JP2013156121A - 物理量センサーおよび電子機器 - Google Patents

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Abstract

【課題】製造工程を簡略化することができ、かつ、信頼性の高い物理量センサーを提供する。
【解決手段】本発明に係る物理量センサー100は、基板10と、基板10の上方に設けられている揺動体20と、揺動体20を支持し、第1軸に沿って配置されている支持部40,42と、基板10に設けられ、揺動体20に対向配置されている検出電極50,52と、を含み、揺動体20は、前記第1軸に平面で直交する第2軸と交差する一対の側面を備え、前記第一対の側面の少なくとも一方には、突起部30が設けられている。
【選択図】図1

Description

本発明は、物理量センサーおよび電子機器に関する。
近年、例えばシリコンMEMS(Micro Electro Mechanical System)技術を用いて物理量を検出する慣性センサーなどの物理量センサーが開発されている。
例えば、特許文献1では、回転動作(シーソー揺動)を利用して、Z軸方向の加速度を検出するシーソー型の物理量センサーが開示されている。特許文献1の物理量センサーは、導電性プレートと、質量が異なる第1及び第2の領域を有する保証質量と、を有しており、この保証質量はZ軸方向の加速度に応じて、第1及び第2の領域を分離する可撓軸周りに回転する。特許文献1の物理量センサーは、この保証質量の回転によって生じる、導電性プレートと保証質量との間の静電容量の変化から加速度を検出している。
また、特許文献1の物理量センサーは、保証質量の回転を制限するための保護シールドと、この保護シールドに向かって突き出ているストッパーを有している。これにより、導電性プレートと保証質量とが接触することを防いで、信頼性を高めている。
特開2008−529001号公報
しかしながら、特許文献1の物理量センサーでは、所定の材料を保証質量の上に堆積させ、パターンニングすることによってストッパーを形成しなければならず、製造工程が複雑化するという問題があった。
本発明のいくつかの態様に係る目的の1つは、製造工程を簡略化することができ、かつ、信頼性の高い物理量センサーを提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の1つは、上記物理量センサーを含む電子機器を提供することにある。
本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様または適用例として実現することができる。
[適用例1]
本適用例に係る物理量センサーは、
基板と、
前記基板の上方に設けられている揺動体と、
前記揺動体を支持し、第1軸に沿って配置されている支持部と、
前記基板に設けられ、前記揺動体に対向配置されている検出電極と、
を含み、
前記揺動体は、前記第1軸に平面で直交する第2軸と交差する一対の側面を備え、
前記第一対の側面の少なくとも一方には、突起部が設けられている。
このような物理量センサーによれば、大きな加速度が生じた場合に、揺動体が基板に衝突することを防ぐことができる。したがって、揺動体の損傷を防ぐことができ、信頼性を高めることができる。さらに、突起部が揺動体の側面に設けられているため、例えば、揺動体および突起部を、1つの基板をパターニングすることにより形成することができる。そのため、製造工程を簡略化することができる。
[適用例2]
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記基板の前記検出電極の配置領域の外側に設けられ、かつ、前記揺動体に対向配置されている電極を含み、
前記電極は、前記揺動体と電気的に接続されていてもよい。
このような物理量センサーによれば、揺動体と電極とを等電位にすることができ、揺動体が基板に張り付くことを防ぐことができる。
[適用例3]
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記突起部は、平面視において、前記検出電極および前記電極と重ならなくてもよい。
このような物理量センサーによれば、突起部が基板に衝突した際に、検出電極および電極が損傷することを防ぐことができる。
[適用例4]
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記突起部の平面形状は、先端が先鋭状であってもよい。
このような物理量センサーによれば、突起部と基板との接触面積を小さくすることができ、揺動体(突起部)が基板に張り付くことを防ぐことができる。
[適用例5]
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記突起部の平面形状は、先端が円弧状であってもよい。
このような物理量センサーによれば、突起部と基板との接触面積を小さくすることができ、揺動体(突起部)が基板に張り付くことを防ぐことができる。
[適用例6]
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記突起部は、前記揺動体と一体に設けられていてもよい。
このような物理量センサーによれば、製造工程を簡略化することができる。
[適用例7]
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記第1側面は、前記第1側面の前記第1軸方向の幅の中心を通る前記第2軸によって、第1領域と第2領域とに区画したときに、
前記第1領域および前記第2領域には、それぞれ前記突起部が設けられていてもよい。
このような物理量センサーによれば、揺動体が基板に衝突することをより確実に防ぐことができる。
[適用例8]
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記揺動体の周囲には枠体が配置され、
前記揺動体は前記支持部によって前記枠体から離間して接続され、
前記揺動体および前記突起部の外側の縁と、前記枠体の内側の縁との間の空隙の幅は、均一であってもよい。
このような物理量センサーによれば、装置の小型化を図ることができる。また、基板にセンサー基板を接合し、センサー基板をエッチングして揺動体を形成する工程において、揺動体および突起部の外側の縁と、枠体の内側の縁との間の空隙の幅を均一になるように設計すれば、1回のエッチング工程で揺動体および突起部を形成することができ、製造効率を改善できる。
[適用例9]
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記揺動体は、前記第1軸を境にしたときに一方の領域と他方の領域とで質量が異なっていてもよい。
[適用例10]
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記検出電極は、前記揺動体の前記一方の領域に対向する位置に配置された第1検出電極と、前記揺動体の前記他方の領域に対向する位置に配置された第2検出電極と、を含んでいてもよい。
[適用例11]
本適用例に係る電子機器は、
本適用例に係る物理量センサーを含む。
このような電子機器によれば、本適用例に係る物理量センサーを含むため、製造工程を簡略化することができ、かつ、高い信頼性を有する。
本実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す平面図。 本実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す断面図。 本実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す断面図。 揺動体の動作および可変容量の容量値の変化について説明するための図。 本実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態の第1変形例に係る物理量センサーを模式的に示す平面図。 本実施形態の第2変形例に係る物理量センサーを模式的に示す平面図。 本実施形態に係る電子機器を模式的に示す斜視図。 本実施形態に係る電子機器を模式的に示す斜視図。 本実施形態に係る電子機器を模式的に示す斜視図。
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
1. 物理量センサー
まず、本実施形態に係る物理量センサーについて、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る物理量センサー100を模式的に示す平面図である。図2および図3は、本実施形態に係る物理量センサー100を模式的に示す断面図である。なお、図2は、図1のII−II線断面図であり、図3は、図1のIII−III線断面図である。また、図1では、便宜上、蓋体70の図示を省略している。図1〜図3では、互いに直交する3つの軸として、X軸、Y軸、Z軸を図示している。
物理量センサー100は、例えば、慣性センサーとして使用することができ、具体的には、例えば、鉛直方向(Z軸方向)の加速度を測定するための加速度センサー(静電容量型加速度センサー、静電容量型MEMS加速度センサー)として利用可能である。
物理量センサー100は、図1および図2に示すように、支持基板10と、揺動体20と、突起部30と、支持部40,42と、第1検出電極50と、第2検出電極52と、対向電極(電極)54と、枠体60と、蓋体70と、を含んで構成されている。
支持基板10には、第1検出電極50と、第2検出電極52と、対向電極54と、が設けられている。図示の例では、これらの電極50,52,54は、支持基板10の凹部12の底部を規定する面14に設けられている。また、支持基板10には、枠体60および蓋体70が接合されている。支持基板10と、蓋体70とで、揺動体20を収容するための空間を形成することができる。支持基板10の材質は、特に限定されないが、例えば、ガラスである。
揺動体20は、支持基板10の上方に設けられている。揺動体20は、第1支持部40および第2支持部42によって、支持されている。揺動体20は、例えば鉛直方向(Z軸方向)の加速度が生じると、支持部40,42によって決定される支持軸Qを揺動軸(回転軸)として、シーソー揺動(シーソー動作)することができる。
揺動体20は、第1シーソー片(第1部分)20aと、第2シーソー片(第2部分)20bと、を有する。第1シーソー片20aは、平面視において、支持軸Qによって区画される揺動体20の2つの部分のうちの一方(図1では右側に位置する部分)である。第2シーソー片20bは、平面視において、支持軸Qによって区画される揺動体20の2つの部分のうちの他方(図1では左側に位置する部分)である。
例えば、鉛直方向(Z軸方向)の加速度(例えば重力加速度)が揺動体20に加わった場合、第1シーソー片20aと第2シーソー片20bの各々に回転モーメント(力のモーメント)が生じる。ここで、第1シーソー片20aの回転モーメント(例えば時計回りの回転モーメント)と第2シーソー片20bの回転モーメント(例えば反時計回りの回転モーメント)が均衡した場合には、揺動体20の傾きに変化が生じず、加速度の変化を検出することができない。したがって、鉛直方向(Z軸方向)の加速度が加わったときに、第1シーソー片20aの回転モーメントと、第2シーソー片20bの回転モーメントとが均衡せず、揺動体20に所定の傾きが生じるように、揺動体20が設計される。
物理量センサー100では、支持軸Qを、揺動体20の中心(重心)から外れた位置に配置することによって(支持軸Qから各シーソー片20a,20bの先端までの距離を異ならせることによって)、シーソー片20a,20bが互いに異なる質量を有している。すなわち、揺動体20は、支持軸Qを境にしたときに、一方の領域(第1シーソー片20a)と他方の領域(第2シーソー片20b)とで質量が異なる。具体的には、支持軸Qから第1シーソー片20aの第1側面24までの距離は、支持軸Qから第2シーソー片20bの第2側面25までの距離よりも大きい。また、第1シーソー片20aの厚みと、第2シーソー片20bの厚みとは、等しい。したがって、第1シーソー片20aの質量は、第2シーソー片20bの質量よりも大きい。このように、シーソー片20a,20bが互いに異なる質量を有することにより、鉛直方向(Z軸方向)の加速度が加わったときに、第1シーソー片20aの回転モーメントと、第2シーソー片20bの回転モーメントとを均衡させないことができる。したがって、鉛直方向(Z軸方向)の加速度が加わったときに、揺動体20に所定の傾きを生じさせることができる。
なお、図示はしないが、支持軸Qを揺動体20の中心に配置し、かつ、シーソー片20a,20bの厚みを互いに異ならせることによって、シーソー片20a,20bが互いに異なる質量を有するようにしてもよい。このような場合にも、鉛直方向(Z軸方向)の加速度が加わったときに、揺動体20に所定の傾きを生じさせることができる。
揺動体20の平面形状(Z軸方向からみたときの形状)は、例えば、長方形である。具体的には、揺動体20の平面形状は、X軸に沿う長辺、Y軸に沿う短辺を有する長方形である。また、第1シーソー片20aの平面形状は、例えば、X軸に沿う長辺、Y軸に沿う短辺を有する長方形であり、第2シーソー片20bの平面形状は、例えば、Y軸に沿う長辺、X軸に沿う短辺を有する長方形である。なお、揺動体20および各シーソー片20a,20bの平面形状は、特に限定されない。
揺動体20は、支持基板10と離間して設けられている。図示の例では、揺動体20と支持基板10との間には、空隙2が設けられている。また、揺動体20は、支持部40,42によって、枠体60から離間して接続されている。揺動体20と枠体60との間には、空隙4が設けられている。揺動体20の周囲に空隙2,4が存在することによって、揺動体20は、シーソー揺動することができる。
揺動体20は、可動電極21a,21bとして機能する。揺動体20が導電性材料(不純物がドープされたシリコン等)で構成されることによって、可動電極が形成されてもよく、また、揺動体20の表面に金属等の導体層からなる可動電極を形成することもできる。図示の例では、揺動体20が導電性材料(不純物がドープされたシリコン)で構成されることによって、可動電極21a,21bが形成されている。すなわち、第1シーソー片20aが可動電極21aとして機能し、第2シーソー片20bが可動電極21bとして機能している。
また、支持基板10の、可動電極21aに対向する位置には、第1検出電極50が設けられている。この可動電極21aと第1検出電極50とによって、可変容量C1が構成されている。支持基板10の、可動電極21bに対向する位置には、第2検出電極52が設けられている。この可動電極21bと第2検出電極52とによって、可変容量C2が構成されている。可変容量C1および可変容量C2は、例えば、図2に示す揺動体20が水平である状態において、同じ容量となるように構成される。可動電極21aおよび可動電極21bは、揺動体30のシーソー揺動に応じて位置が変化する。これにより、可変容量C1,C2の容量値が変化する。図示の例では、揺動体20自体によって可動電極21a,21bが形成されているため、可動電極21a,21bは、同じ電位を有する電極である。
なお、図示はしないが、蓋体70の、可動電極21aに対向する位置に第1検出電極50が設けられ、蓋体70の、可動電極21bに対向する位置に第2検出電極52が設けられてもよい。
揺動体20には、揺動体20の上面28から揺動体20の下面29まで貫通する貫通孔(スリット)26が設けられている。これにより、揺動体20が揺動する際の空気の影響(空気の抵抗)を低減することができる。図示の例では、貫通孔26は、複数設けられている。
突起部30は、第1シーソー片20aの側面(第1側面)24および第2シーソー片20bの側面(第2側面)25に設けられている。ここで、第1側面24および第2側面25は、支持軸(第1軸)Qに平面で直交する軸(第2軸)Lと交差する(図示の例では直交する)一対の面である。言い換えると、第1側面24と第2側面25とは、支持軸Qを挟んで互いに対向する面である。図示の例では、第1側面24および第2側面25は、互いに平行である。また、第1側面24および第2側面25は、支持軸Qに対して平行である。第1側面24は、例えば、第1シーソー片20aの面のうち、支持軸Qから最も離れた位置にある面である。また、第2側面25は、例えば、第2シーソー片20bの面のうち、支持軸Qから最も離れた位置にある面である。
突起部30は、側面24,25から、揺動体20の上面28(または下面29)の面内方向に延出している。図示の例では、第1側面24に設けられた突起部30は、第1側面24から、+X軸方向に延出している。また、第2側面25に設けられた突起部30は、第2側面25から−X軸方向に延出している。突起部30は、例えば、揺動体20および突起部30からなる構造体(支持軸Qを揺動軸としてシーソー揺動する構造体)において、支持軸Qから最も離れた部分(端部)である。そのため、突起部30は、大きな加速度が生じて支持基板10に当該構造体が接触する際に、当該構造体において、最初に支持基板10に接触することができる。突起部30は、揺動体20の動作(シーソー揺動)を制限するためのストッパーとして機能することができる。
突起部30の平面形状は、図示の例では、四角形である。突起部30の厚み(図示の例ではZ軸方向の大きさ)は、揺動体20(シーソー片20a,20b)の厚み(図示の例ではZ軸方向の大きさ)と同じである。
揺動体20のX軸方向の大きさは、例えば、1mm程度であり、揺動体20のY軸方向の大きさは、例えば、300〜500μm程度である。突起部30のX軸方向の大きさは、例えば、10μm程度であり、突起部30のY軸方向の大きさは、例えば、10μm程度である。
突起部30は、揺動体20と一体に設けられている。具体的には、突起部30と揺動体20とは、1つの基板(後述するシリコン基板201)をパターニングすることによって一体的に形成される。図示の例では、揺動体20、突起部30、支持部40,42、枠体60が一体的に形成されている。
第1側面24は、図1に示すように、軸Lによって、第1領域24aと第2領域24bとに区画されている。具体的には、第1側面24は、第1側面24の支持軸(第1軸)Qに沿う方向(Y方向)の幅の中心を通る軸Lによって、第1領域24aと第2領域24bとに区画されている。図1に示す例では、軸Lは、第1側面24の中心および第2側面25の中心を通り、かつ、XY平面において支持軸Qと直交している。第1領域24aおよび第2領域24bには、それぞれ突起部30が設けられている。図示の例では、第1領域24aおよび第2領域24bには、それぞれ1つの突起部30が設けられているが、各領域24a,24bには、複数の突起部30が設けられてもよい。
第2側面25は、図1に示すように、軸Lによって、第3領域25aと第4領域25bとに区画されている。具体的には、第2側面25は、第2側面25の支持軸(第1軸)Qに沿う方向(Y方向)の幅の中心を通る軸Lによって、第3領域25aと第4領域25bとに区画されている。第3領域25aおよび第4領域25bには、それぞれ突起部30が設けられている。図示の例では、第3領域25aおよび第4領域25bには、それぞれ1つの突起部30が設けられているが、各領域25a,25bには、複数の突起部30が設けられてもよい。第1側面24に設けられる突起部30の数と、第2側面25に設けられる突起部30の数は、例えば、同じである。
第1支持部40および第2支持部42は、揺動体20を支持している。第1支持部40および第2支持部42は、トーションバネ(捻りバネ)として機能する。これにより、揺動体20がシーソー揺動することによりバネに生じるねじり変形に対して強い復元力を有し、支持部が破損することを防止することができる。
第1支持部40および第2支持部42は、支持軸Qに沿って配置されている。第1支持部40および第2支持部42は、揺動体20の回転中心(揺動中心)となる支持軸Qの位置を決定する部材である。図示の例では、第1支持部40および第2支持部42は、平面視において、支持軸Qに重なっている。第1支持部40および第2支持部42は、枠体60から揺動体20まで延出している。第1支持部40および第2支持部42の延出方向(Y軸方向)は、支持軸Qの延出方向(Y軸方向)と一致している。揺動体20は、支持部40,42を介して、枠体60に固定される。
第1検出電極50は、支持基板10上に設けられている。第1検出電極50は、揺動体20(可動電極21a)に対向配置されている。第1検出電極50上には、空隙2を介して、可動電極21aが位置している。第1検出電極50は、可動電極21aとの間に容量C1を形成するように設けられている。
第2検出電極52は、支持基板10上に設けられている。第2検出電極52は、揺動体20(可動電極21b)に対向配置されている。第2検出電極52上には、空隙2を介して、可動電極21bが位置している。第2検出電極52は、可動電極21bとの間に容量C2を形成するように設けられている。第1検出電極50の平面形状と、第2検出電極52の平面形状は、例えば、支持軸Qを軸として、線対称である。
対向電極54は、支持基板10上に設けられている。対向電極54は、支持基板10の検出電極50,52の配置領域の外側に設けられている。対向電極54は、揺動体20に対向配置されている。対向電極54上には、空隙2を介して、揺動体20が位置している。対向電極54は、揺動体20と対向する位置であって、検出電極50,52が設けられている領域を避けて形成されている。対向電極54は、揺動体20と電気的に接続されている。具体的には、対向電極54は、図3に示すように、凹部12の底部を規定する面14、凹部12の側部を規定する面、および枠体60と支持基板10との間の領域に形成されており、枠体60、支持部40,42を介して、揺動体20に接続されている。そのため、対向電極54は、揺動体20と等電位であることができる。
検出電極50,52および対向電極54は、例えば、平面視において、突起部30と重ならない位置に設けられている。検出電極50,52および対向電極54は、例えば、突起部30が支持基板10に接触する領域を避けて設けられている。
検出電極50,52および対向電極54の材質は、例えば、アルミ、金、ITO(Indium Tin Oxide)等である。検出電極50,52および対向電極54の材質は、ITO等の透明電極材料であることが望ましい。検出電極50,52および対向電極54として、透明電極材料を用いることにより、支持基板10が透明基板(ガラス基板)である場合、電極50,52,54上に存在する異物等を容易に視認することができるためである。
枠体60は、支持基板10上に設けられている。枠体60は、平面視において、揺動体20および突起部30を囲んでいる。図1に示すように、揺動体20および突起部30の外側の縁(揺動体および突起部とで構成された可動体の外側の縁)と、枠体60の内側の縁との間の空隙4の幅は、均一である。支持基板にセンサー基板を接合し、センサー基板をエッチングして揺動体を形成する工程において、揺動体および突起部の外側の縁と、枠体の内側の縁との間の空隙の幅を均一になるように設計すれば、1回のエッチング工程で揺動体および突起部を形成することができ、製造効率を改善できる。すなわち、空隙4の幅は、図8に示すシリコン基板201(センサー基板)を、所望の形状にパターニングして、揺動体を形成する工程におけるエッチングの抜き幅である。
図1に示す例では、枠体60の突起部30に対向する側面には、凹部62が設けられている。凹部62は、枠体60の側面に設けられた窪みである。枠体60に凹部62を形成することにより、例えば、揺動体20(第1側面24)と枠体60との間の空隙4の大きさ4aと、突起部30と枠体60との間の空隙4の大きさ4bとを、等しくすることができる。これにより、1つの基板(後述するシリコン基板201)をエッチングして揺動体20および突起部30を形成する場合に、加工精度を高めることができる。空隙4の大きさ4a,4bは、例えば、4〜5μm程度である。さらに、凹部を設けない場合と比べて、装置の小型化を図ることができる。凹部62の平面形状は、突起部30の平面形状に対応する四角形である。枠体60の材質は、例えば、揺動体20の材質と同じである。
蓋体70は、支持基板10に載置されている。蓋体70としては、例えば、シリコン基板(シリコン製の基板)を用いることができる。支持基板10としてガラス基板を用いた場合、支持基板10と蓋体70とは、陽極接合によって接合されていてもよい。
次に、揺動体20の動作と、その動作に伴う可変容量C1,C2の容量値の変化について説明する。図4は、揺動体20の動作および可変容量C1,C2の容量値の変化について説明するための図である。
図4(A)では、揺動体20は、水平状態を維持している(この状態は、重力加速度がない状態(無重力状態)に対応する)。支持軸Qと第1シーソー片20aの先端との間の距離は、支持軸Qと第2シーソー片20bの先端との間の距離よりも大きい。そのため、図4(A)の状態で、例えば、鉛直下向き(−Z軸方向)に加速度が生じたとき、第1シーソー片20aに生じる回転モーメントは、第2シーソー片20bに生じる回転モーメントよりも大きく、揺動体20は、時計回りに回転することになる。なお、ここでは、突起部30は、揺動体20の動作に影響を与えないものとして説明する。そのため、図4では、突起部30の図示を省略している。
図4(B)の状態では、揺動体20に、例えば、重力加速度G1(=1G)が加わる。これに伴い、揺動体20は、時計回りに回転し、揺動体20に傾きが生じる。この揺動体20のシーソー揺動によって、可動電極21aと第1検出電極50との間の距離が小さくなり、その結果、可変容量C1の容量値が増大する。一方、可動電極21bと第2検出電極52との間の距離は、大きくなり、その結果、可変容量C2の容量値は、減少する。物理量センサー100では、この可変容量C1,C2の容量値の変化を示す2つの検出信号(差動信号)によって、加速度の大きさと方向を検出することができる。具体的には、2つの検出信号の各々の変化の程度から、重力加速度G1の値(=1G)を検出することができる。さらに、2つの検出信号の各々の変化の方向から、加速度の方向(鉛直下向き、−Z軸方向)を特定することができる。
図4(C)の状態では、重力加速度(=1G)が揺動体20に加わっている状態で、揺動体20に、さらに、鉛直上向き(+Z軸方向)の加速度G2が加わる。この場合は、揺動体20は、反時計回りに回転し、揺動体20に図4(B)の場合とは逆の傾きが生じる。この揺動体20のシーソー揺動によって、可動電極21aと第1検出電極50との間の距離が大きくなり、その結果、可変容量C1の容量値が減少する。一方、可動電極21bと第2検出電極52との間の距離は、小さくなり、その結果、可変容量C2の容量値は、増大する。
図4(B)の状態で得られる検出信号(つまり、重力加速度の大きさと向き)を基準として、図4(C)の状態における検出信号を判定することによって、図4(C)の状態で、どの方向にどの程度の加速度が作用しているかを検出することができる。つまり、図4(C)の状態で得られる2つの検出信号に基づいて、2つの検出信号の各々の変化の程度から、加わった加速度G2の値を検出することができる。さらに、2つの検出信号の各々の変化の方向から、加速度G2の方向(鉛直上向き、+Z軸方向)を特定することができる。
上述のように、物理量センサー100は、加速度センサーやジャイロセンサー等の慣性センサーとして使用することができ、具体的には、例えば、鉛直方向(Z軸方向)の加速度を測定するための静電容量型加速度センサーとして使用することができる。
本実施形態に係る物理量センサー100は、例えば、以下の特徴を有する。
物理量センサー100では、揺動体20の側面24,25には、突起部30が設けられている。これにより、大きな加速度が生じた場合に、揺動体20(可動電極21a,21b)が支持基板10に衝突することを防ぐことができる。したがって、揺動体(可動電極)の損傷を防ぐことができ、信頼性を高めることができる。さらに、突起部が設けられない場合(揺動体と支持基板とが直接接触する場合)と比べて、支持基板10に対する接触面積を小さくすることができる。そのため、揺動体が支持基板に張り付くことを防ぐことができる。
また、揺動体20の側面24,25に突起部30が設けられているため、例えば、揺動体20および突起部30を、1つの基板(後述するシリコン基板201)をパターニングすることにより形成できる。そのため、製造工程を簡略化することができる。
物理量センサー100では、対向電極54が、揺動体20と電気的に接続されている。これにより、揺動体20と対向電極54とを等電位にすることができ、揺動体20と支持基板10との間に電位差が生じることによって揺動体20が支持基板10に張り付くことを防ぐことができる。
物理量センサー100では、突起部30が、平面視において、検出電極50,52および対向電極54と重ならない。これにより、突起部30が支持基板10に衝突した際に、検出電極50,52および対向電極54が、損傷することを防ぐことができる。
物理量センサー100では、突起部30が、揺動体20と一体に設けられている。すなわち、突起部30と揺動体20とは、1つの基板をパターニングすることにより、形成されることができる。したがって、製造工程の簡略化を図ることができる。
物理量センサー100では、第1側面24の第1領域24aおよび第2領域24bには、それぞれ少なくとも1つの突起部30が設けられている。これにより、揺動体20が支持基板10に衝突することをより確実に防ぐことができる。
物理量センサー100では、揺動体20および突起部30の外側の縁と、枠体60の内側の縁との間の空隙4の幅は、均一である。これにより、支持基板にセンサー基板を接合し、センサー基板をエッチングして揺動体を形成する工程において、揺動体および突起部の外側の縁と、枠体の内側の縁との間の空隙の幅を均一になるように設計すれば、1回のエッチング工程で揺動体および突起部を形成することができ、製造効率を改善できる。
物理量センサー100は、枠体60を含み、突起部30に対向する枠体60の側面には、凹部62が設けられている。これにより、例えば、揺動体20(第1側面24)と枠体60との間の空隙4の大きさ4aと、突起部30と枠体60との間の空隙4の大きさ4bとを、等しくすることができる。そのため、1つの基板をエッチングして揺動体20および突起部30を形成する場合に、加工精度を高めることができる。例えば、揺動体(第1側面)と枠体との間の空隙の大きさが、突起部と枠体との間の空隙の大きさよりも大きい場合、基板をエッチングして、揺動体および突起部を形成する工程において、空隙の大きさが大きい領域が、先にエッチングされてしまい、揺動体および突起部の形状が精度よく形成できない場合がある。物理量センサー100によれば、このような問題を生じさせないことができる。さらに、枠体60の側面に凹部62を設けることにより、枠体に凹部が設けられない場合と比べて、装置の小型化を図ることができる。
2. 物理量センサーの製造方法
次に、本実施形態に係る物理量センサーの製造方法について、図面を参照しながら説明する。図5〜図8は、本実施形態に係る物理量センサー100の製造工程を模式的に示す断面図である。
図5に示すように、例えば、ガラス基板101上にマスクMを形成する。マスクMは、例えば、スパッタ法や塗布法等でガラス基板101上に絶縁層を成膜した後、当該絶縁層を所定の形状にパターニングすることによって形成される。
図6に示すように、マスクMをマスクとして、ガラス基板101をウェットエッチングして、凹部12を形成する。これにより、支持基板10を形成することができる。次に、凹部12の底部を規定する面14に、第1検出電極50、第2検出電極52、および対向電極54を形成する。電極50,52,54は、スパッタ法等により支持基板10の面14上に導電層を成膜した後、当該導電層をフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いてパターニングすることにより形成される。
図7に示すように、支持基板10に、シリコン基板201(センサー基板)を接合させる。支持基板10とシリコン基板201との接合は、例えば、陽極接合や直接接合、または接着剤を用いて行われる。
図8に示すように、シリコン基板201を、例えば研削機によって研削して薄膜化した後、所望の形状にパターニングして、揺動体20、突起部30、支持部40,42、枠体60を形成する。パターニングは、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術(ドライエッチング)によって行われ、より具体的なエッチング技術として、ボッシュ(Bosch)法を用いることができる。本工程では、シリコン基板201をパターニング(エッチング)することにより、揺動体20、突起部30、支持部40,42、枠体60が一体的に形成される。本工程において、揺動体20および突起部30の外側の縁と、枠体60の内側の縁との間の空隙4の幅を均一になるように設計することにより、1回のエッチング工程で揺動体20および突起部30を形成することができ、製造効率を改善できる。また、枠体60には、凹部62(図1参照)が形成されるため、突起部30および揺動体20を精度よく形成することができる。
図1および図2に示すように、支持基板10に蓋体70を接合して、支持基板10および蓋体70によって形成される空間に揺動体20を収容する。支持基板10と蓋体70との接合は、例えば、陽極接合や接着剤等を用いて行われる。
以上の工程により、物理量センサー100を製造することができる。
本実施形態に係る物理量センサー100の製造方法は、例えば、以下の特徴を有する。
物理量センサー100の製造方法によれば、シリコン基板201をエッチングして、突起部30および揺動体20を同一工程で形成することができる。したがって、製造工程の簡略化を図ることができる。
物理量センサー100の製造方法によれば、揺動体20に突起部30が設けられているため、製造工程において、揺動体20が支持基板10に張り付くことを防ぐことができる。例えば、突起部が設けられない場合、揺動体と支持基板との接触面積が大きく、揺動体が支持基板に張り付きやすい。これに対して、物理量センサー100では、揺動体20に突起部30が設けられるため、支持基板に対する接触面積を小さくすることができ、揺動体20が支持基板10に張り付きにくい。
物理量センサー100の製造方法によれば、対向電極54が設けられるため、揺動体20と対向電極54とを等電位にすることができ、製造工程において、揺動体20と支持基板10との間に電位差が生じて揺動体20が支持基板10に張り付くことを防ぐことができる。
3. 物理量センサーの変形例
(1)第1変形例
まず、本実施形態の第1変形例に係る物理量センサーについて、図面を参照しながら説明する。図9は、本実施形態の第1変形例に係る物理量センサー200を模式的に示す平面図である。以下、本実施形態の第1変形例に係る物理量センサー200において、本実施形態に係る物理量センサー100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
物理量センサー100の例では、図1に示すように、突起部30の平面形状は、四角形であった。これに対し、物理量センサー200では、突起部30の平面形状は、先端が先鋭状である。図9に示す例では、突起部30の平面形状は、三角形である。これにより、突起部30と支持基板10との接触面積を、より小さくすることができる。したがって、揺動体20(突起部30)が支持基板10に張り付くことを、より確実に防ぐことができる。図示の例では、突起部30は、突起部30の先端に三角形の頂点が位置するように形成されている。
物理量センサー200では、枠体60に設けられる凹部62の平面形状は、突起部30の平面形状に対応する三角形である。
(2)第2変形例
次に、本実施形態の第2変形例に係る物理量センサーについて、図面を参照しながら説明する。図10は、本実施形態の第2変形例に係る物理量センサー300を模式的に示す平面図である。以下、本実施形態の第2変形例に係る物理量センサー300において、本実施形態に係る物理量センサー300の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
物理量センサー100の例では、図1に示すように、突起部30の平面形状は、四角形であった。これに対し、物理量センサー300では、突起部30の平面形状は、先端が円弧状である。図10に示す例では、突起部30の平面形状は、半円である。これにより、突起部30と支持基板10との接触面積を、より小さくすることができる。したがって、揺動体20(突起部30)が支持基板10に張り付くことを、より確実に防ぐことができる。
物理量センサー200では、枠体60に設けられる凹部62の平面形状は、突起部30の平面形状に対応する半円である。
4. 電子機器
次に、本実施形態に係る電子機器について、図面を参照しながら説明する。本実施形態に係る電子機器は、本発明に係る物理量センサーを含む。以下では、本発明に係る物理量センサーとして、物理量センサー100を含む電子機器について、説明する。
図11は、本実施形態に係る電子機器として、モバイル型(またはノート型)のパーソナルコンピューター1100を模式的に示す斜視図である。
図11に示すように、パーソナルコンピューター1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、表示部1108を有する表示ユニット1106と、により構成され、表示ユニット1106は、本体部1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このようなパーソナルコンピューター1100には、物理量センサー100が内蔵されている。
図12は、本実施形態に係る電子機器として、携帯電話機(PHSも含む)1200を模式的に示す斜視図である。
図12に示すように、携帯電話機1200は、複数の操作ボタン1202、受話口1204および送話口1206を備え、操作ボタン1202と受話口1204との間には、表示部1208が配置されている。
このような携帯電話機1200には、物理量センサー100が内蔵されている。
図13は、本実施形態に係る電子機器として、デジタルスチルカメラ1300を模式的に示す斜視図である。なお、図13には、外部機器との接続についても簡易的に示している。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチルカメラ1300は、被写体の光像をCCD(Charge Coupled Device)などの撮像素子により光電変換して撮像信号(画像信号)を生成する。
デジタルスチルカメラ1300におけるケース(ボディー)1302の背面には、表示部1310が設けられ、CCDによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部1310は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。
また、ケース1302の正面側(図中裏面側)には、光学レンズ(撮像光学系)やCCDなどを含む受光ユニット1304が設けられている。
撮影者が表示部1310に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン1306を押下すると、その時点におけるCCDの撮像信号が、メモリー1308に転送・格納される。
また、このデジタルスチルカメラ1300においては、ケース1302の側面に、ビデオ信号出力端子1312と、データ通信用の入出力端子1314とが設けられている。そして、ビデオ信号出力端子1312には、テレビモニター1430が、データ通信用の入出力端子1314には、パーソナルコンピューター1440が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー1308に格納された撮像信号が、テレビモニター1430や、パーソナルコンピューター1440に出力される構成になっている。
このようなデジタルスチルカメラ1300には、物理量センサー100が内蔵されている。
以上のような電子機器1100,1200,1300は、製造工程を簡略化することができ、かつ、信頼性の高い物理量センサー100を含む。そのため、電気機器1100,1200,1300は、製造工程を簡略化することができ、かつ高い信頼性を有することができる。
なお、上記物理量センサー100を備えた電子機器は、図11に示すパーソナルコンピューター(モバイル型パーソナルコンピューター)、図12に示す携帯電話機、図13に示すデジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置(例えばインクジェットプリンター)、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、各種ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳(通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、POS端末、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、魚群探知機、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシミュレーターなどに適用することができる。
上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
C1,C2 可変容量、M マスク、Q 支持軸、2,4 空隙、10 支持基板、
12 凹部、14 面、20 揺動体、21a 可動電極、21b 可動電極、
24 第1側面、24a 第1領域、24b 第2領域、25 第2側面、
25a 第3領域、25b 第4領域、26 貫通孔、28 上面、29 下面、
30 突起部、40 第1支持部、42 第2支持部、50 第1検出電極、
52 第2検出電極、54 対向電極、60 枠体、62 凹部、70 蓋体、
100 物理量センサー、101 ガラス基板、200 物理量センサー、
201 シリコン基板、300 物理量センサー、
1100 パーソナルコンピューター、1102 キーボード、1104 本体部、
1106 表示ユニット、1108 表示部、1200 携帯電話機、
1202 操作ボタン、1204 受話口、1206 送話口、1208 表示部、
1300 デジタルスチルカメラ、1302 ケース、1304 受光ユニット、
1306 シャッターボタン、1308 メモリー、1310 表示部、
1312 ビデオ信号出力端子、1314 入出力端子、1430 テレビモニター、
1440 パーソナルコンピューター

Claims (11)

  1. 基板と、
    前記基板の上方に設けられている揺動体と、
    前記揺動体を支持し、第1軸に沿って配置されている支持部と、
    前記基板に設けられ、前記揺動体に対向配置されている検出電極と、
    を含み、
    前記揺動体は、前記第1軸に平面で直交する第2軸と交差する一対の側面を備え、
    前記第一対の側面の少なくとも一方には、突起部が設けられている、物理量センサー。
  2. 請求項1において、
    前記基板の前記検出電極の配置領域の外側に設けられ、かつ、前記揺動体に対向配置されている電極を含み、
    前記電極は、前記揺動体と電気的に接続されている、物理量センサー。
  3. 請求項2において、
    前記突起部は、平面視において、前記検出電極および前記電極と重ならない、物理量センサー。
  4. 請求項1ないし3のいずれか1項において、
    前記突起部の平面形状は、先端が先鋭状である、物理量センサー。
  5. 請求項1ないし3のいずれか1項において、
    前記突起部の平面形状は、先端が円弧状である、物理量センサー。
  6. 請求項1ないし5のいずれか1項において、
    前記突起部は、前記揺動体と一体に設けられている、物理量センサー。
  7. 請求項1ないし6のいずれか1項において、
    前記第1側面は、前記第1側面の前記第1軸方向の幅の中心を通る前記第2軸によって、第1領域と第2領域とに区画したときに、
    前記第1領域および前記第2領域には、それぞれ前記突起部が設けられている、物理量センサー。
  8. 請求項1ないし7のいずれか1項において、
    前記揺動体の周囲には枠体が配置され、
    前記揺動体は前記支持部によって前記枠体から離間して接続され、
    前記揺動体および前記突起部の外側の縁と、前記枠体の内側の縁との間の空隙の幅は、均一である、物理量センサー。
  9. 請求項1ないし8のいずれか1項において、
    前記揺動体は、前記第1軸を境にしたときに一方の領域と他方の領域とで質量が異なる、物理量センサー。
  10. 請求項9において、
    前記検出電極は、前記揺動体の前記一方の領域に対向する位置に配置された第1検出電極と、前記揺動体の前記他方の領域に対向する位置に配置された第2検出電極と、を含む、物理量センサー。
  11. 請求項1ないし10のいずれか1項に記載の物理量センサーを含む、電子機器。
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