JPH1124236A - フォトマスク、フォトマスク支持装置及びフォトマスク支持方法 - Google Patents
フォトマスク、フォトマスク支持装置及びフォトマスク支持方法Info
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- JPH1124236A JPH1124236A JP19641197A JP19641197A JPH1124236A JP H1124236 A JPH1124236 A JP H1124236A JP 19641197 A JP19641197 A JP 19641197A JP 19641197 A JP19641197 A JP 19641197A JP H1124236 A JPH1124236 A JP H1124236A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マスクホルダの交換や支持状態の変更を伴う
ことなく、フォトマスクを複数の姿勢で支持する場合、
同じ位置を支持することができるフォトマスク、フォト
マスク支持装置及びフォトマスク支持方法を提供する。 【解決手段】 このフォトマスク10は、平面状基板か
ら構成され、該基板の少なくともいずれか一方の面10
bに、該面から突き出た少なくとも3つの突出部11,
12,13を備えた。また、別のフォトマスクは、平面
状基板から構成され、該基板の少なくともいずれか一方
の面に、該面から凹んだ少なくとも3つの窪み部を備え
た。
ことなく、フォトマスクを複数の姿勢で支持する場合、
同じ位置を支持することができるフォトマスク、フォト
マスク支持装置及びフォトマスク支持方法を提供する。 【解決手段】 このフォトマスク10は、平面状基板か
ら構成され、該基板の少なくともいずれか一方の面10
bに、該面から突き出た少なくとも3つの突出部11,
12,13を備えた。また、別のフォトマスクは、平面
状基板から構成され、該基板の少なくともいずれか一方
の面に、該面から凹んだ少なくとも3つの窪み部を備え
た。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスや
液晶デバイスの製造のための回路パターンのリソグラフ
ィ工程において用いられるフォトマスク、及びこのフォ
トマスクの製造、測定、検査、使用等の際に用いられる
支持装置及び支持方法に関する。
液晶デバイスの製造のための回路パターンのリソグラフ
ィ工程において用いられるフォトマスク、及びこのフォ
トマスクの製造、測定、検査、使用等の際に用いられる
支持装置及び支持方法に関する。
【0002】
【従来の技術】現在の半導体デバイスの製造では、回路
パターンのリソグラフィ工程にフォトマスクが使用され
ている。従来のフォトマスクは、パターン面およぴその
裏面は一様な平面であり、段差のない形状であった。一
方、フォトマスクは、マスクパターンの座標を測定する
座標測定装置や、半導体製造におけるフォトマスクのパ
ターンを露光する露光装置などにセットされて検査、測
定、使用等がなされる。かかる装置における代表的な従
来のフォトマスクの支持方法を、図10〜図12により
説明する。図10(a)では、フォトマスク1が上記座
標測定装置や露光装置に装備されているマスク支持装置
3(以下、「マスクホルダ」と呼ぶ)に支持されてい
る。フォトマスク1は、パターン面を上側にして、裏面
の端部がホルダに設けられた4箇所の吸着面2に支持さ
れると同時に真空吸着されている。また、図10(b)
のように、フォトマスク1の上下を反転し、パターン面
を下向きにしてマスクホルダに支持され、同様に真空吸
着される場合もある。
パターンのリソグラフィ工程にフォトマスクが使用され
ている。従来のフォトマスクは、パターン面およぴその
裏面は一様な平面であり、段差のない形状であった。一
方、フォトマスクは、マスクパターンの座標を測定する
座標測定装置や、半導体製造におけるフォトマスクのパ
ターンを露光する露光装置などにセットされて検査、測
定、使用等がなされる。かかる装置における代表的な従
来のフォトマスクの支持方法を、図10〜図12により
説明する。図10(a)では、フォトマスク1が上記座
標測定装置や露光装置に装備されているマスク支持装置
3(以下、「マスクホルダ」と呼ぶ)に支持されてい
る。フォトマスク1は、パターン面を上側にして、裏面
の端部がホルダに設けられた4箇所の吸着面2に支持さ
れると同時に真空吸着されている。また、図10(b)
のように、フォトマスク1の上下を反転し、パターン面
を下向きにしてマスクホルダに支持され、同様に真空吸
着される場合もある。
【0003】一方、図11は、フォトマスク1が3点支
持ホルダに支持される場合を示す。マスクホルダ3には
3箇所に支持部材4が直立に配置され、フォトマスク1
がその端部3箇所で支持される。ここで、3箇所の支持
点では真空吸着は行っていない。また、図12は、図1
1の3点支持ホルダの拡張タイブであり、複数のマスク
サイズについて、それぞれ3点支持することが可能なも
のである。このマスクホルダの支持部材4は、マスクサ
イズが大きくなるにつれ順番に高く設定されている。よ
り大きなマスクをセットするときには、より外側の支持
部材の支持点に支持されるため、小さいサイズ用の支持
点と接触することなく3点支持される構造である。
持ホルダに支持される場合を示す。マスクホルダ3には
3箇所に支持部材4が直立に配置され、フォトマスク1
がその端部3箇所で支持される。ここで、3箇所の支持
点では真空吸着は行っていない。また、図12は、図1
1の3点支持ホルダの拡張タイブであり、複数のマスク
サイズについて、それぞれ3点支持することが可能なも
のである。このマスクホルダの支持部材4は、マスクサ
イズが大きくなるにつれ順番に高く設定されている。よ
り大きなマスクをセットするときには、より外側の支持
部材の支持点に支持されるため、小さいサイズ用の支持
点と接触することなく3点支持される構造である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】一般に、フォトマスク
を支持する場合、フォトマスクの自重によるたわみが発
生しており、フォトマスク支持点の位置や真空吸着など
の有無によって、フォトマスク平面度が変わってくる。
例えぱ、4点真空吸着支持の場合、支持点高さの微妙な
違い(平面度)や、真空吸着の有無によって、ホルダ上
でのフォトマスクの平面形状が微妙に変化する。フォト
マスクの製造、測定、検査、更にリソグラフィを行う技
術分野では、フォトマスクのパターン位置の位置決めに
は極めて高い精度が要求されることが多い。フォトマス
クに発生する自重によるたわみは、高精度が要求される
フォトマスクの製造、測定、検査、更に半導体製造の精
度に影響を与える。
を支持する場合、フォトマスクの自重によるたわみが発
生しており、フォトマスク支持点の位置や真空吸着など
の有無によって、フォトマスク平面度が変わってくる。
例えぱ、4点真空吸着支持の場合、支持点高さの微妙な
違い(平面度)や、真空吸着の有無によって、ホルダ上
でのフォトマスクの平面形状が微妙に変化する。フォト
マスクの製造、測定、検査、更にリソグラフィを行う技
術分野では、フォトマスクのパターン位置の位置決めに
は極めて高い精度が要求されることが多い。フォトマス
クに発生する自重によるたわみは、高精度が要求される
フォトマスクの製造、測定、検査、更に半導体製造の精
度に影響を与える。
【0005】図13により、パターン面を有するフォト
マスクのたわみが発生したときのパターン座標の変化に
ついて説明する。例えぱ、図13(a)に示すような完
全に平らなフォトマスクが、図13(b)のようにたわ
んだとき、材料カ学の理論によれぱ、マスクの中立面
(マスク厚さ方向の中心部の面)は伸び縮みしないが、
パターン面は縮んでいる。即ち、パターン面が上向きの
場合は、パターン面の変形が凹状に大きくなるほど、パ
ターン間隔は短くなるので(L1<L0)、フォトマス
クの座標測定工程や半導体製造におけるフォトマスクの
パターン露光工程などにおいて、パターン座標は小さく
測定されたり、露光転写されることになる。 フォトマ
スクのパターンの座標測定において、測定装置のXY直
交度やXYのスケール誤差などの装置キャリブレーショ
ンを行う場合、フォトマスクを90度、180度、27
0度回転させた姿勢で測定する必要がある。ところが、
図10〜図12で説明したようなフォトマスクの支持方
法では、フォトマスクの姿勢を90度、180度、27
0度回転させたときに、フォトマスクのたわみが変わ
り、0度の姿勢の場合と比べてパターン座標が変化して
しまう。従来、この座標変化を防止するために、フォト
マスクを他の姿勢で測定するときには、フォトマスクと
フォトマスクホルダと一緒に回転させる方法や、支持点
が他の姿勢用に配置されたそれぞれの姿勢専用ホルダを
別に準備する必要があった。このように、従来の技術で
は、測定に手間がかかり、また複数のマスクフォルダを
準備する必要からコスト高につながる問題点があった。
また、半導体製造におけるフォトマスクのパターン露光
工程においてもフォトマスクの姿勢を変えると、同様の
問題が生じる。
マスクのたわみが発生したときのパターン座標の変化に
ついて説明する。例えぱ、図13(a)に示すような完
全に平らなフォトマスクが、図13(b)のようにたわ
んだとき、材料カ学の理論によれぱ、マスクの中立面
(マスク厚さ方向の中心部の面)は伸び縮みしないが、
パターン面は縮んでいる。即ち、パターン面が上向きの
場合は、パターン面の変形が凹状に大きくなるほど、パ
ターン間隔は短くなるので(L1<L0)、フォトマス
クの座標測定工程や半導体製造におけるフォトマスクの
パターン露光工程などにおいて、パターン座標は小さく
測定されたり、露光転写されることになる。 フォトマ
スクのパターンの座標測定において、測定装置のXY直
交度やXYのスケール誤差などの装置キャリブレーショ
ンを行う場合、フォトマスクを90度、180度、27
0度回転させた姿勢で測定する必要がある。ところが、
図10〜図12で説明したようなフォトマスクの支持方
法では、フォトマスクの姿勢を90度、180度、27
0度回転させたときに、フォトマスクのたわみが変わ
り、0度の姿勢の場合と比べてパターン座標が変化して
しまう。従来、この座標変化を防止するために、フォト
マスクを他の姿勢で測定するときには、フォトマスクと
フォトマスクホルダと一緒に回転させる方法や、支持点
が他の姿勢用に配置されたそれぞれの姿勢専用ホルダを
別に準備する必要があった。このように、従来の技術で
は、測定に手間がかかり、また複数のマスクフォルダを
準備する必要からコスト高につながる問題点があった。
また、半導体製造におけるフォトマスクのパターン露光
工程においてもフォトマスクの姿勢を変えると、同様の
問題が生じる。
【0006】本発明の目的は、上述の問題点に鑑み、マ
スクホルダの交換や支持状態の変更を伴うことなく、フ
ォトマスクを複数の姿勢で支持する場合、同じ位置を支
持することができるフォトマスク、フォトマスク支持装
置及びフォトマスク支持方法を提供することである。
スクホルダの交換や支持状態の変更を伴うことなく、フ
ォトマスクを複数の姿勢で支持する場合、同じ位置を支
持することができるフォトマスク、フォトマスク支持装
置及びフォトマスク支持方法を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題の達成のため、
本発明のフォトマスクは、平面状基板から構成され、該
基板の少なくともいずれか一方の面に、該面から突き出
た少なくとも3つの突出部を備えたことを特徴とする。
本発明のフォトマスクは、平面状基板から構成され、該
基板の少なくともいずれか一方の面に、該面から突き出
た少なくとも3つの突出部を備えたことを特徴とする。
【0008】本発明によれば、少なくとも3つの突出部
でフォトマスクを支持できるので、常に同一の3点若し
くはそれ以上の支持点でフォトマスクを支持することが
可能となる。このため、フォトマスクの支持姿勢が変わ
っても支持点が変化しないから、フォトマスクに生じる
自重によるたわみの分布は一定となる。
でフォトマスクを支持できるので、常に同一の3点若し
くはそれ以上の支持点でフォトマスクを支持することが
可能となる。このため、フォトマスクの支持姿勢が変わ
っても支持点が変化しないから、フォトマスクに生じる
自重によるたわみの分布は一定となる。
【0009】また、ガラス板を前記基板の面に貼り付け
て前記突出部を設けることができる。これにより、フォ
トマスクの所定位置に突出部を簡単に設けることができ
る。例えば、オプティカルコンタクトによりガラス板を
貼り付けることができる。また、接着剤等を用いてもよ
い。
て前記突出部を設けることができる。これにより、フォ
トマスクの所定位置に突出部を簡単に設けることができ
る。例えば、オプティカルコンタクトによりガラス板を
貼り付けることができる。また、接着剤等を用いてもよ
い。
【0010】また、本発明の別のフォトマスクは、平面
状基板から構成され、該基板の少なくともいずれか一方
の面に、該面から凹んだ少なくとも3つの窪み部を備え
たことを特徴とする。
状基板から構成され、該基板の少なくともいずれか一方
の面に、該面から凹んだ少なくとも3つの窪み部を備え
たことを特徴とする。
【0011】本発明によれば、窪み部以外の位置で3点
若しくはそれ以上の支持点でフォトマスクを支持すると
ともに、支持姿勢を変えた場合でも窪み部以外の位置で
あって同一の支持点で支持することが可能となる。窪み
部は、支持部材と対向したとき、互いに接触しないよう
その窪み面を支持部材の対向面よりも大きくする。
若しくはそれ以上の支持点でフォトマスクを支持すると
ともに、支持姿勢を変えた場合でも窪み部以外の位置で
あって同一の支持点で支持することが可能となる。窪み
部は、支持部材と対向したとき、互いに接触しないよう
その窪み面を支持部材の対向面よりも大きくする。
【0012】また、前記突出部または窪み部は、前記基
板のパターンの形成された面の反対面に設けられるよう
にできる。
板のパターンの形成された面の反対面に設けられるよう
にできる。
【0013】また、本発明のフォトマスク支持装置は、
上述のフォトマスクを支持するための支持装置であっ
て、支持台と、前記突出部の位置または前記窪み部以外
の位置である同一の支持点において前記フォトマスクを
支持するように前記支持台から突出した複数の支持部材
とを具備する。
上述のフォトマスクを支持するための支持装置であっ
て、支持台と、前記突出部の位置または前記窪み部以外
の位置である同一の支持点において前記フォトマスクを
支持するように前記支持台から突出した複数の支持部材
とを具備する。
【0014】本発明によれば、突出部を有するフォトマ
スクを支持する場合、突出部を支持点として支持するよ
うに支持部材を配列し、フォトマスクの支持姿勢を変え
る場合、その姿勢に応じて別に支持部材を同一の支持点
で支持するように設けておけば、支持姿勢が変化しても
常にフォトマスクを同一点で支持できる。この場合、フ
ォトマスクが突出部で支持され、この支持面が支持に供
されない支持部材に接触することはないから、フォトマ
スクのたわみ分布が変化することはない。
スクを支持する場合、突出部を支持点として支持するよ
うに支持部材を配列し、フォトマスクの支持姿勢を変え
る場合、その姿勢に応じて別に支持部材を同一の支持点
で支持するように設けておけば、支持姿勢が変化しても
常にフォトマスクを同一点で支持できる。この場合、フ
ォトマスクが突出部で支持され、この支持面が支持に供
されない支持部材に接触することはないから、フォトマ
スクのたわみ分布が変化することはない。
【0015】また、窪み部を有するフォトマスクを支持
する場合、支持部材が窪み部以外の位置を支持点として
支持し、支持姿勢を変える場合、その姿勢に応じて別の
支持部材を、同一の支持点で支持しかつ支持に供されな
い支持部材と窪み部とが対向するように設けておけば、
支持姿勢が変化しても常にフォトマスクを同一点で支持
できる。この場合、支持に供されない支持部材と窪み部
とが対向するから、フォトマスクの支持面が支持に供さ
れない支持部材に接触することはない。
する場合、支持部材が窪み部以外の位置を支持点として
支持し、支持姿勢を変える場合、その姿勢に応じて別の
支持部材を、同一の支持点で支持しかつ支持に供されな
い支持部材と窪み部とが対向するように設けておけば、
支持姿勢が変化しても常にフォトマスクを同一点で支持
できる。この場合、支持に供されない支持部材と窪み部
とが対向するから、フォトマスクの支持面が支持に供さ
れない支持部材に接触することはない。
【0016】具体的には、上述の支持装置は、前記複数
の支持部材は前記フォトマスクが前記支持台に対して第
1の相対位置にあるとき前記支持点で前記フォトマスク
を支持するよう同一高さに構成された第1の組の支持部
材と、前記フォトマスクが前記支持台に対して第2の相
対位置にあるとき前記支持点で前記フォトマスクを支持
するよう同一高さに構成された第2の組の支持部材とを
備えるように構成できる。なお、この場合、フォトマス
クが窪み部を有し、第1の組(第2の組)の支持部材が
支持点で支持するとき、各窪み部が第2の組(第1の
組)の各支持部材とそれぞれ対向し、互いに接触するこ
とはない。
の支持部材は前記フォトマスクが前記支持台に対して第
1の相対位置にあるとき前記支持点で前記フォトマスク
を支持するよう同一高さに構成された第1の組の支持部
材と、前記フォトマスクが前記支持台に対して第2の相
対位置にあるとき前記支持点で前記フォトマスクを支持
するよう同一高さに構成された第2の組の支持部材とを
備えるように構成できる。なお、この場合、フォトマス
クが窪み部を有し、第1の組(第2の組)の支持部材が
支持点で支持するとき、各窪み部が第2の組(第1の
組)の各支持部材とそれぞれ対向し、互いに接触するこ
とはない。
【0017】また、前記第1の組の前記支持部材の高さ
と前記第2の組の前記支持部材の高さとが等しいように
構成できる。
と前記第2の組の前記支持部材の高さとが等しいように
構成できる。
【0018】また、前記第1の組の前記支持部材の高さ
と前記第2の組の前記支持部材の高さとが異なるように
構成できる。
と前記第2の組の前記支持部材の高さとが異なるように
構成できる。
【0019】この場合、前記突出部の高さは、前記第1
の組の前記支持部材の高さと前記第2の組の前記支持部
材の高さとの差よりも大きく構成できる。また、前記窪
み部の深さは、前記第1の組の前記支持部材の高さと前
記第2の組の前記支持部材の高さとの差よりも大きく構
成できる。いずれの場合でも、支持に供されない側の支
持部材にフォトマスクの支持面が接触することはない。
の組の前記支持部材の高さと前記第2の組の前記支持部
材の高さとの差よりも大きく構成できる。また、前記窪
み部の深さは、前記第1の組の前記支持部材の高さと前
記第2の組の前記支持部材の高さとの差よりも大きく構
成できる。いずれの場合でも、支持に供されない側の支
持部材にフォトマスクの支持面が接触することはない。
【0020】また、本発明のフォトマスク支持方法は、
上述のフォトマスクを支持するための支持方法であっ
て、前記突出部の位置または前記窪み部以外の位置であ
る同一の複数の支持点において前記フォトマスクを支持
することを特徴とする。
上述のフォトマスクを支持するための支持方法であっ
て、前記突出部の位置または前記窪み部以外の位置であ
る同一の複数の支持点において前記フォトマスクを支持
することを特徴とする。
【0021】
【発明の実施の形態】以下、本発明による実施の形態の
フォトマスク、フォトマスク支持装置及びこのフォトマ
スク支持装置を備えた座標測定装置について図1〜図9
を用いて説明する。
フォトマスク、フォトマスク支持装置及びこのフォトマ
スク支持装置を備えた座標測定装置について図1〜図9
を用いて説明する。
【0022】〈第1の実施の形態〉図1は、本発明の第
1の実施の形態のフォトマスクの平面図(a)、及び正
面図(b)である。図1のフォトマスク10は、回路パ
ターンの形成された表面10a(図中、「F」のある
面)と、裏面10bとを備える平面状ガラス基板から構
成され、裏面10bから突き出るように突出部11,1
2,13がフォトマスク10の端部において2等辺三角
形を形成するように配置されて設けられている。裏面1
0b側に設けられた突出部11,12,13を支持点と
してフォトマスク10が3点支持される。突出部11,
12,13は、ガラス板から円形状の台座につくること
ができ、裏面10bのガラス基板上に公知のオプティカ
ルコンタクトにより取り付けることができ、この方法に
よれば、接着剤なしで密着させることができる。
1の実施の形態のフォトマスクの平面図(a)、及び正
面図(b)である。図1のフォトマスク10は、回路パ
ターンの形成された表面10a(図中、「F」のある
面)と、裏面10bとを備える平面状ガラス基板から構
成され、裏面10bから突き出るように突出部11,1
2,13がフォトマスク10の端部において2等辺三角
形を形成するように配置されて設けられている。裏面1
0b側に設けられた突出部11,12,13を支持点と
してフォトマスク10が3点支持される。突出部11,
12,13は、ガラス板から円形状の台座につくること
ができ、裏面10bのガラス基板上に公知のオプティカ
ルコンタクトにより取り付けることができ、この方法に
よれば、接着剤なしで密着させることができる。
【0023】〈第2の実施の形態〉図2は、本発明の第
2の実施の形態のフォトマスクの平面図(a)、及び正
面図(b)である。図2のフォトマスク20は、回路パ
ターンの形成された表面20a(図中、「F」のある
面)と、裏面20bとを備える平面状ガラス基板から構
成され、裏面20bから凹むように窪み部21,22,
23がフォトマスク1の端部において2等辺三角形を形
成するように設けられている。裏面20b側に設けられ
た窪み部21,22,23は、フォトマスク20が裏面
20bにおいて支持部材に支持されたとき、支持に供さ
れない別の支持部材と対向するよう配置される。窪み部
21,22,23は、ザグリ等により形成することがで
きる。
2の実施の形態のフォトマスクの平面図(a)、及び正
面図(b)である。図2のフォトマスク20は、回路パ
ターンの形成された表面20a(図中、「F」のある
面)と、裏面20bとを備える平面状ガラス基板から構
成され、裏面20bから凹むように窪み部21,22,
23がフォトマスク1の端部において2等辺三角形を形
成するように設けられている。裏面20b側に設けられ
た窪み部21,22,23は、フォトマスク20が裏面
20bにおいて支持部材に支持されたとき、支持に供さ
れない別の支持部材と対向するよう配置される。窪み部
21,22,23は、ザグリ等により形成することがで
きる。
【0024】〈第3の実施の形態〉図3は、本発明の第
3の実施の形態のフォトマスク支持装置の平面図
(a)、及び正面図(b)である。図3の支持装置は、
支持台30と、この支持台30から直立して2等辺三角
形を形成するように同一高さに設けられた円柱状の支持
部材31,32,33と、支持部材31,32,33を
図3(a)の反時計回りに90度だけ回転させた位置に
おいて2等辺三角形を形成するように同一高さに設けら
れた円柱状の支持部材41,42,43とを備える。支
持部材31,32,33と支持部材41,42,43と
は同一高さにされている。このフォトマスク支持装置に
よれば、フォトマスクを支持部材31,32,33によ
り0度の支持方向で支持し、支持部材41,42,43
により90度の支持方向で支持できる。
3の実施の形態のフォトマスク支持装置の平面図
(a)、及び正面図(b)である。図3の支持装置は、
支持台30と、この支持台30から直立して2等辺三角
形を形成するように同一高さに設けられた円柱状の支持
部材31,32,33と、支持部材31,32,33を
図3(a)の反時計回りに90度だけ回転させた位置に
おいて2等辺三角形を形成するように同一高さに設けら
れた円柱状の支持部材41,42,43とを備える。支
持部材31,32,33と支持部材41,42,43と
は同一高さにされている。このフォトマスク支持装置に
よれば、フォトマスクを支持部材31,32,33によ
り0度の支持方向で支持し、支持部材41,42,43
により90度の支持方向で支持できる。
【0025】〈第4の実施の形態〉図4は、本発明の第
4の実施の形態のフォトマスク支持装置の平面図
(a)、及び正面図(b)である。図4の支持装置は、
支持台50と、この支持台50から直立して2等辺三角
形を形成するように同一高さに設けられた円柱状の支持
部材51,52,53と、支持部材51,52,53を
図4(a)の反時計回りに90度だけ回転させた位置に
おいて2等辺三角形を形成するように同一高さに設けら
れた円柱状の支持部材61,62,63とを備える。支
持部材51,52,53は、支持部材61,62,63
よりも高くされている。このフォトマスク支持装置によ
れば、フォトマスクを支持部材51,52,53により
0度の支持方向で支持し、支持部材61,62,63に
より90度の支持方向で支持できる。
4の実施の形態のフォトマスク支持装置の平面図
(a)、及び正面図(b)である。図4の支持装置は、
支持台50と、この支持台50から直立して2等辺三角
形を形成するように同一高さに設けられた円柱状の支持
部材51,52,53と、支持部材51,52,53を
図4(a)の反時計回りに90度だけ回転させた位置に
おいて2等辺三角形を形成するように同一高さに設けら
れた円柱状の支持部材61,62,63とを備える。支
持部材51,52,53は、支持部材61,62,63
よりも高くされている。このフォトマスク支持装置によ
れば、フォトマスクを支持部材51,52,53により
0度の支持方向で支持し、支持部材61,62,63に
より90度の支持方向で支持できる。
【0026】次に、図1及び図2に示すフォトマスク1
0,20を図3及び図4に示すフォトマスク支持装置に
よりそれぞれ支持するフォトマスク支持形態について、
図5〜図8により説明する。
0,20を図3及び図4に示すフォトマスク支持装置に
よりそれぞれ支持するフォトマスク支持形態について、
図5〜図8により説明する。
【0027】〈第1のフォトマスク支持形態〉図5は、
図1のフォトマスク10を図3の支持装置により0度位
置において支持した場合の平面図(a)、及び正面図
(b)であり、またフォトマスクを反時計周りに90度
回転させて90度位置において支持した場合の平面図
(c)、及び正面図(d)である。
図1のフォトマスク10を図3の支持装置により0度位
置において支持した場合の平面図(a)、及び正面図
(b)であり、またフォトマスクを反時計周りに90度
回転させて90度位置において支持した場合の平面図
(c)、及び正面図(d)である。
【0028】図5(a)に示すように、フォトマスク1
0は、その裏面10bに設けられた突出部11,12,
13を支持点として、支持装置の支持部材31,32,
33により3点支持されている。この場合、図5(b)
に示すように、突出部11,12,13を支持点として
いるため、フォトマスク10の裏面10bと支持に供さ
れていない支持部材41,42,43との間に隙間が形
成され、両者は接触しない。
0は、その裏面10bに設けられた突出部11,12,
13を支持点として、支持装置の支持部材31,32,
33により3点支持されている。この場合、図5(b)
に示すように、突出部11,12,13を支持点として
いるため、フォトマスク10の裏面10bと支持に供さ
れていない支持部材41,42,43との間に隙間が形
成され、両者は接触しない。
【0029】図5(a)に示す位置から、支持台30を
固定した状態でフォトマスク10を図の反時計周りに9
0度回転させて支持する場合には、図5(c)に示すよ
うに、フォトマスク10は、突出部11,12,13を
支持点として、支持装置の支持部材41,42,43に
より3点支持される。この場合、図5(b)と同様に図
5(d)に示すように、突出部11,12,13を支持
点としているため、フォトマスク10の裏面10bと支
持に供されていない支持部材31,32,33との間に
隙間が形成され、両者は接触しない。
固定した状態でフォトマスク10を図の反時計周りに9
0度回転させて支持する場合には、図5(c)に示すよ
うに、フォトマスク10は、突出部11,12,13を
支持点として、支持装置の支持部材41,42,43に
より3点支持される。この場合、図5(b)と同様に図
5(d)に示すように、突出部11,12,13を支持
点としているため、フォトマスク10の裏面10bと支
持に供されていない支持部材31,32,33との間に
隙間が形成され、両者は接触しない。
【0030】以上のように、フォトマスクを支持する支
持姿勢を90度変えてもその支持点は同一であるから、
フォトマスクに生じるたわみの分布は同一となる。
持姿勢を90度変えてもその支持点は同一であるから、
フォトマスクに生じるたわみの分布は同一となる。
【0031】〈第2のフォトマスク支持形態〉図6は、
図2のフォトマスク20を図3の支持装置により0度位
置において支持した場合の平面図(a)、及び正面図
(b)であり、またフォトマスクを反時計周りに270
度回転させて270度位置において支持した場合の平面
図(c)、及び正面図(d)である。
図2のフォトマスク20を図3の支持装置により0度位
置において支持した場合の平面図(a)、及び正面図
(b)であり、またフォトマスクを反時計周りに270
度回転させて270度位置において支持した場合の平面
図(c)、及び正面図(d)である。
【0032】図6(a)、(b)に示すように、フォト
マスク20は、その裏面20bにおいて支持装置の支持
部材31,32,33により3点支持されている。この
場合、図6(a)に示すように、フォトマスク20の裏
面20bに設けられた各窪み部21,22,23と支持
に供されていない支持部材41,42,43の各支持面
とがそれぞれ対向し、図6(b)に示すように、両者間
に隙間が形成され、両者は接触しない。図6(a)に示
す位置で窪み部21,22,23と支持部材41,4
2,43とがそれぞれ対向するようにフォトマスク20
を位置付けることにより、フォトマスク20をその裏面
20bの所定位置を支持点として支持することができ
る。
マスク20は、その裏面20bにおいて支持装置の支持
部材31,32,33により3点支持されている。この
場合、図6(a)に示すように、フォトマスク20の裏
面20bに設けられた各窪み部21,22,23と支持
に供されていない支持部材41,42,43の各支持面
とがそれぞれ対向し、図6(b)に示すように、両者間
に隙間が形成され、両者は接触しない。図6(a)に示
す位置で窪み部21,22,23と支持部材41,4
2,43とがそれぞれ対向するようにフォトマスク20
を位置付けることにより、フォトマスク20をその裏面
20bの所定位置を支持点として支持することができ
る。
【0033】図6(a)に示す位置から、支持台30を
固定した状態でフォトマスク20を図の反時計周りに2
70度回転させて支持する場合には、図6(c)に示す
ように、フォトマスク20は、その裏面20bにおいて
支持装置の支持部材41,42,43により3点支持さ
れる。この場合、図6(c)に示すように、フォトマス
ク20の裏面20bの各窪み部21,22,23と支持
に供されていない支持部材31,32,33の各支持面
とがそれぞれ対向し、図6(d)に示すように、両者間
に隙間が形成され、両者は接触しない。図6(c)に示
す位置で窪み部21,22,23と支持部材31,3
2,33とが対向するようにフォトマスク20を位置付
けるから、フォトマスク20の裏面20bにおける支持
点は、図6(a)の場合の支持点と同一である。
固定した状態でフォトマスク20を図の反時計周りに2
70度回転させて支持する場合には、図6(c)に示す
ように、フォトマスク20は、その裏面20bにおいて
支持装置の支持部材41,42,43により3点支持さ
れる。この場合、図6(c)に示すように、フォトマス
ク20の裏面20bの各窪み部21,22,23と支持
に供されていない支持部材31,32,33の各支持面
とがそれぞれ対向し、図6(d)に示すように、両者間
に隙間が形成され、両者は接触しない。図6(c)に示
す位置で窪み部21,22,23と支持部材31,3
2,33とが対向するようにフォトマスク20を位置付
けるから、フォトマスク20の裏面20bにおける支持
点は、図6(a)の場合の支持点と同一である。
【0034】以上のように、フォトマスクを支持する支
持姿勢を270度変えてもその支持点は同一であるか
ら、フォトマスクに生じるたわみの分布は同一となる。
持姿勢を270度変えてもその支持点は同一であるか
ら、フォトマスクに生じるたわみの分布は同一となる。
【0035】〈第3のフォトマスク支持形態〉図7は、
図1のフォトマスク10を図4の支持装置により0度位
置において支持した場合の平面図(a)、及び正面図
(b)であり、またフォトマスクを反時計周りに90度
回転させて90度位置において支持した場合の平面図
(c)、及び正面図(d)である。
図1のフォトマスク10を図4の支持装置により0度位
置において支持した場合の平面図(a)、及び正面図
(b)であり、またフォトマスクを反時計周りに90度
回転させて90度位置において支持した場合の平面図
(c)、及び正面図(d)である。
【0036】図7(a)に示すように、フォトマスク1
0は、その裏面10bに設けられた突出部11,12,
13を支持点として、支持装置の支持部材51,52,
53により3点支持されている。この場合、図7(b)
に示すように、フォトマスク10の裏面10bと支持に
供されていない支持部材61,62,63との間に隙間
が形成され、両者は接触しない。
0は、その裏面10bに設けられた突出部11,12,
13を支持点として、支持装置の支持部材51,52,
53により3点支持されている。この場合、図7(b)
に示すように、フォトマスク10の裏面10bと支持に
供されていない支持部材61,62,63との間に隙間
が形成され、両者は接触しない。
【0037】図7(a)に示す位置から、支持台50を
固定した状態でフォトマスク10を図の反時計周りに9
0度回転させて支持する場合には、図7(c)に示すよ
うに、フォトマスク10は、突出部11,12,13を
支持点として、支持装置の支持部材61,62,63に
より3点支持される。この場合、図7(d)に示すよう
に、支持部材61,62,63は、支持に供されていな
い支持部材51,52,53よりも低くなっているが、
両支持部材間の高さの差nよりも突出部11,12,1
3の高さmが大きいため、支持に供されていない支持部
材51,52,53とフォトマスク10の裏面10bと
の間に隙間が形成され、両者は接触しない。なお、支持
部材51,52,53を支持部材61,62,63より
も高くしているので、図7(a)の位置において通常の
突出部・窪み部のないフォトマスクを本発明のフォトマ
スクトと同一の位置で支持することができる。
固定した状態でフォトマスク10を図の反時計周りに9
0度回転させて支持する場合には、図7(c)に示すよ
うに、フォトマスク10は、突出部11,12,13を
支持点として、支持装置の支持部材61,62,63に
より3点支持される。この場合、図7(d)に示すよう
に、支持部材61,62,63は、支持に供されていな
い支持部材51,52,53よりも低くなっているが、
両支持部材間の高さの差nよりも突出部11,12,1
3の高さmが大きいため、支持に供されていない支持部
材51,52,53とフォトマスク10の裏面10bと
の間に隙間が形成され、両者は接触しない。なお、支持
部材51,52,53を支持部材61,62,63より
も高くしているので、図7(a)の位置において通常の
突出部・窪み部のないフォトマスクを本発明のフォトマ
スクトと同一の位置で支持することができる。
【0038】以上のように、フォトマスクを支持する支
持姿勢を90度変えてもその支持点は同一であるから、
フォトマスクに生じるたわみの分布は同一となる。
持姿勢を90度変えてもその支持点は同一であるから、
フォトマスクに生じるたわみの分布は同一となる。
【0039】〈第4のフォトマスク支持形態〉図8は、
図2のフォトマスク20を図4の支持装置により0度位
置において支持した場合の平面図(a)、及び正面図
(b)であり、またフォトマスクを反時計周りに270
度回転させて270度位置において支持した場合の平面
図(c)、及び正面図(d)である。
図2のフォトマスク20を図4の支持装置により0度位
置において支持した場合の平面図(a)、及び正面図
(b)であり、またフォトマスクを反時計周りに270
度回転させて270度位置において支持した場合の平面
図(c)、及び正面図(d)である。
【0040】図8(a)、(b)に示すように、フォト
マスク20は、その裏面20bにおいて支持装置の支持
部材51,52,53により3点支持されている。この
場合、図8(a)に示すように、フォトマスク20の裏
面20bの各窪み部21,22,23と支持に供されて
いない支持部材61,62,63の各支持面とがそれぞ
れ対向し、図8(b)に示すように、両者間に隙間が形
成され、両者は接触しない。また、このように両者を対
向してフォトマスク20を位置付けることにより、図6
の場合と同様にフォトマスク20をその裏面20bの所
定位置を支持点として支持することができる。
マスク20は、その裏面20bにおいて支持装置の支持
部材51,52,53により3点支持されている。この
場合、図8(a)に示すように、フォトマスク20の裏
面20bの各窪み部21,22,23と支持に供されて
いない支持部材61,62,63の各支持面とがそれぞ
れ対向し、図8(b)に示すように、両者間に隙間が形
成され、両者は接触しない。また、このように両者を対
向してフォトマスク20を位置付けることにより、図6
の場合と同様にフォトマスク20をその裏面20bの所
定位置を支持点として支持することができる。
【0041】図8(a)に示す位置から、支持台50を
固定した状態でフォトマスク20を図の反時計周りに2
70度回転させて支持する場合には、図8(c)に示す
ように、フォトマスク20は、その裏面20bにおいて
支持装置の支持部材61,62,63により3点支持さ
れる。図8(c)に示すように、フォトマスク20の裏
面20bの各窪み部21,22,23と支持に供されて
いない支持部材51,52,53の各支持面とがそれぞ
れ対向する。この場合、図8(d)に示すように、支持
部材61,62,63は、支持に供されていない支持部
材51,52,53よりも低くなっているが、両支持部
材間の高さの差nよりも窪み部21,22,23の深さ
m’が大きいため、両者間に隙間が形成され、両者は接
触しない。また、図6の場合と同様に、図8(c)での
フォトマスク20の裏面20bにおける支持点は、図8
(a)の場合の支持点と同一である。
固定した状態でフォトマスク20を図の反時計周りに2
70度回転させて支持する場合には、図8(c)に示す
ように、フォトマスク20は、その裏面20bにおいて
支持装置の支持部材61,62,63により3点支持さ
れる。図8(c)に示すように、フォトマスク20の裏
面20bの各窪み部21,22,23と支持に供されて
いない支持部材51,52,53の各支持面とがそれぞ
れ対向する。この場合、図8(d)に示すように、支持
部材61,62,63は、支持に供されていない支持部
材51,52,53よりも低くなっているが、両支持部
材間の高さの差nよりも窪み部21,22,23の深さ
m’が大きいため、両者間に隙間が形成され、両者は接
触しない。また、図6の場合と同様に、図8(c)での
フォトマスク20の裏面20bにおける支持点は、図8
(a)の場合の支持点と同一である。
【0042】以上のように、フォトマスクを支持する支
持姿勢を270度変えてもその支持点は同一であるか
ら、フォトマスクに生じるたわみの分布は同一となる。
持姿勢を270度変えてもその支持点は同一であるか
ら、フォトマスクに生じるたわみの分布は同一となる。
【0043】次に、上述したフォトマスク支持装置を用
いたパターン座標測定装置について第5の実施の形態と
して図9により説明する。
いたパターン座標測定装置について第5の実施の形態と
して図9により説明する。
【0044】〈第5の実施の形態〉図9は、本発明の第
5の実施の形態のフォトマスクのパターン座標測定装置
の斜視図である。表面に所定の精密パターンが形成され
たレチクル等のフォトマスク110は、ステージ115
上に載置されている。フォトマスク110の上方には僅
かな隙間を介して対物レンズ111が配設されている。
対物レンズ111の上方に配設され、内部にレーザ光源
を有する光学装置112は、対物レンズ111を介して
フォトマスク110上にレーザスポットを投射する。一
般にフォトマスクのパターンは微小な凹凸のエッジを有
するので、スポット光を該エツジに対して相対走査する
と、エッジ部で散乱光または回折光が生じる。対物レン
ズ111の周囲に設けられた4つの受光素子150a、
150b、151a、及び151bは、その散乱光を受
光してエッジを検出し、エッジ検出信号を主制御装置1
20に出カする。
5の実施の形態のフォトマスクのパターン座標測定装置
の斜視図である。表面に所定の精密パターンが形成され
たレチクル等のフォトマスク110は、ステージ115
上に載置されている。フォトマスク110の上方には僅
かな隙間を介して対物レンズ111が配設されている。
対物レンズ111の上方に配設され、内部にレーザ光源
を有する光学装置112は、対物レンズ111を介して
フォトマスク110上にレーザスポットを投射する。一
般にフォトマスクのパターンは微小な凹凸のエッジを有
するので、スポット光を該エツジに対して相対走査する
と、エッジ部で散乱光または回折光が生じる。対物レン
ズ111の周囲に設けられた4つの受光素子150a、
150b、151a、及び151bは、その散乱光を受
光してエッジを検出し、エッジ検出信号を主制御装置1
20に出カする。
【0045】フォトマスク110を載置したステージ1
15は、モータ等を有する駆動装置250によりXY平
面(水平面)を2次元移動する。この駆動装置250に
は主制御装置120からの制御信号が入カされている。
X軸用及ぴY軸用の干渉計本体114a及ぴ114b
は、ステージ115に載置されたフォトマスク台113
cの側面を光学研磨にて形成された移動鏡113a及ぴ
113bの各反射面、及ぴ対物レンズ111に取り付け
られた参照鏡116a及ぴ116bの各反射面に測長用
のレーザビームを照射して、ステージ115の位置、す
なわち対物レンズ111の光軸上にあるフォトマスク1
10の表面のXY平面における位置(座標値)を検出
し、該検出した位置を示す位置信号を主制御装置120
に出カする。主制御装置120には表示装置121が接
続されており、パターンの座標が表示される。
15は、モータ等を有する駆動装置250によりXY平
面(水平面)を2次元移動する。この駆動装置250に
は主制御装置120からの制御信号が入カされている。
X軸用及ぴY軸用の干渉計本体114a及ぴ114b
は、ステージ115に載置されたフォトマスク台113
cの側面を光学研磨にて形成された移動鏡113a及ぴ
113bの各反射面、及ぴ対物レンズ111に取り付け
られた参照鏡116a及ぴ116bの各反射面に測長用
のレーザビームを照射して、ステージ115の位置、す
なわち対物レンズ111の光軸上にあるフォトマスク1
10の表面のXY平面における位置(座標値)を検出
し、該検出した位置を示す位置信号を主制御装置120
に出カする。主制御装置120には表示装置121が接
続されており、パターンの座標が表示される。
【0046】続いて、フォトマスク支持部分の詳細を説
明する。試料台113cと、フォトマスク110の間に
は、図4に示すフォトマスク支持装置が搭載されてい
る。フォトマスク110は、図2のように窪み部が設け
られ、フォトマスク110を図8に示すように支持して
いる。ここで、図9の座標測定装置による座標測定にお
いて、フォトマスク110を0度姿勢で測定する場合
と、90度の姿勢で測定する場合とでは、フォトマスク
110の同じ位置を支持することができるため、たわみ
の分布が変わらず、たわみの影響がなく、精密な測定を
行うことが可能である。従って、例えばこの座標測定装
置において、XY直交度やXYのスケール誤差などの装
置キャリブレーションを行う場合、フォトマスクを90
度等に回転させた姿勢で測定する場合でも、そのたわみ
が同一となるため、精度よく装置キャリブレーションを
行うことができる。このように、座標測定の際に、試料
台113cを回転させる必要はなく、測定が簡単にで
き、また複数のマスクフォルダを準備する必要はなくコ
スト低減を実現できる。
明する。試料台113cと、フォトマスク110の間に
は、図4に示すフォトマスク支持装置が搭載されてい
る。フォトマスク110は、図2のように窪み部が設け
られ、フォトマスク110を図8に示すように支持して
いる。ここで、図9の座標測定装置による座標測定にお
いて、フォトマスク110を0度姿勢で測定する場合
と、90度の姿勢で測定する場合とでは、フォトマスク
110の同じ位置を支持することができるため、たわみ
の分布が変わらず、たわみの影響がなく、精密な測定を
行うことが可能である。従って、例えばこの座標測定装
置において、XY直交度やXYのスケール誤差などの装
置キャリブレーションを行う場合、フォトマスクを90
度等に回転させた姿勢で測定する場合でも、そのたわみ
が同一となるため、精度よく装置キャリブレーションを
行うことができる。このように、座標測定の際に、試料
台113cを回転させる必要はなく、測定が簡単にで
き、また複数のマスクフォルダを準備する必要はなくコ
スト低減を実現できる。
【0047】なお、本実施の形態によれぱ、座標測定に
おいてフォトマスクの姿勢の主な方向である0度の支持
点を支持する支持部材を他の支持部材よりも高くしてあ
るため、窪み部等のない平面形状の従来のフォトマスク
についても0度方向での測定が、全く間題なく可能であ
る。
おいてフォトマスクの姿勢の主な方向である0度の支持
点を支持する支持部材を他の支持部材よりも高くしてあ
るため、窪み部等のない平面形状の従来のフォトマスク
についても0度方向での測定が、全く間題なく可能であ
る。
【0048】また、本実施の形態では座標測定装置を例
にして説明したが、本発明は、これに限定されるもので
はなく、半導体素子等の製造用露光装置、基板パターン
検査装置、基板パターン補正装置等にも適用できること
は勿論である。
にして説明したが、本発明は、これに限定されるもので
はなく、半導体素子等の製造用露光装置、基板パターン
検査装置、基板パターン補正装置等にも適用できること
は勿論である。
【0049】また、本実施の形態では、突出部または窪
み部をフォトマスクのパターンの形成されていない裏面
に設けたが、パターン面側にも設けてもよく、両面に設
けてもよい。
み部をフォトマスクのパターンの形成されていない裏面
に設けたが、パターン面側にも設けてもよく、両面に設
けてもよい。
【0050】また、支持装置の支持部材は、金属、セラ
ミック、人造サファイヤ等から構成できるが、これらに
限定されず、また、インバ合金等の熱膨張係数の小さい
ものが好ましい。
ミック、人造サファイヤ等から構成できるが、これらに
限定されず、また、インバ合金等の熱膨張係数の小さい
ものが好ましい。
【0051】
【発明の効果】本発明によれば、フォトマスク支持装置
の交換や支持状態の変更を伴うことなく、フォトマスク
を複数の姿勢で支持する場合、同じ位置を支持すること
ができるフォトマスク、フォトマスク支持装置及びフォ
トマスク支持方法を提供することができ、フォトマスク
をその自重によるたわみ分布が変わらないように支持す
ることが可能となる。
の交換や支持状態の変更を伴うことなく、フォトマスク
を複数の姿勢で支持する場合、同じ位置を支持すること
ができるフォトマスク、フォトマスク支持装置及びフォ
トマスク支持方法を提供することができ、フォトマスク
をその自重によるたわみ分布が変わらないように支持す
ることが可能となる。
【図1】本発明の第1の実施の形態による突出部を有す
るフォトマスクの平面図(a)、及び正面図(b)であ
る。
るフォトマスクの平面図(a)、及び正面図(b)であ
る。
【図2】本発明の第2の実施の形態による窪み部を有す
るフォトマスクの平面図(a)、及び正面図(b)であ
る。
るフォトマスクの平面図(a)、及び正面図(b)であ
る。
【図3】本発明の第3の実施の形態によるフォトマスク
支持装置の平面図(a)、及び正面図(b)である。
支持装置の平面図(a)、及び正面図(b)である。
【図4】本発明の第4の実施の形態によるフォトマスク
支持装置の平面図(a)、及び正面図(b)である。
支持装置の平面図(a)、及び正面図(b)である。
【図5】第1のフォトマスク支持状態を示し、図1のフ
ォトマスクを図3の支持装置により0度位置において支
持した場合の平面図(a)、及び正面図(b)であり、
フォトマスクを反時計周りに90度回転させて90度位
置において支持した場合の平面図(c)、及び正面図
(d)である。
ォトマスクを図3の支持装置により0度位置において支
持した場合の平面図(a)、及び正面図(b)であり、
フォトマスクを反時計周りに90度回転させて90度位
置において支持した場合の平面図(c)、及び正面図
(d)である。
【図6】第2のフォトマスク支持状態を示し、図2のフ
ォトマスクを図3の支持装置により0度位置において支
持した場合の平面図(a)、及び正面図(b)であり、
フォトマスクを反時計周りに270度回転させて270
度位置において支持した場合の平面図(c)、及び正面
図(d)である。
ォトマスクを図3の支持装置により0度位置において支
持した場合の平面図(a)、及び正面図(b)であり、
フォトマスクを反時計周りに270度回転させて270
度位置において支持した場合の平面図(c)、及び正面
図(d)である。
【図7】第3のフォトマスク支持状態を示し、図1のフ
ォトマスクを図4の支持装置により0度位置において支
持した場合の平面図(a)、及び正面図(b)であり、
フォトマスクを反時計周りに90度回転させて90度位
置において支持した場合の平面図(c)、及び正面図
(d)である。
ォトマスクを図4の支持装置により0度位置において支
持した場合の平面図(a)、及び正面図(b)であり、
フォトマスクを反時計周りに90度回転させて90度位
置において支持した場合の平面図(c)、及び正面図
(d)である。
【図8】第4のフォトマスク支持状態を示し、図2のフ
ォトマスクを図4の支持装置により0度位置において支
持した場合の平面図(a)、及び正面図(b)であり、
フォトマスクを反時計周りに270度回転させて270
度位置において支持した場合の平面図(c)、及び正面
図(d)である。
ォトマスクを図4の支持装置により0度位置において支
持した場合の平面図(a)、及び正面図(b)であり、
フォトマスクを反時計周りに270度回転させて270
度位置において支持した場合の平面図(c)、及び正面
図(d)である。
【図9】本発明によるフォトマスク支持装置を用いたフ
ォトマスクパターンの座標測定装置の全体構成を示す斜
視図である。
ォトマスクパターンの座標測定装置の全体構成を示す斜
視図である。
【図10】従来のフォトマスク支持装置を示す図であ
る。
る。
【図11】従来の他のフォトマスク支持装置を示す図で
ある。
ある。
【図12】従来の別のフォトマスク支持装置を示す図で
ある。
ある。
【図13】フォトマスクのたわみ状態を説明するための
断面図であり、たわまない状態を示す図(a)、及び自
重によりたわんだ状態を示す図(b)である。
断面図であり、たわまない状態を示す図(a)、及び自
重によりたわんだ状態を示す図(b)である。
10,20 フォトマスク 10a,20a フォトマスクの表面
(パターン面) 10b,20b フォトマスクの裏面 11,12,13 突出部 21,22,23 窪み部 30,50 支持台 31,32,33 支持部材(第1の組の
支持部材) 41,42,43 支持部材(第2の組の
支持部材) 51,52,53 支持部材(第1の組の
支持部材) 61,62,63 支持部材(第2の組の
支持部材) m 突出部の高さ m’ 窪み部の深さ n 支持部材の高さの差
(パターン面) 10b,20b フォトマスクの裏面 11,12,13 突出部 21,22,23 窪み部 30,50 支持台 31,32,33 支持部材(第1の組の
支持部材) 41,42,43 支持部材(第2の組の
支持部材) 51,52,53 支持部材(第1の組の
支持部材) 61,62,63 支持部材(第2の組の
支持部材) m 突出部の高さ m’ 窪み部の深さ n 支持部材の高さの差
Claims (11)
- 【請求項1】 平面状基板から構成され、該基板の少な
くともいずれか一方の面に、該面から突き出た少なくと
も3つの突出部を備えたことを特徴とするフォトマス
ク。 - 【請求項2】 前記突出部はガラス板が前記基板の面に
貼り付けられて設けられたことを特徴とする請求項1記
載のフォトマスク。 - 【請求項3】 平面状基板から構成され、該基板の少な
くともいずれか一方の面に、該面から凹んだ少なくとも
3つの窪み部を備えたことを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項4】 前記突出部または窪み部は、前記基板の
パターンのある面の反対面に設けられていることを特徴
とする請求項1,2または3記載のフォトマスク。 - 【請求項5】 請求項1,2,3または4記載のフォト
マスクを支持するための支持装置であって、 支持台と、 前記突出部の位置または前記窪み部以外の位置である同
一の支持点において前記フォトマスクを支持するように
前記支持台から突出した複数の支持部材とを、具備する
ことを特徴とするフォトマスク支持装置。 - 【請求項6】 前記複数の支持部材は、前記フォトマス
クが前記支持台に対して第1の相対位置にあるとき前記
支持点で前記フォトマスクを支持するよう同一高さに構
成された第1の組の支持部材と、前記フォトマスクが前
記支持台に対して第2の相対位置にあるとき前記支持点
で前記フォトマスクを支持するよう同一高さに構成され
た第2の組の支持部材とを備えることを特徴とする請求
項5記載のフォトマスク支持装置。 - 【請求項7】 前記第1の組の前記支持部材の高さと前
記第2の組の前記支持部材の高さとが等しいことを特徴
とする請求項6記載のフォトマスク支持装置。 - 【請求項8】 前記第1の組の前記支持部材の高さと前
記第2の組の前記支持部材の高さとが異なることを特徴
とする請求項6記載のフォトマスク支持装置。 - 【請求項9】 前記突出部の高さは、前記第1の組の前
記支持部材の高さと前記第2の組の前記支持部材の高さ
との差よりも大きいことを特徴とする請求項8記載のフ
ォトマスク支持装置。 - 【請求項10】 前記窪み部の深さは、前記第1の組の
前記支持部材の高さと前記第2の組の前記支持部材の高
さとの差よりも大きいことを特徴とする請求項8記載の
フォトマスク支持装置。 - 【請求項11】 請求項1,2,3または4記載のフォ
トマスクを支持するための支持方法であって、 前記突出部の位置または前記窪み部以外の位置である同
一の複数の支持点において前記フォトマスクを支持する
ことを特徴とするフォトマスク支持方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19641197A JPH1124236A (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | フォトマスク、フォトマスク支持装置及びフォトマスク支持方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19641197A JPH1124236A (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | フォトマスク、フォトマスク支持装置及びフォトマスク支持方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1124236A true JPH1124236A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=16357419
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19641197A Withdrawn JPH1124236A (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | フォトマスク、フォトマスク支持装置及びフォトマスク支持方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1124236A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013161946A (ja) * | 2012-02-06 | 2013-08-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2015064477A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-09 | 凸版印刷株式会社 | パターン位置計測方法、パターン位置計測装置、及びフォトマスク |
-
1997
- 1997-07-08 JP JP19641197A patent/JPH1124236A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013161946A (ja) * | 2012-02-06 | 2013-08-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2015064477A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-09 | 凸版印刷株式会社 | パターン位置計測方法、パターン位置計測装置、及びフォトマスク |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20041005 |