JP2013065735A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】IGBT素子と還流ダイオード素子が同一の半導体基板に併設され、半導体基板のドリフト層とIGBT素子のコレクタ層との間にバッファ層が設けられた構成の半導体装置において、バッファ層が、ドリフト層に較べて不純物濃度が高い第1バッファ層と、第1バッファ層に較べて不純物濃度が低い第2バッファ層と、から構成され、第2バッファ層がコレクタ層の少なくとも一部に接する構成とする。
【選択図】図3
Description
第1主面およびその裏面の第2主面を有する半導体基板に、ゲート電極を第1主面側に有する縦型のIGBT素子と、該IGBT素子に逆並列に接続される縦型の還流ダイオード素子と、が構成された半導体装置であって、
半導体基板の第1主面側の表層の一部に形成された第1導電型のエミッタ領域と、
エミッタ領域を覆うように、半導体基板の第1主面の表層に形成された第2導電型のベース領域と、
半導体基板の第2主面側表層に並設された、IGBT素子を構成する第2導電型のコレクタ層、および、還流ダイオード素子を構成する第1導電型のカソード層と、
ベース領域と、コレクタ層およびカソード層と、の間に形成された第1導電型のドリフト層と、
ドリフト層とコレクタ層との間に形成された、第1導電型のバッファ層と、を備え、
バッファ層は、ドリフト層に較べて不純物濃度が高い第1バッファ層と、該第1バッファ層に較べて不純物濃度が低い第2バッファ層と、から構成され、第2バッファ層が前記コレクタ層の少なくとも一部に接していることを特徴としている。
したがって、第1バッファ層の不純物濃度あるいは層厚を変更することなく、スナップバック電圧を低減することができる。換言すれば、第1バッファ層の不純物濃度を高く設計してもスナップバックを抑制することができる。
最初に、図1および図2を参照して、本実施形態に係る半導体装置10の構成について説明する。
第1実施形態では、ある一つのコレクタ層22に対して一つの第1バッファ層27が隣接して形成された例を示した。これに対して、本実施形態では、図6に示すように、ある一つのコレクタ層22に対して複数の第1バッファ層27が水平方向に互いに離間して形成され、第2バッファ層28が、隣り合う第1バッファ層27の間の領域に形成されている。
第1実施形態および第2実施形態では、バッファ層26を構成する第1バッファ層27と第2バッファ層28が同一平面内にある(単層構造)である例を示した。これに対して、本実施形態では、図8に示すように、バッファ層26が二層構造をなしている。
第3実施形態では、バッファ層26が二層構造をなす構成のうち、ある一つのコレクタ層22の直上に、第2バッファ層28を介して、一つの第1バッファ層27が形成される例を示した。これに対して、本実施形態では、図9に示すように、バッファ層26が二層構造をなして、一つのコレクタ層22の直上において、複数の第1バッファ層27が水平方向に互いに離間して形成されている。具体的には、第2バッファ層28はコレクタ層22およびカソード層23に全域に亘って接しており、第1バッファ層27は、第2バッファ層28のコレクタ層22と反対の面に隣接して形成されている。そして、一つのコレクタ層22の直上に、第2バッファ層28を介して、複数の第1バッファ層27が水平方向に互いに離間して形成され、第2バッファ層28が隣り合う第1バッファ層27の間の領域に形成されている。
本実施形態では、図10に示すように、メイン領域11において、IGBTセルと単独で形成されたベース領域21bとを有する第1実施形態に対して、半導体基板20の第1主面の表層にIGBTセルのみが形成された構成となっている。すなわち、還流ダイオードのアノードとして機能するベース領域21がIGBTセルにおけるベース領域21aのみの構成となっている。
上記した各実施形態では、少なくともある一つIGBTセルの直下において、IGBT素子を構成するコレクタ層22のみが形成された構成の例を示した。しかしながら、コレクタ層22の構成は、上記例に限定されるものではない。本実施形態では、図12に示すように、一つのIGBTセルの直下において、複数のコレクタ層22が互いに離間して形成され、隣り合うコレクタ層22の間の領域に、還流ダイオード素子を構成するカソード層23を有する構成となっている。この場合は、一つのIGBTセルの直下において、複数のカソード層23が互いに離間して形成され、隣り合うカソード層23の間の領域に、コレクタ層22を有する構成となることもある。
第6実施形態では、一つのIGBTセルの直下において、複数のコレクタ層22が互いに離間して形成されつつ、バッファ層26が二層構造をなしている例を示した。これに対して、本実施形態では、バッファ層26が単層構造をしている。具体的には、バッファ層26の厚さは均一であり、第1バッファ層27および第2バッファ層28の厚さはバッファ層26の厚さと略同等である。そして、図13に示すように、第2バッファ層28が、一つのIGBTセルの直下において複数形成されたコレクタ層22に少なくとも接するように形成されている。且つ、カソード層23上には第2バッファ層28のみが形成されている。換言すれば、コレクタ層22上には第1バッファ層27および第2バッファ層28が形成され、カソード層23上には第2バッファ層28のみが形成された構成となっている。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。
22・・・コレクタ層
23・・・カソード層
24・・・コレクタ電極
25・・・ドリフト層
27・・・第1バッファ層
28・・・第2バッファ層
29・・・境界面
30・・・ゲートトレンチ
31・・・ゲート絶縁膜
32・・・ゲート電極
33・・・エミッタ領域
34・・・ボディ領域
35・・・エミッタ電極
Claims (7)
- 第1主面およびその裏面の第2主面を有する半導体基板に、ゲート電極を前記第1主面側に有する縦型のIGBT素子と、該IGBT素子に逆並列に接続される縦型の還流ダイオード素子と、が構成された半導体装置であって、
前記半導体基板の第1主面側の表層の一部に形成された第1導電型のエミッタ領域と、
前記エミッタ領域を覆うように、前記半導体基板の第1主面の表層に形成された第2導電型のベース領域と、
前記半導体基板の第2主面側表層に並設された、前記IGBT素子を構成する第2導電型のコレクタ層、および、前記還流ダイオード素子を構成する第1導電型のカソード層と、
前記ベース領域と、前記コレクタ層および前記カソード層と、の間に形成された第1導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層と前記コレクタ層との間に形成された、第1導電型のバッファ層と、を備え、
前記バッファ層は、前記ドリフト層に較べて不純物濃度が高い第1バッファ層と、該第1バッファ層に較べて不純物濃度が低い第2バッファ層と、から構成され、前記第2バッファ層が前記コレクタ層の少なくとも一部に接していることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1バッファ層および前記第2バッファ層は、前記コレクタ層と平行な同一平面内に互いに隣接して設けられ、
前記第1バッファ層は、前記コレクタ層と前記カソード層との境界面から前記コレクタ層側に所定の距離(L)だけ離れて設けられていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記コレクタ層と前記カソード層との境界面から前記第1バッファ層までの距離(L)と、前記ドリフト層における、前記ベース領域の下面との境界から前記バッファ層との境界までの距離(D)と、の間に、L/D≧0.015の関係が成り立つことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記バッファ層のうち、前記第2バッファ層は、前記コレクタ層と平行な水平方向の全域に亘って前記コレクタに接しており、前記第1バッファ層は、前記第2バッファ層におけるコレクタ層と反対の面に隣接して形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1バッファ層は、前記水平方向において、前記コレクタ層の全域に亘って形成されていることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 前記水平方向において、複数の前記第1バッファ層が互いに離間して形成され、前記第2バッファ層が、隣り合う前記第1バッファ層の間の領域にも形成されていることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 前記第2バッファ層の不純物濃度が、前記ドリフト層の不純物濃度と同じであることを特徴とする請求項1〜6いずれか1項に記載の半導体装置。
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