JP4859968B2 - 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法 - Google Patents
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- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 title claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 163
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 103
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 31
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims abstract description 29
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 58
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 24
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 23
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 18
- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 2
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000951471 Citrus junos Species 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002438 flame photometric detection Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
前記レジスト膜の形成工程において、基板へのレジスト塗布後、減圧により塗布膜を乾燥させる減圧乾燥処理が行われる。
従来、このような減圧乾燥処理を行う装置としては、例えば図9に示す特許文献1に開示の減圧乾燥ユニットが知られている。
この減圧乾燥処理ユニット50においては、被処理面にレジスト塗布された基板Gが搬入されると、基板Gはステージ53上に固定ピン54を介して載置される。
次いで下部チャンバ51に対して上部チャンバ52を閉じることにより、基板Gは気密状態の処理空間内に置かれた状態となる。
このため、チャンバ内の容積が増加し、所定圧までの減圧に時間を要していた。さらには、基板上に塗布されたレジスト液の量が増えるため、基板全面にわたり均一にレジスト液が乾燥するまで長時間を要し、生産効率が低下するという課題があった。
即ち、処理条件の異なる基板の全てに対し、良好な膜形成(乾燥処理)を行うには、少なくとも処理条件に応じてチャンバ内に配置する基板の高さを変える必要があるが、基板の高さを変えても同一の整流部材で全ての処理条件に対応するには不十分であった。
そのような転写跡の発生を防止するために、チャンバ内における基板の位置を高くし、チャンバ底面から引き離すことが好ましい。
しかしながら、基板をチャンバ底面から引き離すと、チャンバ内に設けられた整流部材が十分に機能せず、基板の裏側に隙間が生じて基板上に十分な気流を形成できず、短時間に乾燥処理を行うことができなかった。また、基板の裏側(基板と整流部材との隙間)を通る気流によって、レジスト膜に乾燥斑が生じやすいという問題があった。
このような構成によれば、減圧乾燥処理の間に、被処理基板を保持する保持部の高さ、及び、整流手段の高さを変化させることにより、チャンバ内に形成される気流を制御することができる。
これにより、被処理基板によってレジスト液の種類や膜厚等の処理条件が異なっても、各処理条件に応じた好適な乾燥処理を施すことができ、レジスト液の乾燥時間を短縮し、且つ良好な膜形成を行うことができる。
このような方法を実施することにより、被処理基板によってレジスト液の種類や膜厚等の処理条件が異なっても、各処理条件に応じた好適な乾燥処理を施すことができ、レジスト液の乾燥時間を短縮し、且つ良好な膜形成を行うことができる。
図1、図3に示すように下部チャンバ9は略四角形で、中心部には基板Gを水平に載置して吸着保持するための板状のステージ11(保持部)が配置されている。前記上部チャンバ10は、上部チャンバ移動手段12によって前記ステージ11の上方に昇降自在に配置されており、減圧乾燥処理の際には上部チャンバ10が下降して下部チャンバ9と密着して閉じ、ステージ11上に載置された基板Gを処理空間に収容した状態とされる。
尚、図4,5に示すように、前記ステージ11は、例えばモータを駆動源とするボールねじ機構からなる昇降装置25(第1の昇降手段)によって昇降移動可能となされている。
前記給気口16からの不活性ガスの供給は、チャンバ内気圧が所定値(例えば400Pa以下)に達したとき、もしくは、チャンバ内が減圧開始されてから所定時間の経過後に開始される。これは、減圧により流量が減少するチャンバ内の気流を維持し、減圧乾燥処理の時間短縮に寄与させるためである。
尚、減圧乾燥処理の間、常に安定した気流を維持するために、不活性ガスの供給開始は、チャンバ内の減圧開始前、或いは同時に行ってもよい。
これらブロック部材20,21は、図4、図5に示すように、その大部分が下部チャンバ9の底面に形成された収容溝9aに収容可能となされている。
また、これらブロック部材20,21は、例えばモータを駆動源とするボールねじ機構からなる昇降装置26(第2の昇降手段)によって昇降移動可能となされている。
即ち、ブロック部材20,21は、昇降装置26によって昇降移動され、チャンバ内の空間に配置されることにより、整流手段として機能するようになされている。
尚、このように整流手段としてのブロック部材20,21は別体であってもよいし、或いは一体(コの字型)に設けられてもよい。
このサイドバー部材22は、例えば、図示するように板状に形成されて、その上端面が上部チャンバ10に接するように設けられ、基板Gの左右側方の空間を遮るようになされる。或いは、サイドバー部材22は、その上端面が上部チャンバ10に接することなく設けられ、基板Gの左右側方の空間を遮るようになされてもよい。
また、サイドバー部材22は、板状に限定されず、基板Gの左右側方の空間を埋める形状に設けられてもよい。
また、図示する例に限らず、各サイドバー部材22を、その両端部が相対向するチャンバ内壁に接する長さに形成し、基板Gの左右側方の空間を全て遮る(埋める)構成としてもよい。
先ず、基板Gが搬入され搬送アーム7上に載置されると、搬送アーム7はレール6上を移動し、レジスト塗布ユニット4のゲート8下を通過移動する。その際、ゲート8に固定されたノズル3からは、その下を移動する基板Gに対しレジスト液Rが吐出され、基板Gの一辺から他辺に向かってレジスト液Rが塗布される(図6のステップS1)。
尚、レジスト液が基板Gの全面にわたり塗布された時点(塗布終了位置)では、基板Gは減圧乾燥ユニット5の上部チャンバ10の下に位置する状態となる。
この状態から真空ポンプ15が作動され、排気口13から排気管14を介して処理空間内の空気が吸引され、処理空間の気圧が所定の真空状態となるまで減圧される(図6のステップS4)。
ここで、基板Gの上面はチャンバ天井部に近接しており、基板Gの上面には殆ど雰囲気の流れが生じない状態となされる。これにより、基板Gに成膜されたレジスト液Rは減圧による自然乾燥(予備乾燥)が施され、転写跡、ゆず肌、突沸等の発生が抑制される。
ここで、チャンバ内での基板Gの高さ位置は、レジスト液の種類や膜厚、乾燥時間等の処理条件に基づき決定されるが、少なくともブロック部材20,21は、基板Gの縁部下方において、基板Gに近接した状態となされる(図6のステップS6)。
図7(b)に示す例にあっては、このステップS6において、ステージ11の位置は変化せず、昇降装置26によりブロック部材20,21のみが上昇し、静止状態の基板Gの下に近接して配置される。
そのため、給気口16から供給された不活性ガスは、基板上方を一方向に流れる気流を形成し、さらに排気口13から排気される。
これにより、基板上面に塗布されているレジスト液Rの乾燥速度が向上し、短時間での減圧乾燥処理が行われると共に、乾燥斑が生じることなく乾燥状態が良好なものとなる。
この本乾燥処理において、所定時間の経過により減圧乾燥処理が終了すると(図6のステップS8)、上部チャンバ移動手段12により上部チャンバ10が上昇移動され、基板Gは減圧乾燥ユニット5から次の処理工程に向け搬出される。
即ち、ステージ11及びブロック部材20,21を、レジスト液Rの種類や膜厚等の処理条件によって、それぞれに適した高さ位置に移動配置することにより、チャンバ内に形成される気流を制御することができる。具体的な例を挙げると、本乾燥処理の途中で、基板上面を流れる気流の量を変化させたい場合には、例えば、次のステップを踏むことにより実現することができる。
レジスト液が塗布された基板Gが減圧乾燥ユニット5のステージ11に載置されると、上部チャンバ10によって処理空間が閉じられる。また、基板Gを保持したステージ11は下降移動される。
図8(a)に示すように、ブロック部材20,21は、収容溝9aに収容された状態で、ステージ11に保持された基板Gの周縁部に、ブロック部材20,21の上端が近接する状態となされる。
また、排気口13から処理空間内の空気が吸引され、処理空間の気圧が所定の真空状態となるまで減圧される。尚、この減圧開始のタイミングは、チャンバが閉じられた後、前記のように、ステージ11が下降移動される前、後、或いは移動中のいずれであってもよい。
尚、この不活性ガスをチャンバ内に供給開始するタイミングは、処理条件に応じて、基板Gを本乾燥する位置までステージ11及びブロック部材20,21を昇降移動させる前、後、或いは移動中のいずれであってよい。
ここで、図示するように基板Gの上方空間はより狭くなるため、基板Gの上面近傍を流れる気流の流量は減少し、小流量での本乾燥処理が継続されることになる。
尚、このように減圧乾燥処理中において、ステージ11及びブロック部材20,21を昇降移動させる制御は、前記のように図8を用いて説明した制御の形態に限定されるものではなく、処理条件に応じて任意に変更するようにしてもよい。また、減圧乾燥中におけるチャンバ内のステージ11及びブロック部材20、21の高さ位置は、処理条件に応じて詳細に設定され駆動制御されることが好ましい。
これにより、被処理基板によってレジスト液Rの種類や膜厚等の処理条件が異なっても、各処理条件に応じた好適な乾燥処理を施すことができ、レジスト液Rの乾燥時間を短縮し、且つ良好な膜形成を行うことができる。
即ち、給気を行わずとも、排気口13からの排気処理のみにより、本乾燥処理においてチャンバ内に気流を形成することができ、基板上方を一方向に流れる気流によって、基板上面のレジスト液Rの乾燥速度を向上し、より短時間で減圧乾燥処理を行うことができる。
また、排気口13は、処理空間の底面に形成した例を示したが、それに限定されず、チャンバ内壁等に形成されていてもよい。
さらに排気口13の形状は、正円形を示したが、それに限定されず、長穴、方形等、他の形状であってもよい。
さらに給気口16の形状は、1つの横長の方形状を示したが、それに限らず、正円形状、長穴等、他の形状であってもよく、その数が限定されるものではない。
或いは、排気口13、及び給気口16はそれぞれ、チャンバに設けた穴ではなく、ノズル型の口でもよい。
Claims (11)
- 処理液が塗布された被処理基板に対し前記処理液の減圧乾燥処理を行い、塗布膜を形成する減圧乾燥装置であって、
被処理基板を収容し、処理空間を形成するチャンバと、
前記チャンバ内の中心部に設けられ、前記被処理基板を保持する保持部と、
前記保持部を昇降移動させる第1の昇降手段と、
前記保持部に保持された被処理基板の縁部下方に設けられた整流手段と、
前記整流手段を昇降移動させる第2の昇降手段と、
前記チャンバ内の前記チャンバ底面の一辺付近に形成された排気口と、
前記排気口からチャンバ内の雰囲気を排気する排気手段とを備えることを特徴とする減圧乾燥装置。 - 前記第1の昇降手段と前記第2の昇降手段とにより前記チャンバ内における前記保持部と前記整流手段の配置がなされ、
前記保持部に保持された被処理基板に前記整流手段の上端が近接した状態で、前記排気手段の排気動作により、前記基板上面を一方向に流れる気流の流路が形成されることを特徴とする請求項1に記載された減圧乾燥装置。 - 前記排気口は、前記被処理基板の側方に形成され、
前記整流手段は、前記排気口に対し、少なくとも前記保持部に保持された被処理基板を挟んで反対側の基板縁部の下方空間に設けられることを特徴とする請求項1または請求項2に記載された減圧乾燥装置。 - 前記被処理基板上面に形成される流路の左右両側には、前記基板の左右側方の空間の少なくとも一部を埋める若しくは遮るサイドバー部材が設けられていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載された減圧乾燥装置。
- 前記チャンバ内において、前記被処理基板を挟んで前記排気口と反対側の基板側方に形成された給気口と、
前記給気口から不活性ガスをチャンバ内の処理空間に供給する給気手段とを備えることを特徴とする請求項3に記載された減圧乾燥装置。 - 前記被処理基板上面に形成される流路の左右両側には、前記基板の左右側方の空間の少なくとも一部を埋める若しくは遮るサイドバー部材が設けられていることを特徴とする請求項5に記載された減圧乾燥装置。
- 前記請求項1乃至請求項4のいずれかに記載された減圧乾燥装置において、処理液が塗布された被処理基板に対し前記処理液の減圧乾燥処理を行い、塗布膜を形成する減圧乾燥方法であって、
前記保持部に被処理基板を保持するステップと、
前記第1の昇降手段により前記保持部を上昇させ、前記保持部に保持された前記被処理基板を前記チャンバの天井部に近接させるステップと、
前記排気手段により前記チャンバ内の処理空間を減圧するステップと、
所定時間経過後に、前記第2の昇降手段により前記整流手段を上昇移動させ、前記保持部に保持された被処理基板に前記整流手段の上端を近接させるステップとを実行することを特徴とする減圧乾燥方法。 - 前記請求項1乃至請求項4のいずれかに記載された減圧乾燥装置において、処理液が塗布された被処理基板に対し前記処理液の減圧乾燥処理を行い、塗布膜を形成する減圧乾燥方法であって、
前記保持部に被処理基板を保持するステップと、
前記第1の昇降手段により前記保持部を下降移動させ、前記被処理基板を前記整流手段の上端に近接させるステップと、
前記排気手段により前記チャンバ内の処理空間を減圧するステップと、
所定時間経過後に、前記被処理基板を保持する前記保持部と前記整流部材とを、互いの距離を維持した状態で、前記第1の昇降手段及び第2の昇降手段により上昇移動させ、チャンバ内の所定位置で停止させるステップとを実行することを特徴とする減圧乾燥方法。 - 前記請求項5または請求項6に記載された減圧乾燥装置において、処理液が塗布された被処理基板に対し前記処理液の減圧乾燥処理を行い、塗布膜を形成する減圧乾燥方法であって、
前記保持部に被処理基板を保持するステップと、
前記第1の昇降手段により前記保持部を上昇させ、前記保持部に保持された前記被処理基板を前記チャンバの天井部に近接させるステップと、
前記排気手段により前記チャンバ内の処理空間を減圧するステップと、
所定時間経過後に、前記第2の昇降手段により前記整流手段を上昇移動させ、前記保持部に保持された被処理基板に前記整流手段の上端を近接させると共に、前記給気手段により前記チャンバ内に不活性ガスを給気するステップとを実行することを特徴とする減圧乾燥方法。 - 前記請求項5または請求項6に記載された減圧乾燥装置において、処理液が塗布された被処理基板に対し前記処理液の減圧乾燥処理を行い、塗布膜を形成する減圧乾燥方法であって、
前記保持部に被処理基板を保持するステップと、
前記排気手段により前記チャンバ内の処理空間を減圧するステップと、
前記第1の昇降手段により前記保持部を下降移動させ、前記被処理基板を前記整流手段の上端に近接させると共に、前記給気手段により前記チャンバ内に不活性ガスを給気するステップと、
所定時間経過後に、前記被処理基板を保持する前記保持部と前記整流部材とを、互いの距離を維持した状態で、前記第1の昇降手段及び第2の昇降手段により上昇移動させ、チャンバ内の所定位置で停止させるステップとを実行することを特徴とする減圧乾燥方法。 - 前記請求項5または請求項6に記載された減圧乾燥装置において、処理液が塗布された被処理基板に対し前記処理液の減圧乾燥処理を行い、塗布膜を形成する減圧乾燥方法であって、
前記保持部に被処理基板を保持するステップと、
前記第1の昇降手段により前記保持部を下降移動させ、前記被処理基板を前記整流手段の上端に近接させるステップと、
前記排気手段により前記チャンバ内の処理空間を減圧するステップと、
前記給気手段により前記チャンバ内に不活性ガスを給気するステップと、
所定時間経過後に、前記被処理基板を保持する前記保持部と前記整流部材とを、互いの距離を維持した状態で、前記第1の昇降手段及び第2の昇降手段により上昇移動させ、チャンバ内の所定位置で停止させるステップとを実行することを特徴とする減圧乾燥方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009206299A JP4859968B2 (ja) | 2009-09-07 | 2009-09-07 | 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法 |
KR20100068960A KR101509830B1 (ko) | 2009-09-07 | 2010-07-16 | 감압건조장치 및 감압건조방법 |
TW099129081A TWI461646B (zh) | 2009-09-07 | 2010-08-30 | 減壓乾燥裝置及減壓乾燥方法 |
CN201010277683.7A CN102012643B (zh) | 2009-09-07 | 2010-09-07 | 减压干燥装置和减压干燥方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009206299A JP4859968B2 (ja) | 2009-09-07 | 2009-09-07 | 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011058656A JP2011058656A (ja) | 2011-03-24 |
JP4859968B2 true JP4859968B2 (ja) | 2012-01-25 |
Family
ID=43946509
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009206299A Expired - Fee Related JP4859968B2 (ja) | 2009-09-07 | 2009-09-07 | 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4859968B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104596205B (zh) * | 2015-02-13 | 2016-08-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种真空干燥装置及真空干燥方法 |
JP2017073338A (ja) * | 2015-10-09 | 2017-04-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査装置、減圧乾燥装置および減圧乾燥装置の制御方法 |
JP6872328B2 (ja) * | 2016-09-06 | 2021-05-19 | 株式会社Screenホールディングス | 減圧乾燥装置、減圧乾燥システム、減圧乾燥方法 |
JP7316323B2 (ja) * | 2021-06-30 | 2023-07-27 | 株式会社Screenホールディングス | 減圧乾燥装置および減圧乾燥方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3215793A1 (de) * | 1982-04-28 | 1983-11-03 | Klöckner-Humboldt-Deutz AG, 5000 Köln | Verfahren und vorrichtung zur verringerung des schwefelkreislaufes und/oder der so(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)-emission in einer anlage zum brennen von feinkoernigem gut |
JP3585215B2 (ja) * | 1999-05-24 | 2004-11-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP3920699B2 (ja) * | 2001-09-19 | 2007-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 減圧乾燥装置及び塗布膜形成方法 |
-
2009
- 2009-09-07 JP JP2009206299A patent/JP4859968B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011058656A (ja) | 2011-03-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110311 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110719 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110725 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111028 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111101 |
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