
再者，本說明書中，所謂「斷裂伸長率B為X%(式中，X為正數)」意指上述之測定方法中，拉伸試片(積層體)，將試片在該試片的拉伸方向上拉伸剛好原本長度(未拉伸時的長度)的X%的長度時，亦即試片在拉伸方向上的整體長度成為拉伸前的長度的[1+X/100]倍時，試片發生斷裂。
斷裂伸長率B只要滿足前述式(1)之關係，則並無特別限定，例如較佳為1200%以下，更佳為30%至1200%，進一步較佳為40%至1100%，尤佳為45%至1050%。藉由斷裂伸長率B為前述上限值以下，在拾取貼附有膜狀接著劑之半導體晶片之前，可將膜狀接著劑更容易地切斷。
再者，作為另一形態，斷裂伸長率B較佳為900%以下，更佳為700%以下，尤佳為500%以下，例如可設為30%至500%、40%至500%、及45%至500%等之任一者。
再者，作為另一形態，斷裂伸長率B亦可為50%至440%。
藉由斷裂伸長率B為前述上限值以下，在拾取貼附有 膜狀接著劑之半導體晶片之前，可利用各種方式將膜狀接著劑更容易地切斷。亦即，作為膜狀接著劑的切斷方式，不僅可應用最普通的銷頂出方式，亦可較佳地應用滑塊頂出方式等其他方式，膜狀接著劑複合片的通用性變高。
本發明中，所謂「斷裂強度C(MPa)」意指將硬化前的前述膜狀接著劑以合計厚度成為200μm之方式積層而獲得之積層體的斷裂強度。此處所謂之積層體意指與作為上述之斷裂伸長率B(%)之測定對象之積層體相同的積層體。
斷裂強度C為測定斷裂伸長率B時，試片斷裂(破壞)時的拉伸應力，亦即拉伸破壞應力，可與斷裂伸長率B同時測定。
斷裂強度C只要滿足前述式(1)之關係，則並無特別限定，較佳為0.4MPa至17MPa，更佳為0.5MPa至15MPa，尤佳為0.6MPa至13MPa。
作為另一形態，斷裂強度C可為0.8MPa至11MPa，亦可為2.5MPa至11MPa。
本發明中，前述接著力A、斷裂伸長率B及斷裂強度C滿足前述式(1)之關係，亦即A/(B×C)之值為0.0005以上即可。並且，A/(B×C)之值較佳為0.0006以上，更佳為0.0007以上。A/(B×C)之上限值並無特別限定，例如可設為0.0170、0.0140及0.0115之任一者，但這些為一例。
亦即，作為A/(B×C)之值，例如為0.0005以上0.0170以下即可，較佳為0.0006以上0.0140以下，更佳為0.00067以上0.0115以下。
作為另一形態，A/(B×C)之值可為0.0008以上未達0.0125，亦可為0.0008以上0.0105以下。
膜狀接著劑的前述接著力A可藉由調節膜狀接著劑的含有成分的種類及量、膜狀接著劑的厚度、構成前述支持片中之設置膜狀接著劑之面之材料、該面的狀態(表面狀態)等而適宜調節。
例如，作為膜狀接著劑的含有成分，藉由調節後述之矽烷偶合劑等偶合劑(e)的種類或量，可容易地調節膜狀接著劑的接著力A。
另外，例如，支持片的前述表面狀態可藉由實施以下處理而調節：例如，作為提高基材與其他層之密接性之處理而於上文所列舉之表面處理，亦即藉由噴砂處理、溶劑處理等實施之凹凸化處理；電暈放電處理、電子束照射處理、電漿處理、臭氧/紫外線照射處理、火焰處理、鉻酸處理、熱風處理等氧化處理；底塗處理等。
但是，這些調節方法僅為一例。
膜狀接著劑的前述斷裂伸長率B及斷裂強度C可藉由調節膜狀接著劑的含有成分的種類及量而適宜調節。例如，藉由調節後述之聚合物成分(a)的分子量及含量、構成 環氧系熱硬化性樹脂(b)之成分的結構、軟化點及含量、以及填充劑(c)的含量等，可容易地調節膜狀接著劑的斷裂伸長率B及斷裂強度C。
但是，這些調節方法僅為一例。
[接著劑組成物]
膜狀接著劑可由接著劑組成物形成，該接著劑組成物含有該膜狀接著劑的構成材料。例如，於膜狀接著劑的形成對象面塗佈接著劑組成物，視需要使之乾燥，藉此可於目標部位形成膜狀接著劑。關於接著劑組成物中的常溫下不會氣化的成分彼此的含量比率，通常與膜狀接著劑中的前述成分彼此的含量比率相同。此處，所謂「常溫」係如上文所說明。
利用公知的方法塗佈接著劑組成物即可，例如可列舉使用以下各種塗佈機之方法：氣刀塗佈機、刮刀塗佈機、棒式塗佈機、凹版塗佈機、輥式塗佈機、輥刀塗佈機、簾幕式塗佈機、模具塗佈機、刀式塗佈機、絲網塗佈機、繞線棒式塗佈機、接觸式塗佈機等。
接著劑組成物的乾燥條件並無特別限定，於接著劑組成物含有後述之溶劑之情形時，較佳為進行加熱乾燥；該情形時，例如較佳為於70℃至130℃且10秒至5分鐘之條件下進行乾燥。
作為較佳的接著劑組成物，例如可列舉含有聚合物成分(a)及環氧系熱硬化性樹脂(b)之接著劑組成物。以下，對各成分進行說明。
(聚合物成分(a))
聚合物成分(a)係可視為聚合性化合物進行聚合反應而形成之成分，且用以對膜狀接著劑賦予造膜性或可撓性等，並且提高對半導體晶片等接著對象之接著性(貼附性)之聚合物化合物。另外，聚合物成分(a)亦為不屬於後述之環氧樹脂(b1)及熱硬化劑(b2)之成分。
聚合物成分(a)可單獨使用1種，亦可併用2種以上；於併用2種以上之情形時，這些2種以上的組合及比率可任意選擇。
作為聚合物成分(a)，例如可列舉：丙烯酸系樹脂(例如，具有(甲基)丙烯醯基之樹脂)、聚酯、胺基甲酸酯系樹脂(例如，具有胺基甲酸酯鍵之樹脂)、丙烯酸胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧系樹脂(例如，具有矽氧烷鍵之樹脂)、橡膠系樹脂(例如，具有橡膠結構之樹脂)、苯氧基樹脂、熱硬化性聚醯亞胺等，較佳為丙烯酸系樹脂。
作為聚合物成分(a)中的前述丙烯酸系樹脂，可列舉 公知的丙烯酸聚合物。
丙烯酸系樹脂的重量平均分子量(Mw)較佳為10000至2000000，更佳為100000至1500000。藉由丙烯酸系樹脂的重量平均分子量為此種範圍內，容易將膜狀接著劑的前述接著力A調節為上述範圍內。
另一方面，藉由丙烯酸系樹脂的重量平均分子量為前述下限值以上，膜狀接著劑的形狀穩定性(保管時的經時穩定性)提高。另外，藉由丙烯酸系樹脂的重量平均分子量為前述上限值以下，膜狀接著劑變得容易追隨於被接著體的凹凸面，可進一步抑制於被接著體與膜狀接著劑之間產生空隙等。
再者，本說明書中，所謂「重量平均分子量」，只要無特別說明，則為藉由凝膠滲透層析(GPC；Gel Permeation Chromatography)法所測定之聚苯乙烯換算值。
丙烯酸系樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)較佳為-60℃至70℃，更佳為-30℃至50℃。藉由丙烯酸系樹脂的Tg為前述下限值以上，膜狀接著劑與支持片之接著力得到抑制，拾取時，更容易將具備膜狀接著劑之半導體晶片自支持片拉離。另外，藉由丙烯酸系樹脂的Tg為前述上限值以下，膜狀接著劑與半導體晶片之接著力提高。
本說明書中，「玻璃轉移溫度」係使用示差掃描熱量計，測定試樣的DSC(Differential Scanning Calorimetry；示差掃描熱量)曲線，由所獲得之DSC曲線的反曲點 (inflection point)溫度表示。
作為構成丙烯酸系樹脂之前述(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯(亦稱為(甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯(亦稱為(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯(亦稱為(甲基)丙烯酸棕櫚酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯(亦稱為(甲基)丙烯酸硬脂酯)等構成烷基酯之烷基為碳數為1至18之鏈狀結構之(甲基)丙烯酸烷基酯；(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯等(甲基)丙烯酸環烷基酯；(甲基)丙烯酸苄酯等(甲基)丙烯酸芳烷基酯；(甲基)丙烯酸二環戊烯基酯等(甲基)丙烯酸環烯基酯；(甲基)丙烯酸二環戊烯氧基乙酯等(甲基)丙烯酸環烯氧基烷基酯；(甲基)丙烯醯亞胺；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等含縮水甘油基之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸羥基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基 )丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等含羥基之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸N-甲基胺基乙酯等含取代胺基之(甲基)丙烯酸酯等。此處，所謂「取代胺基」意指胺基的1個或2個氫原子由氫原子以外的基取代而成之基。
上述之中，較佳為丙烯酸丁酯、丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸2-羥基乙酯等。
關於丙烯酸系樹脂，例如，除前述(甲基)丙烯酸酯以外，亦可進一步使選自(甲基)丙烯酸、衣康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯及N-羥甲基丙烯醯胺等中的1種或2種以上的單體進行共聚合而成。
構成丙烯酸系樹脂之單體可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些2種以上的組合及比率可任意選擇。
丙烯酸系樹脂亦可具有以下可與其他化合物鍵結之官能基：乙烯基、(甲基)丙烯醯基、胺基、羥基、羧基、異氰酸酯基等。丙烯酸系樹脂的前述官能基可經由後述之交聯劑(f)與其他化合物鍵結，亦可不經由交聯劑(f)與其他化合物直接鍵結。丙烯酸系樹脂藉由前述官能基與其他化合物鍵結，藉此存在使用膜狀接著劑複合片所獲得之封裝的可靠性提高之傾向。
本發明中，作為聚合物成分(a)，可不使用丙烯酸系樹脂而單獨使用丙烯酸系樹脂以外的熱塑性樹脂(以下，有時簡稱為「熱塑性樹脂」)，亦可與丙烯酸系樹脂併用。藉由使用前述熱塑性樹脂，有時拾取時，更容易將具備膜狀接著劑之半導體晶片自支持片拉離，或者膜狀接著劑變得容易追隨於被接著體的凹凸面，可進一步抑制於被接著體與膜狀接著劑之間產生空隙等。
前述熱塑性樹脂的重量平均分子量較佳為1000至100000，更佳為3000至80000。
前述熱塑性樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)較佳為-30℃至150℃，更佳為-20℃至120℃。
作為前述熱塑性樹脂，例如可列舉：聚酯、聚胺基甲酸酯、苯氧基樹脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚苯乙烯等。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之前述熱塑性樹脂可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些2種以上的組合及比率可任意選擇。
作為聚合物成分(a)之丙烯酸系樹脂的含量相對於構成接著劑組成物之溶劑以外的全部成分的總質量(亦即， 相對於膜狀接著劑的總質量)，較佳為5質量%至40質量%，更佳為7質量%至25質量%。
關於聚合物成分(a)的含量比率，無論聚合物成分(a)的種類如何，相對於構成接著劑組成物之溶劑以外的全部成分的總質量(亦即，相對於膜狀接著劑的總質量)，均較佳為5質量%至85質量%，更佳為7質量%至80質量%。
藉由使用前述熱塑性樹脂，可獲得如上所述之功效，但另一方面，有如下之虞：硬化前的膜狀接著劑曝露於高溫(例如，120℃至200℃)時，該膜狀接著劑的硬度降低，未硬化或半硬化的狀態下的膜狀接著劑的打線接合(wire bonding)適性降低。因此，接著劑組成物中的聚合物成分(a)的含量較佳為在考慮此種影響之基礎上進行設定。
(環氧系熱硬化性樹脂(b))
環氧系熱硬化性樹脂(b)由環氧樹脂(b1)及熱硬化劑(b2)所構成。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之環氧系熱硬化性樹脂(b)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些2種以上的組合及比率可任意選擇。
‧環氧樹脂(b1)
作為環氧樹脂(b1)，可列舉公知的環氧樹脂，例如可 列舉：多官能系環氧樹脂、聯苯化合物、雙酚A二縮水甘油醚及其氫化物、鄰甲酚酚醛清漆環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、伸苯基骨架型環氧樹脂等2官能以上之環氧化合物。
上述之中，較佳為雙酚A型環氧樹脂、伸苯基骨架型環氧樹脂(例如，聯三伸苯型環氧樹脂)、二環戊二烯型環氧樹脂等。
作為環氧樹脂(b1)，亦可使用具有不飽和烴基之環氧樹脂。具有不飽和烴基之環氧樹脂相較於不具有不飽和烴基之環氧樹脂而言，與丙烯酸系樹脂之相容性較高。因此，藉由使用具有不飽和烴基之環氧樹脂，使用膜狀接著劑複合片所獲得之封裝的可靠性提高。
作為具有不飽和烴基之環氧樹脂，例如可列舉：多官能系環氧樹脂的一部分環氧基更換為具有不飽和烴基之基而成之化合物。此種化合物例如藉由下述方式獲得：使(甲基)丙烯酸或其衍生物與環氧基進行加成反應。再者，本說明書中，所謂「衍生物」，只要無特別說明，則意指原本的化合物的至少1個基由該基以外的基(取代基)取代而成之化合物。此處，所謂「基」，不僅為複數個原子鍵結而成之原子團，亦包含1個原子。
另外，作為具有不飽和烴基之環氧樹脂，例如可列舉：於構成環氧樹脂之芳香環等上直接鍵結有具有不飽和烴基之基之化合物等。
不飽和烴基為具有聚合性之不飽和基，作為該不飽和烴基的具體例，可列舉：次乙基(亦稱為乙烯基)、2-丙烯基(亦稱為烯丙基)、(甲基)丙烯醯基、(甲基)丙烯醯胺基等，較佳為丙烯醯基。
環氧樹脂(b1)的數量平均分子量並無特別限定，就膜狀接著劑的硬化性、以及硬化後的膜狀接著劑的強度及耐熱性之方面而言，較佳為300至30000。
本說明書中，所謂「數量平均分子量」，只要無特別說明，則意指藉由凝膠滲透層析(GPC)法所測定之標準聚苯乙烯換算之值所表示之數量平均分子量。
環氧樹脂(b1)的環氧當量較佳為100g/eq至1000g/eq，更佳為150g/eq至800g/eq。
本說明書中，所謂「環氧當量」意指含有1克當量的環氧基之環氧化合物的克數(g/eq)，可依據JIS K 7236：2001之方法進行測定。
環氧樹脂(b1)可單獨使用1種，亦可併用2種以上；於併用2種以上之情形時，這些2種以上的組合及比率可任意選擇。
‧熱硬化劑(b2)
熱硬化劑(b2)發揮針對環氧樹脂(b1)之硬化劑的功能。
作為熱硬化劑(b2)，例如可列舉：1分子中具有至少2個可與環氧基反應之官能基之化合物。作為前述官能基，例如可列舉：酚性羥基、醇性羥基、胺基、羧基、酸基經酐化而成之基等，較佳為酚性羥基、胺基、或酸基經酐化而成之基，更佳為酚性羥基或胺基。
熱硬化劑(b2)中，作為具有酚性羥基之酚系硬化劑，例如可列舉：多官能酚樹脂、聯苯酚、酚醛清漆型酚樹脂、二環戊二烯型酚樹脂、聯苯型酚樹脂、芳烷基型酚樹脂等。熱硬化劑(B2)中，作為具有胺基之胺系硬化劑，例如可列舉：二氰二胺(以下，有時簡稱為「DICY」)等。
熱硬化劑(b2)亦可具有不飽和烴基。
作為具有不飽和烴基之熱硬化劑(b2)，例如可列舉：酚樹脂的一部分羥基由具有不飽和烴基之基取代而成之化合物；於酚樹脂的芳香環上直接鍵結具有不飽和烴基之基而成之化合物等。
熱硬化劑(b2)中的前述不飽和烴基與上述之具有不飽和烴基之環氧樹脂中的不飽和烴基相同。
於使用酚系硬化劑作為熱硬化劑(b2)之情形時，就容 易將膜狀接著劑的前述接著力A調節為上述範圍內之方面而言，熱硬化劑(b2)較佳為軟化點或玻璃轉移溫度高。
熱硬化劑(b2)的分子量例如較佳為60至30000。
熱硬化劑(b2)可單獨使用1種，亦可併用2種以上；於併用2種以上之情形時，這些2種以上的組合及比率可任意選擇。
接著劑組成物及膜狀接著劑中，熱硬化劑(b2)的含量相對於環氧樹脂(b1)的含量100質量份，較佳為0.1質量份至500質量份，更佳為1質量份至200質量份。藉由熱硬化劑(b2)的前述含量為前述下限值以上，膜狀接著劑更容易進行硬化。另外，藉由熱硬化劑(b2)的前述含量為前述上限值以下，膜狀接著劑的吸濕率降低，使用膜狀接著劑複合片所獲得之封裝的可靠性進一步提高。
接著劑組成物及膜狀接著劑中，環氧系熱硬化性樹脂(b)的含量(環氧樹脂(b1)及熱硬化劑(b2)的總含量)相對於聚合物成分(a)的含量100質量份，較佳為50質量份至1000質量份，更佳為100質量份至900質量份，尤佳為150質量份至870質量份。藉由環氧系熱硬化性樹脂(b)的前述含量為此種範圍，拾取時，更容易將具備膜狀接著劑之半導體晶片自支持片拉離。
前述膜狀接著劑中，除聚合物成分(a)及環氧系熱硬化性樹脂(b)以外，亦可進一步視需要含有不屬於這些之其他成分，以改良該膜狀接著劑的各種物性。
作為前述膜狀接著劑所含有之較佳的其他成分，例如可列舉：硬化促進劑(c)、填充材料(d)、偶合劑(e)、交聯劑(f)、能量線硬化性樹脂(g)、光聚合起始劑(h)、通用添加劑(i)等。
(硬化促進劑(c))
硬化促進劑(c)係用以調節接著劑組成物的硬化速度之成分。
作為較佳的硬化促進劑(c)，例如可列舉：三乙二胺、苄基二甲胺、三乙醇胺、二甲胺基乙醇、三(二甲胺基甲基)苯酚等三級胺；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等咪唑類(至少1個氫原子由氫原子以外的基取代而成之咪唑)；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等有機膦類(至少1個氫原子由有機基取代而成之膦)；四苯基硼酸四苯基鏻、四苯基硼酸三苯基膦等四苯基硼鹽等。
上述之中，較佳為2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之硬化促進劑(c)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這 些2種以上的組合及比率可任意選擇。
於使用硬化促進劑(c)之情形時，接著劑組成物及膜狀接著劑中，硬化促進劑(c)的含量相對於環氧系熱硬化性樹脂(b)的含量100質量份，較佳為0.01質量份至10質量份，更佳為0.1質量份至5質量份。藉由硬化促進劑(c)的前述含量為前述下限值以上，可獲得更顯著的由使用硬化促進劑(c)所帶來之功效。另外，藉由硬化促進劑(c)的含量為前述上限值以下，例如，抑制高極性的硬化促進劑(c)在高溫、高濕度條件下於膜狀接著劑中向與被接著體之接著界面側移動而偏析之功效變高，使用膜狀接著劑複合片所獲得之封裝的可靠性進一步提高。
(填充材料(d))
膜狀接著劑藉由含有填充材料(d)，變得容易調整該膜狀接著劑的熱膨脹係數，使該熱膨脹係數對於膜狀接著劑的貼附對象物而言最適宜，藉此使用膜狀接著劑複合片所獲得之封裝的可靠性進一步提高。另外，膜狀接著劑藉由含有填充材料(d)，亦可降低硬化後的膜狀接著劑的吸濕率，或者提高散熱性。
填充材料(d)可為有機填充材料及無機填充材料之任一者，較佳為無機填充材料。
作為較佳的無機填充材料，例如可列舉：二氧化矽、 氧化鋁、滑石、碳酸鈣、鈦白、鐵丹、碳化矽、氮化硼等的粉末；將這些無機填充材料球形化而成之珠粒；這些無機填充材料的表面改質品；這些無機填充材料的單晶纖維；玻璃纖維等。
這些之中，無機填充材料較佳為二氧化矽或氧化鋁。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之填充材料(d)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些2種以上的組合及比率可任意選擇。
於使用填充材料(d)之情形時，填充材料(d)的含量相對於構成接著劑組成物的溶劑外的全部成分的總質量(亦即，膜狀接著劑的總質量)，較佳為5質量%至80質量%，更佳為7質量%至60質量%。藉由填充材料(d)的含量為此種範圍，更容易調整上述熱膨脹係數。
(偶合劑(e))
膜狀接著劑藉由含有偶合劑(e)，對被接著體之接著性及密接性提高。另外，藉由膜狀接著劑含有偶合劑(e)，該膜狀接著劑的硬化物在無損耐熱性之情況下耐水性提高。偶合劑(e)具有可與無機化合物或有機化合物反應之官能基。
偶合劑(e)較佳為具有可與聚合物成分(a)、環氧系熱 硬化性樹脂(b)等所具有之官能基反應之官能基之化合物，更佳為矽烷偶合劑。
作為較佳的前述矽烷偶合劑，例如可列舉：3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基甲基二乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-(2-胺基乙基胺基)丙基甲基二乙氧基矽烷、3-(苯基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-苯胺基丙基三甲氧基矽烷、3-脲基丙基三乙氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、雙(3-三乙氧基矽烷基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、咪唑矽烷、含環氧基之寡聚物等。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之偶合劑(e)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些2種以上的組合及比率可任意選擇。
作為一形態，偶合劑(e)亦可為選自由含環氧基之寡聚物型矽烷偶合劑、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、及2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷所組成之群組中的至少一者。
於使用偶合劑(e)之情形時，接著劑組成物及膜狀接著劑中，偶合劑(e)的含量相對於聚合物成分(a)及環氧系熱硬化性樹脂(b)的合計含量100質量份，較佳為0.03質量份至20質量份，更佳為0.05質量份至10質量份，尤佳為0.1質量份至5質量份。
藉由偶合劑(e)的前述含量為前述下限值以上，可獲得更顯著的以下由使用偶合劑(e)所帶來之功效：填充材料(d)於樹脂中之分散性提高，膜狀接著劑與被接著體之接著性提高等。另外，藉由偶合劑(e)的前述含量為前述上限值以下，可進一步抑制產生逸氣。
(交聯劑(f))
於使用上述之丙烯酸系樹脂等具有與其他化合物鍵結之乙烯基、(甲基)丙烯醯基、胺基、羥基、羧基、異氰酸酯基等官能基之聚合物成分作為聚合物成分(a)之情形時，接著劑組成物及膜狀接著劑亦可含有交聯劑(f)，該交聯劑(f)用以使前述官能基與其他化合物鍵結而進行交聯。藉由使用交聯劑(f)進行交聯，可調節膜狀接著劑的初期接著力及凝聚力。
作為交聯劑(f)，例如可列舉：有機多元異氰酸酯化合物、有機多元亞胺化合物、金屬螯合系交聯劑(具有金屬螯合結構之交聯劑)、氮丙啶系交聯劑(具有氮丙啶基之交聯劑)等。
作為前述有機多元異氰酸酯化合物，例如可列舉：芳香族多元異氰酸酯化合物、脂肪族多元異氰酸酯化合物及脂環族多元異氰酸酯化合物(以下，有時將這些化合物統一簡稱為「芳香族多元異氰酸酯化合物等」)；前述芳香族多元異氰酸酯化合物等的三聚物、異氰脲酸酯體及加合物；使前述芳香族多元異氰酸酯化合物等與多元醇化合物進行反應而獲得之末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物等。前述「加合物」意指前述芳香族多元異氰酸酯化合物、脂肪族多元異氰酸酯化合物或脂環族多元異氰酸酯化合物，與乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羥甲基丙烷或蓖麻油等含低分子活性氫之化合物之反應物，作為該加合物的示例，可列舉如後所述之三羥甲基丙烷之苯二甲基二異氰酸酯加成物等。另外，所謂「末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物」意指具有胺基甲酸酯鍵，並且於分子的末端部具有異氰酸酯基之預聚物。
作為前述有機多元異氰酸酯化合物，更具體而言，例如可列舉：2,4-甲苯二異氰酸酯；2,6-甲苯二異氰酸酯；1,3-苯二甲基二異氰酸酯；1,4-二甲苯二異氰酸酯；二苯基甲烷-4,4'-二異氰酸酯；二苯基甲烷-2,4'-二異氰酸酯；3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯；六亞甲基二異氰酸酯；異佛爾酮二異氰酸酯；二環己基甲烷-4,4'-二異氰酸酯；二環己基甲烷-2,4'-二異氰酸酯；對三羥甲基丙烷等多元醇 的全部或一部分羥基，加成甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯及苯二甲基二異氰酸酯的任1種或2種以上而成之化合物；離胺酸二異氰酸酯等。
作為前述有機多元亞胺化合物，例如可列舉：N,N'-二苯基甲烷-4,4'-雙(1-氮丙啶甲醯胺)、三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羥甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、N,N'-甲苯-2,4-雙(1-氮丙啶甲醯胺)三伸乙基三聚氰胺等。
於使用有機多元異氰酸酯化合物作為交聯劑(f)之情形時，作為聚合物成分(a)，較佳為使用含羥基之聚合物。於交聯劑(f)具有異氰酸酯基，且聚合物成分(a)具有羥基之情形時，藉由交聯劑(f)與聚合物成分(a)之反應，可將交聯結構簡便地導入至膜狀接著劑中。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之交聯劑(f)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些2種以上的組合及比率可任意選擇。
於使用交聯劑(f)之情形時，接著劑組成物中，交聯劑(f)的含量相對於聚合物成分(a)的含量100質量份，較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.1質量份至10質量份，尤佳為0.5質量份至5質量份。藉由交聯劑(f)的前述含量為前 述下限值以上，可獲得更顯著的由使用交聯劑(f)所帶來之功效。另外，藉由交聯劑(f)的前述含量為前述上限值以下，可抑制交聯劑(f)的過量使用。
(能量線硬化性樹脂(g))
膜狀接著劑藉由含有能量線硬化性樹脂(g)，可藉由照射能量線而使特性變化。
能量線硬化性樹脂(g)具有藉由照射能量線而硬化(聚合)之性質。
作為前述能量線硬化性化合物，例如可列舉分子內具有至少1個聚合性雙鍵之化合物，較佳為具有(甲基)丙烯醯基之丙烯酸酯系化合物。
作為前述丙烯酸酯系化合物，例如可列舉：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯等含鏈狀脂肪族骨架之(甲基)丙烯酸酯；二(甲基)丙烯酸二環戊酯、三環癸烷二羥甲基二丙烯酸酯等含環狀脂肪族骨架之(甲基)丙烯酸酯；聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯等聚伸烷基二醇(甲基)丙烯酸酯；寡酯(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯寡聚物；環氧改質 (甲基)丙烯酸酯；前述聚伸烷基二醇(甲基)丙烯酸酯以外的聚醚(甲基)丙烯酸酯；衣康酸寡聚物等。
能量線硬化性樹脂(g)的重量平均分子量較佳為100至30000。
接著劑組成物所含有之能量線硬化性樹脂(g)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些2種以上的組合及比率可任意選擇。
接著劑組成物中，能量線硬化性樹脂(g)的含量相對於構成接著劑組成物之溶劑以外的成分的總質量，較佳為1質量%至95質量%，更佳為3質量%至90質量%，尤佳為5質量%至85質量%。
(光聚合起始劑(h))
於接著劑組成物含有能量線硬化性樹脂(g)之情形時，亦可含有光聚合起始劑(h)，以使能量線硬化性樹脂(g)高效率地進行聚合反應。
作為接著劑組成物中的光聚合起始劑(h)，例如可列舉：安息香、安息香甲醚、安息香***、安息香異丙醚、安息香異丁醚、安息香苯甲酸、安息香苯甲酸甲酯、安息香二甲基縮酮等安息香化合物；苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1- 苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦等醯基氧化膦化合物；苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆等硫醚化合物；1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇化合物；偶氮雙異丁腈等偶氮化合物；二茂鈦等二茂鈦化合物；噻噸酮(thioxanthone)等噻噸酮化合物；過氧化物化合物；二乙醯等二酮化合物；苯偶醯；二苯偶醯；二苯甲酮；2,4-二乙基噻噸酮；1,2-二苯基甲烷；2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮；1-氯蒽醌、2-氯蒽醌等醌化合物等。
另外，作為光聚合起始劑(h)，例如亦可列舉胺等光敏劑等。
接著劑組成物所含有之光聚合起始劑(h)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些2種以上的組合及比率可任意選擇。
接著劑組成物中，光聚合起始劑(h)的含量相對於能量線硬化性樹脂(g)的含量100質量份，較佳為0.1質量份至20質量份，更佳為1質量份至10質量份，尤佳為2質量份至5質量份。
(通用添加劑(i))
通用添加劑(I)為公知的通用添加劑即可，可根據目的 任意選擇，並無特別限定，作為較佳的通用添加劑(I)，例如可列舉：塑化劑、抗靜電劑、抗氧化劑、著色劑(染料、顏料)、吸氣劑等。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之通用添加劑(i)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些2種以上的組合及比率可任意選擇。
接著劑組成物及膜狀接著劑的含量並無特別限定，根據目的適宜選擇即可。
(溶劑)
接著劑組成物較佳為進一步含有溶劑。含有溶劑之接著劑組成物的操作性變得良好。
前述溶劑並無特別限定，作為較佳的溶劑，例如可列舉：甲苯、二甲苯等烴；甲醇、乙醇、2-丙醇、異丁醇(亦稱為2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲基乙基酮等酮；四氫呋喃等醚；二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮等醯胺(具有醯胺鍵之化合物)等。
接著劑組成物所含有之溶劑可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些2種以上的組合及比率可任意選擇。
就可使接著劑組成物中的含有成分更均勻地混合之方面而言，接著劑組成物所含有之溶劑較佳為甲基乙基酮 等。
[接著劑組成物的製造方法]
接著劑組成物藉由調配用以構成該接著劑組成物之各成分而獲得。
調配各成分時的添加順序並無特別限定，亦可同時添加2種以上之成分。
於使用溶劑之情形時，可藉由下述方式使用：將溶劑與溶劑以外的任一種調配成分混合而將該調配成分預先稀釋；亦可藉由下述方式使用：不將溶劑以外的任一種調配成分預先稀釋，而將溶劑與這些調配成分混合。
調配時混合各成分之方法並無特別限定，自以下公知的方法中適宜選擇即可：使攪拌子或攪拌翼等旋轉而進行混合之方法；使用混合機而進行混合之方法；施加超音波而進行混合之方法等。
關於添加及混合各成分時的溫度及時間，只要不會使各調配成分劣化，則並無特別限定，適宜調節即可，溫度較佳為15℃至30℃。
本發明之膜狀接著劑複合片較佳為，支持片由基材所構成，且於該基材直接接觸地設置有膜狀接著劑。如此，於支持片不具有黏著劑層等，且於基材上直接設置有膜狀接著劑之情形時，膜狀接著劑中的成分向黏著劑層等基材 上的其他層中轉移，或者與此相反地此種其他層中的成分向膜狀接著劑中轉移等，構成成分的層間移動得到抑制，且製造半導體裝置時產生步驟異常，或者半導體封裝的可靠性降低得到顯著抑制。
通常，於使用不具有黏著劑層之膜狀接著劑複合片之情形時，將半導體晶片於貼附有膜狀接著劑之狀態下自支持片拉離時，容易產生雙晶粒黏連。但是，若使用本發明之膜狀接著劑複合片，則即便於該複合片不具有黏著劑層之情形時，可抑制產生雙晶粒黏連。
<<膜狀接著劑複合片的製造方法>>
本發明之膜狀接著劑複合片可藉由下述方式而製造：將上述各層以成為對應的位置關係之方式依序積層。各層的形成方法如上文所說明。
例如，製造支持片時，於基材上積層黏著劑層之情形時，於基材上塗佈上述黏著劑組成物，視需要使之乾燥，藉此可積層黏著劑層。
另一方面，例如，於已積層於基材上之黏著劑層上，進一步積層膜狀接著劑之情形時，可於黏著劑層上塗佈接著劑組成物，直接形成膜狀接著劑。如此，於使用任一種組成物，形成連續之2層之積層結構之情形時，可於由前述組成物形成之層上，進一步塗佈組成物而重新形成層。但是，較佳為於另一剝離膜上使用前述組成物預先形成這 些2層中後積層之層，將該已形成之層中的與和前述剝離膜接觸之側為相反側的露出面，與既已形成之其餘層的露出面貼合，藉此形成連續之2層之積層結構。此時，前述組成物較佳為塗佈於剝離膜的剝離處理面。形成積層結構後，視需要將剝離膜移除即可。
例如，製造於基材上積層黏著劑層，於前述黏著劑層上積層膜狀接著劑而成之膜狀接著劑複合片(亦即，支持片為基材及黏著劑層之積層物之膜狀接著劑複合片)之情形時，藉由下述方式獲得膜狀接著劑複合片，亦即於基材上塗佈黏著劑組成物，視需要使之乾燥，藉此於基材上預先積層黏著劑層，另行於剝離膜上塗佈接著劑組成物，視需要使之乾燥，藉此於剝離膜上預先形成膜狀接著劑，將該膜狀接著劑的露出面與已積層於基材上之黏著劑層的露出面貼合，從而於黏著劑層上積層膜狀接著劑。
再者，於基材上積層黏著劑層之情形時，代替如上所述般於基材上塗佈黏著劑組成物之方法，亦可藉由下述方式於基材上積層黏著劑層：於剝離膜上塗佈黏著劑組成物，視需要使之乾燥，藉此於剝離膜上預先形成黏著劑層，將該黏著劑層的露出面與基材的一表面貼合。
任一種方法中，均於形成目標積層結構後的任意時間點將剝離膜移除即可。
如此，構成膜狀接著劑複合片之基材以外的層均可利用下述方法積層：預先形成於剝離膜上，再貼合於目標層的表面，故而視需要適宜選擇採用此種步驟之層，製造膜狀接著劑複合片即可。
再者，膜狀接著劑複合片通常於下述狀態下保管，亦即於該膜狀接著劑複合片中的與支持片為相反側的最表層(例如，膜狀接著劑)的表面貼合有剝離膜之狀態。因此，藉由下述方式亦可獲得膜狀接著劑複合片：於該剝離膜(較佳為該剝離膜的剝離處理面)上，塗佈接著劑組成物等用以形成構成最表層之層之組成物，視需要使之乾燥，藉此於剝離膜上預先形成構成最表層之層，利用上述任一種方法，於該層中的與和剝離膜接觸之側為相反側的露出面上積層其餘各層，不移除剝離膜而保持貼合之狀態不變。
<<半導體裝置的製造方法>>
本發明之半導體裝置的製造方法係用以製造使用了前述膜狀接著劑複合片的半導體裝置，該半導體裝置的製造方法係包含有：將前述膜狀接著劑複合片經由膜狀接著劑貼附於已分割完畢之複數個半導體晶片之步驟(以下，有時簡稱為「貼附步驟」)；針對貼附於前述半導體晶片之前述膜狀接著劑複合片中的支持片，自設置有膜狀接著劑之側的相反側施加力，藉此隔著支持片對膜狀接著劑施加力，將膜狀接著劑切斷之步驟(以下，有時簡稱為「切 斷步驟」)；以及將前述半導體晶片與貼附於前述半導體晶片之切斷後的前述膜狀接著劑自前述支持片拉離之步驟(以下，有時簡稱為「拉離步驟」)。
根據前述製造方法，藉由使用前述膜狀接著劑複合片，在製造半導體裝置時能夠利用經簡化之方法抑制產生步驟異常而將貼附有膜狀接著劑之半導體晶片自支持片拉離。
<貼附步驟>
前述貼附步驟中，將前述膜狀接著劑複合片經由膜狀接著劑貼附於已分割完畢之複數個半導體晶片。本步驟中，將1片膜狀接著劑複合片之膜狀接著劑貼附於複數個半導體晶片的背面。
已分割完畢之複數個半導體晶片例如可藉由下述方式而製作：於半導體晶圓中的與前述膜狀接著劑複合片的貼附面(半導體晶圓的背面)為相反側的表面形成溝槽，對前述背面進行研削直至到達該溝槽。作為形成前述溝槽之方法，例如可列舉以下方法：藉由使用刀片切入半導體晶圓而形成溝槽之方法(亦即，刀片切割)；藉由利用雷射照射切入半導體晶圓而形成溝槽之方法(亦即，雷射切割)；藉由利用吹送含有研磨劑之水切入半導體晶圓而形成溝槽之方法(亦即，水切割)等。
另外，已分割完畢之複數個半導體晶片亦可藉由下述方式而製作：以聚焦於設定於半導體晶圓內部之焦點之方式，照射紅外區域之雷射光，於半導體晶圓內部形成改質層後，對半導體晶圓的前述背面進行研削，進一步對前述背面經研削後的半導體晶圓施加力，或者對前述背面研削中的半導體晶圓施加研削時之力，藉此於形成前述改質層之部位分割半導體晶圓。
<切斷步驟>
前述切斷步驟中，於前述貼附步驟後，針對貼附於前述半導體晶片之膜狀接著劑複合片中的支持片，自設置有膜狀接著劑之側的相反側施加力，藉此隔著前述支持片對前述膜狀接著劑施加力，將前述膜狀接著劑切斷。以下，一面參照圖式，一面對本發明之製造方法進行說明。圖1係以示意方式表示本發明之製造方法中，膜狀接著劑之切斷至半導體晶片自支持片之拉離為止的一實施形態之剖視圖。圖1中，僅以剖視形式表示與膜狀接著劑複合片相關之構成。
如圖1中的(a)所示，藉由前述貼附步驟，膜狀接著劑複合片1之膜狀接著劑12貼附於複數個半導體晶片9的背面9b。並且，本步驟中，於膜狀接著劑複合片1中的支持片11中的與設置有膜狀接著劑12之面(亦稱為表面)11a為 相反側的面(亦稱為背面)11b，抵接有半導體裝置的製造裝置(省略整體圖的圖示)中頂出半導體晶片之頂出部81。
於支持片11為由基材所構成之片之情形時，膜狀接著劑複合片1積層有基材及膜狀接著劑12，膜狀接著劑12中的與和基材接觸之側為相反側的表面貼附於半導體晶片9的背面9b。
於支持片11為由基材及黏著劑層積層而成之片之情形時，膜狀接著劑複合片1依序積層有基材、黏著劑層及膜狀接著劑12，膜狀接著劑12中的與和黏著劑層接觸之側為相反側的表面貼附於半導體晶片9的背面9b。
本步驟中，繼而，如圖1中的(b)所示，針對膜狀接著劑複合片1之支持片11，自該支持片11的背面11b施加力，藉此隔著支持片11對膜狀接著劑12施加力。此處，表示以下示例：突起(銷)811自頂出部81突出，突起811的尖端部將支持片11自該支持片11的背面11b頂出，經由支持片11對膜狀接著劑12，沿突起811之突出方向施加力。此時，可適宜調節突起811的突出量(頂出量)、突出速度(頂出速度)、保持突出狀態之時間(上拉等待時間)等頂出條件。
此處，表示頂出支持片11之突起811的數量為1個之情形，但亦可為2個以上，突起811的數量適宜選擇即可。
根據膜狀接著劑複合片1，若如此般對膜狀接著劑12 施加力，則藉由伴隨突起811之頂出而產生之剪切力，可抑制產生步驟異常而將膜狀接著劑12切斷。更具體而言，將膜狀接著劑12於目標部位，亦即僅包圍成為自支持片11之拉離對象之半導體晶片9之部位，在常溫下切斷。並且，可不另行設置以下步驟而切斷：例如對膜狀接著劑12照射雷射而切斷之步驟；或者藉由將膜狀接著劑12進行延伸而切斷之步驟等以膜狀接著劑12之切斷為主要目的之步驟。
<拉離步驟>
前述拉離步驟中，於前述切斷步驟後，如圖1中的(c)所示，將半導體晶片9與貼附於該半導體晶片9之切斷後的膜狀接著劑12，自支持片11拉離(拾取)。本步驟通常於前述切斷步驟後立即連續地進行。此處，表示以下示例：藉由半導體裝置的製造裝置的提拉部82提拉半導體晶片9，藉此將貼附於該半導體晶片9之切斷後的膜狀接著劑12自支持片11剝離。如此般提拉半導體晶片9之方法為公知的方法即可，例如可列舉：藉由真空筒夾吸附半導體晶片9的表面而提拉之方法等。
根據膜狀接著劑複合片1，若如此般提拉半導體晶片9，則可抑制產生步驟異常而使膜狀接著劑12自支持片11剝離。更具體而言，下述現象得到抑制：膜狀接著劑12中與目標半導體晶片9對應之部位自支持片11剝離，並且 膜狀接著劑12中與目標外的半導體晶片9對應之部位自支持片11剝離之現象。並且，由於將膜狀接著劑12於預定的部位切斷，故而所提拉之半導體晶片9與膜狀接著劑12一起自支持片11拉離。
本發明之製造方法中，使用與膜狀接著劑一起拉離(拾取)之半導體晶片，以下利用與以往的方法相同的方法，製造半導體裝置。例如，將前述半導體晶片藉由膜狀接著劑而晶片接合於基板的電路面，視需要於該半導體晶片進一步積層至少1個半導體晶片，進行打線接合後，藉由樹脂將整體密封，藉此製成半導體封裝。然後，使用該半導體封裝，製作目標半導體裝置即可。
本發明之半導體裝置的製造方法並不限定於引用圖1所說明之上述方法，在無損本發明的功效之範圍內，亦可於上述方法中變更、刪除或追加一部分構成。
例如，作為隔著支持片11對膜狀接著劑12施加力之方法，上文對以下方法進行了說明：藉由突起811頂出支持片11，藉此對膜狀接著劑12施加力。作為該方法以外的方法，例如可列舉以下方法：藉由滑塊代替突起811頂出支持片11，藉此對膜狀接著劑12施加力。
圖2係用於以示意方式說明對上述膜狀接著劑施加力而將該膜狀接著劑切斷的另一實施形態之剖視圖。再者， 圖2中，對於與圖1所示之構成要素相同的構成要素，標附與圖1之情形相同的符號，並省略該符號的詳細說明。於圖3以後之圖中亦相同。
此處所示之實施形態中，作為膜狀接著劑的切斷方法，替換為參照圖1中的(b)所說明之方法。
於應用本實施形態之情形時，首先，利用與參照圖1中的(a)所說明之情形相同的方法，進行貼附步驟。
繼而，針對膜狀接著劑複合片1之支持片11，自該支持片11的背面11b施加力，藉此隔著支持片11對膜狀接著劑12施加力。但是，本實施形態中，藉由如圖2中的(a)及圖2中的(b)所示之滑塊812之移動，而並非頂出部81中如圖1中的(b)所示之突起811之突出，將支持片11自該支持片11的背面11b頂出。
本實施形態中，如圖2中的(a)所示，成為如下狀態：自頂出部81突出之滑塊812的表面812a接觸於支持片11的背面11b。此時，滑塊812的表面812a與如圖1中的(a)所示之切斷步驟前之支持片11的背面11b不平行。因此，沿與滑塊812的表面812a正交之方向，亦即沿斜向而並非鉛垂方向，對支持片11，自該支持片11的背面11b施加力，藉此於膜狀接著劑12的頂出高度產生差。但是，與圖1中的(b)之情形同樣地，隔著支持片11對膜狀接著劑12施加力。藉此，膜狀接著劑12之頂出高度高之區域中，未貼附半導 體晶片9之區域(圖2中的(a)中之第1區域121)中，藉由伴隨頂出而產生之剪切力，可抑制產生步驟異常而將膜狀接著劑12切斷。
利用滑塊812之頂出時，可適宜調節滑塊812的突出量(頂出量)、傾斜角(頂出速度)、移動速度(上拉等待時間)等頂出條件。
本實施形態中，繼而，如圖2中的(b)所示，使滑塊812沿相對於未頂出之支持片11的背面11b平行之方向移動。藉此，支持片11的頂出部位移動。並且，該頂出部位移動後，膜狀接著劑12之頂出高度高之區域中，未貼附半導體晶片9之區域(圖2中的(b)中的第2區域122)中，藉由伴隨頂出而產生之剪切力，可抑制產生步驟異常而將膜狀接著劑12切斷。
藉由伴隨此種滑塊812之移動所產生之剪切力，膜狀接著劑12與參照圖1所說明之情形同樣地，抑制產生步驟異常而切斷。
以下，可利用與參照圖1中的(a)所說明之情形相同的方法，進行拉離步驟。
但是，通常，相較於如參照圖2所說明之滑塊頂出方式，如參照圖1所說明之銷頂出方式的膜狀接著劑之切斷 功效較高。因此，採用何種方式例如較佳為考慮膜狀接著劑的斷裂伸長率B等與強度相關之特性而進行選擇。
如以上所述，根據本發明之半導體裝置的製造方法，前述切斷步驟中，可將膜狀接著劑於目標部位切斷，故而伴隨膜狀接著劑未被切斷所產生之半導體晶片的拉離(上拉)不良得到抑制。
另外，根據本發明之半導體裝置的製造方法，前述拉離步驟中，膜狀接著劑的目標部位自支持片剝離，故而半導體晶片的拉離(上拉)不良之產生得到抑制。再者，由於可抑制膜狀接著劑的目標外的部位自支持片剝離，故而以下所謂之雙晶粒黏連之產生得到抑制，該雙晶粒黏連係指不僅目標半導體晶片，與該半導體晶片鄰接之半導體晶片亦同時與膜狀接著劑一起自支持片拉離。
如此，根據本發明，可利用經簡化之方法，抑制產生步驟異常而製造半導體裝置。
於不使用本發明之膜狀接著劑複合片之情形時，製造半導體裝置時，有可能無法抑制產生如以下所示之步驟異常。
圖3係以示意方式表示使用以往之膜狀接著劑複合片之情形時，半導體裝置的製造過程中之膜狀接著劑複合片及半導體晶片的一態樣之剖視圖。
於使用圖3所示之膜狀接著劑複合片7之情形時，如圖3中的(a)所示，即便對膜狀接著劑72施加力，亦無法將膜狀接著劑72切斷；再者，提拉半導體晶片9時，膜狀接著劑72自半導體晶片9剝離，成為積層於支持片71之狀態。結果為，如圖3中的(b)所示，產生半導體晶片9的上拉不良。
此種步驟異常例如容易於以下情形時產生：膜狀接著劑複合片7中，前述斷裂伸長率B及斷裂強度C之值大，與這些斷裂伸長率B及斷裂強度C之值相比時的前述接著力A之值小至不理想之程度，不滿足前述式(1)之關係。
圖4係以示意方式表示使用以往之膜狀接著劑複合片之情形時，半導體裝置的製造過程中之膜狀接著劑複合片及半導體晶片的另一態樣之剖視圖。
於使用圖4所示之膜狀接著劑複合片7之情形時，如圖4中的(a)所示，僅於膜狀接著劑72的一部分形成切口，膜狀接著劑72未被切斷；再者，提拉半導體晶片9時，膜狀接著劑72自半導體晶片9剝離，成為積層於支持片71之狀態。結果為，如圖4中的(b)所示，產生半導體晶片9的上拉不良。
此種步驟異常例如亦容易於以下情形時產生：膜狀接著劑複合片7中，前述斷裂伸長率B及斷裂強度C之值大，與這些斷裂伸長率B及斷裂強度C之值相比時的前述接著力A之值小至不理想之程度，不滿足前述式(1)之關係。
再者，參照圖3至圖4所說明之步驟異常為一例，視情況有時亦產生其他步驟異常。
相對於此，於使用本發明之膜狀接著劑複合片之情形時，此種步驟異常之產生得到抑制，結果為，相較於以往，可利用經簡化之方法價格更低廉地製造半導體裝置。
作為本發明之一實施形態之膜狀接著劑複合片的一形態，可列舉一種膜狀接著劑複合片，前述膜狀接著劑複合片於具有基材之支持片上，設置有厚度1μm至50μm的硬化性的膜狀接著劑，該硬化性的膜狀接著劑的厚度較佳為3μm至25μm，更佳為5μm至15μm；將硬化前的前述膜狀接著劑對於半導體晶圓之接著力設為接著力A(N/24mm)、將硬化前的前述膜狀接著劑以合計厚度成為200μm之方式積層而成之積層體的斷裂伸長率設為斷裂伸長率B(%)、將前述積層體的斷裂強度設為斷裂強度C(MPa)時，前述接著力A為0.3N/24mm至15N/24mm，較佳為0.3N/24mm至11N/24mm，更佳為0.4N/24mm至7N/24mm，進一步更佳為0.45N/24mm以上未達10N/24mm，尤佳為0.45N/24mm以上5.8N/24mm以下；斷裂伸長率B為1200%以下，較佳為30%至1200%，更佳為40%至1100%，進一步更佳為45%至1050%，或者亦可為30%至500%、40%至500%、45%至500%或50%至440%；斷裂強度C為0.4MPa至17MPa，較佳為0.5MPa至15MPa，更佳為0.6MPa至13MPa，進一 步較佳為0.8MPa至11MPa，尤佳為2.5MPa至11MPa；且A/(B×C)之值為0.0005以上0.0170以下，較佳為0.0006以上0.0140以下，更佳為0.00067以上0.0115以下，進一步較佳為0.0008以上未達0.0125、0.0008以上0.0105以下。
作為本發明之一實施形態之膜狀接著劑複合片的另一形態，可列舉一種膜狀接著劑複合片；再者，前述膜狀接著劑由包含聚合物成分(a)、環氧系熱硬化性樹脂(b)、填充劑(d)、及偶合劑(e)之接著劑組成物形成；前述聚合物成分(a)係重量平均分子量(Mw)為10000至2000000之丙烯酸系樹脂，較佳為選自由丙烯酸丁酯、丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、及丙烯酸2-羥基乙酯所組成之群組中的單體進行共聚合而成之樹脂；前述環氧系熱硬化性樹脂(b)由環氧樹脂(b1)及熱硬化劑(b2)所構成，前述環氧樹脂(b1)較佳為選自由雙酚A型環氧樹脂、伸苯基骨架型環氧樹脂、及二環戊二烯型環氧樹脂物所組成之群組中的至少一種；前述填充劑(d)為二氧化矽或氧化鋁；前述偶合劑(e)為選自由含環氧基之寡聚物型矽烷偶合劑、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、及2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷所組成之群組中的至少一種；前述聚合物成分(a)之丙烯酸系樹脂的含量相對於前述膜狀接著劑的總質量，為5質量%至40質量%，較佳為7質量%至25質量%，或者亦可為9質量%至28質量%；前述環氧系熱硬化性樹脂(b)的含量相對於前述聚 合物成分(a)的含量100質量份，為50質量份至1000質量份，較佳為100質量份至900質量份，更佳為150質量份至870質量份，或者亦可為47質量%至81質量%或47質量%至80質量%；前述填充材料(d)的含量相對於前述膜狀接著劑的總質量，為5質量%至80質量%，較佳為7質量%至60質量%，或者亦可為8質量%至12質量%或9質量%至12質量%；前述偶合劑(e)的含量相對於前述聚合物成分(a)及前述環氧系熱硬化性樹脂(b)的合計含量100質量份，為0.03質量份至20質量份，較佳為0.05質量份至10質量份，更佳為0.1質量份至5質量份，或者亦可為0.28質量%至1質量%。
再者，膜狀接著劑複合片中，前述基材亦可為由低密度聚乙烯所構成之層、包含聚丙烯之層及由苯乙烯-乙烯丁烯-苯乙烯嵌段共聚物與低密度聚乙烯所構成之層依序積層而成之基材。
[實施例]
以下，藉由具體的實施例，對本發明進行更詳細的說明。但是，本發明並不受以下所示之實施例任何限定。
以下表示製造接著劑組成物時所使用之成分。
‧聚合物成分
(a)-1：使丙烯酸丁酯(以下，簡稱為「BA」)(55質量份)、丙烯酸甲酯(以下，簡稱為「MA」)(10質量份)、甲 基丙烯酸縮水甘油酯(以下，簡稱為「GMA」)(20質量份)及丙烯酸-2-羥基乙酯(以下，簡稱為「HEA」)(15質量份)進行共聚合而成之丙烯酸系樹脂(重量平均分子量800000，玻璃轉移溫度-28℃)。
(a)-2：使MA(85質量份)及HEA(15質量份)進行共聚合而成之丙烯酸系樹脂(重量平均分子量370000，玻璃轉移溫度6℃)。
(a)-3：使MA(95質量份)及HEA(5質量份)進行共聚合而成之丙烯酸系樹脂(重量平均分子量760000，玻璃轉移溫度9℃)。
(a)-4：熱塑性樹脂，聚酯(東洋紡公司製造之「Vylon 220」，重量平均分子量35000，玻璃轉移溫度53℃))。
‧環氧樹脂
(b1)-1：雙酚A型環氧樹脂(三菱化學公司製造之「JER828」，環氧當量184g/eq至194g/eq)。
(b1)-2：液狀雙酚A型環氧樹脂(三菱化學公司製造之「JER834」，環氧當量250g/eq，重量平均分子量470)。
(b1)-3：多官能芳香族型(聯三伸苯型)環氧樹脂(日本化藥公司製造之「EPPN-502H」，環氧當量167g/eq，軟化點54℃，重量平均分子量1200)。
(b1)-4：加成有丙烯醯基之甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(日本化藥公司製造之「CNA147」，環氧當量518g/eq，數量平均分子量2100，不飽和基含量與環氧基等量)。
(b1)-5：二環戊二烯型環氧樹脂(ADEKA公司製造之「 Adeka Resin EP-4088L」，環氧當量165g/eq)。
‧熱硬化劑
(b2)-1：酚醛清漆型酚樹脂(昭和電工公司製造之「BRG-556」，軟化點80℃，重量平均分子量950)。
(b2)-2：聯苯型酚樹脂(明和化成公司製造之「MEH-7851-SS」，軟化點67℃)。
(b2)-3：芳烷基型酚樹脂(三井化學公司製造之「Milex XLC-4L」，軟化點63℃)。
‧硬化促進劑
(c)-1：2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑(四國化成工業公司製造之「Curezol 2PHZ」)。
‧填充材料
(d)-1：球狀二氧化矽(Admatechs公司製造之「SC2050MA」)。
(d)-2：球狀二氧化矽(Admatechs公司製造之「SC2050」)。
(d)-3：球狀二氧化矽(Admatechs公司製造之「YA050C-MJE」)。
‧偶合劑
(e)-1：矽烷偶合劑，含環氧基之寡聚物型(三菱化學製造之「MKC Silicate MSEP-2」，環氧當量222g/eq)。
(e)-2：矽烷偶合劑，含環氧基之寡聚物型(Shin-Etsu Silicones公司製造之「X-41-1056」，環氧當量280g/eq)。
(e)-3：矽烷偶合劑，3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽 烷(Shin-Etsu Silicones公司製造之「KBM-403」)。
(e)-4：矽烷偶合劑，3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷(Shin-Etsu Silieones公司製造之「KBE-403」)。
(e)-5：矽烷偶合劑，2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷(Shin-Etsu Silicones公司製造之「KBM-303」)。
(e)-6：矽烷偶合劑，3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷(Shin-Etsu Silicones公司製造之「KBE-402」)。
‧交聯劑
(f)-1：甲苯二異氰酸酯系交聯劑(Tosoh公司製造之「Coronate L」)。
‧能量線硬化性樹脂
能量線硬化性樹脂(g)-1：三環癸烷二羥甲基二丙烯酸酯(日本化藥公司製造之「KAYARAD R-684」，紫外線硬化性樹脂，分子量304)。
‧光聚合起始劑
光聚合起始劑(h)-1：1-羥基環己基苯基酮(BASF公司製造之「IRGACURE 184」)。
‧其他成分
(z)-1：聚矽氧油(Momentive Performance Materials Japan公司製造之「XF42-334」)。
以下表示製造膜狀接著劑複合片時所使用之基材。
基材(1)：由低密度聚乙烯所構成之層(日本聚乙烯公司製造之「Novatec LC520」，密度0.923g/cm3，MFR3.6g/10 分鐘，厚度8μm)、包含聚丙烯之層(由均聚丙烯樹脂(Prime Polymer公司製造之「Prime Polypro F-300SP」，密度0.90g/cm3，MFR3.0g/10分鐘)及苯乙烯-乙烯丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(JSR公司製造之「Dynaron 8601P」，密度0.89g/cm3，MFR3.5g/10分鐘)之混合物所構成之層，厚度60μm)、及由低密度聚乙烯所構成之層(除厚度為12μm而並非8μm之方面以外與上述相同)依序積層而成之基材。再者，上述之MFR(melt flow rate；熔體流動速率)係依據JISK7210：1999，將測定溫度於低密度聚乙烯之情形時設為190℃，於均聚丙烯樹脂之情形時設為230℃，於苯乙烯-乙烯丁烯-苯乙烯嵌段共聚物之情形時設為230℃，將荷重設為21.18N，所測定之值。
基材(2)：由聚乙烯-甲基丙烯酸共聚物所構成之層、與由聚乙烯所構成之層積層而成之兩層結構之基材(Achilles公司製造之「HUSL1301」)。
<膜狀接著劑複合片之製造>
[實施例1]
(接著劑組成物之製造)
使聚合物成分(a)-1、聚合物成分(a)-4、環氧樹脂(b1)-1、環氧樹脂(b1)-3、熱硬化劑(b2)-1、硬化促進劑(c)-1、填充材料(d)-1、偶合劑(e)-1、能量線硬化性樹脂(g)-1、及光聚合起始劑(h)-1以這些的含量(質量份)成為表1所示之值之方式溶解或分散於甲基乙基酮中，於23℃下進行攪拌， 藉此作為接著劑組成物，獲得固形物成分濃度為50質量%之接著劑組成物。再者，表1中的含有成分一欄中記載為「-」時，意指接著劑組成物不含該成分。
(膜狀接著劑複合片之製造)
於聚對苯二甲酸乙二酯製膜的單面經剝離處理之剝離膜(lintec公司製造之「SP-PET3811」，厚度38μm)的剝離處理面，塗佈上述獲得之接著劑組成物，於100℃下乾燥3分鐘，藉此形成厚度為7μm之膜狀接著劑。繼而，於該膜狀接著劑的露出面，貼合基材(1)的厚度8μm的由低密度聚乙烯所構成之層，藉此獲得膜狀接著劑複合片。
[實施例2至實施例5、比較例1至比較例2]
使基材或接著劑組成物的含有成分如表1所示，除此方面以外，利用與實施例1相同的方法，製造膜狀接著劑複合片。
再者，於使用基材(2)之情形時，使該由聚乙烯所構成之層貼合於膜狀接著劑的露出面。
<膜狀接著劑複合片之評價>
針對上述獲得之各實施例及比較例之膜狀接著劑複合片，評價下述項目。
(接著力A之測定)
將膜狀接著劑複合片裁斷成24mm×300mm之大小，將膜狀接著劑加熱至60℃，於該膜狀接著劑貼附透明膠帶(cellophane tape)(Nichiban公司製造之「Cellotape(註冊商標)No.405」，寬度24mm)的黏著面。繼而，使基材自膜狀接著劑剝離，將露出之膜狀接著劑加熱至60℃，於該狀態下，貼附於6吋的矽晶圓(厚度350μm)的乾式拋光面，藉此作為試片而獲得透明膠帶、膜狀接著劑及矽晶圓依序積層而成之積層體。
將所獲得之積層體立即於23℃、相對濕度50%之環境下(JIS Z0237 2009中所規定之標準環境下)放置30分鐘後，進行以下所謂之180°剝離：自矽晶圓將積層有膜狀接著劑及透明膠帶之積層片，以膜狀接著劑及矽晶圓相互接觸的面彼此形成180°之角度之方式以剝離速度150mm/min剝離，測定此時的剝離力，將該剝離力的測定值設為接著力A(N/24mm)。結果示於表1。
(斷裂伸長率B之測定)
使用貼合機，將2片膜狀接著劑(厚度20μm)加熱至60℃而貼合，進一步將相同的膜狀接著劑同樣地貼合，重複上述操作，製作合計厚度為200μm之積層膜狀接著劑而成之積層體。
繼而，使用加熱至80℃之加熱板，將所獲得之積層體加熱30秒。繼而，使用超級切割機(super cutter)(荻野精機製作所製造之「PH1-600」)，將該已加熱之積層體於10秒 以內裁斷，製作寬度15mm、長度100mm、厚度200μm之試片。於裁斷時間超過10秒之情形時，暫且中止裁斷，使用加熱至80℃之加熱板，將裁斷中的前述積層體再次加熱後，於10秒以內裁斷，製作試片。如此，將前述積層體於加熱後裁斷之原因在於，使之不會於試片的端部產生導致斷裂之缺損部。
繼而，針對所獲得之試片，依據JIS K7161-1994，測定斷裂伸長率。更具體而言，如下所述。
亦即，使用萬能試驗機(島津製作所製造之「Autograph AG-IS 500N」)，藉由該萬能試驗機的固定夾持器具將前述試片於兩處固定。此時，將固定夾持器具的尖端部間的距離(試片的露出部位的長度、固定部位間的距離)設為75mm。
然後，將拉伸速度設為200mm/min，於該固定部位間拉伸試片，求出試片的斷裂伸長率，設為斷裂伸長率B(%)。結果示於表1。
(斷裂強度C之測定)
上述之斷裂伸長率B測定時，測定試片斷裂(破壞)時之拉伸應力，亦即拉伸破壞應力，將該拉伸破壞應力的測定值設為斷裂強度C(MPa)。結果示於表1。
(A/(B×C)之值之算出)
根據上述中獲得之接著力A、斷裂伸長率B及斷裂強度C的測定值，算出A/(B×C)之值。結果示於表1。
(藉由利用銷之頂出之拾取適性之評價)
將8吋之矽晶圓單片化為2mm×2mm、厚度50μm之晶片。然後，使用貼合機，將膜狀接著劑複合片之膜狀接著劑加熱至60℃，於前述晶片的乾式拋光面貼合該經加熱之膜狀接著劑。藉由以上之操作，獲得1片膜狀接著劑複合片貼附於複數個矽晶片之試驗用片。
繼而，針對該試驗用片，使用拾取裝置(Canon Machinery公司製造之「BESTEM-D02」)，於頂出量150μm、頂出速度20mm/min、上拉等待時間1sec之條件下，藉由1銷頂出方式，進行54次拾取。並且，於拾取成功40次以上之情形時，判定為拾取適性良好(X)，於該情形以外之情形時，判定為拾取適性不良(Y)。結果示於表1。
(藉由利用滑塊之頂出之拾取適性之評價)
於上述之拾取適性之評價中所使用之拾取裝置安裝滑塊套組，使用呈與圖2所示之構成相同構成之拾取裝置，藉由滑塊頂出方式進行拾取，除此方面以外，利用與上述之1銷頂出方式之情形相同的方法，評價拾取適性。再者，此時，於衝程距離1.5mm、衝程速度90mm/sec、等待時間1sec之條件下進行拾取。結果示於表1。
Figure 106105934-A0202-12-0066-3
根據上述結果可明確，實施例1至實施例5之膜狀接著 劑複合片的A/(B×C)之值處於0.0008以上之範圍，滿足前述式(1)之關係。並且，貼附有這些片之膜狀接著劑之矽晶片中，藉由1銷頂出方式，即便不另行設置以膜狀接著劑之切斷為主要目的之步驟，亦可抑制產生步驟異常而將膜狀接著劑切斷。再者，可抑制產生步驟異常，而將貼附有切斷後的膜狀接著劑之矽晶片自支持片拉離。如此，實施例1至實施例5之膜狀接著劑複合片於1銷頂出方式中顯示良好的拾取適性。
再者，於使用膜狀接著劑的斷裂伸長率B處於440%以下之範圍之實施例1至實施例2、實施例4至實施例5之膜狀接著劑複合片之情形時，即便於滑塊頂出方式時，亦與1銷頂出方式之情形同樣地，顯示良好之拾取適性。
相對於此，比較例1至比較例2之膜狀接著劑複合片的A/(B×C)之值處於0.0004以下之範圍，未滿足前述式(1)之關係。並且，貼附有這些片之膜狀接著劑之矽晶片中，於1銷頂出方式及滑塊頂出方式之任一情形時，於膜狀接著劑之切斷至附有膜狀接著劑之矽晶片自支持片之拉離為止期間，產生步驟異常之次數多，拾取適性不良。
(產業可利用性)
本發明可用於製造半導體裝置，故而於產業上極其有用。
1‧‧‧膜狀接著劑複合片
9‧‧‧半導體晶片
9b‧‧‧半導體晶片的背面
11‧‧‧支持片
11a‧‧‧支持片的表面
11b‧‧‧支持片的背面
12‧‧‧膜狀接著劑
81‧‧‧頂出部
82‧‧‧提拉部
811‧‧‧突起

Claims (7)

  1. 一種膜狀接著劑複合片，係於具有基材之支持片上設置有厚度1μm至50μm的硬化性的膜狀接著劑；將硬化前的前述膜狀接著劑對於半導體晶圓之接著力設為接著力A(N/24mm)、將硬化前的前述膜狀接著劑以合計厚度成為200μm之方式積層而成之積層體的斷裂伸長率設為斷裂伸長率B(%)、將前述積層體的斷裂強度設為斷裂強度C(MPa)時，前述斷裂伸長率B(%)為30%至1200%；且滿足下述式(1)之關係：A/(B×C)≧0.0005‧‧‧‧(1)。
  2. 如請求項1所記載之膜狀接著劑複合片，其中前述膜狀接著劑僅包含1種填充劑(d)。
  3. 如請求項1所記載之膜狀接著劑複合片，其中前述斷裂伸長率B為500%以下。
  4. 如請求項1所記載之膜狀接著劑複合片，其中前述斷裂伸長率B為45%至500%。
  5. 如請求項1所記載之膜狀接著劑複合片，其中前述膜狀接著劑包含聚合物成分(a)、環氧系熱硬化性樹脂(b)、填充劑(d)、及偶合劑(e)；前述環氧系熱硬化性樹脂(b)由環氧樹脂(b1)及熱硬化劑(b2)所構成；前述環氧樹脂(b1)為選自由雙酚A型環氧樹脂、伸苯基骨架型環氧樹脂、及二環戊二烯型環氧樹脂物所 組成之群組中的至少一種。
  6. 如請求項1至5中任一項所記載之膜狀接著劑複合片，其中前述支持片由前述基材所構成，且於前述基材直接接觸地設置有前述膜狀接著劑。
  7. 一種半導體裝置的製造方法，包含有以下步驟：將如請求項1至6中任一項所記載之膜狀接著劑複合片經由前述膜狀接著劑貼附於已分割完畢之複數個半導體晶片之步驟；針對貼附於前述半導體晶片之前述膜狀接著劑複合片中的支持片，自設置有前述膜狀接著劑之側的相反側施加力，藉此隔著前述支持片對前述膜狀接著劑施加力，將前述膜狀接著劑切斷之步驟；以及將前述半導體晶片與貼附於前述半導體晶片之切斷後的前述膜狀接著劑自前述支持片拉離之步驟。
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