JP2013118345A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2013118345A5
JP2013118345A5 JP2011266274A JP2011266274A JP2013118345A5 JP 2013118345 A5 JP2013118345 A5 JP 2013118345A5 JP 2011266274 A JP2011266274 A JP 2011266274A JP 2011266274 A JP2011266274 A JP 2011266274A JP 2013118345 A5 JP2013118345 A5 JP 2013118345A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
semiconductor substrate
solid
state imaging
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011266274A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6018376B2 (ja
JP2013118345A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2011266274A external-priority patent/JP6018376B2/ja
Priority to JP2011266274A priority Critical patent/JP6018376B2/ja
Application filed filed Critical
Priority to US13/667,880 priority patent/US9026972B2/en
Priority to CN201610195655.8A priority patent/CN105762162A/zh
Priority to CN201210505763.2A priority patent/CN103137640B/zh
Publication of JP2013118345A publication Critical patent/JP2013118345A/ja
Publication of JP2013118345A5 publication Critical patent/JP2013118345A5/ja
Priority to US14/662,582 priority patent/US9257472B2/en
Publication of JP6018376B2 publication Critical patent/JP6018376B2/ja
Application granted granted Critical
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Description

上記課題に鑑みて、本発明の１つの実施形態は、画素アレイの一部を構成する第１回路が形成された第１半導体領域を有する第１半導体基板と、前記画素アレイの別の一部を構成する第２回路が形成された第２半導体領域を有する第２半導体基板とを備え、前記第１半導体基板と前記第２半導体基板とが重なって配置され、前記第１回路と前記第２回路とが電気的に接続された固体撮像装置であって、前記第１半導体基板は、前記第１半導体領域に第１定電圧を供給するための１つ以上の第１コンタクトプラグを有し、前記第２半導体基板は、前記第２半導体領域に第２定電圧を供給するための１つ以上の第２コンタクトプラグを有し、前記画素アレイ内にある前記第１コンタクトプラグの数と前記画素アレイ内にある前記第２コンタクトプラグの数とは互いに異なることを特徴とする固体撮像装置を提供する。本発明の別の実施形態は、光電変換部および前記光電変換部で生じた信号を増幅して出力する増幅トランジスタをそれぞれが含む複数の画素と、前記複数の画素のそれぞれに含まれる前記光電変換部が形成された第１領域を有する第１半導体基板と、前記複数の画素のそれぞれに含まれる前記増幅トランジスタが形成された第２領域を有する第２半導体基板と、を備え、前記第１半導体基板と前記第２半導体基板とが重なって配置された固体撮像装置であって、前記第１領域には、前記第１領域に第１接地電圧又は第１電源電圧を供給するための１つ以上の第１コンタクトプラグが接続され、前記第２領域には、前記第２領域に第２接地電圧又は第２電源電圧を供給するための１つ以上の第２コンタクトプラグが接続され、前記第１領域に接続された前記第１コンタクトプラグの数は、前記第２領域に接続された前記第２コンタクトプラグの数と異なることを特徴とする固体撮像装置を提供する。

Claims (12)

  1. 画素アレイの一部を構成する第１回路が形成された第１半導体領域を有する第１半導体基板と、前記画素アレイの別の一部を構成する第２回路が形成された第２半導体領域を有する第２半導体基板とを備え、前記第１半導体基板と前記第２半導体基板とが重なって配置され、前記第１回路と前記第２回路とが電気的に接続された固体撮像装置であって、
    前記第１半導体基板は、前記第１半導体領域に第１定電圧を供給するための１つ以上の第１コンタクトプラグを有し、
    前記第２半導体基板は、前記第２半導体領域に第２定電圧を供給するための１つ以上の第２コンタクトプラグを有し、
    前記画素アレイ内にある前記第１コンタクトプラグの数と前記画素アレイ内にある前記第２コンタクトプラグの数とは互いに異なることを特徴とする固体撮像装置。
  2. 前記第１回路は、光電変換部と、フローティングディフュージョンと、前記光電変換部で発生した電荷を前記フローティングディフュージョンへ転送するためのトランジスタとを含み、
    前記第２回路は、前記フローティングディフュージョンをリセットするためのトランジスタと、前記フローティングディフュージョンからの信号を増幅するためのトランジスタとの内の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
  3. 前記画素アレイ内にある前記第１コンタクトプラグの数は前記画素アレイ内にある前記第２コンタクトプラグの数よりも多いことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
  4. 前記第１半導体基板は前記第１定電圧が供給される導電パターンを更に有し、
    前記第１コンタクトプラグは前記導電パターンに電気的に接続され、
    前記第１半導体基板は、前記第１半導体基板の表面から露出し、前記導電パターンに電気的に接続された接続部を更に有し、
    前記第２コンタクトプラグは前記接続部に電気的に接続され、前記導電パターンから供給される前記第１定電圧が前記第２コンタクトプラグを通じて前記第２定電圧として前記第２半導体基板に供給されることを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置。
  5. 前記画素アレイ内にある前記第２コンタクトプラグの数は前記画素アレイ内にある前記第１コンタクトプラグの数よりも多いことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
  6. 前記第２半導体基板は前記第２定電圧が供給される導電パターンを更に有し、
    前記第２コンタクトプラグは前記導電パターンに電気的に接続され、
    前記第２半導体基板は、前記第２半導体基板の表面から露出し、前記導電パターンに電気的に接続された接続部を更に有し、
    前記第１コンタクトプラグは前記接続部に電気的に接続され、前記導電パターンから供給される前記第２定電圧が前記第１コンタクトプラグを通じて前記第１定電圧として前記第１半導体基板に供給されることを特徴とする請求項５に記載の固体撮像装置。
  7. 前記第１半導体領域と前記第２半導体領域とは同じ導電型であることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の固体撮像装置。
  8. 前記第１半導体領域と前記第２半導体領域とは互いに異なる導電型であることを特徴とする請求項１、２、３及び５の何れか１項に記載の固体撮像装置。
  9. 光電変換部および前記光電変換部で生じた信号を増幅して出力する増幅トランジスタをそれぞれが含む複数の画素と、
    前記複数の画素のそれぞれに含まれる前記光電変換部が形成された第１領域を有する第１半導体基板と、
    前記複数の画素のそれぞれに含まれる前記増幅トランジスタが形成された第２領域を有する第２半導体基板と、を備え、
    前記第１半導体基板と前記第２半導体基板とが重なって配置された固体撮像装置であって、
    前記第１領域には、前記第１領域に第１接地電圧又は第１電源電圧を供給するための１つ以上の第１コンタクトプラグが接続され、
    前記第２領域には、前記第２領域に第２接地電圧又は第２電源電圧を供給するための１つ以上の第２コンタクトプラグが接続され、
    前記第１領域に接続された前記第１コンタクトプラグの数は、前記第２領域に接続された前記第２コンタクトプラグの数と異なることを特徴とする固体撮像装置。
  10. 前記第１半導体基板は、前記第１領域とは別の第３領域をさらに有し、
    前記第２半導体領域は、前記第２領域とは別の第４領域をさらに有し、
    前記第３領域および前記第４領域の少なくとも一方に、前記画素アレイからの信号を処理する回路が形成されることを特徴とする請求項９に記載の固体撮像装置。
  11. 請求項１乃至１０の何れか１項に記載の固体撮像装置と、
    前記固体撮像装置によって得られた信号を処理する信号処理部と、
    を備えることを特徴とするカメラ。
  12. 画素アレイの一部を構成する第１回路が形成された第１半導体領域を有する第１半導体基板と、前記画素アレイの別の一部を構成する第２回路が形成された第２半導体領域を有する第２半導体基板とを備え、前記第１半導体基板と前記第２半導体基板とが重なって配置され、前記第１回路と前記第２回路とが電気的に接続された固体撮像装置の設計方法であって、
    前記第１回路に含まれる回路素子を決定する工程と、
    前記第２回路に含まれる回路素子を決定する工程と、
    前記第１半導体基板の前記第１半導体領域に第１定電圧を供給するための１つ以上の第１コンタクトプラグの配置を決定する工程と、
    前記第２半導体基板の前記第２半導体領域に第２定電圧を供給するための１つ以上の第２コンタクトプラグの配置を決定する工程と
    を有することを特徴とする設計方法。
JP2011266274A 2011-12-05 2011-12-05 固体撮像装置およびカメラ Active JP6018376B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011266274A JP6018376B2 (ja) 2011-12-05 2011-12-05 固体撮像装置およびカメラ
US13/667,880 US9026972B2 (en) 2011-12-05 2012-11-02 Solid-state imaging device, camera, and design method for solid-state imaging device
CN201610195655.8A CN105762162A (zh) 2011-12-05 2012-11-30 固态成像设备、照相机和固态成像设备的设计方法
CN201210505763.2A CN103137640B (zh) 2011-12-05 2012-11-30 固态成像设备、照相机和固态成像设备的设计方法
US14/662,582 US9257472B2 (en) 2011-12-05 2015-03-19 Solid-state imaging device, camera, and design method for solid-state imaging device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011266274A JP6018376B2 (ja) 2011-12-05 2011-12-05 固体撮像装置およびカメラ

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016194768A Division JP6257726B2 (ja) 2016-09-30 2016-09-30 固体撮像装置およびカメラ

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2013118345A JP2013118345A (ja) 2013-06-13
JP2013118345A5 true JP2013118345A5 (ja) 2014-09-11
JP6018376B2 JP6018376B2 (ja) 2016-11-02

Family

ID=48497236

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011266274A Active JP6018376B2 (ja) 2011-12-05 2011-12-05 固体撮像装置およびカメラ

Country Status (3)

Country Link
US (2) US9026972B2 (ja)
JP (1) JP6018376B2 (ja)
CN (2) CN103137640B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7413432B2 (ja) 2016-10-18 2024-01-15 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 センサ、測距装置

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9406711B2 (en) * 2012-06-15 2016-08-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for backside illuminated image sensors
WO2014002367A1 (ja) * 2012-06-25 2014-01-03 パナソニック株式会社 固体撮像装置
JP6162999B2 (ja) 2013-04-15 2017-07-12 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびカメラ
JP2014225536A (ja) 2013-05-15 2014-12-04 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びカメラ
JP6094511B2 (ja) * 2014-02-25 2017-03-15 ソニー株式会社 撮像素子および撮像装置
US10264199B2 (en) * 2014-07-15 2019-04-16 Brillnics Inc. Solid-state imaging device, method for producing solid-state imaging device, and electronic apparatus using photoelectric conversion elements
JP6541361B2 (ja) 2015-02-05 2019-07-10 キヤノン株式会社 固体撮像装置
FR3033220B1 (fr) * 2015-02-27 2017-03-10 Commissariat Energie Atomique Recepteur d'horloge de liaison optique
JP6491519B2 (ja) * 2015-04-02 2019-03-27 キヤノン株式会社 撮像素子及び撮像装置
CN111818282B (zh) * 2015-09-30 2023-07-18 株式会社尼康 摄像元件及摄像装置
JP6752585B2 (ja) * 2016-02-19 2020-09-09 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム
JP6738200B2 (ja) 2016-05-26 2020-08-12 キヤノン株式会社 撮像装置
JP7058479B2 (ja) * 2016-10-18 2022-04-22 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出器
US10431614B2 (en) * 2017-02-01 2019-10-01 Semiconductor Components Industries, Llc Edge seals for semiconductor packages
JP2019140237A (ja) * 2018-02-09 2019-08-22 キヤノン株式会社 光電変換装置および撮像システム
JP7353729B2 (ja) 2018-02-09 2023-10-02 キヤノン株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法
US11463644B2 (en) 2018-08-31 2022-10-04 Canon Kabushiki Kaisha Imaging device, imaging system, and drive method of imaging device
WO2020100806A1 (en) * 2018-11-16 2020-05-22 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging device
WO2020105713A1 (ja) * 2018-11-21 2020-05-28 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子
JP6775206B2 (ja) * 2019-02-27 2020-10-28 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 撮像装置
JP6957559B2 (ja) 2019-06-24 2021-11-02 キヤノン株式会社 半導体装置および機器
US20220238590A1 (en) * 2019-06-26 2022-07-28 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging device
US11233088B2 (en) * 2020-06-12 2022-01-25 Omnivision Technologies, Inc. Metal routing in image sensor using hybrid bonding

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3359258B2 (ja) * 1997-05-30 2002-12-24 キヤノン株式会社 光電変換装置及びそれを用いたイメージセンサ、画像読取装置
JP2001332714A (ja) * 2000-05-22 2001-11-30 Canon Inc 固体撮像装置
JP4391145B2 (ja) 2003-06-27 2009-12-24 富士フイルム株式会社 固体撮像装置
JP4363136B2 (ja) * 2003-09-12 2009-11-11 ソニー株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
JP4700332B2 (ja) * 2003-12-05 2011-06-15 イビデン株式会社 多層プリント配線板
JP5224633B2 (ja) * 2004-03-30 2013-07-03 キヤノン株式会社 半導体装置の製造方法
US20060113460A1 (en) * 2004-11-05 2006-06-01 Tay Hiok N Image sensor with optimized wire routing
JP2007081139A (ja) * 2005-09-14 2007-03-29 Fujifilm Corp Ｍｏｓイメージセンサ
KR100775058B1 (ko) * 2005-09-29 2007-11-08 삼성전자주식회사 픽셀 및 이를 이용한 이미지 센서, 그리고 상기 이미지센서를 포함하는 이미지 처리 시스템
JP2007103809A (ja) * 2005-10-07 2007-04-19 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4859542B2 (ja) * 2006-06-06 2012-01-25 パナソニック株式会社 Ｍｏｓ型固体撮像装置及びｍｏｓ型固体撮像装置の製造方法
US7755120B2 (en) * 2007-01-22 2010-07-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device
JP2009032953A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Panasonic Corp 固体撮像装置
JP5223343B2 (ja) * 2008-01-10 2013-06-26 株式会社ニコン 固体撮像素子
US7781716B2 (en) * 2008-03-17 2010-08-24 Eastman Kodak Company Stacked image sensor with shared diffusion regions in respective dropped pixel positions of a pixel array
CN100576541C (zh) * 2008-05-14 2009-12-30 电子科技大学 一种半导体器件及其提供的低压电源的应用
JP5313550B2 (ja) * 2008-05-28 2013-10-09 パナソニック株式会社 固体撮像装置
JP4595002B2 (ja) * 2008-07-09 2010-12-08 株式会社東芝 半導体装置
KR101471492B1 (ko) * 2008-12-15 2014-12-10 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치의 스택 어레이 구조
JP5476745B2 (ja) * 2009-03-05 2014-04-23 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
JP4835710B2 (ja) * 2009-03-17 2011-12-14 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器
JP2011014773A (ja) * 2009-07-03 2011-01-20 Panasonic Corp 固体撮像装置およびその製造方法
JP5482025B2 (ja) * 2009-08-28 2014-04-23 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
JP4966351B2 (ja) * 2009-09-24 2012-07-04 株式会社東芝 半導体装置
JP5564874B2 (ja) * 2009-09-25 2014-08-06 ソニー株式会社 固体撮像装置、及び電子機器
KR101648200B1 (ko) * 2009-10-22 2016-08-12 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 제조 방법
JP5558801B2 (ja) * 2009-12-18 2014-07-23 キヤノン株式会社 固体撮像装置
TWI420662B (zh) * 2009-12-25 2013-12-21 Sony Corp 半導體元件及其製造方法，及電子裝置
EP3955303A3 (en) * 2009-12-26 2022-05-11 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state image pickup apparatus and image pickup system
US8487357B2 (en) * 2010-03-12 2013-07-16 Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Solid state imaging device having high sensitivity and high pixel density
JP5538976B2 (ja) * 2010-03-29 2014-07-02 ソニー株式会社 固体撮像素子、撮像装置
JP5539029B2 (ja) 2010-05-28 2014-07-02 キヤノン株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP5693060B2 (ja) * 2010-06-30 2015-04-01 キヤノン株式会社 固体撮像装置、及び撮像システム
JP5843475B2 (ja) * 2010-06-30 2016-01-13 キヤノン株式会社 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
JP2012015400A (ja) * 2010-07-02 2012-01-19 Canon Inc 固体撮像装置
JP5530839B2 (ja) * 2010-07-09 2014-06-25 パナソニック株式会社 固体撮像装置
KR101819057B1 (ko) * 2010-11-15 2018-01-16 삼성전자주식회사 반도체 소자
JP5696513B2 (ja) * 2011-02-08 2015-04-08 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
JP2013012556A (ja) * 2011-06-28 2013-01-17 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法、および電子機器
JP5878317B2 (ja) * 2011-08-08 2016-03-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
WO2013076924A1 (ja) * 2011-11-22 2013-05-30 パナソニック株式会社 固体撮像装置
US20130140442A1 (en) * 2011-12-02 2013-06-06 Sony Corporation Amplifying circuit and manufacturing method, solid-state imaging element, and electronic device
US9412895B2 (en) * 2012-04-04 2016-08-09 Samsung Sdi Co., Ltd. Method of manufacturing photoelectric device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7413432B2 (ja) 2016-10-18 2024-01-15 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 センサ、測距装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013118345A5 (ja)
TWI667779B (zh) 固態成像裝置，固態成像裝置之製造方法及電子設備
JP2018006561A5 (ja) 光電変換装置、カメラ及び積層用の基板
JP2013080797A5 (ja)
JP2016032053A5 (ja)
JP2012019057A5 (ja)
JP2012015274A5 (ja)
JP2013149740A5 (ja)
JP2012019058A5 (ja)
US9026972B2 (en) Solid-state imaging device, camera, and design method for solid-state imaging device
JP2013247182A5 (ja)
JP2013219082A5 (ja)
JP2011239156A5 (ja)
JP2013187360A5 (ja)
ATE543334T1 (de) Festkörper-bildsensor mit reduzierter überstrahlung und farbverwischung
JP2013143598A5 (ja)
JP2014075776A5 (ja) 固体撮像装置及びカメラ
JP2012015400A5 (ja)
JP2014022561A5 (ja)
JP2011091367A5 (ja)
JP2011118887A5 (ja) 半導体装置及び表示装置
JP2012015276A5 (ja)
JP2013149742A5 (ja)
JP2009181986A5 (ja)
JP2011238768A5 (ja)