JP6705168B2 - センサー用基板、物理量検出センサー、加速度センサー、電子機器、および移動体 - Google Patents

センサー用基板、物理量検出センサー、加速度センサー、電子機器、および移動体 Download PDF

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Description

本発明は、センサー用基板、物理量検出センサー、加速度センサー、電子機器、および移動体に関する。
従来、例えば、特許文献1に記載されているように、ベース部(固定部)と、ベース部と接続されている可動部と、可動部の厚み方向からみた平面視において、ベース部から可動部に沿って延在する支持部と、を有するセンサー用基板(カンチレバー部)に、物理量を検出する物理量検出素子が固定された物理量検出センサーが知られていた。この物理量検出センサーにおいて、物理量検出素子は、一端がベース部に固定され、他端が可動部に固定されている。また、物理量検出センサーには、可動部の両主面の少なくとも一方に配置され、前記平面視において、一部が支持部と重なるように配置された質量部が備えられている。
このような構成の物理量検出センサーでは、設計値を越えた衝撃が加えられた場合に、可動部の変位が設計値を越えて大きくなってしまうと、可動部が望まない箇所に強く接触したり、可動部とベース部との接続部分に応力が加わったりすることにより、センサー用基板や物理量検出素子が破損してしまう虞がある。この問題を回避するために、特許文献1の物理量検出センサーは、センサー用基板の厚み方向からみた平面視において、質量部と支持部とが重なる領域に、質量部と支持部との間に所定の間隔が設けられた構成となっている。これにより、物理量検出センサーに厚み方向(Z方向)の物理量(例えば加速度)が加えられたときに、加速度に応じて変位する可動部の変位を、可動部の主面に配置された質量部が上記所定の間隔分変位したところで支持部と接触することによって規制することができる。
また、特許文献2には、可動部の厚み方向からみた平面視において、ベース部から可動部に沿って延在する支持部の内周面の一部に、支持部の内周面と可動部(錘部)との距離を他の部位より小さくする突出部(ストッパー部)が突設された物理量検出センサー(半導体加速度センサー)が紹介されている。この構成により、物理量検出センサーに厚み方向と交差する方向(可動部および支持部の面内方向)の物理量が加えられたときに、物理量に応じて変位する可動部(錘部)の変位を、支持部の内周面に突設された突出部で規制することによって、可動部(錘部)の過度な変位を規制してセンサー用基板や物理量検出素子の破損を防止することができる。
なお、上述の特許文献1および特許文献2の物理量検出センサーにおいて、ベース部、可動部、および支持部を有するセンサー用基板は、水晶やシリコンなどの単結晶材料をエッチング加工することにより一体に形成されている。
特開2012−189480号公報 特開2000−338124号公報
物理量検出センサーのセンサー用基板の形成材料として用いられる単結晶材料のうち、水晶をウェットエッチングしてセンサー用基板の外形を形成する場合、水晶の各々の結晶軸方向におけるエッチング速度の違いによるエッチング異方性のために、可動部と支持部との面内方向の隙間を所望の長さで精度よく形成することは困難であることが知られている。しかしながら、特許文献2では、可動部と支持部内周面の突出部との隙間を精度よく形成する方法等については何ら記述されていない。このため、可動部と突出部(規制部、ストッパー部)との隙間が、所定の長さよりも長くなってしまい、物理量検出センサーに設計値を越える衝撃が加えられた場合に、センサー用基板や物理量検出素子が破損してしまう虞があった。また、可動部と突出部(規制部)との隙間が適正な長さよりも短くなってしまった場合には、可動部の変位範囲が設定よりも小さく規制されてしまうことから、設定された加速度などの物理量検出範囲を満足できない虞があった。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
[適用例1] 本適用例にかかるセンサー用基板は、ベース部と、前記ベース部と接続されている可動部と、前記可動部の厚み方向からみた平面視において、前記ベース部から前記可動部に沿って延在する支持部と、前記平面視において、前記可動部と前記支持部とのいずれか一方が他方に向かって突出する突出部を有して、前記一方の突出部と前記他方との間に所定の間隔を有する第1ギャップ部と、前記平面視において前記第1ギャップ部より前記ベース部側に位置し、前記所定の間隔より広い間隔を有する第2ギャップ部と、を有し、前記第1ギャップ部において、前記突出部は、前記支持部の延在方向に垂直な断面視において、前記第1ギャップ部に臨む側に凸条部を有していることを特徴とする。
本適用例において、「凸条部」とは、センサー用基板の形成材料として好適に用いられる、例えば水晶などの単結晶材料の結晶構造に起因して起こるものであり、水晶をウェットエッチングしてセンサー用基板の外形を形成する際に、水晶の各々の結晶軸方向におけるエッチング速度の違いによるエッチング異方性のために生じるひれ状の異形部(エッチング残渣)のことであり、「ひれ」と呼ばれることもある。
本適用例によれば、ベース部と接続された可動部と、ベース部から可動部に沿って延在する支持部との間に、突出部を有して且つ所定の間隔を有する第1ギャップ部が形成され、その第1ギャップ部よりベース部側に、第1ギャップ部の所定の間隔より広い間隔の第2ギャップ部が形成されている。この構成により、第1ギャップ部において、可動部および支持部のいずれか一方に凸条部が形成され、その凸条部は、第1ギャップ部よりも間隔の広い第2ギャップ部によって、第1ギャップ部へのエッチング液回りが良好となることから、所望の第1ギャップ部の形状を形成することが可能であることを発明者は見出した。このことから、第1ギャップ部の隙間を精度よく形成することができる。
これにより、可動部と支持部との面内方向の衝撃が加わったときに、所定の間隔が精度よく形成された第1ギャップ部において、過度に変位した可動部を支持部で規制する構造を実現でき、センサー用基板の破損を抑止することが可能になる。したがって、耐衝撃性および検出精度の高い物理量検出センサーを構成することが可能なセンサー用基板を提供することができる。
[適用例2] 上記適用例にかかるセンサー用基板において、前記支持部は、前記平面視において、前記可動部を挟む両側に配置され、前記第1ギャップ部および前記第2ギャップ部が前記可動部を挟む両側にそれぞれ形成され、それぞれの前記突出部は、前記平面視において同一方向に突出していることが好ましい。
本適用例によれば、例えば水晶などの単結晶材料によりセンサー用基板を形成した場合において、凸条部は所定の結晶軸方向に形成されることから、各突出部を同一方向に突出させて設けることにより、各々の第1ギャップ部の所定の間隔を略均一に精度よく形成することができる。
[適用例3] 上記適用例にかかるセンサー用基板において、前記凸条部が、前記突出部の断面の略中央に形成されていることを特徴とする。
本適用例によれば、第1ギャップ部の所定の間隔を精度よく形成できることを発明者は見出した。
[適用例4] 上記適用例にかかるセンサー用基板において、前記凸条部は、前記平面視において、前記可動部または支持部の基端部側から先端部側に向かって幅が狭くなる台形状を呈していることを特徴とする。
本適用例によれば、第1ギャップ部の所定の間隔を精度よく形成できることを発明者は見出した。
[適用例5] 上記適用例にかかるセンサー用基板において、Zカットで切り出された水晶Zカット板を用いて形成されていることが好ましい。
本適用例によれば、センサー用基板の形成材料である水晶は、原石(ランバード)等から、電気軸と呼ばれるX軸、機械軸と呼ばれるY軸、および光学軸と呼ばれるZ軸を有し、水晶結晶軸において直交するX軸、およびY軸で規定される平面に沿って切り出されて平板状に加工されたZカットの水晶基板(水晶Zカット板)から形成されている。水晶Zカット板は、その特性によりエッチング加工が比較的容易になり、上記適用例に記載の第1ギャップ部などのセンサー用基板の外形を精密に形成することができる。
また、センサー用基板の厚み方向の切り出し角度と、センサー用基板に搭載される例えば物理量検出素子などの検出素子(センサー)の厚み方向の切り出し角度とを、同じZカットにすることで線膨張係数(熱膨張率)を近似させることができる。線膨張係数が近似した材料が用いられることで、センサー用基板と、検出素子との周囲の温度変化に伴う両者間の熱応力が抑制され、熱応力を抑制した検出精度の高い物理量の測定を行うことが可能な物理量検出センサーを提供するのに寄与できる。
[適用例6] 上記適用例にかかるセンサー用基板において、前記突出部が、前記水晶Zカット板の+X結晶軸方向に突出していることが好ましい。
本適用例によれば、Y軸方向からの結晶面の影響が抑えられ、センサー用基板の厚み方向からみた平面視において、突出部の凸条部の端面がフラットに形成され、第1ギャップ部を所望のギャップ幅にて形成できることを発明者は見出した。
[適用例7] 上記適用例にかかるセンサー用基板において、前記第1ギャップ部のギャップ幅方向と交差する方向の第1ギャップ長よりも、前記第2ギャップ部のギャップ幅方向と交差する方向の第2ギャップ長の方が長いことを特徴とする。
本適用例によれば、第1ギャップ長よりも長いギャップ長を有する第2ギャップ部により、センサー用基板の外形をウェットエッチングにより形成するときに、第2ギャップ部から第1ギャップ部へのエッチング液の回りがより良好になって、第1ギャップ部の所定の間隔を精度よく形成することが可能になる。
[適用例8] 本適用例にかかる物理量検出センサーは、上記適用例に記載のセンサー用基板と、一端部が前記ベース部に固定され、他端部が前記可動部に固定され、物理量を検出する物理量検出素子と、を備えることを特徴とする。
本適用例によれば、物理量検出センサーは、上記適用例に記載のセンサー用基板を備え、該センサー用基板のベース部および可動部に、物理量検出素子の一端部および他端部が固定されているので、衝撃が印加された場合でも、物理量検出素子やセンサー用基板の破損が抑えられ、耐衝撃性および検出精度の高い物理量検出センサーを提供することができる。
[適用例9] 本適用例にかかる加速度センサーは、上記適用例に記載の物理量検出センサーを備え、該物理量検出センサーにより加速度が計測されることを特徴とする。
本適用例によれば、加速度センサーは、上記適用例の物理量検出センサーが備えられているので、耐衝撃性が高いとともに、可動部が加えられた物理量に応じて正確な変位をすることにより、物理量を精緻に検出することが可能である。このような物理量検出センサーが搭載されている加速度センサーは、計測された加速度の信頼性の向上が図れる。
[適用例10] 本適用例にかかる電子機器は、上記適用例に記載の物理量検出センサーが搭載されていることを特徴とする。
本適用例にかかる電子機器は、上記適用例の物理量検出センサーが搭載されている。この物理量検出センサーは、耐衝撃性が高いとともに、加えられた物理量を精緻に検出することが可能である。このような物理量検出センサーが搭載されている電子機器は、機器としての特性、および信頼性の向上が図れる。
[適用例11] 本適用例にかかる移動体は、上記適用例に記載の物理量検出センサーが搭載されていることを特徴とする。
本適用例にかかる移動体は、上記適用例の物理量検出センサーが搭載されているので、耐衝撃性が高いとともに、加えられた物理量を精緻に検出することが可能である。このような物理量検出センサーが搭載されている移動体は、物理量検出センサーの検出機能により移動状態や姿勢等の把握が確実にでき、安全で安定した移動をすることが可能である。
実施形態にかかる物理量検出センサーの平面図。 図1の線分B−B´における部分断面図。 図1の線分A−A´における断面図。 図1の物理量検出センサーが備えている物理量検出デバイスを示す斜視図。 物理量検出センサーが備えているセンサー用基板としてのカンチレバー部の平面図。 図5の線分d−d´における部分断面図。 図5における第1ギャップ部を拡大して示す部分平面図。 物理量検出デバイスの変形例に係るカンチレバー部の平面図。 変形例に係る素子片を示す平面図。 変形例に係るカンチレバー部に素子片を接合した状態を示す平面図。 カンチレバー部上の素子片の接続部を除去した状態を示す平面図。 物理量検出センサーが搭載されている電子機器であるビデオカメラを示す斜視図。 物理量検出センサーが搭載されている電子機器である携帯電話を示す斜視図。 物理量検出センサーが搭載されている移動体である自動車を示す斜視図。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材について実際とは異なる尺度で示している場合がある。
[物理量検出センサー]
以下、実施形態にかかる物理量検出センサーについて、図1、および図3を用いて説明する。
図1は、本実施形態にかかる物理量検出センサー100の構成を示す平面図である。図3は、物理量検出センサー100の構成を示す断面図であり、図1において線分A−A´で示す部分の断面図である。そして、図1、および図3では、互いに直交する3つの軸として、X軸、Y軸、Z軸を図示している。なお、Z軸は、重力が作用する方向を示す軸である。
なお、説明の便宜上、図1では、リッド103の図示を省略している。
本実施形態においては、Z軸方向から物理量検出センサー100を見ることを平面視として説明する。
物理量検出センサー100は、図1、および図3に示すように、物理量検出デバイス110と、パッケージ120とを有している。また、パッケージ120は、ベース基板102と、リッド103とを有している。
ベース基板102は、凹部106を有し、物理量検出デバイス110が凹部106内に収容されている。ベース基板102の形状は、物理量検出デバイス110を凹部106内に収容していることができれば、特に限定されない。
本実施形態において、ベース基板102としては、センサー用基板としてのカンチレバー部101やリッド103の熱膨張係数と一致、あるいは極力近い熱膨張係数を備えた材料によって形成され、本例では、セラミックを用いている。しかし、これに限定されること無く、水晶、ガラス、シリコン等の材料を用いてもよい。
本実施形態のベース基板102は、凹部106の内側の底面である内底面109aと、内底面109aからリッド103側に突出している段差部108(108a,108b)と、を有している。
段差部108a,108bは、後述する物理量検出デバイス110をベース基板102に固定するために設けられ、たとえば、凹部106の内壁の2方向に沿った略L字状の形状で設けられている。詳述すると、段差部108aは、平面視において、凹部106の+X軸方向の内壁と、−Y軸方向の内壁とに沿って、所定の幅を持って連続して設けられている。段差部108bは、平面視において、凹部106の−X軸方向の内壁と、−Y軸方向の内壁とに沿って、所定の幅を持って連続して設けられている。
また、平面視において、段差部108aの+Z軸方向の面には、後述する第1固定部30aに含まれた内部端子34aが設けられており、段差部108bの+Z軸方向の面には、後述する第1固定部30bに含まれた内部端子34bが設けられている。
ベース基板102の内底面109aと反対側の面である外底面109bには、外部の部材に実装される際に用いられる外部端子107(107a,107b)が設けられている。外部端子107は、図示しない内部配線を介して内部端子34a,34bと電気的に接続されている。たとえば、外部端子107aは、内部端子34aと電気的に接続され、外部端子107bは、内部端子34bと電気的に接続されている。
内部端子34a,34b、および外部端子107a,107bは、たとえば、タングステン(W)等のメタライズ層に、ニッケル(Ni)、金(Au)等の薄膜をメッキ等の方法により被膜し積層した金属膜で構成されている。
ベース基板102には、外底面109bから内底面109aまで貫通している貫通孔92が設けられ、ベース基板102に形成されている貫通孔92内には、パッケージ120の内部(キャビティー)を封止する封止部90が設けられている。図3に示す例では、貫通孔92は、外底面109b側の孔径が内底面109a側の孔径より大きい、段付きの形状を有している。封止部90は、貫通孔92に、たとえば、金(Au)とゲルマニウム(Ge)との合金、またはハンダ等からなる封止材を配置し、加熱溶融後、固化させて設けることができる。封止部90は、パッケージ120の内部を気密に封止するために設けられている。
リッド103は、ベース基板102の凹部106を覆って設けられている。リッド103の形状は、たとえば、板状である。リッド103としては、ベース基板102と同じ材料や、コバール、ステンレス鋼等の金属等が用いられる。リッド103は、リッド接合材105を介して、ベース基板102に接合されている。リッド接合材105としては、たとえば、シールリング、低融点ガラス、無機系接着剤等を用いてもよい。
パッケージ120の内部は、ベース基板102と、リッド103との接合後、封止される。貫通孔92から凹部106内の空気を抜いて減圧し、貫通孔92を封止材等の封止部90で塞ぐ方法により封止され、これにより、物理量検出デバイス110は、減圧されて気密状態の凹部106内に載置される。なお、凹部106の内部は、窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスが充填されていてもよい。また、リッド103が凹状に形成され、ベース基板102が平板であってもよい。
[物理量検出デバイス]
次に、物理量検出デバイス110について、図1から図7を用いて説明する。図2は、図1において線分B−B’で示す部分が拡大された断面図である。図4は、図1の物理量検出センサー100が備えている物理量検出デバイス110の構成を示す斜視図である。図5は、物理量検出デバイス110が備えているセンサー用基板としてのカンチレバー部101を示す平面図である。図6は、図5の線分d−d´における部分断面図である。また、図7は、図5におけるカンチレバー部101の第1ギャップ部を拡大して示す部分平面図である。
そして、図2、および図4から図7では、互いに直交する3つの軸として、X軸、Y軸、Z軸を図示している。なお、Z軸は、重力が作用する方向を示す軸である。
物理量検出デバイス110は、図3、および図4に示すように、ベース基板102に固定されているセンサー用基板としてのカンチレバー部101と、カンチレバー部101に固定され、物理量、たとえば、加速度を検出するための物理量検出素子70と、カンチレバー部101に固定され錘の役目をする質量部80,82と、を有している。
物理量検出素子70は、カンチレバー部101の内底面109a側に配置されている。
まず、カンチレバー部101について、図1、および図3〜図7を用いて説明する。
カンチレバー部101は、ベース部10と、継手部12と、可動部14と、支持部としての腕部20(20a,20b,20c,20d)と、第1固定部30(30a,30b,30c,30d)と、突出部45a,45bとを有している。
ベース部10は板状であり、平面視において中央部分に空隙を有している。その空隙には、同じく板状の可動部14が設けられ、継手部12を介して可動部14とベース部10とが接続されている。ベース部10の角部には、腕部20(20a,20b,20c,20d)が設けられている。また、ベース部10は、互いに対向し表裏の関係である主面10a,10b(図3参照)を有している。詳述すると、主面10aは、ベース部10に対してリッド103側を向いており、主面10bは、ベース部10に対して内底面109a側を向いている。
継手部12は、ベース部10と、可動部14との間に設けられ、ベース部10、および可動部14に接続されている。継手部12の厚さ(Z軸方向の長さ)は、ベース部10の厚さ、および可動部14の厚さと比して薄く(短く)設けられている。たとえば、継手部12は、後述する主面14a、および主面14bからの、いわゆるハーフエッチングの処理によって、有底の溝部12a,12b(図3参照)が形成されている。
本実施形態において、溝部12a,12bは、X軸方向に沿って延在して設けられている。継手部12は、可動部14がベース部10に対して変位(回動)する際に、支点(中間ヒンジ)としてX軸方向に沿った回転軸となる。
可動部14は、ベース部10から延在して設けられている。詳述すると、可動部14は、ベース部10から継手部12を介して、Y軸方向に沿って設けられている。可動部14は、その形状が板状であり、互いに対向し表裏の関係である主面14a,14b(図3参照)を有している。また、主面14aは、可動部14に対してリッド103側を向いており、主面14bは、可動部14に対して内底面109a側を向いている。
可動部14は、主面14a,14bと交差する方向(Z軸方向)に加わる物理量、たとえば、加速度α1,α2(図3参照)に応じて、継手部12を支点(回転軸)として主面14a,14bと交差する方向(Z軸方向)に変位が可能である。
可動部14には、錘の役目をする質量部80,82が設けられている。詳述すると、質量部80は、質量接合材86を介して主面14aに設けられ、質量部82は、平面視において質量部80と重なるように質量接合材86を介して主面14bに設けられている。
質量部80,82の形状としては板状であり、たとえば、図1に示すように、平面視において長手方向の一方の辺の一部が対向する辺側にくぼんだ凹型の形状が用いられているのが好適である。なお、質量部80,82の形状は、可動部14が所定の動作を行うことが可能であれば、上述した形状に限定されるものではない。
質量部80,82の材質としては、たとえば、リン青銅(Cu−Sn−P)が用いられているのが好適である。なお、質量部80,82の材質は、リン青銅に限定されるものではない。たとえば、銅(Cu)、金(Au)等の金属が用いられてもよい。また、質量接合材86の材質としては、たとえば、シリコーン樹脂を含む熱硬化型接着剤が用いられてもよい。
なお、本実施形態では可動部14の主面14a,14bのそれぞれに、質量部80,82がひとつずつ設けられている。しかし、これに限定されることなく、主面14a,14bのいずれか一方にひとつ、または複数の質量部80,82が設けられてもよいし、主面14a,14bのそれぞれに複数の質量部80,82が設けられてもよい。
ここで、カンチレバー部101の腕部20a,20b,20c,20dについて説明する。腕部20a,20b,20c,20dは、平面視において略L字状で所定の幅で設けられている。
腕部20aは、平面視において、ベース部10の+Y方向の端部から+X軸方向に延在して設けられ、−Y軸方向にベース部10の外周に沿って延在して設けられている。ここで、支持部としての腕部20aは、可動部14の厚み方向からみた平面視において、ベース部10の+Y方向の端部から+X軸方向に向かって、可動部14に沿って延在して設けられている部分を有している。
腕部20aは、平面視において、腕部20aの先端と段差部108aとが重なっている位置の主面10b側に、第1固定部30aの設置領域を有している。第1固定部30aは、主面10b側に固定部接続端子36aと、接合材35と、段差部108aの内部端子34aとを含んで構成されている(図2参照)。また、固定部接続端子36aは、平面視において、接合材35を介して、内部端子34aと重なるように接続されている。
このことにより、腕部20a(カンチレバー部101)は、第1固定部30aを介して、段差部108a(ベース基板102)と接続されている。
腕部20bは、平面視において、ベース部10の+Y方向の端部から−X軸方向に延在して設けられ、−Y軸方向にベース部10の外周に沿って延在して設けられている。ここで、支持部としての腕部20bは、可動部14の厚み方向からみた平面視において、ベース部10の+Y方向の端部から−X軸方向に向かって、可動部14に沿って延在して設けられている部分を有している。
腕部20bは、平面視において、腕部20bの先端と段差部108bとが重なっている位置の主面10b側に、第1固定部30bの設置領域を有している。第1固定部30bは、主面10b側に固定部接続端子36bと、接合材35と、段差部108bの内部端子34bとを含んで構成されている(構成は図2と略同一なため、図2を参照)。また、固定部接続端子36bは、平面視において、接合材35を介して、内部端子34bと重なるように接続されている。
このことにより、腕部20b(カンチレバー部101)は、第1固定部30bを介して、段差部108b(ベース基板102)と接続されている。
接合材35としては、たとえば、金属フィラー等の導電性物質を含むシリコーン樹脂系の導電性接着剤等が用いられてもよい。
腕部20cは、平面視において、ベース部10の+X軸方向の端部の略中央部から−Y軸方向に延在して設けられ、さらに−X軸の方向にベース部10の外周に沿って延在して設けられている。
腕部20cは、平面視において、腕部20cの先端と段差部108aとが重なっている位置の主面10b側に、ベース接合材52の設置領域であるベース接合部50bを有している。ベース接合部50bに設けられているベース接合材52とベース接合部50bとを含んで、第1固定部30cは構成されている。
このことにより、腕部20c(カンチレバー部101)は、第1固定部30cを介して、段差部108a(ベース基板102)と接続されている。
腕部20dは、平面視において、ベース部10の−X軸方向の端部の略中央部から−Y軸方向に延在して設けられ、さらに+X軸の方向にベース部10の外周に沿って延在して設けられている。
腕部20dは、平面視において、腕部20dの先端と段差部108bとが重なっている位置の主面10b側に、ベース接合材52の設置領域であるベース接合部50を有している。ベース接合部50に設けられているベース接合材52とベース接合部50とを含んで、第1固定部30dは構成されている。
このことにより、腕部20d(カンチレバー部101)は、第1固定部30dを介して、段差部108b(ベース基板102)と接続されている。
ベース接合材52は、たとえば、ビスマレイミド樹脂が用いられるのが好適である。
ここで、図5を用いてカンチレバー部101の腕部20等の構成について説明する。
本説明では、平面視において、物理量検出素子70の2つの基部72の中心を通る第1の中心線L1と、第1の中心線L1と直交し、かつカンチレバー部101の中心を通る第2の中心線L2とを用いて説明する。
なお、説明の便宜上、図5の第1の中心線L1の+Y方向側を「上]、−Y方向側を「下」、第2の中心線L2の+X方向側を「左」、−X方向側を「右」という。
カンチレバー部101において、第2の中心線L2に対して、上側の領域を第1の領域S1、下側の領域を第2の領域S2、第1の中心線L1に対して、右側の領域を第3の領域S3、左側の領域を第4の領域S4とする。
第1の領域S1には、腕部20a、第1固定部30a、腕部20b、第1固定部30bが設けられ、第2の領域S2には、腕部20c、第1固定部30c、腕部20d、第1固定部30dが設けられている。
また、第3の領域S3には、腕部20b、第1固定部30b、腕部20d、第1固定部30dが設けられ、第4の領域S4には、腕部20a、第1固定部30a、腕部20c、第1固定部30cが設けられている。
ここでは、カンチレバー部101の各領域が有している各腕部、および各固定部について説明する。
まず、各領域の各固定部について説明する。図5に示すカンチレバー部101の平面視において、第1の領域S1(上側)にある腕部20aの第1固定部30aと腕部20bの第1固定部30bと、第2の領域S2(下側)にある腕部20cの第1固定部30cと腕部20dの第1固定部30dとは、第2の中心線L2に対して、非対称の位置に配置されている。
本実施形態の物理量検出デバイス110は、たとえば、物理量検出デバイス110に加えられた物理量、たとえば、加速度α1,α2(図3参照)を検出するため、物理量検出素子70が一定の振動(運動)を繰り返している。当該振動が、寄生振動(スプリアス)として物理量検出素子70が接続されているベース部10、および腕部20aに伝搬され、第1固定部30aに到達する。
ここで、第1固定部30aは、段差部108a(ベース基板102)と接続される主面10b側に、設けられている。第1固定部30aの固定部接続端子36aは、接合材35を介して、段差部108aの内部端子34aと平面視において重なるように接続されている。よって、段差部108aと、第1固定部30aとが接続される際に第1固定部30aは、主面10b側と、段差部108aとを選択的に接続させることができる。
従って、物理量検出素子70から生じるスプリアス(寄生振動)がベース部10を介して腕部20aに伝搬される場合において、腕部20aが段差部108aに固定される位置が一定となるため、腕部20aにおけるスプリアスの共振周波数が一定に保たれる。
なお、腕部20bの構造は、腕部20aと同一であるため、腕部20bの詳しい説明は省略する。また、第1固定部30bの構造も、第1固定部30aと同一であるため、第1固定部30bの詳しい説明は省略する。
腕部20cにおいて、第1固定部30cは、前述したように主面10b側と、段差部108a(ベース基板102)とがベース接合材52を介して選択的に接続されている。従って、物理量検出素子70から生じるスプリアス(寄生振動)がベース部10を介して腕部20cに伝搬される場合において、腕部20cが段差部108aに固定される位置が一定となるため、腕部20cにおけるスプリアスの共振周波数が一定に保たれる。
なお、腕部20dの構造は、腕部20cと同一であるため、腕部20dの詳しい説明は省略する。また、第1固定部30dの構造も、第1固定部30cと同一であるため、第1固定部30の詳しい説明は省略する。
また、ベース部10と、ベース基板102との熱膨張率の相違等によって生じる歪みの応力が、物理量検出素子70に伝搬される場合がある。その場合には、ベース部10から延在されている腕部20a,20b,20c,20dの弾性構造によって変形し易く(撓み易く)、この変形(撓み)により、応力を緩和することができる。
次に、突出部45a,45b、および規制部40a,40bについて、図5とともに、図6および図7を用いて説明する。図6および図7は、突出部45a,45bおよび規制部40a,40bを詳細に示すものであり、図6は、図5の線分d−d´における部分断面図、図7は、図5における第1ギャップ部を拡大して示す部分平面図である。
図5に示すように、カンチレバー部101の厚み方向からみた平面視において、ベース部10から可動部14に沿って+Y方向に延在する支持部、即ち、腕部20aおよび腕部20bとの間には、突出部45a,45bを有して、且つ、所定の間隔G1を有する第1ギャップ部と、該第1ギャップ部よりベース部10側に位置し、第1ギャップ部の所定の間隔G1より広い間隔G2を有する第2ギャップ部とが形成されている。本実施形態では、カンチレバー部101のベース部10とは反対の端部側において、可動部14、腕部20a側に突出する突出部45aを有し、腕部20bに、可動部14側に突出する突出部45bが形成されている。そして、突出部45a,45bの第1ギャップ部を形成する側面部には、水晶のエッチング残渣として形成されるひれ状の異形部である凸条部140を有している。
カンチレバー部101において、複数形成された突出部45a,45bは、同一方向(+X方向)に突出して形成されている。これにより、水晶基板(水晶Zカット板)をウェットエッチングすることにより第1ギャップ部を含むカンチレバー部101の外形を形成するときに、凸条部140は所定の結晶軸方向(+X結晶軸方向)に形成されることから、各々の第1ギャップ部の所定の間隔G1を略均一に精度よく形成することができる。
また、可動部14の突出部45aと腕部20aとの間と、腕部20bから可動部14側に突出して形成された突出部45bと可動部14との間とには、所定の間隔G1を有する第1ギャップ部が形成され、それら第1ギャップ部からベース部側に、第1ギャップ部の所定の間隔G1より広い間隔G2を有する第2ギャップ部が形成されている。
可動部14に対して、所定の間隔G1の第1ギャップ部を介してベース部10に配置される腕部20aおよび腕部20bは、可動部のX方向の変位を規制する規制部40a,40bとして機能する。つまり、第1ギャップ部の所定の間隔G1は、可動部14のX方向の変位が大き過ぎて破損するのを抑止するための、可動部14のX方向の変位の許容値を考慮して設定された間隔である。規制部40a,40bの作用については、後述する。
カンチレバー部101は、たとえば、水晶基板等に、ウェットエッチング等の処理を受けることで、ベース部10、可動部14、継手部12、および腕部20(20a,20b,20c,20d)が形成されている。材料としては、X−Y平面に沿って位置する板状の水晶基板(「水晶Zカット板(以下「Zカット板」と記す)ともいう)が用いられている。
上述した水晶基板は、ウェットエッチングの処理を受け、ベース部10、可動部14、腕部20(20a,20b,20c,20d)等が一体に形成されている。水晶基板が、ウェットエッチングの処理を受けると、Z軸に沿ってエッチングが進行していく。水晶は、各結晶軸の方向に応じてエッチングの速度が変わるという水晶特有のエッチング異方性を有しているため、ウェットエッチングの処理を受けた後に水晶基板の空隙にエッチング残渣であるひれ状の異形部である凸条部140が発生する(図6および図7参照)。凸条部140は、水晶基板がZカット板の場合、−X軸の方向と、±Y軸の方向との交差部から、+X軸方向に向かって発生する。本発明では、所定の間隔G1を有する第1ギャップ部のギャップ幅(G1)を精度よく形成するために、凸条部140を利用する。以下、そのことについて説明する。
図6および図7に示すように、所定の間隔G1を有する第1ギャップ部には、凸条部140が、同一方向に突出して形成されている。本実施形態では、可動部14(カンチレバー部101)の厚み方向からみた平面視において、同一方向に突出した突出部45a,45b、即ち、可動部14から腕部20a側に突出した突出部45aの側壁部と、腕部20bから可動部14側に突出した突出部45bの側壁部とに、凸条部140が形成されている。本実施形態では、水晶基板の間隙(第1ギャップ部)において、凸条部140は、水晶Zカット板の+X結晶軸方向に突出するように形成されている。
図6に示すように、カンチレバー部101の所定のギャップ幅(G1)を有する第1ギャップ部において、凸条部140は、可動部14および腕部20bの各々の断面の略中央に形成されている。また、凸条部140の断面は、基端側から先端側に向かって幅が狭くない、先端に尖部(エッジ)を有した形状を呈している。
また、図7に示すように、第1ギャップ部の各凸条部140は、可動部14(カンチレバー部)101の厚み方向からみた平面視において、可動部14の突出部45aおよび腕部20bの突出部45bの基端部側から先端部側に向かって幅が狭くなる台形状を呈している。
また、上述したように、凸条部140を含む第1ギャップ部のギャップ幅(G1)が、精度よく形成可能である要因として、図5に示す間隔G2を有する第2ギャップ部によるエッチング均一性を向上させる作用が挙げられる。即ち、図5に示すカンチレバー部101は、上述した所定の間隔G1を有する第1ギャップ部とともに、その第1ギャップ部よりベース部10側に、第1ギャップ部の所定の間隔G1より広い間隔G2を有する第2ギャップ部が形成されている。
これにより、第1ギャップ部において、可動部14および腕部20bに凸条部140が形成され、その凸条部140は、第1ギャップ部のギャップ幅(G1)よりも広い間隔G2を有する第2ギャップ部によって、水晶基板のウェットエッチングによるカンチレバー部101の外形形成の際に、第1ギャップ部へのエッチング液回りが良好となることから、所望の形状を形成することが可能である。
しかも、本実施形態では、第1ギャップ部のギャップ幅G1方向と交差する方向の長さである第1ギャップ長よりも、第2ギャップ部のギャップ幅G2方向と交差する方向の長さである第2ギャップ長の方が長く形成されている。これにより、カンチレバー部101の外形をウェットエッチングにより形成するときに、第2ギャップ部から第1ギャップ部へのエッチング液の回りがより良好になって、第1ギャップ部の所定の間隔G1を精度よく形成することが可能になる。
以上述べた本実施形態の構成により、第1ギャップ部の間隔G1を精度よく調整して形成することができる。
なお、第1ギャップ部の所定の間隔G1は、例えば、水晶基板の厚みが400μm〜500μmであった場合に、5μm〜15μmで形成されることにより、物理量検出センサー100の耐衝撃性がより高く確保されることを発明者は見出した。
[物理量検出素子]
図1、図3、および図4に示すように、物理量検出素子70は、2つの基部72(72a,72b)と、基部72a,72b間に設けられている振動梁部71(71a,71b)と、を有し、2つの基部72が、それぞれベース部10(主面10b)と、可動部14(主面14b)とに接続されることで、継手部12を跨いで設けられている。
本実施形態の物理量検出素子70は、たとえば、可動部14が物理量に応じて変位することで、振動梁部71a,71bに応力が生じ、振動梁部71a,71bに発生する物理量検出情報が変化する。換言すると、振動梁部71a,71bの振動周波数(共振周波数)が変化する。なお、本実施形態において物理量検出素子70は、2本の振動梁部71a,71bと、一対の基部72a,72bと、を有している双音叉素子(双音叉型振動素子)である。
振動梁部71a,71bは、可動部14の延在するY軸方向に沿って基部72aと、基部72bとの間に延在して設けられている。振動梁部71a,71bの形状は、たとえば、角柱状である。振動梁部71a,71bは、振動梁部71a,71bに設けられている励振電極(図示省略)に駆動信号が印加されると、X軸方向に沿って、互いに離間、または近接するように屈曲振動をする。
基部72a,72bは、振動梁部71a,71bの延在方向の両端に接続されている。物理量検出素子70の一方の端部としての基部72aは、ベース部10の主面10bに検出素子接合材84を介して接続されている。また、物理量検出素子70の他方の部としての基部72bは、可動部14の主面14bに検出素子接合材84を介して接続されている。検出素子接合材84としては、たとえば、低融点ガラスや、共晶接合可能な金(Au)と錫(Sn)との合金被膜を用いてもよい。
本実施形態における物理量検出素子70は、たとえば、いわゆる水晶原石等から所定の角度で切り出された水晶基板を、フォトリソグラフィー技術、およびエッチング技術によってパターニングすることにより形成されている。これにより、振動梁部71a,71b、および基部72a,72bを、一体に形成することができる。
なお、物理量検出素子70の材質は、前述の水晶基板に限定されるものではない。たとえば、タンタル酸リチウム(LiTaO3)、四ホウ酸リチウム(Li247)、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)、酸化亜鉛(ZnO)、窒化アルミニウム(AlN)等の圧電材料を用いてもよい。また、酸化亜鉛(ZnO)、窒化アルミニウム(AlN)等の圧電体(圧電材料)被膜を備えたシリコン等の半導体材料を用いてもよい。
物理量検出素子70の基部72a上には、たとえば、引き出し電極(図示省略)が設けられている。引き出し電極は、振動梁部71a,71bに設けられている励振電極(図示省略)と電気的に接続されている。
引き出し電極は、たとえば、金(Au)、アルミニウム(Al)等の金属ワイヤー(図示省略)によって、ベース部10の主面10bに設けられている接続端子(図示省略)と電気的に接続されている。
接続端子は、図示しない配線によって、固定部接続端子36a,36bと電気的に接続されている。
励振電極、引き出し電極、接続端子、および固定部接続端子36a,36bは、たとえば、クロム(Cr)層を下地として、その上に金(Au)層を積層した積層体が用いられている。励振電極、引き出し電極、接続端子、および固定部接続端子36a,36bは、たとえば、スパッタ法等によって導電層を形成し、当該導電層をパターニングすることによって設けられている。
本実施形態における物理量検出素子70は、2つの基部72a,72bの間に設けられている振動梁部71a,71bが継手部12と交差(直交)させて配置されている。換言すれば、溝部12a,12bの伸びる方向と交差する方向に沿って、振動梁部71a,71bが配置されている。これにより、たとえば、加速度が加えられたときの可動部14の撓みをそのまま振動梁部71a,71bに伝えることが可能となる。従って、わずかな可動部14の撓みも振動梁部71a,71bの共振周波数の変化として検出されることが可能となり、検出感度の低下を防止することが可能となる。
なお、物理量検出素子70は、ベース部10に対して内底面109a側の主面10bと、主面14bとに設けられているが、ベース部10に対してリッド103側の主面10aと、主面14aとに設けられている構成も考えられる。
ここで、上記構成の物理量検出センサー100(物理量検出デバイス110)における、センサー用基板としてのカンチレバー部101の規制部40a,40bの効果について述べる。
規制部40a,40b(図1、図4、図5〜図7参照)は、たとえば図1において、物理量検出センサー100のX軸方向に所定の大きさより大きい衝撃が加えられた場合に、X軸方向に変位した可動部14と接触する。そのため、X軸方向の可動部14の変位は、規制部40a,40bによって所定の範囲内に規制されている。これにより、可動部14のX軸方向の過度の変位によって生じる、物理量検出デバイス110(カンチレバー部101)の破損が抑制される。
[物理量検出デバイスの動作]
次に、物理量検出デバイス110の動作について、図3を用いて説明する。
図3では、互いに直交する3つの軸として、X軸、Y軸、Z軸を図示している。なお、Z軸は、重力が作用する方向を示す軸である。
図3において、たとえば、物理量検出デバイス110に、−Z軸方向に物理量としての加速度α1(重力方向に加えられる加速度)が加えられると、加速度α1に応じて、可動部14が継手部12を支点にして−Z軸方向に変位する。これにより、物理量検出素子70には、Y軸に沿って基部72aと、基部72bとに矢印β1(互いに離れる)方向の力(張力)が加えられ、振動梁部71a,71bには矢印β1方向の引っ張り応力が生じる。そのため、振動梁部71a,71bの振動周波数(共振周波数)は、高くなる。
一方、たとえば、物理量検出デバイス110に、+Z軸方向に加速度α2(重力方向と反対方向に加えられる加速度)が加えられると、加速度α2に応じて、可動部14が継手部12を支点にして+Z軸方向に変位する。これにより、物理量検出素子70には、Y軸に沿って基部72aと、基部72bとに矢印β2(互いに近づく)方向の力(圧縮力)が加えられ、振動梁部71a,71bには矢印β2方向の圧縮応力が生じる。そのため、振動梁部71a,71bの振動周波数(共振周波数)は、低くなる。
なお、物理量検出センサー100には、物理量検出デバイス110から出力される出力信号を処理する電子回路が搭載されていてもよい。例えば、図3に示す物理量検出センサー100において、ベース基板102の凹部106内に電子回路を設ける構成とすることができる。
このような物理量検出センサー100において、電子回路から内部端子34a,34bを経由して、物理量検出デバイス110の励振電極に駆動信号が与えられる。駆動信号が与えられると、物理量検出素子70の振動梁部71a,71bは、所定の周波数で屈曲振動(共振)する。そして、物理量検出センサー100は、印加される加速度α1,α2に応じて物理量検出素子70が変化する。変化することで物理量検出素子70から出力される共振周波数は、電子回路で増幅し、図示しない配線によって外部端子107a,107bから物理量検出センサー100の外部に出力される。
なお、物理量検出センサー100は、上述した加速度の検出が可能な加速度センサーとして用いられるほかに、傾斜センサーとして用いられてもよい。傾斜センサーとしての物理量検出センサー100は、傾斜による姿勢の変化に応じて、物理量検出センサー100に対する、重力加速度が加わる方向が変化すると、質量部80,82の重みによって可動部14が撓み、物理量検出素子70の振動梁部71a,71bに引っ張り応力や圧縮応力が生じる。そして、振動梁部71a,71bの共振周波数が変化する。その変化に基づいて、傾斜による姿勢の状態が導出される。
以上述べたように、本実施形態にかかる物理量検出センサー100によれば、以下の効果が得られる。
上記実施形態によれば、物理量検出センサー100のセンサー用基板としてのカンチレバー部101は、可動部14と支持部としての腕部20との間に、突出部45a,45bを有して、且つ、所定の間隔G1を有する第1ギャップ部と、第1ギャップ部よりベース部10側に位置し、第1ギャップ部の所定の間隔G1より広い間隔G2を有する第2ギャップ部とを有し、第1ギャップ部において、可動部14および腕部20のいずれか一方に、エッチング残渣として形成されている凸条部140を有している。
この構成によれば、水晶基板をウェットエッチングしてカンチレバー部101の外形を形成する際に、第1ギャップ部において、可動部14および腕部20のいずれか一方に形成された凸条部140は、第1ギャップ部の間隔G1よりも広い間隔G2を有する第2ギャップ部によって、第1ギャップ部へのエッチング液回りが良好となることから、所望の形状を精度よく形成することできる。
これにより、可動部14と腕部20(20a,20b)との面内方向(X方向)の衝撃が加わったときに、可動部14の変位が過剰にならないように規制する所定の間隔G1が精度よく形成された第1ギャップ部とすることができるので、可動部14の変位を腕部20(20a,20b)の規制部40a,40bで規制する構造を実現できる。
したがって、衝撃が加わったときに、カンチレバー部101や物理量検出素子70の破損が抑えられることが可能な耐衝撃性の高い物理量検出センサー100を提供することができる。
また、第1ギャップ部のギャップ長(G1)が設計値よりも小さくなることも抑えられるので、可動部14の変位範囲が設定よりも小さく規制されてしまうことによって、設定された加速度などの物理量検出範囲を満足できなくなる不具合を回避できるので、検出精度の高い物理量検出センサー100を提供することが可能になる。
また、上記実施形態では、第1ギャップ部および第2ギャップ部が複数(2つずつ)形成され、複数(2つ)の突出部45a,45bは同一方向に突出している構成とした。
これにより、水晶基板をウェットエッチングしてカンチレバー部101の外形を形成する際に、凸条部140は所定の結晶軸方向(+X結晶軸方向)に形成されることから、各突出部45a,45bを同一方向に突出させて設けることにより、各々の第1ギャップ部の所定の間隔G1を略均一に精度よく形成することができる。
また、上記実施形態のカンチレバー部101では、第1ギャップ部において、可動部14および支持部としての腕部20(20a,20b)のいずれか一方の断面の略中央に凸条部140が形成されている構成とした。そして、凸条部140の断面形状が、基端側から先端に向かって幅が狭くなり、先端側に尖部(エッジ)を有した形状を呈している構成とした。
また、凸条部140は、可動部14(カンチレバー部101)の厚み方向からみた平面視において、基端部側から先端部側に向かって幅が狭くなる台形状を呈している構成とした。
上述した形状の凸条部140が形成された第1ギャップ部は、可動部14のX方向の変位が過剰にならないように規制する適切な間隔G1となるように精度よく形成できることを発明者は見出した。
また、上記実施形態のセンサー用基板としてのカンチレバー部101は、Zカットで切り出された水晶Zカット板を用いて形成した。そして、第1ギャップ部における突出部45a,45bが、水晶Zカット板の+X結晶軸方向に突出しているように配置した。
これにより、Y軸方向からの結晶面の影響が抑えられ、カンチレバー部101の厚み方向からみた平面視において、突出部45a,45bに形成される凸条部140の端面がフラットに形成され、第1ギャップ部を所望のギャップ幅G1にて精度よく形成できることを発明者は見出した。
また、水晶Zカット板は、その特性によりエッチング加工が比較的容易で、カンチレバー部101の第1ギャップ部などの外形をより精密に形成することができる。
また、カンチレバー部101の厚み方向の切り出し角度と、物理量検出素子70の厚み方向の切り出し角度とを、同じZカットにすることで、線膨張係数(熱膨張率)を近似させることができる。したがって、カンチレバー部101と、物理量検出素子70との周囲の温度変化に伴う両者間の熱応力が抑制され、熱応力を抑制した検出精度の高い物理量の測定を行うことが可能な物理量検出センサー100を提供するのに寄与できる。
また、ベース部10と、ベース基板102との熱膨張率の相違等によって生じる歪みの応力が、物理量検出素子70に伝搬される場合には、ベース部10から延在されている腕部20a,20b,20c,20dの弾性構造によって変形し易く(撓み易く)、この変形(撓み)により、応力を緩和させることが可能な物理量検出センサー100を提供することができる。
従って、物理量検出素子70から生じるスプリアスがベース部10を介して第1固定部30(30a,30b,30c,30d)に伝搬される場合においても、固定される面積、および位置が一定となるため、スプリアスの共振周波数が一定に保たれる。
また、本実施形態の物理量検出センサー100における物理量検出素子70は、ベース部10と、可動部14とに接続(固定)されている。これにより、物理量検出素子70は、その両端(基部72a,72b)が固定されているため、物理量検出素子70の振動以外の振動がノイズとして検出されることが抑制される。また、検出素子接合材84の歪み、および物理量検出素子70とベース基板102との熱膨張率の違いによる歪みの影響を抑制し、物理量検出素子70の破損を抑制させることが可能な物理量検出センサー100を提供することができる。
また、物理量検出センサー100は、加えられた物理量に応じて可動部14が変位し、その変位を物理量検出素子70が検出することが可能な検出精度が高いセンサーである。
また、物理量検出デバイス110をパッケージ120に収容した物理量検出センサー100によれば、パッケージ120外の雰囲気や温度等の外乱要因による影響を抑制して物理量を検出することができ、検出センサーとしての安定した検出性能を維持することができる。
なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。
(変形例)
図8は、物理量検出デバイスの変形例に係るカンチレバー部の平面図である。図9は、変形例に係る素子片を示す平面図である。また、図10Aは、変形例に係るカンチレバー部に素子片を接合した状態を示す平面図であり、図10Bは、カンチレバー部上の素子片の接続部を除去した状態を示す平面図である。
上記実施形態では、図5のように、カンチレバー部101の可動部14のX方向の変位を規制する規制部40a,40bを、カンチレバー部101自体に形成する構成について説明したが、この構成に限定するものではない。
以下、変形例に係る物理量検出センサーの構成について説明する。なお、上記実施形態と同一の構成部位については、同一の番号を附し、重複する説明は省略する。
図8に示すように、本変形例に係るカンチレバー部101Aは、上記実施形態のカンチレバー部101において、規制部40a,40bを構成するための突出部45a,45b(図5を参照)が除かれた形状にて形成されている。即ち、可動部14と、この可動部14の両側に配置された腕部20(20a,20b)との間には、上記実施形態の第1ギャップ部が有する所定の間隔G1よりも広い間隔が形成されている。本変形例では、可動部14と腕部20(20a,20b)との間に、上述した第2ギャップ部の間隔G2が形成されている。
図9に示す素子片740Aは、水晶Zカット板に、上記実施形態のカンチレバー部110の形成方法と同様なウェットエッチング等の処理を施すことにより、上記実施形態と同一構成の物理量検出素子70と、2つの突出部45Aa,45Ab、各突出部45Aa,45Abに対応する規制部40Aa,40Ab、補強部75a,75b、および、接続部74a74bが一体に形成されている。
素子片740における2組の突出部45Aa,45Abと規制部40Aa,40Abとは、上記実施形態のカンチレバー部101における2組の突出部45a,45bと規制部40a,40b(図5参照)と同じ形状および位置関係にて形成されている。これにより、突出部45Aaと規制部40Aaとの間、および、突出部45Abと規制部40Abとの間に所定の間隔G1の第1ギャップ部が形成されている。また、上記実施形態のカンチレバー部101の第2ギャップ部と対応する位置に、第1ギャップ部の所定の間隔G1よりも広い間隔2を有する第2ギャップ部が形成されている。これにより、上述の実施形態と同様のウェットエッチング処理時の作用により、第1ギャップ部の所定の間隔G1が精度よく形成できるようになっている。
また、素子片740の補強部75a,75bは、上記実施形態のカンチレバー部101および本変形例のカンチレバー101Aにおけるベース部10から可動部14に沿って延在する支持部としての腕部20の一部と同じ形状および位置関係にて形成され、一部が規制部40Aaまたは突出部45Abに接続されている。本変形例では、補強部75aは、一部が規制部40Aaに接続され、一部がカンチレバー部101,101Aの腕部20a,20cの一部と同じ形状にて形成され、補強部75bは、一部が突出部45Abに接続され、一部がカンチレバー部101,101Aの腕部20b,20dの一部と同じ形状にて形成されている。なお、補強部75a,75bは、後述するように素子片740の一部とカンチレバー部101Aとを接合したときに、カンチレバー101Aの腕部20による支持構造を補強する部位であり、図9の形状に限られるものではない。補強を望む位置により、形状を変えることができ、また、補強する必要がなければ、素子片740に補強部75a,75bが無い構成であってもよい。
また、接続部74a〜74dは、素子片740において、物理量検出素子70、突出部45Aa,45Ab、規制部40Aa,40Ab、および補強部75a,75bの各部位を一体に接続する部位である。本変形例では、接続部74aは、物理量検出素子70と規制部40Aaから延出された補強部75aとを接続し、接続部74bは、物理量検出素子70と突出部45Abから延出された補強部75bとを接続し、接続部74cは、突出部45Aaと補強部75aとを接続し、接続部74dは、規制部40Abと補強部75bとを接続している。これら接続部74a〜74dは、後述するように、素子片740Aをカンチレバー部101Aに接合した後で取り外される部位である。
図10Aは、上述の素子片740Aを、カンチレバー部101Aに接合した状態を示している。素子片740のうち、物理量検出素子70は、上記実施形態と同様に、基部72aが、ベース部10に検出素子接合材84を介して接続され、基部72bが、可動部14に検出素子接合材84を介して接続される。また、素子片740のうち、接続部74a〜74dを除く、突出部45Aa,45Ab、規制部40Aa,40Ab、および補強部75a,75bは、カンチレバー部101Aの対応する位置に、接着剤等の接合部材を介して接合される。これにより、カンチレバー部101Aに物理量検出素子70が接合されるとともに、カンチレバー部101AのX方向の変位を規制する規制部40Aa,40Abを、所定の間隔G1を有する第1ギャップ部が精度よく確保された状態で形成することができる。
このように、素子片740の一部をカンチレバー部101Aに接合した後で、図10B
に示すように、不要となった接続部74a〜74dは除去される。
以上述べたように、本変形例に係る物理量検出デバイスによれば、上記実施形態での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
本変形例では、水晶Z板により物理量検出素子70を形成する工程で、第2ギャップ部の間隔G2によるウェットエッチング処理の作用により所定の間隔G1の第1ギャップ部を有する突出部45Aa,45Abと規制部40Aa,40Abとを一体に形成した素子片740を作成した。そして、素子片740とカンチレバー部101Aとを接合し、不要な接続部74a〜74dを除去して、物理量検出デバイスを得た。
この構成により、X方向の衝撃が加わったときに、可動部14の過剰な変位を規制して
、カンチレバー部101Aや物理量検出素子70の破損が抑えられることが可能な耐衝撃
性の高い物理量検出デバイス(物理量検出センサー)を提供することができる。また、本
変形例によれば、物理量検出素子70と第1ギャップ部との位置精度を、素子片740
て精度よく作り込むことができるという効果が得られる。
また、本変形例のように、素子片740に一体に形成した補強部7a,75bをカンチレバー101Aのベース部10から延びる支持部としての腕部20の所定の位置に接合することにより、カンチレバー101Aの腕部20による支持構造の強化を図ることができる。
(実施例)
次いで、本発明の一実施形態にかかる物理量検出センサー100を適用した実施例について、図面に沿って説明する。
図11Aは、物理量検出センサー100が搭載されているビデオカメラを示す斜視図、図11Bは、物理量検出センサー100が搭載されている携帯電話を示す斜視図であり、図12は、物理量検出センサー100が搭載されている移動体である自動車を示す斜視図である。
[電子機器]
図11A,図11Bに示すように、電子機器としてのビデオカメラ500、および携帯電話600は、本実施形態にかかる物理量検出センサー100が搭載されている。
最初に、図11Aに示すビデオカメラ500は、受像部501と、操作部502と、音声入力部503と、表示ユニット504と、が搭載されている。このビデオカメラ500は、物理量検出センサー100を備えており、たとえば、3つの物理量検出センサー100を備えていれば、X軸、Y軸、Z軸(不図示)の3方向の物理量、たとえば、加速度あるいは傾斜等を検出して、手ぶれ等を補正する機能を発揮できる。これにより、ビデオカメラ500は、鮮明な動画映像を記録することができる。
また、図11Bに示す携帯電話600は、複数の操作ボタン601と、表示ユニット602と、カメラ機構603と、シャッターボタン604と、が搭載されていて、電話機、およびカメラとして機能する。この携帯電話600は、物理量検出センサー100が搭載されており、たとえば、3つの物理量検出センサー100が搭載されていれば、X軸、Y軸、Z軸(不図示)の3方向の物理量、たとえば、加速度あるいは傾斜等を検出することにより、カメラ機構603の手ぶれ等を補正する機能を発揮できる。これにより、携帯電話600は、カメラ機構603により鮮明な画像を記録することができる。
なお、本発明の一実施形態にかかる物理量検出センサー100は、図11Aのビデオカメラ、図11Bの携帯電話機の他にも、たとえば、パーソナルコンピューター(モバイル型パーソナルコンピューター)、デジタルスチールカメラ、インクジェット式吐出装置(たとえば、インクジェットプリンター)、テレビ、ビデオレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳(通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、POS端末、医療機器(たとえば、電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、魚群探知機、各種測定機器、計器類(たとえば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシミュレーター等の電子機器に適用することができる。
[移動体]
次に、物理量検出センサー100を用いた移動体について説明する。図12に示すように、移動体700は自動車であって、物理量検出センサー100が搭載されていている。移動体700において、物理量検出センサー100は、車体701に搭載されている電子制御ユニット(ECU:Electronic Control Unit)703に内蔵されている。電子制御ユニット703は、たとえば、物理量検出センサー100が加速度センサーや傾斜センサーとして車体701の状態を検出することにより、移動体700の姿勢や移動状況等を把握し、サスペンション704、およびタイヤ702等の制御を的確に行うことができる。これにより、移動体700は、安全で安定した移動をすることができる。
また、物理量検出センサー100は、既述した電子機器や移動体に搭載される以外に、キーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロック・ブレーキ・システム(ABS:Antilock Brake System)、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム(TPMS:Tire Pressure Monitoring S
ystem)、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システム等の電子制御ユニットに搭載でき、広範な分野に適用可能である。
以上、発明者によってなされた本発明の実施の形態について具体的に説明したが、本発明は上記した実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。
10…ベース部、10a,10b…主面、12…継手部、12a…溝部、14…可動部、14a,14b…主面、20,20a〜20d…腕部、30,30a〜30d…第1固定部、34a,34b…内部端子、35…接合材、36a,36b…固定部接続端子、40a,40b…規制部、45a,45b…突出部、50b…ベース接合部、52…ベース接合材、70…物理量検出素子、71…振動梁部、71a…振動梁部、72a,72b…基部、80,82…質量部、84…検出素子接合材、86…質量接合材、90…封止部、92…貫通孔、100…物理量検出センサー、101…センサー用基板としてのカンチレバー部、102…ベース基板、103…リッド、105…リッド接合材、106…凹部、107a,107b…外部端子、108a,108b…段差部、109a…内底面、109b…外底面、110…物理量検出デバイス、120…パッケージ、140…凸条部、500…電子機器としてのビデオカメラ、501…受像部、502…操作部、503…音声入力部、504…表示ユニット、600…電子機器としての携帯電話、601…操作ボタン、602…表示ユニット、603…カメラ機構、604…シャッターボタン、700…移動体、701…車体、702…タイヤ、703…電子制御ユニット、704…サスペンション。

Claims (11)

  1. ベース部と、
    前記ベース部と接続されている可動部と、
    前記可動部の厚み方向からみた平面視において、前記ベース部から前記可動部に沿って延在する支持部と、
    前記平面視において、前記可動部と前記支持部とのいずれか一方が他方に向かって突出する突出部を有して、前記一方の突出部と前記他方との間に所定の間隔を有する第1ギャップ部と、
    前記平面視において、前記第1ギャップ部より前記ベース部側に位置し、前記所定の間隔より広い間隔を有する第2ギャップ部と、を有し、
    前記第1ギャップ部において、前記突出部は、前記支持部の延在方向に垂直な断面視において、前記第1ギャップ部に臨む側に凸条部を有していることを特徴とするセンサー用基板。
  2. 請求項1に記載のセンサー用基板において、
    前記支持部は、前記平面視において、前記可動部を挟む両側に配置され、
    前記第1ギャップ部および前記第2ギャップ部が前記可動部を挟む両側にそれぞれ形成され、
    それぞれの前記突出部は、前記平面視において同一方向に突出していることを特徴とするセンサー用基板。
  3. 請求項1または2に記載のセンサー用基板において、
    記凸条部が、前記突出部の断面の略中央に形成されていることを特徴とするセンサー用基板。
  4. 請求項1〜3のいずれか一項に記載のセンサー用基板において、
    記凸条部は、前記平面視において、前記可動部または前記支持部の基端部側から先端部側に向かって幅が狭くなる台形状を呈していることを特徴とするセンサー用基板。
  5. 請求項1〜4のいずれか一項に記載のセンサー用基板において、
    Zカットで切り出された水晶Zカット板を用いて形成されていることを特徴とするセンサー用基板。
  6. 請求項5に記載のセンサー用基板において、
    前記突出部が、前記水晶Zカット板の+X結晶軸方向に突出していることを特徴とするセンサー用基板。
  7. 請求項1〜6のいずれか一項に記載のセンサー用基板において、
    前記第1ギャップ部のギャップ幅方向と交差する方向の長さである第1ギャップ長よりも、前記第2ギャップ部のギャップ幅方向と交差する方向の長さである第2ギャップ長の方が長いことを特徴とするセンサー用基板。
  8. 請求項1〜7のいずれか一項に記載のセンサー用基板と、
    一端部が前記ベース部に固定され、他端部が前記可動部に固定され、物理量を検出する物理量検出素子と、
    を備えることを特徴とする物理量検出センサー。
  9. 請求項8に記載の物理量検出センサーを備え、該物理量検出センサーにより加速度が計測されることを特徴とする加速度センサー。
  10. 請求項8に記載の物理量検出センサーが搭載されていることを特徴とする電子機器。
  11. 請求項8に記載の物理量検出センサーが搭載されていることを特徴とする移動体。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10072927B2 (en) * 2016-01-07 2018-09-11 Rarecyte, Inc. Detecting a substrate
JP6897187B2 (ja) * 2017-03-16 2021-06-30 セイコーエプソン株式会社 物理量検出器、物理量検出デバイス、電子機器および移動体
JP6930396B2 (ja) * 2017-11-28 2021-09-01 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、物理量センサーデバイス、複合センサーデバイス、慣性計測装置、携帯型電子機器および移動体
JP7087479B2 (ja) 2018-03-09 2022-06-21 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、物理量センサーデバイス、物理量センサーデバイスを用いた傾斜計、慣性計測装置、構造物監視装置、及び移動体
JP7135901B2 (ja) * 2019-01-31 2022-09-13 セイコーエプソン株式会社 慣性センサー、電子機器および移動体
JP2023018834A (ja) * 2021-07-28 2023-02-09 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、物理量センサーデバイス、及び物理量センサーデバイスの製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3125520B2 (ja) * 1993-05-18 2001-01-22 株式会社村田製作所 加速度センサおよびその製造方法
JP2000338124A (ja) * 1999-05-26 2000-12-08 Matsushita Electric Works Ltd 半導体加速度センサ
JP4944829B2 (ja) * 2008-04-01 2012-06-06 ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム及びヘッド・ジンバル・アセンブリ
JP2010237196A (ja) * 2009-03-12 2010-10-21 Seiko Epson Corp Memsセンサー、memsセンサーの製造方法、および電子機器
JP2011196966A (ja) * 2010-03-24 2011-10-06 Hitachi Ltd 慣性センサ
JP2011247714A (ja) * 2010-05-26 2011-12-08 Panasonic Electric Works Co Ltd 半導体物理量センサ
JP5527019B2 (ja) * 2010-05-28 2014-06-18 セイコーエプソン株式会社 物理量センサーおよび電子機器
JP5678741B2 (ja) 2011-03-11 2015-03-04 セイコーエプソン株式会社 加速度検出器、加速度検出デバイス及び電子機器
JP5979344B2 (ja) * 2012-01-30 2016-08-24 セイコーエプソン株式会社 物理量センサーおよび電子機器
JP2013170865A (ja) * 2012-02-20 2013-09-02 Seiko Epson Corp 物理量検出デバイス、物理量検出器、及び電子機器
CN102768290B (zh) * 2012-05-31 2014-04-09 北京时代民芯科技有限公司 一种mems加速度计及制造方法
JP2014240762A (ja) * 2013-06-11 2014-12-25 セイコーエプソン株式会社 物理量検出センサー、加速度センサー、電子機器、および移動体
US10167187B2 (en) * 2013-07-09 2019-01-01 Seiko Epson Corporation Physical quantity sensor having an elongated groove, and manufacturing method thereof
FI126797B (en) * 2014-02-26 2017-05-31 Murata Manufacturing Co Stop at Structure

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