JP2013161946A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】被処理基板をステージに対して搬入出する際、基板を安定して保持し、基板の位置ずれを防止することのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｇを載置可能なステージ１１と、前記ステージの周囲に昇降可能に設けられ、上昇位置において前記ステージの上方に突出して前記被処理基板の周縁部を支持する複数の支持ピン１６と、前記複数の支持ピンを昇降移動させる支持ピン昇降手段１７とを備え、前記複数の支持ピンの上昇位置において、前記ステージの少なくとも一対の対向する辺側にそれぞれ設けられた前記複数の支持ピンは、前記ステージの辺に沿って支持位置の高さが凹凸状に異なるように配置されている。
【選択図】図８

Description

本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関し、例えば、処理液が塗布された被処理基板をステージ上に載置し、前記基板に対して所定の処理を施す基板処理装置及び基板処理方法に関する。
例えばＦＰＤ（フラット・パネル・ディスプレイ）の製造においては、ガラス基板等の被処理基板に所定の膜を成膜した後、処理液であるフォトレジスト（以下、レジストと呼ぶ）を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィ工程により回路パターンを形成している。
前記レジスト膜の形成工程において、基板へのレジスト塗布後、減圧により塗布膜を乾燥させる減圧乾燥処理が行われる。
従来、このような減圧乾燥処理を行う装置としては、例えば図１２に示す特許文献１に開示の減圧乾燥ユニットが知られている。
図１２に示す減圧乾燥ユニット５０は、下部チャンバ５１に対して、上部チャンバ５２を閉じることにより、内部に処理空間が形成されるように構成されている。その処理空間には、被処理基板を載置するためのステージ５３が設けられている。また、ステージ５３には基板Ｇを載置するための複数の固定ピン５４が設けられている。
この減圧乾燥処理ユニット５０においては、被処理面にレジスト塗布された基板Ｇが搬入されると、基板Ｇはステージ５３上に固定ピン５４を介して載置される。
次いで下部チャンバ５１に対して上部チャンバ５２を閉じることにより、基板Ｇは気密状態の処理空間内に置かれた状態となる。
次いで、処理空間内の雰囲気が排気口５５から排気され、所定の減圧雰囲気となされる。この減圧状態が所定時間、維持されることにより、レジスト液中のシンナー等の溶剤がある程度蒸発され、レジスト液中の溶剤が徐々に放出され、レジストに悪影響を与えることなくレジストの乾燥が促進される。
尚、前記のような減圧乾燥ユニット５０にあっては、固定ピン５４を介しても基板Ｇとステージ５３との間に殆ど隙間はないため、搬送ロボットアーム（図示せず）により基板Ｇをステージ５３上に直接載置することが困難である。そのため、図１３（ａ）に示すようにステージ５３に対して昇降可能な複数の支持ピン５６が設けられている。そして、基板Ｇをステージ５３上に載置する際には、基板Ｇは上昇位置に配置された複数の支持ピン５６上に一時的に載置される。そして、図１３（ｂ）に示すように前記支持ピン５６が下降移動することにより、基板Ｇが支持ピン５６からステージ５３上に引き渡され、ステージ５３に載置されることになる。
特開２０００−１８１０７９号公報
ところで、前記減圧乾燥ユニット５０において、前記固定ピン５４や支持ピン５６が基板の画素形成領域内にあると、前記ピンとの接触跡がレジスト膜に転写する虞があるため、それらピンは前記画素形成領域外である基板周縁部を支持することが好ましい。
しかしながら、近年では基板Ｇが大型化かつ薄型化されているため、前記基板Ｇをステージ５３に載置する際に複数の支持ピン５６により基板周縁部を支持すると、基板Ｇを安定して保持できないという課題があった。即ち、図１４（ａ）に示すように複数の支持ピン５６により基板周縁部を支持すると、基板中央部Ｇａが自重で下方に下がり、その影響により基板周縁部が湾曲し、基板縁部が支持ピン５６から浮く箇所６０が生じることがあった。
また、前記のように基板縁部と支持ピン５６とが接触しない箇所６０は、基板Ｇを搬送ロボットアーム（図示せず）から支持ピン５６上に引き渡す際の諸要因（複数の支持ピン５６が基板Ｇに接触する順番の違い等）により基板毎に異なることがあった（図１４（ｂ）参照）。具体的に説明すると、基板Ｇの周縁部を支持ピン５６により支持した際に、基板Ｇによって、図１４（ａ）に示す形状に湾曲する場合と図１４（ｂ）に示す形状に湾曲する場合とがあった。即ち、枚葉処理される複数の基板Ｇがそれぞれ異なる湾曲形状を呈し、ステージ５３上に基板Ｇを載置すると所定位置からずれる基板Ｇの位置ずれが頻繁に生じるという課題があった。
本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、被処理基板をステージ上に載置し、前記基板に対して所定の処理を施す基板処理装置において、前記基板をステージに対して搬入出する際、基板を安定して保持し、基板の位置ずれを防止することのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
前記した課題を解決するために、本発明に係る基板処理装置は、被処理基板をステージ上に載置し、前記被処理基板に対して所定の処理を施す基板処理装置において、前記被処理基板を載置可能な前記ステージと、前記ステージの周囲に昇降可能に設けられ、上昇位置において前記ステージの上方に突出して前記被処理基板の周縁部を支持する複数の支持ピンと、前記複数の支持ピンを昇降移動させる支持ピン昇降手段とを備え、前記複数の支持ピンの上昇位置において、前記ステージの少なくとも一対の対向する辺側にそれぞれ設けられた前記複数の支持ピンは、前記ステージの辺に沿って支持位置の高さが凹凸状に異なるように配置されていることに特徴を有する。
尚、前記複数の支持ピンは、互いに高さの異なる第１の支持ピンと第２の支持ピンとを有し、前記第１の支持ピンと前記第２の支持ピンとが、前記ステージの辺に沿って交互に配置されていることが望ましい。
また、本発明に係る基板処理装置は、被処理基板をステージ上に載置し、前記被処理基板に対して所定の処理を施す基板処理装置において、前記被処理基板を載置可能な前記ステージと、前記ステージの周囲に昇降可能に設けられ、上昇位置において前記ステージの上方に突出して前記被処理基板の周縁部を支持する複数の支持ピンと、前記複数の支持ピンをそれぞれ昇降移動させ、上昇位置において前記複数の支持ピンの間で支持位置の高さに高低差を形成する支持ピン高低差形成手段とを備え、前記支持ピン高低差形成手段が、前記複数の支持ピンの間で、上昇距離に差異を持たせることにより、前記ステージの少なくとも一対の対向する辺側にそれぞれ設けられた前記複数の支持ピンは、前記ステージの辺に沿って支持位置の高さが凹凸状に異なるように構成してもよい。
このように構成することにより、前記複数の支持ピンにより被処理基板の周縁部を支持した際、基板中央部が自重により下がっても、基板周縁部は不安定な状態とならず、基板は一定の湾曲形状を維持することができる。
即ち、基板を前記支持ピン上に引き渡す際の諸要因（複数の支持ピンが基板に接触する順番の違い等）に拘わらず、枚葉処理される基板を所定形状に一様に湾曲させた状態で保持することができ、ステージ上に基板を載置する際の位置ずれを防止することができる。
また、前記支持ピンは、基板の画素形成領域の外側の基板周縁部を支持するため、前記ピンとの接触跡に起因するレジスト膜への転写を防止することができる。
また、前記支持ピンの上端には前記被処理基板に吸着可能な吸着パッドが設けられていることが望ましく、その場合、前記吸着パッドに連通する吸引手段を備えていてもよい。
このように支持ピンの上端に吸着パッドを設けることにより、基板周縁部を確実に保持し、基板周縁部を所定形状に湾曲させることができる。
また、前記支持ピンは、前記被処理基板の隅部を除く該基板の周縁部を、下方から支持可能に設けられていることが望ましい。
このように隅部（角部）は支持ピンにより支持されない構成とすることにより、基板の辺縁部における変形（湾曲）の自由度が制約を受けることがない。
また、前記ステージの周縁部には、前記被処理基板が載置された際に該基板の周縁部を支持する複数の固定ピンが設けられ、前記支持ピン昇降手段が前記基板を支持した前記複数の支持ピンを下降移動させることにより前記基板は前記固定ピンを介して前記ステージ上に載置されることが望ましい。
このようにステージの周縁部に固定ピンを設けることにより、基板をステージに載置した際の位置ずれを防止することができる。
また、前記した課題を解決するために、本発明に係る基板処理方法は、被処理基板をステージ上に載置し、前記被処理基板に対して所定の処理を施す基板処理方法において、前記ステージの周囲に沿って昇降可能に設けられ、前記ステージの少なくとも一対の対向する辺側においては、前記ステージの辺に沿って支持位置の高さが凹凸状に異なるように配置された複数の支持ピンを、前記ステージの上方に突出するよう上昇移動させるステップと、前記複数の支持ピンにより前記被処理基板の周縁部を下方から支持するステップと、前記複数の支持ピンを下降移動させ、前記ステージ上に前記被処理基板を載置するステップとを実行することに特徴を有する。
このような方法によれば、前記複数の支持ピンにより被処理基板の周縁部を支持した際、基板中央部が自重により下がっても、基板周縁部は不安定な状態とならず、基板は一定の湾曲形状を維持することができる。
即ち、基板を前記支持ピン上に引き渡す際の諸要因（複数の支持ピンが基板に接触する順番の違い等）に拘わらず、枚葉処理される基板を所定形状に一様に湾曲させた状態で保持することができ、ステージ上に基板を載置する際の位置ずれを防止することができる。
また、前記支持ピンは、基板の画素形成領域の外側の基板周縁部を支持するため、前記ピンとの接触跡に起因するレジスト膜への転写を防止することができる。
また、前記複数の支持ピンにより前記被処理基板の周縁部を下方から支持するステップにおいて、前記支持ピンの上端に設けられた吸着パッドにより基板面を吸着することが望ましい。
このように支持ピンの上端に設けられた吸着パッドで基板面を吸着することにより、基板周縁部を確実に保持し、基板周縁部を所定形状に湾曲させることができる。
また、前記複数の支持ピンにより前記被処理基板の周縁部を下方から支持するステップにおいて、前記ステージの辺に沿って交互に配置された互いに高さの異なる前記第１の支持ピンと前記第２の支持ピンとにより、前記被処理基板の周縁部を下方から支持することが望ましい。
このようにすることにより、前記ステージの辺に沿って支持位置の高さが凹凸状に異なるようにすることができる。
また、前記複数の支持ピンにより前記被処理基板の周縁部を下方から支持するステップにおいて、前記被処理基板の隅部を除く該基板の周縁部を下方から支持することが望ましい。
このように隅部（角部）は支持ピンにより支持しないことにより、基板の辺縁部における変形（湾曲）の自由度が制約を受けることがない。
また、前記複数の支持ピンを下降移動させ、前記ステージ上に前記被処理基板を載置するステップにおいて、前記ステージの周縁部に設けられた複数の固定ピンにより前記被処理基板の周縁部を支持することが望ましい。
このようにステージの周縁部に設けられた固定ピンを介して基板を載置することにより、基板をステージに載置した際の位置ずれを防止することができる。
本発明によれば、被処理基板をステージ上に載置し、前記基板に対して所定の処理を施す基板処理装置において、前記基板をステージに対して搬入出する際、基板を安定して保持し、基板の位置ずれを防止することのできる基板処理装置及び基板処理方法を得ることができる。
図１は、本発明に係る基板処理装置としての減圧乾燥ユニットを備える塗布プロセス部の平面図である。 図２は、図１の塗布プロセス部の側面図である。 図３は、図１の塗布プロセス部が備える減圧乾燥ユニットの平面図である。 図４は、図１の塗布プロセス部が備える減圧乾燥ユニットの短手方向の側面図である。 図５は、図１の塗布プロセス部が備える減圧乾燥ユニットの長手方向の側面図である。 図６は、図１の塗布プロセス部を一部拡大して示す平面図である。 図７は、図１の塗布プロセス部を一部拡大して示す断面図である。 図８は、減圧乾燥ユニットの一部構成を示す側面図であり、支持ピンが上昇した状態を示す図である。 図９は、減圧乾燥ユニットの一部構成を示す側面図であり、支持ピンが下降した状態を示す図である。 図１０は、図１の塗布プロセス部の一連の動作の流れを示すフローである。 図１１は、減圧乾燥処理ユニットの動作の状態遷移を示す断面図である。 図１２は、従来の減圧乾燥ユニットの概略構成を示す断面図である。 図１３は、従来の減圧乾燥ユニットにおいて、被処理基板をステージに載置する一連の動作を示す側面図である。 図１４は、従来の減圧乾燥ユニットにおいて、支持ピンにより被処理基板を支持した際の課題を説明するための側面図である。
以下、本発明にかかる一実施の形態につき、図面に基づいて説明する。尚、本発明の基板処理装置及び基板処理方法は、例えば、フォトリソグラフィ工程において被処理基板であるガラス基板に、塗布膜であるレジスト膜を形成する塗布プロセス部内の減圧乾燥ユニットに適用することができる。
図１は、本発明に係る基板処理装置としての減圧乾燥ユニットを備える塗布プロセス部の平面図であり、図２は、図１の塗布プロセス部の側面図である。
図１、図２に示すように、塗布プロセス部１は、支持台２の上に、ノズル３を有するレジスト塗布ユニット４と、ガラス基板Ｇに塗布されたレジスト液を減圧乾燥する減圧乾燥ユニット５とが処理工程の順序に従い横一列（Ｘ方向）に配置されている。支持台２の左右両側には一対のガイドレール６が敷設され、このガイドレール６に沿って平行移動する一組の搬送アーム７により、基板Ｇがレジスト塗布ユニット４から減圧乾燥ユニット５へ搬送されるようになされている。
前記レジスト塗布ユニット４は、前記したようにノズル３を有し、このノズル３は支持台２上に固定されたゲート８から懸垂状態で固定され、基板幅方向（Ｙ方向）に長いスリット状の吐出口（図示せず）を有している。このノズル３にはレジスト液供給手段（図示せず）から処理液であるレジスト液Ｒが供給され、搬送アーム７によってゲート８の下を通過移動する基板Ｇの一端から他端にわたりレジスト液Ｒを塗布するようになされている。
また、減圧乾燥ユニット５は、板状のステージ１１を支持する下部チャンバ９と、この下部チャンバ９の上面に気密に密着可能に構成された蓋状の上部チャンバ１０とを有している。
図１に示すように下部チャンバ９は略四角形で、中心部には基板Ｇを水平に載置して保持するための前記ステージ１１が配置されている。
前記上部チャンバ１０は、上部チャンバ移動手段１２によって前記ステージ１１の上方にＺ方向に沿って昇降自在に配置されており、減圧乾燥処理の際には上部チャンバ１０が下降して下部チャンバ９と密着して閉じ、ステージ１１上に載置された基板Ｇを処理空間に収容した状態とされる。
また、図１，図２に示すように、基板Ｇの周囲には複数（図では６箇所）の排気口１３が設けられている。各排気口１３には排気管１４が接続され、各排気管１４は真空ポンプ１５に通じている。そして、下部チャンバ９に前記上部チャンバ１０を被せた状態で、チャンバ内の処理空間を前記真空ポンプ１５により所定の真空度まで減圧できるようになっている。
また、前記ステージ１１の周囲には、複数の支持ピン１６が昇降可能に設けられ、図２に示すように、それらはステージ下方に設けられたピン昇降駆動部１７（支持ピン昇降手段）により昇降駆動されるようになっている。
前記減圧乾燥ユニット５について、図３乃至図５を用いてさらに詳しく説明する。図３は、減圧乾燥ユニット５の平面図、図４は、減圧乾燥ユニット５の短手方向の側面図、図５は、減圧乾燥ユニット５の長手方向の側面図である。
図３に示すように、ステージ１１は、その周縁部が基板Ｇの周縁部より内側に位置するように形成されている。これは、基板Ｇにおける画素形成領域２０の外側の縁部を、ステージ１１の周囲に配置された複数の支持ピン１６によって支持可能にするためである。尚、図６の拡大図に示すように、ステージ１１の縁部には所定間隔を空けて縦溝状に複数の凹部１１ａが設けられ、この凹部１１ａ内に支持ピン１６が配置されている。
また、図７の拡大図に示すように、支持ピン１６の先端には、基板Ｇの下面と接触する吸着パッド１８が設けられ、基板Ｇとの接触性が向上するように構成されている。吸着パッド１８は、可撓性を有する材質（エストラマー等）により形成されている。また、この吸着パッド１８には、真空ポンプ２１（吸引手段）が接続され、基板面に対して真空吸着することも可能な構成となされている。
また、前記のように支持ピン１６は、昇降可能に設けられるが、少なくとも基板Ｇを支持する状態となる上昇位置において、ステージ１１の長手方向に沿って配列された複数の支持ピンの支持位置の高さを凹凸状とすることにより、基板Ｇの周縁部を強制的に所定形状に湾曲させるようになされる。
具体的には、図４に示すようにステージ１１の短辺側では、全て同じピン高さを有する支持ピン１６Ａ（第１の支持ピン）が配列され、図５に示すようにステージ１１の長辺側では、前記支持ピンＡと、それよりも高さの高い支持ピン１６Ｂ（第２の支持ピン）とが交互に配列される。
尚、図３に示すようにステージ１１の長手方向（Ｘ方向）の対向する一対の辺側において、前記支持ピン１６Ａと支持ピン１６Ｂの配置順は一致しており、それにより基板Ｇの周縁部を左右対称な湾曲形状とすることができる
また、支持ピン１６Ａと支持ピン１６Ｂとの高低差、支持ピン１６Ａと支持ピン１６Ｂとの配置間隔、それら支持ピン１６Ａ，１６Ｂの基板端面からの支持位置などは、予めシミュレーションなどにより求められた値に従い設定されている。
また、ステージ１１の四隅部（角部）には支持ピン１６は配置されず、基板Ｇの四隅部は支持ピン１６により支持されないようになされている。これは、基板Ｇの隅部を支持すると、基板Ｇの辺縁部における変形（湾曲）の自由度が制約を受けるためである。
支持ピン１６Ａ、１６Ｂは、その下端部が、水平方向に延びる第１フレーム３０に支持され、第１フレーム３０がピン昇降駆動部１７によって昇降移動するように構成されている。前記ピン昇降駆動部１７は、例えばピストン軸部１７ａとそれを昇降移動させるシリンダ部１７ｂとからなり、シリンダ部１７ｂは水平方向に架設された第２フレーム３１に保持されている。
この構成により、図８に示すようにシリンダ部１７ｂに対してピストン軸部１７ａが上昇されると、第１フレーム３０に支持された支持ピン１６が下部チャンバ９及びステージ１１に対して上昇し、基板受け取り可能な状態となるようになっている。このとき、ステージ１１の長手方向において支持位置の高さの異なる支持ピン１６Ａと支持ピン１６Ｂとが交互に配置されているため、それらに基板Ｇが支持されると、その周縁部は波状に湾曲される。このようにするのは、支持ピン１６により基板周縁部を支持した際、基板中央部が自重で下がっても基板周縁部を意図的に所定形状に湾曲させることで安定させ、基板Ｇをステージ１１上の定位置に確実に載置するためである。
一方、図９に示すようにピン昇降駆動部１７のピストン軸部１７ａが下降されると、第１フレーム３０に支持された支持ピン１６が下降し、その上端がステージ１１よりも下方に位置するようになっている。これにより、複数の支持ピン１６により基板Ｇを支持した状態から、支持ピン１６を下降させた際、基板Ｇを支持ピン１６からステージ１１に引き渡し、基板Ｇをステージ１１に載置することができる。
また、この減圧乾燥ユニット５にあっては、図６，図７に示すように、ステージ１１上に、微少な高さ（例えば４ｍｍ）を有する固定ピン１９が複数設けられている。
これら複数の固定ピン１９が設けられることにより、基板Ｇがステージ１１に載置された際に、基板Ｇがステージ面に沿って滑ることがなく、基板Ｇを所定の位置に載置することができる。
続いて、このように構成された塗布プロセス部１の動作について図１０，図１１に基づき説明する。図１０は、塗布プロセス部１の一連の動作の流れを示すフローであり、図１１は、減圧乾燥ユニット５における基板搬入動作の流れを示す断面図である。
先ず、基板Ｇが搬入され搬送アーム７上に載置されると、搬送アーム７はレール６上を移動し、レジスト塗布ユニット４のゲート８下を通過移動する。その際、ゲート８に固定されたノズル３からは、その下を移動する基板Ｇに対しレジスト液Ｒが吐出され、基板Ｇの一辺から他辺に向かってレジスト液Ｒが塗布される（図１０のステップＳ１）。
また、レジスト液が基板Ｇの全面にわたり塗布された時点（塗布終了位置）において、図１１（ａ）に示すように基板Ｇは減圧乾燥ユニット５に搬入され、下部チャンバ９の上方に配置される（図１０のステップＳ２）。
次いで、ピン昇降駆動部１７の駆動により支持ピン１６（支持ピン１６Ａ，１６Ｂ）が上昇移動され、支持ピン１６により基板Ｇの周縁部が支持される（図１０のステップＳ３）。また、支持ピン１６により基板Ｇが支持されると、搬送アーム７は基板Ｇから離れ、減圧乾燥ユニット５から退出する。
ここで、基板Ｇの長手方向の周縁部においては、交互に配置された支持位置高さの異なる支持ピン１６Ａ，１６Ｂによって支持されるため、図１１（ｂ）に示すように波状に湾曲する形状となる。また、支持ピン１６Ａ，１６Ｂは基板周縁部を支持するため、基板中央部が自重により下がるが、基板周縁部は強制的に所定形状に湾曲されるため、基板Ｇは不安定な形状とならず、一定の湾曲形状を維持することができる。
尚、前記支持ピン１６Ａ，１６Ｂにより基板Ｇの周縁部を支持する際、真空ポンプ（図示せず）を駆動させて、ピン上端の吸着パッド１８により基板面を真空吸着すれば、より確実に基板周縁部を所定形状に湾曲させることができる。
前記のように支持ピン１６により基板Ｇが支持されると、ピン昇降駆動部１７の駆動により支持ピン１６が下降移動され（図１０のステップＳ４）、その上端部がステージ１１よりも低い位置まで下降することにより、図１１（ｃ）に示すようにステージ１１上に基板Ｇが載置される（図１０のステップＳ５）。
ここで、ステージ１１の周縁部には、複数の固定ピン１９が設けられているため、基板Ｇはステージ面に沿って滑ることがなく（位置ずれすることなく）、所定の位置に載置される。
基板Ｇがステージ１１に載置されると、上部チャンバ移動手段１２により上部チャンバ１０が下降移動され、下部チャンバ９に対し上部チャンバ１０が閉じられる（図１０のステップＳ６）。これにより基板Ｇは、図１１（ｄ）に示すように、チャンバ９，１０に密閉された処理空間に収容される。
基板Ｇがチャンバ内に収容されると、真空ポンプ１５が作動され、排気口１３から排気管１４を介して処理空間内の空気が吸引され、処理空間の気圧が所定の真空状態となるまで減圧される。
チャンバ内の気圧が所定値に達すると、所定時間の経過により減圧乾燥処理が実施される（図１０のステップＳ７）。そして、減圧乾燥処理が終了すると、チャンバ内が大気状態に戻された後、上部チャンバ移動手段１２により上部チャンバ１０が上昇移動され、チャンバが開かれる（図１０のステップＳ８）。
そして、ピン昇降駆動部１７の駆動により支持ピン１６（１６Ａ，１６Ｂ）が所定の高さまで上昇され（図１０のステップＳ９）、基板Ｇは搬送アーム７に引き渡されて後段の処理工程に向け搬出される（図１０のステップＳ１０）。
以上のように本発明に係る実施の形態によれば、基板Ｇをステージ１１に載置する際に、ステージ１１の周囲に昇降可能に配置されて、その上昇位置において一時的に基板Ｇの周縁部を支持する複数の支持ピン１６は、ステージ１１の長手方向に沿って支持位置の高さが凹凸状に異なるようになされている。そのため、前記複数の支持ピン１６により基板Ｇの周縁部を支持した際、基板中央部が自重により下がっても、基板周縁部は前記凹凸状の支持位置に沿って強制的に湾曲され、不安定な状態とはならない。
即ち、基板Ｇを搬送アーム７から支持ピン１６上に引き渡す際の諸要因（複数の支持ピン１６が基板Ｇに接触する順番の違い等）に拘わらず、枚葉処理される基板Ｇを所定形状に一様に湾曲させた状態で保持することができ、ステージ１１上に基板Ｇを載置する際、所定位置に載置することができる。
また、当然ながら、前記支持ピン１６並びに固定ピン１９は、基板Ｇの画素形成領域２０の外側の基板周縁部を支持するため、前記ピンとの接触跡に起因するレジスト膜への転写を防止することができる。
尚、前記実施の形態においては、ステージ１１の辺に沿って、互いに支持位置の高さの異なる支持ピン１６Ａと支持ピン１６Ｂとを交互に配置する構成としたが、それに限らず、更に前記支持ピン１６Ａ，１６Ｂとは支持高さの異なる支持ピンを用い、ステージ辺に沿って支持高さが凹凸状になるように構成してもよい。
また、前記実施の形態においては、ステージ１１（基板Ｇ）の長手方向のみに沿って支持高さの異なる支持ピン１６Ａ，１６Ｂを交互に配置するものとしたが、それに限らず、ステージ１１（基板Ｇ）の短手方向のみ、或いは、ステージ１１（基板Ｇ）の全周にわたり支持高さが凹凸状になるように支持ピン１６を配置してもよい。
また、前記実施の形態においては、図８，図９に示すように、予め複数の支持ピン１６の支持高さに高低差を設け（長さの異なる支持ピン１６Ａ、１６Ｂを用いる）、それらを支持するフレーム３０をピン昇降駆動部１７により昇降させる構成とした。
しかしながら、本発明に係る基板処理装置にあっては、その形態に限定されるものではない。
例えば、各支持ピン１６に昇降駆動部（図示せず）を設け、各昇降駆動部により各ピンの上昇距離に差異を持たせ、複数の支持ピン１６の支持位置に高低差を形成してもよい。尚、この場合、複数の前記昇降駆動部により支持ピン高低差形成手段が構成される。
また、前記実施の形態においては、本発明に係る基板処理装置を減圧乾燥ユニットに適用したが、それに限らず、被処理基板をステージ上に載置し、前記基板に対して所定の処理を施すその他の装置にも適用することができる。
１ 塗布プロセス部
４ レジスト塗布ユニット
５ 減圧乾燥ユニット（基板処理装置）
１１ ステージ
１６ 支持ピン
１６Ａ 支持ピン（第１の支持ピン）
１６Ｂ 支持ピン（第２の支持ピン）
１７ ピン昇降駆動部（支持ピン昇降手段）
１９ 固定ピン
２０ 画素形成領域
２１ 真空ポンプ（吸引手段）
Ｇ ガラス基板（被処理基板）

Claims (12)

  1. 被処理基板をステージ上に載置し、前記被処理基板に対して所定の処理を施す基板処理装置において、
    前記被処理基板を載置可能な前記ステージと、前記ステージの周囲に昇降可能に設けられ、上昇位置において前記ステージの上方に突出して前記被処理基板の周縁部を支持する複数の支持ピンと、前記複数の支持ピンを昇降移動させる支持ピン昇降手段とを備え、
    前記複数の支持ピンの上昇位置において、前記ステージの少なくとも一対の対向する辺側にそれぞれ設けられた前記複数の支持ピンは、前記ステージの辺に沿って支持位置の高さが凹凸状に異なるように配置されていることを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記複数の支持ピンは、互いに高さの異なる第１の支持ピンと第２の支持ピンとを有し、
    前記第１の支持ピンと前記第２の支持ピンとが、前記ステージの辺に沿って交互に配置されていることを特徴とする請求項１に記載された基板処理装置。
  3. 被処理基板をステージ上に載置し、前記被処理基板に対して所定の処理を施す基板処理装置において、
    前記被処理基板を載置可能な前記ステージと、前記ステージの周囲に昇降可能に設けられ、上昇位置において前記ステージの上方に突出して前記被処理基板の周縁部を支持する複数の支持ピンと、前記複数の支持ピンをそれぞれ昇降移動させ、上昇位置において前記複数の支持ピンの間で支持位置の高さに高低差を形成する支持ピン高低差形成手段とを備え、
    前記支持ピン高低差形成手段が、前記複数の支持ピンの間で、上昇距離に差異を持たせることにより、前記ステージの少なくとも一対の対向する辺側にそれぞれ設けられた前記複数の支持ピンは、前記ステージの辺に沿って支持位置の高さが凹凸状に異なることを特徴とする基板処理装置。
  4. 前記支持ピンの上端には前記被処理基板に吸着可能な吸着パッドが設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載された基板処理装置。
  5. 前記吸着パッドに連通する吸引手段を備えることを特徴とする請求項４に記載された基板処理装置。
  6. 前記支持ピンは、前記被処理基板の隅部を除く該基板の周縁部を、下方から支持可能に設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載された基板処理装置。
  7. 前記ステージの周縁部には、前記被処理基板が載置された際に該基板の周縁部を支持する複数の固定ピンが設けられ、
    前記支持ピン昇降手段が前記基板を支持した前記複数の支持ピンを下降移動させることにより前記基板は前記固定ピンを介して前記ステージ上に載置されることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載された基板処理装置。
  8. 被処理基板をステージ上に載置し、前記被処理基板に対して所定の処理を施す基板処理方法において、
    前記ステージの周囲に沿って昇降可能に設けられ、前記ステージの少なくとも一対の対向する辺側においては、前記ステージの辺に沿って支持位置の高さが凹凸状に異なるように配置された複数の支持ピンを、前記ステージの上方に突出するよう上昇移動させるステップと、
    前記複数の支持ピンにより前記被処理基板の周縁部を下方から支持するステップと、
    前記複数の支持ピンを下降移動させ、前記ステージ上に前記被処理基板を載置するステップとを実行することを特徴とする基板処理方法。
  9. 前記複数の支持ピンにより前記被処理基板の周縁部を下方から支持するステップにおいて、
    前記支持ピンの上端に設けられた吸着パッドにより基板面を吸着することを特徴とする請求項８に記載された基板処理方法。
  10. 前記複数の支持ピンにより前記被処理基板の周縁部を下方から支持するステップにおいて、
    前記ステージの辺に沿って交互に配置された互いに高さの異なる前記第１の支持ピンと前記第２の支持ピンとにより、前記被処理基板の周縁部を下方から支持することを特徴とする請求項８または請求項９に記載された基板処理方法。
  11. 前記複数の支持ピンにより前記被処理基板の周縁部を下方から支持するステップにおいて、
    前記被処理基板の隅部を除く該基板の周縁部を下方から支持することを特徴とする請求項８乃至請求項１０のいずれかに記載された基板処理方法。
  12. 前記複数の支持ピンを下降移動させ、前記ステージ上に前記被処理基板を載置するステップにおいて、
    前記ステージの周縁部に設けられた複数の固定ピンにより前記被処理基板の周縁部を支持することを特徴とする請求項８乃至請求項１１のいずれかに記載された基板処理方法。
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